JPH1064725A - 磁性材料膜及びその製造方法 - Google Patents
磁性材料膜及びその製造方法Info
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- JPH1064725A JPH1064725A JP21823696A JP21823696A JPH1064725A JP H1064725 A JPH1064725 A JP H1064725A JP 21823696 A JP21823696 A JP 21823696A JP 21823696 A JP21823696 A JP 21823696A JP H1064725 A JPH1064725 A JP H1064725A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁性材料膜及びその製造方法に関し、磁性材
料膜の飽和磁束密度ＢS及び保磁力ＨC の双方を高くす
る。 【解決手段】 金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材
料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜３とを交互に積層
させて磁性材料膜を構成する。
料膜の飽和磁束密度ＢS及び保磁力ＨC の双方を高くす
る。 【解決手段】 金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材
料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜３とを交互に積層
させて磁性材料膜を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁性材料膜及びその
製造方法に関するものであり、特に、磁気記録装置に用
いる飽和磁束密度ＢS 及び保磁力ＨC の両方を高めた磁
性材料膜及びその製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、特に、磁気記録装置に用
いる飽和磁束密度ＢS 及び保磁力ＨC の両方を高めた磁
性材料膜及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気記録媒体や磁気ヘッド等の磁
気記録装置用の磁性材料としては、Ｆｅ−Ｎｉ合金、即
ち、パーマロイをはじめとする磁性材料が用いられてい
るが、さらなる高記録、高密度化に対応するために、飽
和磁束密度ＢS の大きな材料が検討されている。
気記録装置用の磁性材料としては、Ｆｅ−Ｎｉ合金、即
ち、パーマロイをはじめとする磁性材料が用いられてい
るが、さらなる高記録、高密度化に対応するために、飽
和磁束密度ＢS の大きな材料が検討されている。
【０００３】この様な磁性材料からなる薄膜によって磁
気記録装置のディスクやヘッド等を形成する場合、水溶
液中の反応を利用するメッキ法によって成膜している
が、生成金属粒子の形態制御に多種にわたる添加剤を加
えたり、或いは、パルス電源を使用し、印加電力を変化
させたりして、磁性材料膜の膜質をコントロールするこ
とにより、磁気特性の制御を行っている。
気記録装置のディスクやヘッド等を形成する場合、水溶
液中の反応を利用するメッキ法によって成膜している
が、生成金属粒子の形態制御に多種にわたる添加剤を加
えたり、或いは、パルス電源を使用し、印加電力を変化
させたりして、磁性材料膜の膜質をコントロールするこ
とにより、磁気特性の制御を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この様な磁性
材料膜と特性としては、飽和磁束密度ＢS が高く、且
つ、保磁力ＨC も高い方が望ましいが、飽和磁束密度Ｂ
S は磁性材料膜を構成する粒子の径が大きいほど、即
ち、結晶性が高いほど低く、粒子の径が細かいほど、即
ち、非結晶質に近いほど高くなる。
材料膜と特性としては、飽和磁束密度ＢS が高く、且
つ、保磁力ＨC も高い方が望ましいが、飽和磁束密度Ｂ
S は磁性材料膜を構成する粒子の径が大きいほど、即
ち、結晶性が高いほど低く、粒子の径が細かいほど、即
ち、非結晶質に近いほど高くなる。
【０００５】一方、保磁力ＨC は、磁性材料膜を構成す
る粒子の径が大きいほど、即ち、結晶性が高いほど高
く、粒子の径が細かいほど、即ち、非結晶質に近いほど
低くなるという、飽和磁束密度ＢS とは相反する関係に
あり、単純な粒子径の制御だけでは、飽和磁束密度ＢS
が高く、且つ、保磁力ＨC も高い磁性材料膜を作製する
ことができなかった。
る粒子の径が大きいほど、即ち、結晶性が高いほど高
く、粒子の径が細かいほど、即ち、非結晶質に近いほど
低くなるという、飽和磁束密度ＢS とは相反する関係に
あり、単純な粒子径の制御だけでは、飽和磁束密度ＢS
が高く、且つ、保磁力ＨC も高い磁性材料膜を作製する
ことができなかった。
【０００６】したがって、本発明は、飽和磁束密度ＢS
が高く、且つ、保磁力ＨC も高い磁性材料膜を提供する
ことを目的とする。
が高く、且つ、保磁力ＨC も高い磁性材料膜を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、磁性材料膜において、金属結晶微粒子
の粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性
材料膜３とを交互に積層させたことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、磁性材料膜において、金属結晶微粒子
の粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性
材料膜３とを交互に積層させたことを特徴とする。
【０００８】この様に、金属結晶微粒子の粒子径の小さ
な磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜３とを交
互に積層させることによって、飽和磁束密度と保磁力の
双方を高くすることができる。なお、図においては、基
板１側から粒子径の小さな磁性材料膜２、粒子径の大き
な磁性材料膜３の順に設けているが、逆の順であっても
良いものである。
な磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜３とを交
互に積層させることによって、飽和磁束密度と保磁力の
双方を高くすることができる。なお、図においては、基
板１側から粒子径の小さな磁性材料膜２、粒子径の大き
な磁性材料膜３の順に設けているが、逆の順であっても
良いものである。
【０００９】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、
粒子径の大きな磁性材料膜３との間に、粒子径が連続的
に変化する磁性材料膜４を設けたことを特徴とする。
て、金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、
粒子径の大きな磁性材料膜３との間に、粒子径が連続的
に変化する磁性材料膜４を設けたことを特徴とする。
【００１０】この様に、金属結晶微粒子の粒子径の小さ
な磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜３との間
に、粒子径が連続的に変化する磁性材料膜４を設けるこ
とによって、飽和磁束密度と保磁力の双方をさらに高く
することができる。
な磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜３との間
に、粒子径が連続的に変化する磁性材料膜４を設けるこ
とによって、飽和磁束密度と保磁力の双方をさらに高く
することができる。
【００１１】（３）また、本発明は、磁性材料膜の製造
方法において、メッキ法によって磁性材料膜を成膜する
際に、成膜速度を制御することによって、金属結晶微粒
子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁
性材料膜３とを交互に積層させることを特徴とする。
方法において、メッキ法によって磁性材料膜を成膜する
際に、成膜速度を制御することによって、金属結晶微粒
子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁
性材料膜３とを交互に積層させることを特徴とする。
【００１２】この様に、成膜速度を制御することによっ
て、同じメッキ浴を用いて連続的に、金属結晶微粒子の
粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材
料膜３とを交互に積層させることができる。
て、同じメッキ浴を用いて連続的に、金属結晶微粒子の
粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材
料膜３とを交互に積層させることができる。
【００１３】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、
粒子径の大きな磁性材料膜３とを交互に積層させたの
ち、熱処理を施すことによって、金属結晶微粒子の粒子
径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜
３との間に、粒子径が連続的に変化する磁性材料膜４を
形成することを特徴とする。
て、金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、
粒子径の大きな磁性材料膜３とを交互に積層させたの
ち、熱処理を施すことによって、金属結晶微粒子の粒子
径の小さな磁性材料膜２と、粒子径の大きな磁性材料膜
３との間に、粒子径が連続的に変化する磁性材料膜４を
形成することを特徴とする。
【００１４】この様に、熱処理を施すことによって、金
属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径
の大きな磁性材料膜３との間に、粒子径が連続的に変化
する磁性材料膜４を形成することができ、それによっ
て、飽和磁束密度と保磁力の双方をさらに高くすること
ができる。
属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜２と、粒子径
の大きな磁性材料膜３との間に、粒子径が連続的に変化
する磁性材料膜４を形成することができ、それによっ
て、飽和磁束密度と保磁力の双方をさらに高くすること
ができる。
【００１５】（５）また、本発明は、上記（３）または
（４）において、成膜速度を制御することによって、金
属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜３を成膜する
方法が、メッキの際に流す電流密度を高くする方法であ
ることを特徴とする。
（４）において、成膜速度を制御することによって、金
属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜３を成膜する
方法が、メッキの際に流す電流密度を高くする方法であ
ることを特徴とする。
【００１６】この様に、メッキの際に流す電流密度を高
くすることによって成膜速度を大きくすることができ、
それによって、金属結晶微粒子の粒子径は小さくなるの
で、高い飽和磁束密度の磁性材料膜を形成することがで
きる。
くすることによって成膜速度を大きくすることができ、
それによって、金属結晶微粒子の粒子径は小さくなるの
で、高い飽和磁束密度の磁性材料膜を形成することがで
きる。
【００１７】（６）また、本発明は、上記（３）または
（４）において、成膜速度を制御することによって、金
属結晶微粒子の粒子径の大きな磁性材料膜２を成膜する
方法が、メッキの際に流す電流密度を低くする方法であ
ることを特徴とする。
（４）において、成膜速度を制御することによって、金
属結晶微粒子の粒子径の大きな磁性材料膜２を成膜する
方法が、メッキの際に流す電流密度を低くする方法であ
ることを特徴とする。
【００１８】この様に、メッキの際に流す電流密度を低
くすることによって成膜速度を小さくすることができ、
それによって、金属結晶微粒子の粒子径は大きくなるの
で、大きな保磁力の磁性材料膜を形成することができ
る。
くすることによって成膜速度を小さくすることができ、
それによって、金属結晶微粒子の粒子径は大きくなるの
で、大きな保磁力の磁性材料膜を形成することができ
る。
【００１９】（７）また、本発明は、上記（５）または
（６）において、メッキの際に、メッキ浴の中に金属微
粒子の生成を妨害する物質を添加することを特徴とす
る。
（６）において、メッキの際に、メッキ浴の中に金属微
粒子の生成を妨害する物質を添加することを特徴とす
る。
【００２０】この様に、メッキ浴の中に金属微粒子の生
成を妨害する物質を添加することによって、金属結晶微
粒子の粒子径は微細になるので、高い飽和磁束密度の磁
性材料膜を形成することができる。
成を妨害する物質を添加することによって、金属結晶微
粒子の粒子径は微細になるので、高い飽和磁束密度の磁
性材料膜を形成することができる。
【００２１】（８）また、本発明は、上記（５）または
（６）において、メッキの際に、メッキ浴の中に金属微
粒子の生成を促進させる物質を添加することを特徴とす
る。
（６）において、メッキの際に、メッキ浴の中に金属微
粒子の生成を促進させる物質を添加することを特徴とす
る。
【００２２】この様に、メッキ浴の中に金属微粒子の生
成を促進させる物質を添加することによって、金属結晶
微粒子の粒子径は大きくなるので、大きな保磁力の磁性
材料膜を形成することができる。
成を促進させる物質を添加することによって、金属結晶
微粒子の粒子径は大きくなるので、大きな保磁力の磁性
材料膜を形成することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図２を参照
して説明する。 図２（ａ）参照 まず、１０００ｃｃの純水当たり、０〜３００ｇ、例え
ば、１２０ｇの硫酸コバルト、２０〜５０ｇ、例えば、
５０ｇの塩化コバルト、６〜１０ｇ、例えば、１０ｇの
硫酸鉄、１〜１０ｇ、例えば、１０ｇのホスフィン酸ナ
トリウム、及び、添加剤として、０〜１０ｇ、例えば、
５ｇの酒石酸ナトリウムを溶解させてメッキ浴を形成す
る。
して説明する。 図２（ａ）参照 まず、１０００ｃｃの純水当たり、０〜３００ｇ、例え
ば、１２０ｇの硫酸コバルト、２０〜５０ｇ、例えば、
５０ｇの塩化コバルト、６〜１０ｇ、例えば、１０ｇの
硫酸鉄、１〜１０ｇ、例えば、１０ｇのホスフィン酸ナ
トリウム、及び、添加剤として、０〜１０ｇ、例えば、
５ｇの酒石酸ナトリウムを溶解させてメッキ浴を形成す
る。
【００２４】そして、経験的には、ｐＨが２．８近傍の
メッキ浴を用いた場合に、添加剤の効果が現れやすく、
且つ、膜質の良好な磁性材料膜が得られているので、水
酸化カリウム（ＫＯＨ）及び硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）を用い
てメッキ浴のｐＨが２．８になるように調整する。
メッキ浴を用いた場合に、添加剤の効果が現れやすく、
且つ、膜質の良好な磁性材料膜が得られているので、水
酸化カリウム（ＫＯＨ）及び硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）を用い
てメッキ浴のｐＨが２．８になるように調整する。
【００２５】なお、上記の酒石酸ナトリウムは磁性材料
膜中の金属結晶微粒子を成長を妨害するために添加した
ものであり、この酒石酸ナトリウムの添加により金属結
晶微粒子の粒子径は通常よりもかなり小さくなる。
膜中の金属結晶微粒子を成長を妨害するために添加した
ものであり、この酒石酸ナトリウムの添加により金属結
晶微粒子の粒子径は通常よりもかなり小さくなる。
【００２６】次いで、このメッキ浴の中に、Ｓｉウェハ
の上に厚さ０．１μｍのＣｕ層及び厚さ０．１μｍのＦ
ｅ−Ｎｉ層を順次スパッタした基体１１を浸漬し、基体
１１と一方の電極との間に、５〜６０ｍＡ／ｃｍ2 、例
えば、３０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度になるようにパルス
電流を、５〜６０分、例えば、２０分間印加して、厚さ
５〜１００ｎｍ、例えば、２０ｎｍの粒子径の小さなＦ
ｅ−Ｃｏ合金膜１２を成膜する。
の上に厚さ０．１μｍのＣｕ層及び厚さ０．１μｍのＦ
ｅ−Ｎｉ層を順次スパッタした基体１１を浸漬し、基体
１１と一方の電極との間に、５〜６０ｍＡ／ｃｍ2 、例
えば、３０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度になるようにパルス
電流を、５〜６０分、例えば、２０分間印加して、厚さ
５〜１００ｎｍ、例えば、２０ｎｍの粒子径の小さなＦ
ｅ−Ｃｏ合金膜１２を成膜する。
【００２７】図２（ｂ）参照 次いで、パルス電流を３〜６０ｍＡ／ｃｍ2 、例えば、
４ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度になるように減少させたの
ち、５〜６０分、例えば、４０分間印加して、厚さ５〜
１００ｎｍ、例えば、３０ｎｍの粒子径の大きなＦｅ−
Ｃｏ合金膜１３を成膜する。
４ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度になるように減少させたの
ち、５〜６０分、例えば、４０分間印加して、厚さ５〜
１００ｎｍ、例えば、３０ｎｍの粒子径の大きなＦｅ−
Ｃｏ合金膜１３を成膜する。
【００２８】この様に、印加する電流密度を高くすると
成膜速度が大きくなり、磁性材料膜中の金属結晶微粒子
の粒子径は小さくなり、結晶粒界が確認できない程度の
非結晶質（アモルファス）状態となり、逆に、印加する
電流密度を低くすると成膜速度が小さくなり、磁性材料
膜中の金属結晶微粒子の成長が徐々に行われ、粒子径は
大きくなる。
成膜速度が大きくなり、磁性材料膜中の金属結晶微粒子
の粒子径は小さくなり、結晶粒界が確認できない程度の
非結晶質（アモルファス）状態となり、逆に、印加する
電流密度を低くすると成膜速度が小さくなり、磁性材料
膜中の金属結晶微粒子の成長が徐々に行われ、粒子径は
大きくなる。
【００２９】図２（ｃ）参照 ついで、この工程を繰り返すことによって、１〜３０層
づつ、例えば、１０層づつからなる粒子径の小さなＦｅ
−Ｃｏ合金膜１２及び粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜
１３を成膜して、全体の厚さが、０．０５〜３．０μ
ｍ、例えば、１．０μｍになるようにする。なお、図に
おいては、図示を簡単にするために、３層づつ堆積させ
た状態を示している。
づつ、例えば、１０層づつからなる粒子径の小さなＦｅ
−Ｃｏ合金膜１２及び粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜
１３を成膜して、全体の厚さが、０．０５〜３．０μ
ｍ、例えば、１．０μｍになるようにする。なお、図に
おいては、図示を簡単にするために、３層づつ堆積させ
た状態を示している。
【００３０】この様にして得られた積層膜の磁気特性を
測定した結果、飽和磁化が０．２４ｅｍｕで、保磁力が
２５．１Ｏｅとなり、従来より飽和磁化及び保磁力共に
大きな磁性材料膜が得られた。
測定した結果、飽和磁化が０．２４ｅｍｕで、保磁力が
２５．１Ｏｅとなり、従来より飽和磁化及び保磁力共に
大きな磁性材料膜が得られた。
【００３１】これは、上記のような積層構造にすること
によって、粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２によっ
て高い飽和磁束密度を得ることができ、また、粒子径の
大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜１３によって大きな保磁力を得
ることができることによるものと推測される。
によって、粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２によっ
て高い飽和磁束密度を得ることができ、また、粒子径の
大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜１３によって大きな保磁力を得
ることができることによるものと推測される。
【００３２】図２（ｄ）参照 次に、この積層膜を、不活性ガス雰囲気中、例えば、窒
素ガス雰囲気中で、１００〜５００℃、例えば、３００
℃で、０．１〜３．０時間、例えば、１時間熱処理を施
すことによって、粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２
と粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜１３との間の境界を
ぼやかし、両者の間に粒子径が連続して変化するＦｅ−
Ｃｏ合金膜１４を形成する。
素ガス雰囲気中で、１００〜５００℃、例えば、３００
℃で、０．１〜３．０時間、例えば、１時間熱処理を施
すことによって、粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２
と粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜１３との間の境界を
ぼやかし、両者の間に粒子径が連続して変化するＦｅ−
Ｃｏ合金膜１４を形成する。
【００３３】なお、この粒子径が連続して変化するＦｅ
−Ｃｏ合金膜１４は、純粋に粒子径が連続して変化する
Ｆｅ−Ｃｏ合金膜のみを意味するものではなく、大きな
径の金属結晶微粒子と小さな径の金属結晶微粒子とがラ
ンダムに存在するものであっても良く、或いは、これら
の中間状態のものであっても良い。
−Ｃｏ合金膜１４は、純粋に粒子径が連続して変化する
Ｆｅ−Ｃｏ合金膜のみを意味するものではなく、大きな
径の金属結晶微粒子と小さな径の金属結晶微粒子とがラ
ンダムに存在するものであっても良く、或いは、これら
の中間状態のものであっても良い。
【００３４】この様にして得られた磁性材料膜の磁気特
性を測定した結果、飽和磁化が０．３５ｅｍｕで、保磁
力が３４．２Ｏｅとなり、熱処理前の飽和磁化及び保磁
力と比較して、夫々約１．４６倍及び１．３６倍の高い
飽和磁化及び保磁力の磁性材料膜が得られた。
性を測定した結果、飽和磁化が０．３５ｅｍｕで、保磁
力が３４．２Ｏｅとなり、熱処理前の飽和磁化及び保磁
力と比較して、夫々約１．４６倍及び１．３６倍の高い
飽和磁化及び保磁力の磁性材料膜が得られた。
【００３５】これは、熱処理を施すことによって、粒子
径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２と粒子径の大きなＦｅ
−Ｃｏ合金膜１３との層界面にける金属微粒子間の接触
が促進され、磁束の伝達が層界面でスムーズに行われて
磁気特性が高まったためと考えられる。
径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２と粒子径の大きなＦｅ
−Ｃｏ合金膜１３との層界面にける金属微粒子間の接触
が促進され、磁束の伝達が層界面でスムーズに行われて
磁気特性が高まったためと考えられる。
【００３６】この様に、熱処理を施した方が、飽和磁束
密度及び保磁力共高まるが、熱処理を施さない図２
（ｃ）の状態においても、従来の単層の磁性材料膜より
特性が優れているので、場合によっては、熱処理を施さ
ない状態のものを用いても良いものである。
密度及び保磁力共高まるが、熱処理を施さない図２
（ｃ）の状態においても、従来の単層の磁性材料膜より
特性が優れているので、場合によっては、熱処理を施さ
ない状態のものを用いても良いものである。
【００３７】なお、上記の実施の形態の説明において
は、金属結晶微粒子の生成を妨害するために酒石酸ナト
リウムを用いているが、酒石酸ナトリウムに限られるも
のではなく、ほう酸、或いは、クエン酸ナトリウムを用
いても良いものである。
は、金属結晶微粒子の生成を妨害するために酒石酸ナト
リウムを用いているが、酒石酸ナトリウムに限られるも
のではなく、ほう酸、或いは、クエン酸ナトリウムを用
いても良いものである。
【００３８】また、他の添加剤としては、メッキ浴中に
おいて錯体化反応を促進させるために、ラウリル硫酸ナ
トリウム等の錯化剤を添加しても良く、錯化剤の添加に
よりメッキ工程における電極反応を制御することができ
る。
おいて錯体化反応を促進させるために、ラウリル硫酸ナ
トリウム等の錯化剤を添加しても良く、錯化剤の添加に
よりメッキ工程における電極反応を制御することができ
る。
【００３９】また、上記の実施の形態においては、基体
１１上に最初に粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２を
形成しているが、逆に、粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金
膜１３を最初に形成しても良いものであり、最初に粒子
径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２を形成した場合には、
磁性材料膜全体の飽和磁束密度が大きくなる傾向がある
ので、磁気ヘッド等を製造する場合に適している。
１１上に最初に粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２を
形成しているが、逆に、粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金
膜１３を最初に形成しても良いものであり、最初に粒子
径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜１２を形成した場合には、
磁性材料膜全体の飽和磁束密度が大きくなる傾向がある
ので、磁気ヘッド等を製造する場合に適している。
【００４０】また、最初に粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合
金膜１３を形成した場合には、磁性材料膜全体の保磁力
が大きくなる傾向があるので、磁気ディスク等の磁気記
録媒体を製造する場合に適しており、何方を最初に成膜
するかは、用途に応じて適宜決定すれば良いものであ
る。
金膜１３を形成した場合には、磁性材料膜全体の保磁力
が大きくなる傾向があるので、磁気ディスク等の磁気記
録媒体を製造する場合に適しており、何方を最初に成膜
するかは、用途に応じて適宜決定すれば良いものであ
る。
【００４１】また、上記の実施の形態においては、粒子
径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜１３及び粒子径の小さなＦ
ｅ−Ｃｏ合金膜１２とも同じ層数であるが、最初に成長
させた層を最終層に用いて、１層分異なるようにしても
良い。
径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜１３及び粒子径の小さなＦ
ｅ−Ｃｏ合金膜１２とも同じ層数であるが、最初に成長
させた層を最終層に用いて、１層分異なるようにしても
良い。
【００４２】また、上記の実施の形態においては、基板
１１として、Ｓｉウェハ上にＣｕ層及びＦｅ−Ｎｉ（パ
ーマロイ）層をスパッタしたものを用いたが、この様な
構成に限られるものでなく、用途に応じて各種の基体を
用いても良いものである。
１１として、Ｓｉウェハ上にＣｕ層及びＦｅ−Ｎｉ（パ
ーマロイ）層をスパッタしたものを用いたが、この様な
構成に限られるものでなく、用途に応じて各種の基体を
用いても良いものである。
【００４３】さらに、上記の実施の形態においては飽和
磁束密度を大きくするために、Ｆｅ−Ｎｉ系合金より飽
和磁束密度の大きなＦｅ−Ｃｏ系合金を用いているが、
用途によっては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いても良いもの
であり、さらには、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金を用いても
良いものである。
磁束密度を大きくするために、Ｆｅ−Ｎｉ系合金より飽
和磁束密度の大きなＦｅ−Ｃｏ系合金を用いているが、
用途によっては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金を用いても良いもの
であり、さらには、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金を用いても
良いものである。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、高飽和磁束密度を有
し、且つ、高保磁力の磁性材料膜を得ることができるの
で、磁気記録装置の高精度記録化、高密度記録化に寄与
するところが大きい。
し、且つ、高保磁力の磁性材料膜を得ることができるの
で、磁気記録装置の高精度記録化、高密度記録化に寄与
するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の説明図である。
１ 基体 ２ 粒子径の小さな磁性材料膜 ３ 粒子径の大きな磁性材料膜 ４ 粒子径が連続的に変化する磁性材料膜 １１ 基体 １２ 粒子径の小さなＦｅ−Ｃｏ合金膜 １３ 粒子径の大きなＦｅ−Ｃｏ合金膜 １４ 粒子径が連続的に変化するＦｅ−Ｃｏ合金膜
Claims (8)
- 【請求項１】 金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材
料膜と、粒子径の大きな磁性材料膜とを交互に積層させ
たことを特徴とする磁性材料膜。 - 【請求項２】 上記金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁
性材料膜と、粒子径の大きな磁性材料膜との間に、粒子
径が連続的に変化する磁性材料膜を設けたことを特徴と
する請求項１記載の磁性材料膜。 - 【請求項３】 メッキ法によって磁性材料膜を成膜する
際に、成膜速度を制御することによって、金属結晶微粒
子の粒子径の小さな磁性材料膜と、粒子径の大きな磁性
材料膜とを交互に積層させることを特徴とする磁性材料
膜の製造方法。 - 【請求項４】 上記金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁
性材料膜と、粒子径の大きな磁性材料膜とを交互に積層
させたのち、熱処理を施すことによって、前記金属結晶
微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜と、粒子径の大きな
磁性材料膜との間に、粒子径が連続的に変化する磁性材
料膜を形成することを特徴とする請求項３記載の磁性材
料膜の製造方法。 - 【請求項５】 上記成膜速度を制御することによって、
上記金属結晶微粒子の粒子径の小さな磁性材料膜を成膜
する方法が、メッキの際に流す電流密度を高くする方法
であることを特徴とする請求項３または４に記載の磁性
材料膜の製造方法。 - 【請求項６】 上記成膜速度を制御することによって、
上記金属結晶微粒子の粒子径の大きな磁性材料膜を成膜
する方法が、メッキの際に流す電流密度を低くする方法
であることを特徴とする請求項３または４に記載の磁性
材料膜の製造方法。 - 【請求項７】 上記メッキの際に、メッキ浴の中に金属
微粒子の生成を妨害する物質を添加することを特徴とす
る請求項５または６に記載の磁性材料膜の製造方法。 - 【請求項８】 上記メッキの際に、メッキ浴の中に金属
微粒子の生成を促進させる物質を添加することを特徴と
する請求項３または４に記載の磁性材料膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21823696A JPH1064725A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 磁性材料膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21823696A JPH1064725A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 磁性材料膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064725A true JPH1064725A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16716739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21823696A Withdrawn JPH1064725A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 磁性材料膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068515A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Tdk Corporation | 軟磁性部材およびそれを用いた磁気素子 |
| JP2013089910A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-08-20 JP JP21823696A patent/JPH1064725A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068515A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Tdk Corporation | 軟磁性部材およびそれを用いた磁気素子 |
| JP2013089910A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Fujikura Ltd | フレキシブルプリント基板及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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