JPH043562B2 - - Google Patents
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- JPH043562B2 JPH043562B2 JP21447585A JP21447585A JPH043562B2 JP H043562 B2 JPH043562 B2 JP H043562B2 JP 21447585 A JP21447585 A JP 21447585A JP 21447585 A JP21447585 A JP 21447585A JP H043562 B2 JPH043562 B2 JP H043562B2
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Description
（産業上の利用分野）
本発明は高密度磁気記録を実現するため、記録
再生ギヤツプ部に本体により飽和磁束密度の小さ
い低飽和磁束密度材膜を形成した複合形磁気ヘツ
ドの製造方法に関するものである。 （従来の技術） 現在、磁気記録装置、特にフロツピーデイスク
ドライブ装置に使用されているリング型磁気ヘツ
ドは、生産コストや装置の簡素化等の有利性か
ら、再生と記録を一つの磁気ヘツドで行なう記録
再生兼用の磁気ヘツドが主流となつている。 ここで記録用磁気ヘツドと再生用磁気ヘツドを
別々に見た場合、記録用磁気ヘツドの空隙長は記
録性能の点からある程度大きくした方が良く、再
生用磁気ヘツドの場合は再生周波数特性の点から
逆に小さくした方が良い。そのため、従来の記録
再生兼用磁気ヘツドの空隙長は結局各専用磁気ヘ
ツドの中間程度に設定されている。 従つて、従来の記録再生兼用磁気ヘツドは、記
録再生各専用磁気ヘツドを使う場合にくらべ、特
性が劣るという問題点があつた。 そして、この兼用ヘツドと専用ヘツドとの差
は、記録密度の高密度化とそれに伴なう媒体の高
抗磁力化等により大きくなる傾向がある。 上記問題点を解決し、高密度記録を実現する為
に、磁性材料として、飽和磁束密度700〜1500G、
抗磁力500e以下の範囲からなる低飽和磁束密度材
を複合膜とした複合形磁気ヘツドが提案されてい
る。（特公昭60−66310号公報参照） この複合膜を形成する方法としてＹ−Fe系の
ガーネツト膜をスパツタリングし、次いで高温加
熱することにより実現することが提案されてい
る。 （発明が解決しようとする問題点） ところが、複合膜をＹ−Fe系ガーネツトで作
製する上記の方法は、作業工程に高温加熱工程が
入るため、ヘツドコア材として周波数特性の良好
なMn−Znフエライトが使用できないとういう問
題がある。 即ち、Mn−Znフエライトは高温加熱される
と、その表面に過酸化現象を起し、α−Fe2O3を
含んだ層を形成して磁性が劣化してしまう。 また、スパツタリング法は付着速度が数＋〓／
分と比較的遅く生産性に劣るという問題がある。 そこで本発明は従来法の如き磁性劣化が見られ
ず、しかも生産性の高い製造方法を提案しようと
するものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は希望複合膜を得るのに高温加熱工程と
スパツタリング法とを採らずに新しい方法により
上記問題を解決したものである。 即ち、本発明は複合形磁気ヘツドの複合膜をＰ
を５％〜８％含むNi合金を無電解めつきした後、
280℃〜320℃の低温加熱を起うようにしたもので
ある。 （作用） この方法によると、本体ヘツドコア材料として
Mn−Znフエライトの使用が可能となり、また無
電解めつきは付着速度が数千〓／分と速いので生
産性が従来法より著しく向上させることができ
る。 （実施例） 本発明による低飽和磁束密度材の磁気特性を調
べるため、ガラス基板に無電解めつき層を形成
し、それを270℃〜330℃で加熱した後、磁気特性
を測定した。 ガラス基板はアルカリ脱脂液に浸漬後、超音波
洗浄し且つ純水で洗浄したものを使用した。 無電解めつき前処理は鋭敏化剤として
（SnCl2.2H2O＋HCl）からなる水溶液に室温で１
分間浸漬後純水洗浄し、次いで活性化処理として
（PdCl2＋HCl）に50℃の状態で１分間浸漬した。 このガラス基板を94℃に加熱後、次亜燐酸ソー
ダと硫酸ニツケル、苛性ソーダからなる水溶液に
94℃に浸漬して無電解めつきを毎分0.4μｍの付着
速度で行つた。 こゝで鎭着するNi−Ｐ合金の粗成はめつき浴
の組成を変えるることにより変化させた。 この後、270℃〜330℃の間で加熱した後、振動
試料型磁力計で磁気特性を調べた。 加熱時間は５分以上で、時間による特性の影響
はみられなかつた。 各組成における磁気特性を示すと第１表の通り
である。
再生ギヤツプ部に本体により飽和磁束密度の小さ
い低飽和磁束密度材膜を形成した複合形磁気ヘツ
ドの製造方法に関するものである。 （従来の技術） 現在、磁気記録装置、特にフロツピーデイスク
ドライブ装置に使用されているリング型磁気ヘツ
ドは、生産コストや装置の簡素化等の有利性か
ら、再生と記録を一つの磁気ヘツドで行なう記録
再生兼用の磁気ヘツドが主流となつている。 ここで記録用磁気ヘツドと再生用磁気ヘツドを
別々に見た場合、記録用磁気ヘツドの空隙長は記
録性能の点からある程度大きくした方が良く、再
生用磁気ヘツドの場合は再生周波数特性の点から
逆に小さくした方が良い。そのため、従来の記録
再生兼用磁気ヘツドの空隙長は結局各専用磁気ヘ
ツドの中間程度に設定されている。 従つて、従来の記録再生兼用磁気ヘツドは、記
録再生各専用磁気ヘツドを使う場合にくらべ、特
性が劣るという問題点があつた。 そして、この兼用ヘツドと専用ヘツドとの差
は、記録密度の高密度化とそれに伴なう媒体の高
抗磁力化等により大きくなる傾向がある。 上記問題点を解決し、高密度記録を実現する為
に、磁性材料として、飽和磁束密度700〜1500G、
抗磁力500e以下の範囲からなる低飽和磁束密度材
を複合膜とした複合形磁気ヘツドが提案されてい
る。（特公昭60−66310号公報参照） この複合膜を形成する方法としてＹ−Fe系の
ガーネツト膜をスパツタリングし、次いで高温加
熱することにより実現することが提案されてい
る。 （発明が解決しようとする問題点） ところが、複合膜をＹ−Fe系ガーネツトで作
製する上記の方法は、作業工程に高温加熱工程が
入るため、ヘツドコア材として周波数特性の良好
なMn−Znフエライトが使用できないとういう問
題がある。 即ち、Mn−Znフエライトは高温加熱される
と、その表面に過酸化現象を起し、α−Fe2O3を
含んだ層を形成して磁性が劣化してしまう。 また、スパツタリング法は付着速度が数＋〓／
分と比較的遅く生産性に劣るという問題がある。 そこで本発明は従来法の如き磁性劣化が見られ
ず、しかも生産性の高い製造方法を提案しようと
するものである。 （問題点を解決するための手段） 本発明は希望複合膜を得るのに高温加熱工程と
スパツタリング法とを採らずに新しい方法により
上記問題を解決したものである。 即ち、本発明は複合形磁気ヘツドの複合膜をＰ
を５％〜８％含むNi合金を無電解めつきした後、
280℃〜320℃の低温加熱を起うようにしたもので
ある。 （作用） この方法によると、本体ヘツドコア材料として
Mn−Znフエライトの使用が可能となり、また無
電解めつきは付着速度が数千〓／分と速いので生
産性が従来法より著しく向上させることができ
る。 （実施例） 本発明による低飽和磁束密度材の磁気特性を調
べるため、ガラス基板に無電解めつき層を形成
し、それを270℃〜330℃で加熱した後、磁気特性
を測定した。 ガラス基板はアルカリ脱脂液に浸漬後、超音波
洗浄し且つ純水で洗浄したものを使用した。 無電解めつき前処理は鋭敏化剤として
（SnCl2.2H2O＋HCl）からなる水溶液に室温で１
分間浸漬後純水洗浄し、次いで活性化処理として
（PdCl2＋HCl）に50℃の状態で１分間浸漬した。 このガラス基板を94℃に加熱後、次亜燐酸ソー
ダと硫酸ニツケル、苛性ソーダからなる水溶液に
94℃に浸漬して無電解めつきを毎分0.4μｍの付着
速度で行つた。 こゝで鎭着するNi−Ｐ合金の粗成はめつき浴
の組成を変えるることにより変化させた。 この後、270℃〜330℃の間で加熱した後、振動
試料型磁力計で磁気特性を調べた。 加熱時間は５分以上で、時間による特性の影響
はみられなかつた。 各組成における磁気特性を示すと第１表の通り
である。
【表】
【表】
第１表か明らかなように、Ｐ濃度５〜８％、加
熱条件280〜320℃のNi−Ｐ合金が複合膜条件
Bs：700G〜1500G、Hc：500e以下の範囲に入
り、複合形磁気ヘツドに適用可能であることがわ
かる。 Ni中のＰ含有量が多くなると非磁性である
Ni3Pが多くなるため飽和磁化が減少し、8.5％以
上で要求特性を満足しなくなる。 Ni−Ｐ無電解めつき膜はアモルフアスに近い
構造を有するもので、このような膜は磁性を示さ
ないが、高温で加熱すると、結晶化が起り、磁性
を示すようになる。この温度が280℃以上である。
ところが330℃以上になるとNi3Pの析出が起り、
抗磁力が増加するため要求特性を満足しなくな
る。 磁気ヘツドに本発明にかゝる低飽和磁束密度材
を形成するには、一般にこの種の磁気ヘツドはコ
イルを巻回するために組立構造を採つているの
で、低飽和磁束密度材を形成しようとするピース
の端面を無電解めつきし、そのピースを280〜320
℃に加熱すればよい。 （発明の効果） (1) 低飽和磁束密度材を使用した複合形磁気ヘツ
ドの複合膜を高温加熱せずに必要条件範囲で作
製できる為、ヘツドコア材として、周波数特性
の優れたMn−Znフエライトが使用できる。 (2) 従来低飽和磁束密度材として提案されている
Ｙ−Fe系ガーネツトのスパツタリングに比べ
本発明の無電解めつきによる複合膜は付着速度
が100倍程速くなり生産性を向上する上におい
て有利となる。
熱条件280〜320℃のNi−Ｐ合金が複合膜条件
Bs：700G〜1500G、Hc：500e以下の範囲に入
り、複合形磁気ヘツドに適用可能であることがわ
かる。 Ni中のＰ含有量が多くなると非磁性である
Ni3Pが多くなるため飽和磁化が減少し、8.5％以
上で要求特性を満足しなくなる。 Ni−Ｐ無電解めつき膜はアモルフアスに近い
構造を有するもので、このような膜は磁性を示さ
ないが、高温で加熱すると、結晶化が起り、磁性
を示すようになる。この温度が280℃以上である。
ところが330℃以上になるとNi3Pの析出が起り、
抗磁力が増加するため要求特性を満足しなくな
る。 磁気ヘツドに本発明にかゝる低飽和磁束密度材
を形成するには、一般にこの種の磁気ヘツドはコ
イルを巻回するために組立構造を採つているの
で、低飽和磁束密度材を形成しようとするピース
の端面を無電解めつきし、そのピースを280〜320
℃に加熱すればよい。 （発明の効果） (1) 低飽和磁束密度材を使用した複合形磁気ヘツ
ドの複合膜を高温加熱せずに必要条件範囲で作
製できる為、ヘツドコア材として、周波数特性
の優れたMn−Znフエライトが使用できる。 (2) 従来低飽和磁束密度材として提案されている
Ｙ−Fe系ガーネツトのスパツタリングに比べ
本発明の無電解めつきによる複合膜は付着速度
が100倍程速くなり生産性を向上する上におい
て有利となる。
Claims (1)
- １ 記録再生ギヤツプ部に本体より飽和磁束密度
の小さい物質を付加した複合形磁気ヘツドの製造
方法において、先ず前記本体に無電解めつきによ
りＰ濃度が５〜８％であるNi−Ｐ合金を施し、
次いで280〜320℃の温度で加熱することにより、
前記低飽和磁束密度材を形成することを特徴とす
る複合形磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21447585A JPS6275916A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 複合形磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21447585A JPS6275916A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 複合形磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275916A JPS6275916A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH043562B2 true JPH043562B2 (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=16656335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21447585A Granted JPS6275916A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 複合形磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6275916A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526693Y2 (ja) * | 1989-11-15 | 1997-02-19 | 株式会社東洋シート | 車両用シートのシートフレーム構造 |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21447585A patent/JPS6275916A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6275916A (ja) | 1987-04-07 |
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