JPH04352454A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04352454A JPH04352454A JP12635791A JP12635791A JPH04352454A JP H04352454 A JPH04352454 A JP H04352454A JP 12635791 A JP12635791 A JP 12635791A JP 12635791 A JP12635791 A JP 12635791A JP H04352454 A JPH04352454 A JP H04352454A
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- oxide film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造方法に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】図２（ａ）〜（ｃ）は従来のバイポーラ
半導体装置の製造方法の説明に使用する半導体チップの
工程順断面図である。
半導体装置の製造方法の説明に使用する半導体チップの
工程順断面図である。
【０００３】図２（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン基
板２０１上にＮ型エピタキシャル層２０２を形成し、高
濃度Ｐ型不純物領域２０３を選択的に形成して素子分離
を行ない、素子形成領域内にＰ型ベース領域２０５、Ｎ
型エミッタ領域２０６、コレクタコンタクト領域２０７
を形成する。
板２０１上にＮ型エピタキシャル層２０２を形成し、高
濃度Ｐ型不純物領域２０３を選択的に形成して素子分離
を行ない、素子形成領域内にＰ型ベース領域２０５、Ｎ
型エミッタ領域２０６、コレクタコンタクト領域２０７
を形成する。
【０００４】次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基
体上の熱酸化膜２０４の所定箇所にコンタクト開孔２０
８を形成する。
体上の熱酸化膜２０４の所定箇所にコンタクト開孔２０
８を形成する。
【０００５】次に、図２（ｃ）に示すように、金属配線
２０９を形成する。
２０９を形成する。
【０００６】このように、熱酸化膜２０４は、活性領域
（２０５，２０６）等を形成するときの不純物拡散用マ
スクとして利用され、更に素子間を電気的に接続する金
属配線２０９と半導体基体とを電気的に絶縁分離を行う
目的にも利用していた。
（２０５，２０６）等を形成するときの不純物拡散用マ
スクとして利用され、更に素子間を電気的に接続する金
属配線２０９と半導体基体とを電気的に絶縁分離を行う
目的にも利用していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の半導体装
置の製造方法においては半導体素子と電気的な接続を行
う為のコンタクト開孔を形成する場合、既存のフォトレ
ジスト技術を用いてコンタクト開孔領域以外にフォトレ
ジスト膜を残しバッファード弗酸等を用いて熱酸化膜２
０４を選択的に除去していた。
置の製造方法においては半導体素子と電気的な接続を行
う為のコンタクト開孔を形成する場合、既存のフォトレ
ジスト技術を用いてコンタクト開孔領域以外にフォトレ
ジスト膜を残しバッファード弗酸等を用いて熱酸化膜２
０４を選択的に除去していた。
【０００８】しかし、フォトレジスト膜にピンホールな
どの欠陥があると、バッファド弗酸等による熱酸化膜２
０４の選択的除去工程（コンタクト開孔形成工程）にお
いて、所定の領域以外にもコンタクト開孔が形成され金
属配線２０９と半導体基体とが電気的に短絡したり、濡
れ電流が増大するという問題があった。
どの欠陥があると、バッファド弗酸等による熱酸化膜２
０４の選択的除去工程（コンタクト開孔形成工程）にお
いて、所定の領域以外にもコンタクト開孔が形成され金
属配線２０９と半導体基体とが電気的に短絡したり、濡
れ電流が増大するという問題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基体上に設けられた絶縁膜の所定箇所
にコンタクト開孔を形成する工程と、前記コンタクト開
孔とその近傍に選択的に耐酸化性膜を形成する工程と、
熱処理により前記絶縁膜を修復する工程と、前記耐酸化
性膜を除去したのち金属配線を形成する工程とを有する
というものである。
造方法は、半導体基体上に設けられた絶縁膜の所定箇所
にコンタクト開孔を形成する工程と、前記コンタクト開
孔とその近傍に選択的に耐酸化性膜を形成する工程と、
熱処理により前記絶縁膜を修復する工程と、前記耐酸化
性膜を除去したのち金属配線を形成する工程とを有する
というものである。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。
。
【００１１】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の
説明に使用する工程順断面図である。
説明に使用する工程順断面図である。
【００１２】図１（ａ）に示す様に半導体基体のＮ型エ
ピタキシャル層１０２上に熱酸化膜１０４を厚さ５００
ｎｍ形成し素子分離用の高濃度Ｐ型不純物領域１０３を
選択的拡散技術を用いて形成する。
ピタキシャル層１０２上に熱酸化膜１０４を厚さ５００
ｎｍ形成し素子分離用の高濃度Ｐ型不純物領域１０３を
選択的拡散技術を用いて形成する。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示す様に素子形成領域
上の所定の領域の熱酸化膜１０４にコンタクト開孔１０
８を形成する。
上の所定の領域の熱酸化膜１０４にコンタクト開孔１０
８を形成する。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示す様に、コンタクト
開孔１０８及び熱酸化膜１０４の全面に耐酸化性膜とし
ての窒化シリコン膜１０９を厚さ１００ｎｍ形成した後
、コンタクト開孔１０８とその近傍に窒化シリコン膜１
０９を残して他の部分は除去する。
開孔１０８及び熱酸化膜１０４の全面に耐酸化性膜とし
ての窒化シリコン膜１０９を厚さ１００ｎｍ形成した後
、コンタクト開孔１０８とその近傍に窒化シリコン膜１
０９を残して他の部分は除去する。
【００１５】次に熱酸化工程を行う事により、熱酸化膜
１０４に形成されたコンタクト開孔１０８以外の不要な
ピンホールなどの欠陥部分を酸化し修復を行なう。
１０４に形成されたコンタクト開孔１０８以外の不要な
ピンホールなどの欠陥部分を酸化し修復を行なう。
【００１６】熱酸化としては、９５０℃のスチーム酸化
が適当である。
が適当である。
【００１７】次に、図（ｄ）に示す様に窒化シリコン膜
１０９を熱リン酸等で除去しバイポーラトランジスタ及
び拡散層抵抗等の素子の電極取り出しとしてのコンタク
ト開孔１０８を形成する。
１０９を熱リン酸等で除去しバイポーラトランジスタ及
び拡散層抵抗等の素子の電極取り出しとしてのコンタク
ト開孔１０８を形成する。
【００１８】以後は通常のメタライズ技術により半導体
装置を形成する事ができる。
装置を形成する事ができる。
【００１９】なお、熱酸化膜１０４の修復酸化は、９０
０℃，５気圧の加圧酸化によってもよい。酸化温度の低
温化により前工程迄で形成された拡散のプロファイルを
変化させずにすむ為、安定な特性を得る事が可能となる
。
０℃，５気圧の加圧酸化によってもよい。酸化温度の低
温化により前工程迄で形成された拡散のプロファイルを
変化させずにすむ為、安定な特性を得る事が可能となる
。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、絶縁膜
にコンタクト開孔を形成した後、絶縁膜のピンホールな
どの欠陥を熱酸化膜で埋設することができるので、金属
配線と素子領域以外の半導体基体との絶縁性が良好とな
り、短絡や濡れ電流の増大を防ぐ事ができる。
にコンタクト開孔を形成した後、絶縁膜のピンホールな
どの欠陥を熱酸化膜で埋設することができるので、金属
配線と素子領域以外の半導体基体との絶縁性が良好とな
り、短絡や濡れ電流の増大を防ぐ事ができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するため（ａ）〜（ｄ
）に分図して示す工程順断面図である。
）に分図して示す工程順断面図である。
【図２】従来技術を説明するため（ａ）〜（ｃ）に分図
して示す工程順断面図である。
して示す工程順断面図である。
１０１，２０１ Ｐ型シリコン基板１０２，２０
２ Ｎ型エピタキシャル層１０３，２０３
高濃度Ｐ型不純物領域１０４，２０４ 熱酸化
膜 １０５，２０５ Ｐ型ベース領域１０６，２０６
Ｎ型エミッタ領域１０７，２０７ コレ
クタコンタクト領域１０８，２０８ コンタクト
開孔１０９ 窒化シリコン膜 ２０９ 金属配線
２ Ｎ型エピタキシャル層１０３，２０３
高濃度Ｐ型不純物領域１０４，２０４ 熱酸化
膜 １０５，２０５ Ｐ型ベース領域１０６，２０６
Ｎ型エミッタ領域１０７，２０７ コレ
クタコンタクト領域１０８，２０８ コンタクト
開孔１０９ 窒化シリコン膜 ２０９ 金属配線
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基体上に設けられた絶縁膜の所
定箇所にコンタクト開孔を形成する工程と、前記コンタ
クト開孔とその近傍に選択的に耐酸化性膜を形成する工
程と、熱処理により前記絶縁膜を修復する工程と、前記
耐酸化性膜を除去したのち金属配線を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12635791A JPH04352454A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12635791A JPH04352454A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04352454A true JPH04352454A (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=14933183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12635791A Pending JPH04352454A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04352454A (ja) |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP12635791A patent/JPH04352454A/ja active Pending
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