JPS6232464A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

Info

Publication number
JPS6232464A
JPS6232464A JP60171137A JP17113785A JPS6232464A JP S6232464 A JPS6232464 A JP S6232464A JP 60171137 A JP60171137 A JP 60171137A JP 17113785 A JP17113785 A JP 17113785A JP S6232464 A JPS6232464 A JP S6232464A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
graft polymer
comb
silicone
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60171137A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisami Tanaka
久巳 田中
Masaaki Ko
弘 正明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60171137A priority Critical patent/JPS6232464A/ja
Publication of JPS6232464A publication Critical patent/JPS6232464A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/056Polyesters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0578Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0592Macromolecular compounds characterised by their structure or by their chemical properties, e.g. block polymers, reticulated polymers, molecular weight, acidity
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14708Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713Macromolecular material
    • G03G5/14747Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14752Polyesters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14708Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713Macromolecular material
    • G03G5/14747Macromolecular material obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G5/14773Polycondensates comprising silicon atoms in the main chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/147Cover layers
    • G03G5/14708Cover layers comprising organic material
    • G03G5/14713Macromolecular material
    • G03G5/14791Macromolecular compounds characterised by their structure, e.g. block polymers, reticulated polymers, or by their chemical properties, e.g. by molecular weight or acidity

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子写真複写機、レーデ−ビームプリンター
、CRTプリンター、電子写真式製版システムなどの電
子写真応用分野に広く用いることができる電子写真感光
体に関する。
〔従来の技術〕
電子写真感光体の光導電材料としてセレン、硫化カドミ
ウム、酸化亜鉛などの無機光導電材料が従来より用いら
れている。一方ポリビニルカル/ぐゾール、オキサジア
ゾール、フタロシアニンなどの有機光導電材料は無機光
導電材料に較べて無公害性、高生産性などの利点がある
が、感度が低くその実用化は困難であった。そのため、
いくつかの増感方法が提案されているが、効果的な方法
としては電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型
感光体を用いることが知られ実用化されている。
一方、電子写真感光体には、当然のことであるが、適用
される電子写真プロセスに応じた所定の感度、電気特性
、更には光学特性を備えていることが要求される。特に
繰返し使用可能な感光体にあってはその感光体の表面層
、即ち基体より最も離隔する層にはコロナ帯電、トナー
現象、紙への転写、りIJ  =ング処理などの電気的
機械的外力が直接に加えられるため、それらに対する耐
久性が要求される。具体的には、コロナ帯電時に発生す
るオゾンによる劣化のために感度低下や電位低下、残留
電位増加、および摺擦による表面の摩耗や傷の発生など
に対する耐久性が要求されている。
又、紙との接触による紙粉の付着は、高湿下での画像流
れの原因の一つとな9、又、トナーのフィルミングやク
リーニング不良による残留トナーは、得られる画像を著
しく損ねるものでちり、従って、これらに汚染されにく
くかつ容易に除去されやすい感光体表面を形成させるこ
とが要求されている。
従来より前記欠点を解決すべく徨々の方法が提案されて
いる。その一つとしてsfソリビスフェノールテレフタ
レート樹脂を表面層のバインダーとして用いることが検
討されている。ポリビスフェノールテレフタレート系樹
脂は、耐摩耗性が良好のためポリビスフェノールテレフ
タレート系樹脂を表面層のバインダーとして用いた感光
体では機械的外力に対する耐久性は大巾に改善される。
しかしながら、表面層の削れ量が減少するため、付着し
た紙粉や残留トナーのクリーニング性が不良となシ、逆
に画質の劣化を引き起こすことになる。
これを改良すべく表面層に潤滑性及び離型性を付与させ
、紙粉や残留トナーが付着しにくくかつクリーニングし
やすいことが試みられている。その手段として、一般的
な塗膜表面改質剤、すなわちレベリング剤、シリコーン
オイル等の添加やテフロン粉末等を分散させる方法があ
る。
しかしながら、これら一般的な表面改質剤は、添加され
る塗工液の成分との相溶性に乏しいため、長期使用の間
に表面層の上に移行ないし滲み出してくるので効果の持
続性に難点があった。また、表面層自体が光導電層を形
成している場合、表面改質剤が光導電性物質との相溶性
に乏しく、さらに光生成によるキャリヤーの移動に対し
てトラップとなり易く、繰返し電子写真プロセスにより
残留電荷が増大していく傾向があった。一方テフロン粉
末などを分散させた表面層においては分散性不良、透明
性低下、キャリヤーのトラ、ゾなどの問題を生じていた
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、従来の問題点を解決して、表面の潤滑性及び
離型性に優れ、クリーニング性が極めて良好で且つ繰返
し耐久性が優れ、表面層の損傷が少ない電子写真感光体
を提供することを目的としている。
本発明の別の目的は繰返し電子写真プロセスにおいて残
留電荷の蓄積がなく常に高品位の画像が得られる電子写
真感光体を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
即ち、従来の問題点を解決し、本発明の上記目的を達成
する手段として見出された、本発明の電子写真感光体は
、少なくとも基体より最も離隔する層に、シリコーン系
クシ型グラフトポリマーとポリビスフェノールテレフタ
レート系樹脂トナ含有されていることを特命とするもの
でちる。
〔発明の詳細な説明及び実施例〕
電子写真感光体は、当業界で知られている様に、基体上
に感光層及び必要に応じて非感光性の下引層、中間層及
び表面層等を有し、また、前記感光層としては、単層構
造を有しているものや電荷発生層と電荷輸送層との積層
構造を有するものなどがある。本発明はこれら公知のあ
らゆるタイプの電子写真感光体として適用することがで
きるものであり、少なくとも基体より最も離隔する層(
以下、本発明に係る表面層という)として、例えば前記
非感光性の表面層、単層構造の感光層、積層構造の感光
層における電荷発生層乃至は電荷輸送層に、前記シリコ
ーン系クシ型グラフトポリマートH51Jビスフエノー
ルテレフタレート系樹脂トカ含有されている。
本発明で用いられるシリコーン系クシ型グラフトポリマ
ーはケイ素原子を側鎖に有する末端に重合性の′L能基
を有する単量体と、ケイ素原子を持たない重合性の単量
体、もしくは末端に重合性の官能基を有する分子量1o
ooから10000程度の比較的低分子長のプリマーか
らなるマクロモノマーとを共重合して得られるものであ
シ、主鎖に対してシリコーンを含有する側鎖基が枝状に
結合した構造を有している。シリコーンを側鎖に有する
単量体としては、以下の様な化合物があげられるが、本
発明はこれらの例に限定されるものではない。
CH3 (式中、RはH又はCH,である。〕 (式中、R′はH又はCHs 、nは正の整数である。
)一方の重合性単量体、もしくはマクロモノマーはグラ
フトポリマーを添加しようとする樹脂と親和性のあるも
のが選択さt1例tばアクリル酸エステル類、メタクリ
ル酸エステル類、スチレン系等が用いられる。共重合比
はシリコーン系単量体の含有率として5〜90重量%・
が好ましく、10〜70′M量チが更に好ましい。得ら
れた重合体の分子量は数平均分子量として500から1
00000゜特に1oooから10000が好ましい。
本発明のシリコーン系クシ型グ′:)7)ポリマーの重
合法としては溶液重合法、S濁重合法、バルク重合法等
のラジカル重合やイオン重合が適用できるが、溶液重合
法によるラジカル重合が簡便で好ましい。
本発明におけるシリコーン系クシ型グラフトポリマーは
かかる構造を有しているので本発明に係る表面層形成用
のバインダー樹脂としてポリビスフェノールテレ7タレ
ート系樹脂を含有する塗工液に対する相溶性がすぐれて
おり従って得られる塗膜は良好な透明性を有し、かつ本
発明に係る表面層上への移行ないし滲み出しをおこすこ
となく効果の持続性を有するものであυ、またシリコー
ン含有の枝の部分は界面移行性がすぐれているので少量
の添加により表面の改質が達成される。更にこの添加剤
を表面層に含有させてもくシ返し電子写真プロセスによ
る残留電荷の蓄積がなく安定した帯電特性が得られる。
本発明で使用するポリビスフェノールテレフタレート系
樹脂は、下記一般式〔I〕で示される繰返し単位の1種
又は2種以上を成分とする線状ポリマーを含有するもの
である。
〔記〕
一般式(1) (式中、R1及びR2は、それぞれ水素原子、アルキル
基又は芳香族基である。またR1と82とで、結合して
いる炭素原子と共に環状構造を形成してもよい。Xl、
X2.X3及びX4は、それぞれ水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基又はアリール基を表わす。) 本発明に用いられるポリビスフェノールテレ7タレート
系樹脂は、例えば下記一般式(II)で示されるジオー
ル化合物の1種又は2Wi以上を用い、テレフタル酸塩
化物との複分解反応を用いる方法等の一般的なIリエス
テル合成法により得ることができる。
〔記〕
一般式(n) (式中、R1,R2,X、S X21 X3及びX4は
、前述の意味を有する。) 本発明で使用する前記ジオール化合物の代表的具体例を
以下に化合物Aと共に構造式によって示すが、本発明は
これらに限定されることはない。
化合物ム        構 造 式 %式% 化合物ム        構 造 式 しri3 しn5 化合物A       構 造 式 CH。
CH3 CH,−CH−CH3 化合物ム       構 造 式 化合物屋       構 造 式 化合物A       構 造 式 0式% 化合物A       構 造 式 化合物墓       構 造 式 シリコーン系グラフトポリマーの添加量は表面層の固形
分重量にもとづいて0.01〜10%が適当であシ、特
に0.05〜5%が好ましい。添加量が0.01チ未満
では十分な表面改質効果が得られず、一方10%をこえ
るとグラフトポリマーが塗膜表面だけでなくバルク中に
も存在するようになるため表面層の主成分である樹脂や
光導電性物質との相溶性の問題から白化をひきおこした
り、繰返し電子写真グロセスを行なったとき残留電荷の
蓄積が生じてくる。
以下、感光層が電荷発生層と電荷輸送層との積層構造を
有し、本発明に係る表面層が電荷輸送層である場合を例
にとシ、本発明の詳細な説明する。
本発明の電子写真感光体を製造する場合、基体としては
、アルミニウム、ヌテンレスなどの金属、紙、プラヌチ
、りなどの円筒状シリンダーまたはフィルムが用いられ
る。これらの基体の上には、バリアー機能と下引機能を
もつ下引層(接着層)を設けることができる。
下引層は感光層の接着性改良、塗工性改良、基体の保護
、基体上の欠陥の被覆、基体からの電荷注入性改良、感
光層の電気的破壊に対する保護などのために形成される
。下引層の材料としては、ポリビニルアルコール、ポリ
−N−ビニルイミダゾール、ポリエチレンオキシド、エ
チルセルロース、メチルセルロース、エチレン−アクリ
ル酸コポリマー、カゼイン、ポリアミド、共重合ナイロ
ン、ニカワ、ゼラチン、等が知られている。これらはそ
れぞれに適した溶剤に溶解されて基体上に塗布される。
その膜厚は0.2〜2μ程度である。
機能分離型感光体においては、電荷発生物質としてセレ
ン、セレン−テルル、ビリリウム、チオピリリウム系染
料、フタロシアニン系顔料アントアントロン顔料、ゾペ
ンズピレンキノン顔料、ビラントロン顔料、トリスアゾ
顔料、ジスアゾ顔料、アゾ顔料、インジゴ顔料、キナク
リドン系顔料、非対称キノシアニン、キノシアニンある
いは特開昭54−143645号公報に記載のアモルフ
ァスシリコンなどを用いることができ、電荷輸送物質と
シテハ、ヒレン、N−エチルカルバゾール、N−イソプ
ロピルカルバゾール、N−メチル−N−フェニルヒドラ
ジノ−3−メチリデン−9−エチルカルバゾール、N、
N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチ
ルカルバゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−
メチリデン−10−エチルフェノチアジン、N、N−ジ
フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10−エチルフ
ェノキサジン、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
N、N−ゾフェニルヒド2シン、p−ジエチルアミノペ
ンズアルデヒドーN−α−ナフチル−N−フェニルヒド
ラゾン、p−ピロリジノベンズアルデヒド−N、N −
・ジフェニルヒドラゾン、1,3.3− )ジメチルイ
ンドレニン−ω−アルデヒド−N、N−ジフェニルヒド
ラゾン、p−シフエチルベンズアルデヒド−3−メチル
ベンズチアゾリノン−2−ヒト2シン等のヒドラゾン類
、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル) −1
,3,4−オキサジアゾール、1−7エニルー3(p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、1−〔キノリル(2) ) −
3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエ
チルアミノフェニル)ピラゾリン、1−(ビリツル(2
):]−3−(p−・ジエチルアミノスチリル)−5−
(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−(6
−メドキシービリジル(2) ) −3−(p−ジエチ
ルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニ
ル)ピラゾリン、1−(ピリジル(3) 〕−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、1−(レピ・ゾル(2) )
 −3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−〔ビリノル
(2) ) −3−(p−ジエチルアミノステリル)−
4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラ
ゾリン、1−〔ビリツル(2) ) −3−(α−メチ
ル−p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニル−3−(
p−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p
−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、1−フェニル
−3−(α−ベンジル−p−ジエチルアミノスチリル)
−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラソl/ン、
スピロピラゾリンなどのビッグリン類、2−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノベンズオキ
サゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−4−
(p−ダメチルアミノフェニル)−5−(2−クロロフ
ェニル)オキサゾール等のオキサゾール系化合物、2−
(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニチルアミノ
ベンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス(4−
ジエチルアミン−2−メチルフェニル)−フェニルメタ
ン等のトリアリールメタン系化合物、1.1−ビス(4
−N、N−ジエチルアミン−2−メチルフェニル)へブ
タン、1,1,2.2−テトラキス(4−N、N−ジメ
チルアミノ−2−メチル7エ二ル)エタン等のボリアリ
ールアルカン類などを用いることができる。
電荷発生層は、前記の電荷発生物質を0.3〜4倍量の
結着剤樹脂、および溶剤と共に、ホモジナイザー、超音
波、ゴールミル、振動ボールミル、サンドミル、アトラ
イター、ロールミルなどの方法でよく分散し、塗布−乾
燥されて形成される。
その厚みは0.1〜5μ程度である。
電荷輸送層は本発明に係るポリカーボネート系樹脂とシ
リコーン系クシ型グラフトポリマーとを結着剤として電
荷輸送物質と共に溶剤に溶解し、電荷発生層上に塗布さ
れる。電荷輸送物質と結着剤樹脂との混合割合は2:1
〜1:2程度である。
溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトンなどのケ
トン類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類、ト
ルエン、キシレンなどの芳香族炭化水ia、クロルベン
ゼン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系炭化水素
類などが用いられる。
この溶液を塗布する際には、例えば浸漬コーチインク法
、スプレーコーティング法、スピンナーコーティング法
、ビードコーティング法、ブレードコーティング法、カ
ーテンコーティング法などのコーティング法を用いるこ
とができ、乾燥は10℃〜200℃、好ましくは20℃
〜150℃の範囲の温度で5分〜5時間、好ましくは1
0分〜2時間の時間で送風乾燥または静止乾燥下で行な
うことができる。生成した電荷輸送層の膜厚は5〜20
μ程度である。
また、電荷輸送層には、種々の添加剤を含有させること
ができる。かかる添加剤としては、ジフェニル、塩化ジ
フェニル、〇−ターフェニル、p−ターフェニル、ジブ
チルフタレート、ジメチルグリコール7タレート、ジオ
クチルフタレート、トリフェニル燐酸、メチルナフタリ
ン、ベンゾフェノン、塩素化パラフィン、ジラウリルチ
オプロビオネート、3,5−ソニトロサリチル酸、各種
フルオロカーボン類などを挙げることができる。
一方、電荷発生層を表面F3とする1、ム能分離型感光
体では本発明に係るポリビヌフェノールテレフタレート
系樹脂とシリコーン系クシ型グラフトポリマーとを電荷
発生物質の結着剤として用いることができる。
更に、感光層を本発明に係る表面層とする単層型感光体
においてもポリカーフtネート系樹脂とシリコーン系グ
ラフトポリマーとを結着剤として感光層に用いることが
でき、又感光体表面に非感光性の表面層を例えば保j層
として設ける場合、本発明に係るポリカーゼネート系樹
脂とシリコーン系クシ型ポリマーを保護膜形成材料とし
て用いることができる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
なお、以下の実施例において「部」は「MR部」を意味
するものとする。
合成例(シリコーン系クシ型グラフトポリマーの合成例
) シリコーン系単量体として前記(4)の化合物(IじC
R2r nが平均30)50部、スチレン50部、アゾ
ビスイソブチロニトリル1.0部、トルエン300部を
コンデンサー、攪拌機を備えたフラスコに入れ、窒素雰
囲気中80℃の温度で24時間反応させた。反応後減圧
蒸留でトルエンと未反応スチレンを除去すると固体状反
応物が得られた。
次に該反応物からn−ヘキサンで未反応シリコーン系モ
ノマーを抽出し、減圧乾燥にて白色粉末状のシリコーン
系クシ型グラフトポリマー85部を得た。
以下の実施例で用いたシリコーン系クシ型グラフトポリ
マー(試料1〜■)は前記重合法に準じて合成したもの
であり、その組成は表1に示す如くでちる。
実施例】 ニネージーランド産うクチックカゼインを10部(重量
部、以下同様)計りとり、水90部て分散させ念後、ア
ンモニア水1部?加えて溶解させた。一方、ヒドロキシ
グロビルメチルセルロース樹脂(商品名:メトローズ6
0SH50,信越化学製)3部を水20部に溶解させ、
次いで両者を混合して下引き層の塗布液を作った。
この液を80φX300+mのAtシリンダーに浸漬法
で塗布し、80℃で10分間乾燥させ、2μ厚の下引き
層を形成した。
次に下記構造式のジスアゾ顔料全10部酢酸酪酸セルロ
ース樹脂(商品名: CAB−381;イーストマン化
学製)6部およびシクロヘキサノン60 ’31> f
 1φカラスビーズを用いたサンドミル装置で20時間
分散した。この分散液にメチルエチルケト2100部を
加えて、上記下引層上に浸漬塗布し、100℃で1部分
間の加熱乾燥をして、0、1 S’/7712の塗布量
の[株]荷発生層をもうけた。
次いで、下記構造式のヒドラゾン化合物ヲ1゜部、 及びポリビスフェノールテレフタレート(商品名U−ポ
リマーU−100、ユニチカ@製)10部ヲノクロルメ
タン100部に溶解した。この液に試料AIシリコーン
系タクシ型グラフトポリマー固形分として0.2部加え
た。この溶液を上記電荷発生層上に塗布し100℃1時
間熱風乾燥して16μ厚の電荷輸送層を形成した。これ
を試料1とする。同様に試料iP511〜■のシリコー
ン系クシ型グラ2トポリマーを用いて調製し念電子写真
感光体を試料2〜5とする。
比較のためシリコーン系クシ型グラフト、I?ポリマー
添加しないものを上記と同様にして作成した。
これを比較試料1とする。
これらの試料に対し、−5,5kV、コロナ帯電、画像
露光、乾式トナー現像、普通紙へのトナー転写、ウレタ
ンゴムブレードによるクリーニングからなる電子写真プ
ロセスにて30000枚の耐久性評価を行なり念。その
結果を下記表2に示した。
評価環境は32.5℃RH90優であった。
表  2 実施例2 前記W 造式(6)のビスフェノールとテレフタル酸塩
化物によってポリビスフェノールテレフタレートを以下
の方法によって合成した。
構造式(6)のビスフェノール1.0モルを1モルの水
酸化す) IJウム水溶液に溶解し、界面活性剤を加え
て激しく攪拌しながら、テレフタル酸塩化物1.0モル
をクロロホルムに溶解した溶液を加える。
攪拌を続けたのち、得られた乳濁液をアセトン中に注い
でポリマーを析出させ、これを充分水洗後戸別し、て、
加熱乾燥後白色ポリマーを得た。
実施例1で用すたヒドラゾン化合物10部及び上記の合
成したボリビスフェノールテレフタレー)10部をモノ
クロルベンゼン80部に溶解した。
この液に試料AHのシリコーン系クシ型グラフトポリマ
ーを固形分として0.5部加えた。この溶液を実施例1
と同様にして、作成した電荷発生層まで塗工した基体上
に塗布し、100℃1時間熱風乾燥して16μ厚の電荷
輸送層を形成し友。これを試料6とする。
比較のためシリコン系クシ型グラフトポリマーを添加し
ないものを上記と同様にして作成した。
これを比較試料2とする。
これらの試料を実施例1と同一の条件下で耐久性評価を
行なった。その結果を表3に示す。
表   3 実施例3 80φX300mのアルミニウムシリンダを基体としこ
れにポリアミド樹脂(商品名:アミランCN−8000
,東し製)の5%メタノール溶液を浸漬法で塗布し、1
μ厚の下引き層をもうけた。
次に下記構造式のピラゾリン化合物12部と、実施例2
で合成したポリビスフェノールテレフタレート(三菱瓦
斯化学製)10部をモノクロルベンゼン60部に溶解し
た。この液を上記下引き層上に浸漬塗布し100℃、1
時間の乾燥をして14μの電荷輸送層を形成した。
次に下記構造式のビスアゾ顔料10部を、実施例iと同
一のポリビスフェノールテレフタレートの10 vt%
ジオキサン溶液100部の中へ加工、ガラスピーズを用
いたサンドミル装置で20時間分散した。この分散液に
試料Ax iIIのシリコーン系クシ型グラフトポリマ
ーを固形分として1部加えた。この溶液を電荷輸送層上
に塗布し100℃20分間乾燥して2μ厚の電荷発生層
を形成した。これを試料7とする。比較のためシリコー
ン系クシ型グラフトポリマーを加えない試料を上記と同
様にして作成した。これを比較試料3とする。
こうして得られた試料を+5.6 kVコロナ帯電、画
像露光、乾式トナー現像、普通紙へのトナー転写、ウレ
タンゴムブレード、にょるクリーニング工程等を有する
電子写真複写機に取シっけて、32゜5℃、RH90%
ノ環境にて3000枚の耐久性評価を行った。その結果
を表4に示す。
表  4 実施例4 実施例1で用いたヒドラゾン化合物10部と実施例2で
合成したプリビスフェノールテレフタレート10部をモ
ノクロルベンゼン60部に溶解した。実施例3と同様に
して形成した下引き層上にこの溶液を浸漬塗布し100
t:、1時間の乾燥をして15μの電荷輸送層を形成し
た。
次に実施例3で用いたビスアゾ顔料10部を実施例2で
合成したポリビスフェノールテレフタレートの10 w
t%のモノクロルベンゼン溶液100部の中へ加えがラ
スビーズを用いたサンドミル装置で20時間分散した。
この分散液に試料應■シリコーン系クシ型グラフドーリ
マーを固形分として0.1部加えた。この溶液を電荷輸
送層上に浸漬塗工し100℃20分間乾燥して、2,5
μ厚の電荷発生層を形成した。これを試料8とする。比
較のためシリコーン系クシ型グラフトポリマーを加えな
い試料を上記と同様にして作成した。これを比較試料4
とする。
これらの試料を実施例3と同一の条件下で1耐久性評価
を行なった。千の結果を表5に示す。
表  5 実施例5 実施例1と同一のポリビスフェノールテレフタレート2
部をノクロルメタン100部に溶解した。
この溶液に試料151Vのシリコーン系クシ型グラフト
ポリマーを固形分で0.15部加えた。この溶液を実施
例1の比較試f41と同様に作成した電子写真感光体の
上にスプレー塗布し、100℃5分乾燥させて0.5μ
の保護層を形成した。これを試料9とする。
同様に実施例2で合成した。l リビスフェノールテレ
フタレー)2!Inモノクロルベンゼン100部に溶解
し、さらに試料Amのシリコーン系クシ型グラフトポリ
マーを固形分で0.5部加えた。この溶液を実施例2の
比較試料2と同様に作成した電子写真感光体の上にスプ
レー塗布し、100℃5分乾燥させて0.4 ttの保
護層を形成した。これを試料10とする。これらの試料
を実施例1と同様の条件下で5ooo枚の耐久性評価を
行なった。
その結果を表6に示す。
表  6 比較例 シリコーン系クシ型ポリマーの代わりにシリコーンオイ
ル(商品名KF96信越シリコ〜ン■製)を固形分とし
て1.0部を用いたほかは実施例1と同様に作成した試
料を比較試料5とする。
同様に上記のシリコーンオイル10部ヲ用いるほかは実
施例2と同様知作成した試料を比較試料6とする。これ
らの試料を実施例1と同様の条件下で耐久性評価を行な
ったが、地力プリがはなはだしく、更にくシ返しコピー
によってカブリの度合が大きくなった。また比較試料5
,6を作成して1か刃稜に観察するとシリコーンオイル
が表面層に移行し、しみ状に浮き出ていた。一方、シリ
コーン系クシ型グラフトポリマーを添加した試料1〜1
1にはこの様な経時変化は認められず、初期と同様の外
観、特性を示した・ 次に前記試料1〜11についてウレタングレードと表面
層との間の摩擦力を測定した。その結果を表7に示す。
表  7 *摩擦カニ比較試料lの摩擦力を基準値1.00とし、
相対値で示す。
この様にシリコーン系クシ型グラフトポリマーを添加す
ることにより表面層の摩擦力が低減し、クリーニング性
の向上、トナー、紙粉等の付着物がつき難いといった効
果を奏するものであり、特にポリビスフェノールテレフ
タレート系樹!指との組み合せは、耐久性にすぐれ、残
留電位の上昇も少なく長期に渡り安定した特性を発揮す
るものである。
〔発明の効果〕
本発明の電子写真感光体は、表面の潤滑性及び離型性に
優れ、クリーニング性が極めて良好で、且つ繰返し耐久
性が優れており、繰返し電子写真グロセスにおいて残留
電荷の蓄積がなく常に高品位の画像を得ることができる

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも基体より離隔する層に、シリコーン系
    クシ型グラフトポリマーとポリビスフェノールテレフタ
    レート系樹脂とが含有されていることを特徴とする電子
    写真感光体。
  2. (2)感光層と非感光性の表面層とを構成成分として有
    し、基体より最も離隔する層が前記非感光性の表面層で
    ある特許請求の範囲第(1)項記載の電子写真感光体。
  3. (3)感光層が、電荷発生層と電荷輸送層との積層構造
    を有する特許請求の範囲第(2)項記載の電子写真感光
    体。
  4. (4)基体より最も離隔する層として感光層を有する特
    許請求の範囲第(1)項記載の電子写真感光体。
  5. (5)電荷発生層と電荷輸送層との積層構造を有する感
    光層を構成成分として有し、基体より最も離隔する層が
    前記電荷輸送層である特許請求の範囲第(1)項記載の
    電子写真感光体。
  6. (6)電荷発生層と電荷輸送層との積層構造を有する感
    光層を構成成分として有し、基体より最も離隔する層が
    前記電荷発生層である特許請求の範囲第(1)項記載の
    電子写真感光体。
  7. (7)基体より最も離隔する層におけるシリコーン系ク
    シ型グラフトポリマーの含量が0.01〜10重量%の
    範囲内である特許請求の範囲第(1)項乃至第(6)項
    のうちの1に記載の電子写真感光体。
JP60171137A 1985-08-05 1985-08-05 電子写真感光体 Pending JPS6232464A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60171137A JPS6232464A (ja) 1985-08-05 1985-08-05 電子写真感光体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60171137A JPS6232464A (ja) 1985-08-05 1985-08-05 電子写真感光体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6232464A true JPS6232464A (ja) 1987-02-12

Family

ID=15917669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60171137A Pending JPS6232464A (ja) 1985-08-05 1985-08-05 電子写真感光体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6232464A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0415446A2 (en) * 1989-09-01 1991-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Image-bearing member and apparatus including same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0415446A2 (en) * 1989-09-01 1991-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Image-bearing member and apparatus including same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63249152A (ja) 電子写真感光体
JPH054667B2 (ja)
JPS6356658A (ja) 電子写真感光体
JPH0323902B2 (ja)
JPH0547104B2 (ja)
JPH0443582B2 (ja)
JPS6232464A (ja) 電子写真感光体
JPS61219049A (ja) 電子写真感光体
JPH0547106B2 (ja)
JPS6373267A (ja) 電子写真感光体
JPH0549102B2 (ja)
JPS6255663A (ja) 電子写真感光体
JPH0443580B2 (ja)
JPH0547107B2 (ja)
JPS62205356A (ja) 電子写真感光体
JPS61270768A (ja) 電子写真感光体
JPH0547105B2 (ja)
JPS61189559A (ja) 像保持部材
JPS62205357A (ja) 電子写真感光体
JPH04149557A (ja) 電子写真感光体
JPS61238061A (ja) 電子写真感光体
JPH0728255A (ja) 電子写真感光体
JPS62223757A (ja) 電子写真感光体
JPH0547108B2 (ja)
JPS6113252A (ja) 電子写真感光体