JPH0439938A - 集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は、集積回路の製造方法に関し、特に、外部接続
端子である電極用金バンプを有する集積回路に関する。

〔従来の技術１ 従来、集積回路の電極用金バンプの製造方法に関しては
、数多くの提案がなされ、改良が加えられている。第２
図は、従来の電極用金バンプの製造工程断面図により示
したものである。

第２図（ａ）に示すように、集積回路表面のパッシベー
ション膜１２、および、電極パッド１３の上に、前記第
１金属膜（Ｔｉ膜１４）、前記第２金属膜（ｐｔ膜１５
）、前記第３金属膜（Ａｕ膜１６）を順次形成する。

次に、第２図（ｂ）に示すように、前記金属膜上に、フ
ォトレジストｌ１ｉ１７を塗布する。このフォトレジス
ト膜１７の開口部は、パッシベーション開口部全体を含
むように形成する。

次に、第２図（Ｃ）に示すように、前記フォトレジスト
膜１７の開口部に電解金メッキを行い、キノコ状バンプ
型電極１８を形成する、その後、前記フォトレジスト膜
１７を剥離除去する。

次に、第２図（ｄ）に示すように、前記キノコ状バンプ
型電極１８をマスクとして、前記第１金属膜（Ｔｉ膜１
４）、前記第２金属膜（ｐｔ膜１５）、前記第３金属膜
（Ａｕ膜１６）を自己整合的に乾式エツチングにより除
去する。

［発明が解決しようとする課題］ この様に形成された集積回路では、以下に示す欠点があ
った。

まず、フォトレジストを塗布し開口部を形成する工程に
おいて、フォトレジスト膜の開口部が、パッシベーショ
ン膜の開口部全体を含んで形成されるため、前記フォト
レジスト膜をマスクとし”〔形成されるバンプ型電極は
、電極パッド上のパッシベーション膜を一部含んだ部分
を下地として形成される。この構造では、外部引出電極
との接合の際、大きな熱的、機械的ダメージを受けると
、パッシベーション膜にクラックが入ってしまったり、
電極パッド下の酸化膜やシリコン基板にクラックが生じ
、基板からバンプ型電極が剥離してしまう問題があった
。

また、電解メッキの際、メッキは高さ方向（垂直方向）
とともに、横方向（水平方向）にも成長するため、バン
プ型電極の高さを確保するためには、バンプ型電極の形
状は、横方向（水平方向）にも延びてしまう。これは、
実装の微細化、すなわち、バンプ型電極の低ピツチ化の
障害となるものであった。

本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消しようとす
るものであり、実装時の熱的、機械的ダメージに強く、
高い実装安定性を有するバンプ型電極を、低ピツチで形
成可能とする集積回路の製造方法を提供する事にある６ ［課題を解決するための手段］ 集積回路の電極パッド上に、バンプ型電極を形成する方
法において、 集積回路全面に、密着膜としての第１金属膜相互拡散バ
リア膜としての第２金属膜、およびメッキ密＠膜として
の第３金属膜とを順次形成する第１の工程と、 前記金属膜上に、フォトレジスト膜を形成する工程にお
いて、その開口部が、パッシベ〜ジョン膜開口部の内部
に形成されるようにする第２の工程と、 前記フォトレジスト膜をマスクとし、電解メッキを行い
、キノコ状のバンプ型電極の外周部がパッシベーション
膜開口部の外側まで形成されるようにする第３の工程と
、 前記キノコ状バンプ型電極上に開口部をもつように、フ
ォトレジスト膜を形成する第４の工程と、 前記フォトレジスト１莫をマスクとし、電解メッキを行
う第５の工程と、 前記第２の工程と第４の工程におけるフォトレジスト膜
を剥離除去する第６の工程と、前記バンプ型電極をエツ
チングのマスクとして、前記第１＃を属膜、第２金属膜
、第３金属膜を自己整合的に乾式エツチング除去する第
７の工程、 から成ることを特徴とする集積回路の製造月ン去。

［実　施　例］ 以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。

第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の詳細な説明するため
、工程順に示した断面図でる。

第１図（ａ）に示すように、集積回路表面のパッシベー
ション膜１、および、電極パッド２の上に、密着膜とし
て、０．１ｕｍ〜０．２μｍのＴｉ膜３と、相互拡散バ
リア膜として、０１μｍ〜０．２μｍのｐｔ膜４と、メ
ッキ密着膜として、Ｏ，Ｉｇｍ〜０．２μｍのＡｕ膜５
を順次、スパッタ法により形成する。

次に、第１図（ｂ）に示すように、前記金属膜上にフォ
トレジスト膜６を塗布し、そのバンプ型電極形成用の開
口部を、パッシベーション膜開口部の内部に形成する。

次に、第１図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜開
口部７に、１回目の電解金メッキを行い、７〜１０μｍ
厚のキノコ状バンプ型電極８を形成する。このとき、キ
ノコ状バンプ型電極８の外周部がパッシベーション膜開
口部の外側になるように形成する。

次に、第１図（ｄ）に示すように前記キノコ状バンプ型
電極８の上に開口部をもつように、フォトレジスト膜９
を形成する。

次に、第１図（ｅ）に示すように、前記フォトレジスト
膜開口部１０に、２回目の電解メッキを行い、１０〜２
０ｕｍ厚の垂直形状バンプ型電極１１を形成する。

次に、第１図（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜６
．９を剥離液により除去する。

次に第１図（ｇ）に示すように、イオンミリング、スパ
ッタエツチング等の乾式エツチングにより、前記バンプ
型電極をマスクとして、前記Ｔｉ膜３、ｐｔ膜４、Ａｕ
膜５をエツチング除去する。

以上の工程により、バンプ型電極が集積回路上に形成さ
れる。

このようにして形成されたバンプ型電極は、実装時の熱
的、機械的ダメージが、電極パッドで吸収される構造に
なっているため、高い実装安定性を有する。

また、バンプ型電極の横方向（水平方向）の広がりを抑
久られるため、バンプ型電極の低ピツチ化が可能となる
とともに、電解メッキ工程を２回とることにより、バン
プ型電極の上部の間隔と下部の間隔を独立させて制御で
きる特徴をもつ。

［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、実装時の熱
的、機械的ダメージに強く、高い実装安定性を有するバ
ンプ型電極を、低ピツチで形成可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｇ）は、本発明の詳細な説明するため
の工程順に示した断面図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）は、従来技術を説明するための工
程順に示した断面図である。 １・　・　・パ・ンシベーション月莫 ２・・・電極パッド ３・・・Ｔｉ膜 ４・・・ｐｔ膜 ５　・　・ ６　・　・ ７　・　・ ８　・　・ ９　・　・ １０　　・ ｌ　１　・　・ ｌ　２　・　・ １３　・　・ ｌ　４　・　・ ｌ　５　・　・ １６　・　・ ｌ　７　・　・ １８　・　・ ・Ａｕ膜 ・フォトレジスト８莫 ・フォトレジスト膜開口部 ・キノコ状バンプ型電極 ・フォトレジスト膜 ・フォトレジスト膜開口部 ・垂直形状バンプ型電極 ・パ・ンシベーション月莫 ・電極パッド ・Ｔｉ膜 ｐｔ膜 ・Ａｕ膜 ・フォトレジスト膜 ・バンプ型電極 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（化１名）潴 圓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　集積回路の電極パッド上に、バンプ型電極を形成する
   方法において、 集積回路全面に密着膜としての第１金属膜相互拡散バリ
   ア膜としての第２金属膜、および、メッキ密着膜として
   の第３金属膜とを順次形成する第１の工程と、 前記金属膜上に、フォトレジスト膜を形成する工程にお
   いて、その開口部がパッシベーション開口部の内部に形
   成されるようにする第２の工程と、 前記フォトレジスト膜をマスクとし、電解メッキを行い
   、キノコ状のバンプ型電極の外周部がパッシベーション
   開口部の外側まで形成されるようにする第３の工程と、 前記キノコ状バンプ型電極上に開口部をもつように、フ
   ォトレジスト膜を形成する第４の工程と、 前記フォトレジスト膜をマスクとし、電解メッキを行う
   第５の工程と、 前記第２の工程と第４の工程におけるフォトレジスト膜
   を剥離除去する第６の工程と、 前記バンプ型電極をエッチングのマスク材として、前記
   第１金属膜、第２金属膜、第３金属膜を自己整合的に乾
   式エッチング除去する第７の工程、 から成ることを特徴とする、集積回路の製造方法。