JPH03154223A - 磁性媒体および磁気ディスク装置 - Google Patents
磁性媒体および磁気ディスク装置Info
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- JPH03154223A JPH03154223A JP29463389A JP29463389A JPH03154223A JP H03154223 A JPH03154223 A JP H03154223A JP 29463389 A JP29463389 A JP 29463389A JP 29463389 A JP29463389 A JP 29463389A JP H03154223 A JPH03154223 A JP H03154223A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 3
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- WPUMTJGUQUYPIV-JIZZDEOASA-L disodium (S)-malate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@@H](O)CC([O-])=O WPUMTJGUQUYPIV-JIZZDEOASA-L 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 235000019265 sodium DL-malate Nutrition 0.000 description 3
- HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O HELHAJAZNSDZJO-OLXYHTOASA-L 0.000 description 3
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001394 sodium malate Substances 0.000 description 3
- 239000001433 sodium tartrate Substances 0.000 description 3
- 229960002167 sodium tartrate Drugs 0.000 description 3
- 235000011004 sodium tartrates Nutrition 0.000 description 3
- YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L thallium sulfate Chemical compound [Tl+].[Tl+].[O-]S([O-])(=O)=O YTQVHRVITVLIRD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229940119523 thallium sulfate Drugs 0.000 description 3
- 229910000374 thallium(I) sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンピュータの外部記憶装置に用いられる磁
気ディスク装置およびそれに使われる磁性媒体に関する
。
気ディスク装置およびそれに使われる磁性媒体に関する
。
磁気ディスク装置は、フロッピーディスク装置に比べて
高記録密度化、高アクセス化が可能であることから、コ
ンピュータ外部記憶装置として近年、急激に普及してき
た。これまでに磁性媒体は、酸化鉄などを含むバインダ
ーの塗布されたものを用いてきた。しかし高記録密度化
するためには、従来次のような保磁力（Ｈｅ）、残留磁
束密度（Ｂｒ）、角形比（Ｂ ｒ ／ Ｂ ｓ ｓ Ｂ
ｓは飽和磁束密度）の磁気特性や磁気記録層の膜厚（
１）と電磁変換特性との相関が知られていたため、高Ｈ
ｅ、低膜厚化が必要であった。
高記録密度化、高アクセス化が可能であることから、コ
ンピュータ外部記憶装置として近年、急激に普及してき
た。これまでに磁性媒体は、酸化鉄などを含むバインダ
ーの塗布されたものを用いてきた。しかし高記録密度化
するためには、従来次のような保磁力（Ｈｅ）、残留磁
束密度（Ｂｒ）、角形比（Ｂ ｒ ／ Ｂ ｓ ｓ Ｂ
ｓは飽和磁束密度）の磁気特性や磁気記録層の膜厚（
１）と電磁変換特性との相関が知られていたため、高Ｈ
ｅ、低膜厚化が必要であった。
線記録密度 ａ （Ｈｃ／Ｂ ｒ−ｔ） ”２出力
ａ （Ｂｒ ＊ ｔ−Ｈｃ） ”２そして塗布磁性
膜体では、高Ｈｃ、低膜厚化が困難であることから、高
記録密度化ができなかった。そこで高Ｈｅ、低膜厚化が
可能な連続金属薄膜媒体が、高記録密度媒体として用い
られるようになった。
ａ （Ｂｒ ＊ ｔ−Ｈｃ） ”２そして塗布磁性
膜体では、高Ｈｃ、低膜厚化が困難であることから、高
記録密度化ができなかった。そこで高Ｈｅ、低膜厚化が
可能な連続金属薄膜媒体が、高記録密度媒体として用い
られるようになった。
ところで、連続金属薄膜媒体は、無電解メッキ、電気メ
ッキスパッタリング、蒸着などの方法により製造できる
が、中でも無電解メッキ法は高い生産性から実用化が逸
速く進められた。
ッキスパッタリング、蒸着などの方法により製造できる
が、中でも無電解メッキ法は高い生産性から実用化が逸
速く進められた。
磁気記録層を成膜する無電解メッキ液は、従来クエン酸
や酒石酸を錯化剤とし、次亜リン酸を還元剤としたＣ０
−ＰまたはＣＯφＮｉΦＰから始まり、近年、磁性結晶
の微細均一化を狙ったＣＯ・Ｚｎ−ＰやＣｏ・Ｎ１−Ｚ
ｎ−ＰやＣＯ・Ｚｎ−Ｔｌ−ＰやＣｏ＊Ｎｉ＊Ｚｎ−Ｔ
ｌ７−Ｐなどの磁性記録層が知られている。
や酒石酸を錯化剤とし、次亜リン酸を還元剤としたＣ０
−ＰまたはＣＯφＮｉΦＰから始まり、近年、磁性結晶
の微細均一化を狙ったＣＯ・Ｚｎ−ＰやＣｏ・Ｎ１−Ｚ
ｎ−ＰやＣＯ・Ｚｎ−Ｔｌ−ＰやＣｏ＊Ｎｉ＊Ｚｎ−Ｔ
ｌ７−Ｐなどの磁性記録層が知られている。
しかしながら、従来の技術では、磁性結晶体を微細均一
化しても保磁力が最大１３００″６ｅまでしか上がらな
かったため、線記録密度（Ｄｓｏ：最大出力の１／２と
なる記録密度）で２５ＫＰＣＩ（１インチ当りの磁化反
転数）、３．５インチの磁気ディスク装置で４０ＭＢ
（Ｘがバイト）が上限となる課題があった。
化しても保磁力が最大１３００″６ｅまでしか上がらな
かったため、線記録密度（Ｄｓｏ：最大出力の１／２と
なる記録密度）で２５ＫＰＣＩ（１インチ当りの磁化反
転数）、３．５インチの磁気ディスク装置で４０ＭＢ
（Ｘがバイト）が上限となる課題があった。
本発明の目的は、上記課題を解決し高線記録密度で使用
できる磁性媒体およびそれを用いた高記憶容量の磁気デ
ィスク装置を提供するものである。
できる磁性媒体およびそれを用いた高記憶容量の磁気デ
ィスク装置を提供するものである。
本発明の磁性媒体は、磁気ディスク装置において、磁気
記録層が強磁性金属とＺｎ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｐから成るこ
とを特徴とする。
記録層が強磁性金属とＺｎ、Ｒｅ、Ｔｌ、Ｐから成るこ
とを特徴とする。
またその製造方法は、磁気記録層が強磁性金属塩とＺｎ
塩とＲｅ塩とｌ塩を含む無電解メッキで形成することを
特徴とする。
塩とＲｅ塩とｌ塩を含む無電解メッキで形成することを
特徴とする。
また磁気ディスク装置は、上記の磁性媒体を用いること
を特徴とする。
を特徴とする。
本発明のＺｎとＴｆｉは既に述べたように、磁性結晶を
微細均一化する働きがある。そしてＲｅは、詳細な機構
は不明であるが、Ｚｎとの相互作用によりさらに微細均
一化して、高保磁力を発現する働きがあると考えられる
。また本発明において用いられる強磁性金属は、Ｃｏ単
体またはｃｏ−Ｎｉ合金のいずれでもよい。
微細均一化する働きがある。そしてＲｅは、詳細な機構
は不明であるが、Ｚｎとの相互作用によりさらに微細均
一化して、高保磁力を発現する働きがあると考えられる
。また本発明において用いられる強磁性金属は、Ｃｏ単
体またはｃｏ−Ｎｉ合金のいずれでもよい。
本発明の製造方法において用いられる無電解メッキ液は
、金属塩とその錯化剤とｐＨ緩衝剤とｐＨ調製剤と金属
塩を還元する還元剤から成る。また本発明の効果に影響
を与えない範囲で、光沢剤、ピンホール抑制剤、界面活
性剤などが添加されることもある。
、金属塩とその錯化剤とｐＨ緩衝剤とｐＨ調製剤と金属
塩を還元する還元剤から成る。また本発明の効果に影響
を与えない範囲で、光沢剤、ピンホール抑制剤、界面活
性剤などが添加されることもある。
金属塩は、Ｃ０１ＮｔＳＺｎＳＴ１％Ｒｅの水に可溶性
の塩が用いられ、その濃度はＣＯイオンで０．０６〜０
． １５＋ｏｌ ／ｌ 、 Ｎ ｉイオンで０〜０．
０４ｓ＋ｏｌ ／ｌ 、Ｚ ｎイオンで０．０００５〜
０． １０＊ｏｌ ／（Ｉ ５ＴＲＩイオンで０．００
０１〜０． ０００３ｓｏｌ ／ｆｌ ＳＲｅイオンで
０．０００１〜０．０Ｏ１ｓｏｌ ／ｆｌの範囲が望ま
しい。
の塩が用いられ、その濃度はＣＯイオンで０．０６〜０
． １５＋ｏｌ ／ｌ 、 Ｎ ｉイオンで０〜０．
０４ｓ＋ｏｌ ／ｌ 、Ｚ ｎイオンで０．０００５〜
０． １０＊ｏｌ ／（Ｉ ５ＴＲＩイオンで０．００
０１〜０． ０００３ｓｏｌ ／ｆｌ ＳＲｅイオンで
０．０００１〜０．０Ｏ１ｓｏｌ ／ｆｌの範囲が望ま
しい。
本発明の効果について、以下の実施例に基づいて説明す
る。
る。
（実施例１）
３．５インチの外径を有するドーナツ型アルミニウム基
板を、まず非磁性ＮｉＰで約２０μｍメッキし、その後
鏡面になるまで研磨した。この基板を用い、下記のＣＯ
争Ｎｆ争Ｚｎ拳Ｔｌ ・Ｒｅ・Ｐ無電解メッキ液で約５
００への磁気記録層を形成し、磁性媒体を製造した。
板を、まず非磁性ＮｉＰで約２０μｍメッキし、その後
鏡面になるまで研磨した。この基板を用い、下記のＣＯ
争Ｎｆ争Ｚｎ拳Ｔｌ ・Ｒｅ・Ｐ無電解メッキ液で約５
００への磁気記録層を形成し、磁性媒体を製造した。
くメッキ組成〉
硫酸コバルト ０．０８ （ｍｏｌ ／Ω
）硫酸ニッケル ０．０２（” ）次亜
リン酸ナトリウム ０．２５（／）リンゴ酸ナトリ
ウム ０．３（／ｌ ）酒石酸ナトリウム
０．３（〃）ホウ酸 ０．１（／
／）硫酸亜鉛 ０．００３（／ｌ）硫
酸タリウム ０．０００１（” ）過レ
ニウム酸アンモニウム０．０００３（” ）くメッキ
条件〉 ｐＨ９，４（水酸化ナトリウムによる）温度 ７
０℃ メッキ液量 １００ｇ この磁気記録層は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により
保磁力と角形比を測定し、第１表にその値を示す。また
この磁気記録層の電磁変換特性は、下記の条件で、’Ｉ
ｌｌ定し、第１表にその値を示す。
）硫酸ニッケル ０．０２（” ）次亜
リン酸ナトリウム ０．２５（／）リンゴ酸ナトリ
ウム ０．３（／ｌ ）酒石酸ナトリウム
０．３（〃）ホウ酸 ０．１（／
／）硫酸亜鉛 ０．００３（／ｌ）硫
酸タリウム ０．０００１（” ）過レ
ニウム酸アンモニウム０．０００３（” ）くメッキ
条件〉 ｐＨ９，４（水酸化ナトリウムによる）温度 ７
０℃ メッキ液量 １００ｇ この磁気記録層は、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）により
保磁力と角形比を測定し、第１表にその値を示す。また
この磁気記録層の電磁変換特性は、下記の条件で、’Ｉ
ｌｌ定し、第１表にその値を示す。
く測定条件〉
磁気ヘッド
ヘッド材料
ギャップ長
ヘッド浮上量
測定条件
回転数
書き込み電流
測定半径
書き込み周波数
第
Ｍｎ−Ｚｎフェライト
０、６μｍ
０、２μｍ
３６００ ｒ ｐｍ
０ｍＡ
１９、 ３＋ｍ
Ｉ ＭＨｚ 〜５ ＭＨｚ
表
（実施例２）
実施例１の磁気記録層を形成する無電解メッキ液が下記
のｃｏ−ＺｎφＴｇ−Ｒｅ−Ｐメッキ液へ変更した以外
、実施例１と同様の方法で磁性媒体を製造し、磁気特性
と電磁変換特性を８１１定した。
のｃｏ−ＺｎφＴｇ−Ｒｅ−Ｐメッキ液へ変更した以外
、実施例１と同様の方法で磁性媒体を製造し、磁気特性
と電磁変換特性を８１１定した。
その結果は第２表に示す。
くメッキ組成〉
硫酸コバルト ０．１ （ｍｏｌ ／ｌ
）次亜リン酸ナトリウム ０．２８（” ）リ
ンゴ酸ナトリウム ０．３（／／）酒石酸ナトリ
ウム ０．３（ｌ／）ホウ酸
０．１（”）硫酸亜鉛 ０．００３
（” ）硫酸タリウム ０．０００１（
〃）過レニウム酸アンモニウム０．０００３（” ）
くメッキ条件〉 ｐＨ９゜４（水酸化ナトリウムによる）温度 ７
０℃ メッキ液量 １００ｇ 第 ２ 表 （比較例） 実施例１の磁気記録層を形成する無電解メッキ液が下記
のＣＯ−Ｚｎ−Ｔｇ−Ｐメッキ液へ変更した以外、実施
例１と同様の方法で磁性媒体を製造し、磁気特性と電磁
変換特性をΔ−１定した。その結果は第３表に示す。
）次亜リン酸ナトリウム ０．２８（” ）リ
ンゴ酸ナトリウム ０．３（／／）酒石酸ナトリ
ウム ０．３（ｌ／）ホウ酸
０．１（”）硫酸亜鉛 ０．００３
（” ）硫酸タリウム ０．０００１（
〃）過レニウム酸アンモニウム０．０００３（” ）
くメッキ条件〉 ｐＨ９゜４（水酸化ナトリウムによる）温度 ７
０℃ メッキ液量 １００ｇ 第 ２ 表 （比較例） 実施例１の磁気記録層を形成する無電解メッキ液が下記
のＣＯ−Ｚｎ−Ｔｇ−Ｐメッキ液へ変更した以外、実施
例１と同様の方法で磁性媒体を製造し、磁気特性と電磁
変換特性をΔ−１定した。その結果は第３表に示す。
くメッキ組成〉
硫酸コバルト ０．０８ （−ｏｆ／ｌ）
硫酸ニッケル ０．０２（” ）次亜リ
ン酸ナトリウム ０．２５（” ）リンゴ酸ナト
リウム ０．３（〃）酒石酸ナトリウム
０．３（〃）ホウ酸 ０．１（〃）
硫酸亜鉛 ０．００３（” ）硫酸タ
リウム ０．０００１（” ）くメッキ
条件〉 ｉ＋Ｈ９，４（水酸化ナトリウムによる）温度
７０℃ メッキ液量 １００ｇ 第 ３ 表 ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｎ−Ｔｇ−Ｒｅ−Ｐやｃｏ−Ｚｎ・Ｔｇ
−Ｒｅ−Ｐの磁気記録層の線記録密度は高保磁力、高角
形比のため従来のものよりも１．２倍向上した。またこ
れらの磁気記録層を有する磁性媒体を用いた磁気ディス
ク装置は、その記憶容量を１．２倍に改善することがで
きた。
硫酸ニッケル ０．０２（” ）次亜リ
ン酸ナトリウム ０．２５（” ）リンゴ酸ナト
リウム ０．３（〃）酒石酸ナトリウム
０．３（〃）ホウ酸 ０．１（〃）
硫酸亜鉛 ０．００３（” ）硫酸タ
リウム ０．０００１（” ）くメッキ
条件〉 ｉ＋Ｈ９，４（水酸化ナトリウムによる）温度
７０℃ メッキ液量 １００ｇ 第 ３ 表 ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｎ−Ｔｇ−Ｒｅ−Ｐやｃｏ−Ｚｎ・Ｔｇ
−Ｒｅ−Ｐの磁気記録層の線記録密度は高保磁力、高角
形比のため従来のものよりも１．２倍向上した。またこ
れらの磁気記録層を有する磁性媒体を用いた磁気ディス
ク装置は、その記憶容量を１．２倍に改善することがで
きた。
以上実施例で述べたように、本発明の磁性媒体は、磁気
記録層が強磁性金属とＺｎ−Ｒｅ−Ｔｇから成ることに
より、線記録密度が向上するという効果を有する。そし
て、その磁性媒体を用いた磁気ディスク装置は、高記憶
容量で使用できるという効果を有する。
記録層が強磁性金属とＺｎ−Ｒｅ−Ｔｇから成ることに
より、線記録密度が向上するという効果を有する。そし
て、その磁性媒体を用いた磁気ディスク装置は、高記憶
容量で使用できるという効果を有する。
以上
Claims (3)
- （１）磁気ディスク装置において、磁気記録層が強磁性
金属とＺｎ・Ｒｅ・Ｔｌから成ることを特徴とする磁性
媒体。 - （２）磁気ディスク装置において、磁気記録層が強磁性
金属塩と、Ｚｎ塩とＲｅ塩とＴｌ塩を含む無電解メッキ
で形成することを特徴とする請求項１記載の磁性媒体。 - （３）請求項１記載の磁性媒体を用いることを特徴とす
る磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29463389A JPH03154223A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 磁性媒体および磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29463389A JPH03154223A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 磁性媒体および磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03154223A true JPH03154223A (ja) | 1991-07-02 |
Family
ID=17810290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29463389A Pending JPH03154223A (ja) | 1989-11-13 | 1989-11-13 | 磁性媒体および磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03154223A (ja) |
-
1989
- 1989-11-13 JP JP29463389A patent/JPH03154223A/ja active Pending
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