JPH0434217B2 - - Google Patents
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- JPH0434217B2 JPH0434217B2 JP61163938A JP16393886A JPH0434217B2 JP H0434217 B2 JPH0434217 B2 JP H0434217B2 JP 61163938 A JP61163938 A JP 61163938A JP 16393886 A JP16393886 A JP 16393886A JP H0434217 B2 JPH0434217 B2 JP H0434217B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G19/00—Processes using magnetic patterns; Apparatus therefor, i.e. magnetography
- G03G19/005—Processes using magnetic patterns; Apparatus therefor, i.e. magnetography where the image is formed by selective demagnetizing, e.g. thermomagnetic recording
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、磁気光学記憶媒体、具体的には記憶
層中で所望の磁化を実現するためにバイアス磁界
発生手段を設けることに関するものである。
層中で所望の磁化を実現するためにバイアス磁界
発生手段を設けることに関するものである。
Ｂ 従来技術
多くの磁気光学記憶媒体では、データは磁区に
よつて表わされる。磁化方向は、（通常は非常に
薄い磁気フイルムである）媒体に対して垂直であ
る。データは、いわゆる磁気光学効果に基づいて
読出される。基本的には、磁気光学効果は、偏光
ビームが磁化された媒体に出会う際の磁区の磁化
方向の変化に伴う偏光ビームの偏光方向の変化で
ある。偏光ビームは、一般にはレーザによつても
たらされる。
よつて表わされる。磁化方向は、（通常は非常に
薄い磁気フイルムである）媒体に対して垂直であ
る。データは、いわゆる磁気光学効果に基づいて
読出される。基本的には、磁気光学効果は、偏光
ビームが磁化された媒体に出会う際の磁区の磁化
方向の変化に伴う偏光ビームの偏光方向の変化で
ある。偏光ビームは、一般にはレーザによつても
たらされる。
データを表わす磁区を得るには、一般的にはレ
ーザを用いて磁気媒体のかかる磁区を設けたい領
域を加熱する。磁化方向は、最初に磁区を（磁化
を除去する）キユリー温度より高い温度に加熱す
ることによつて変化する。次に加熱過程を停止
し、温度が低下し始めると所望のデータを表わす
新しい磁区が生じ始める。新しい磁化方向は、印
加された外部バイアス磁界に依存する。この外部
バイアス磁界は、磁区がそのキユリー温度以下に
冷却するとき、磁区の磁化を外部バイアス磁界の
方向に強制的に一致させる。
ーザを用いて磁気媒体のかかる磁区を設けたい領
域を加熱する。磁化方向は、最初に磁区を（磁化
を除去する）キユリー温度より高い温度に加熱す
ることによつて変化する。次に加熱過程を停止
し、温度が低下し始めると所望のデータを表わす
新しい磁区が生じ始める。新しい磁化方向は、印
加された外部バイアス磁界に依存する。この外部
バイアス磁界は、磁区がそのキユリー温度以下に
冷却するとき、磁区の磁化を外部バイアス磁界の
方向に強制的に一致させる。
従来、外部バイアス磁界を発生させるため、幾
つかの技術が用いられてきた。米国特許第
3702993号には、媒体の個々の領域間で曲がりく
ねつた経路をたどるプリント配線が示されてい
る。この配線に必要な付勢は、磁区の所望の磁化
方向を得るため制御可能な形で切換わらなければ
ならない。米国特許第3651504号および第3739394
号では、バイアス磁界を発生させるため外部磁界
発生コイルを使用している。
つかの技術が用いられてきた。米国特許第
3702993号には、媒体の個々の領域間で曲がりく
ねつた経路をたどるプリント配線が示されてい
る。この配線に必要な付勢は、磁区の所望の磁化
方向を得るため制御可能な形で切換わらなければ
ならない。米国特許第3651504号および第3739394
号では、バイアス磁界を発生させるため外部磁界
発生コイルを使用している。
バイアス磁界をもたらす他の技術としては、電
界を使用して媒体の磁区の所望の磁化方向を得る
ものがある。米国特許第3710352号には、媒体の
電気的分極を変化させるため、選択的に加熱され
らビツト記憶領域の冷却中に低い分極電圧を強誘
電体媒体に印加することが示されている。電圧源
は、外部電池として示されている。米国特許第
3710353号には、熱容量性領域と接触する強誘電
体媒体が示されている。容量性領域が磁気媒体と
ともに加熱されると、熱容量性領域から磁気領域
への電圧遷移が生じ、電気的分極の反転を引起す
正味電圧が磁気領域の両端間に生じる。バイアス
電界で容量性領域を発生するためのエネルギー源
が必要である。様々な分極をもたらすためのスイ
ツチも必要である。
界を使用して媒体の磁区の所望の磁化方向を得る
ものがある。米国特許第3710352号には、媒体の
電気的分極を変化させるため、選択的に加熱され
らビツト記憶領域の冷却中に低い分極電圧を強誘
電体媒体に印加することが示されている。電圧源
は、外部電池として示されている。米国特許第
3710353号には、熱容量性領域と接触する強誘電
体媒体が示されている。容量性領域が磁気媒体と
ともに加熱されると、熱容量性領域から磁気領域
への電圧遷移が生じ、電気的分極の反転を引起す
正味電圧が磁気領域の両端間に生じる。バイアス
電界で容量性領域を発生するためのエネルギー源
が必要である。様々な分極をもたらすためのスイ
ツチも必要である。
もう一つの磁気媒体構造が、米国特許第
3680065号に開示されている。この媒体では、デ
ータが読出される記憶層のキユリー温度が室温に
近い。記憶層と物理的に接触する第２の層は、キ
ユリー温度がより高いが、磁化は記憶層と同じ
で、記憶層の温度が室温に達したとき量子交換結
合によつて記憶層を再磁化する働きをする。第２
の層は所望の磁区を得るためのバイアス磁界とし
てではなく、一般的技術によつて得られる磁化を
単に保持するために使われる。
3680065号に開示されている。この媒体では、デ
ータが読出される記憶層のキユリー温度が室温に
近い。記憶層と物理的に接触する第２の層は、キ
ユリー温度がより高いが、磁化は記憶層と同じ
で、記憶層の温度が室温に達したとき量子交換結
合によつて記憶層を再磁化する働きをする。第２
の層は所望の磁区を得るためのバイアス磁界とし
てではなく、一般的技術によつて得られる磁化を
単に保持するために使われる。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
バイアス磁界または電界を印加する上記技術の
主な問題点は、切換可能なエネルギー源を必要と
することである。今日の記憶装置が必要とする高
速のデータ記憶速度では、エネルギー源の切換え
は重大な問題になる。磁化のエネルギー源を切換
えるには、レーザ・ビームが磁区のそばを通過す
るよりの多くの時間を要する。したがつて、デー
タを書込むとき、磁区中で所望の磁化配向を得る
ために通常少なくとも２回の通過（パス）を必要
とする。また、切換速度が高速の場合、有害な電
磁雑音を発生する恐れがある。
主な問題点は、切換可能なエネルギー源を必要と
することである。今日の記憶装置が必要とする高
速のデータ記憶速度では、エネルギー源の切換え
は重大な問題になる。磁化のエネルギー源を切換
えるには、レーザ・ビームが磁区のそばを通過す
るよりの多くの時間を要する。したがつて、デー
タを書込むとき、磁区中で所望の磁化配向を得る
ために通常少なくとも２回の通過（パス）を必要
とする。また、切換速度が高速の場合、有害な電
磁雑音を発生する恐れがある。
Ｄ 問題点を解決するための手段
本発明の熱的書込み可能な記憶媒体及びそれに
書込むための方法は次の通りである。
書込むための方法は次の通りである。
(1) データを表わす所望の磁化配向を有する磁区
を保持するための記憶層と、該記憶層に所望の
磁化配向を有する磁区を形成するよう記憶層に
結合されたバイアス層とを備え、 該バイアス層は、前記記憶層のキユリー温度
よりも低い補償温度及びそのキユリー温度より
も高いキユリー温度をもち、且つ前記補償温度
よりも低い温度及び高い温度では互に異なる向
きの磁化を示す磁化特性を有し、温度の関数で
あるバイアス磁界を前記記憶層に与えることを
特徴とする熱的書込み可能な磁気記憶媒体 (2) データを表わす所望の磁化配向を有する磁区
を保持するための記憶層と、該記憶層のキユリ
ー温度よりも高いキユリー温度を有し、補償温
度以下の温度では第１の向きの磁化状態を示す
と共に補償温度よりも高いがキユリー温度より
も低い温度では前記第１の向きとは異なる第２
の向きの磁化状態を示す磁化特性を有し温度の
関数であるバイアス磁界を前記記憶層に与える
バイアス層とを備えた光−磁気記憶媒体にデー
タを書込む方法において、 前記記憶媒体の所定部分を前記記憶層のキユ
リー温度以上で前記バイアス層のキユリー温度
以下の温度へ加熱する段階と、 前記所定部分の磁化の配向が変更されるよう
バイアス層の補償温度よりも相当に低い温度に
前記所定部分を冷却する段階と、 より成る前記書込み方法 次にバイアス層について詳述する。
を保持するための記憶層と、該記憶層に所望の
磁化配向を有する磁区を形成するよう記憶層に
結合されたバイアス層とを備え、 該バイアス層は、前記記憶層のキユリー温度
よりも低い補償温度及びそのキユリー温度より
も高いキユリー温度をもち、且つ前記補償温度
よりも低い温度及び高い温度では互に異なる向
きの磁化を示す磁化特性を有し、温度の関数で
あるバイアス磁界を前記記憶層に与えることを
特徴とする熱的書込み可能な磁気記憶媒体 (2) データを表わす所望の磁化配向を有する磁区
を保持するための記憶層と、該記憶層のキユリ
ー温度よりも高いキユリー温度を有し、補償温
度以下の温度では第１の向きの磁化状態を示す
と共に補償温度よりも高いがキユリー温度より
も低い温度では前記第１の向きとは異なる第２
の向きの磁化状態を示す磁化特性を有し温度の
関数であるバイアス磁界を前記記憶層に与える
バイアス層とを備えた光−磁気記憶媒体にデー
タを書込む方法において、 前記記憶媒体の所定部分を前記記憶層のキユ
リー温度以上で前記バイアス層のキユリー温度
以下の温度へ加熱する段階と、 前記所定部分の磁化の配向が変更されるよう
バイアス層の補償温度よりも相当に低い温度に
前記所定部分を冷却する段階と、 より成る前記書込み方法 次にバイアス層について詳述する。
記憶媒体においてバイアス磁界を生じるバイア
ス層は、温度依存性の磁気特性を有する。この層
は温度の変化によつて配向が変化する有効磁化を
有する。これは反対に配向された２つの磁性体成
分から成る。この種の磁気特性を有する物質の一
つは、フエリ磁性体として知られる。バイアス層
の温度が上昇すると、２つの構成物質の磁化は減
少するが、減少の速度は異なる。有効磁化は２つ
の構成物質の間の差である。補償温度では、両物
質の磁化は等しい。それらは反対方向に配向され
ているので、有効磁化はゼロである。温度が補償
温度を過ぎて増大すると、２つの構成物質の磁化
の変化速度が異なるため、有効磁化の配向の方向
は変わる。温度変化に応じて磁化の方向が変わる
ため、この層を使つて磁気記憶層をバイアスし、
所望の磁化配向をもたらすことができる。
ス層は、温度依存性の磁気特性を有する。この層
は温度の変化によつて配向が変化する有効磁化を
有する。これは反対に配向された２つの磁性体成
分から成る。この種の磁気特性を有する物質の一
つは、フエリ磁性体として知られる。バイアス層
の温度が上昇すると、２つの構成物質の磁化は減
少するが、減少の速度は異なる。有効磁化は２つ
の構成物質の間の差である。補償温度では、両物
質の磁化は等しい。それらは反対方向に配向され
ているので、有効磁化はゼロである。温度が補償
温度を過ぎて増大すると、２つの構成物質の磁化
の変化速度が異なるため、有効磁化の配向の方向
は変わる。温度変化に応じて磁化の方向が変わる
ため、この層を使つて磁気記憶層をバイアスし、
所望の磁化配向をもたらすことができる。
Ｅ 実施例
良好な一実施例では、自己バイアス磁気光学記
憶媒体は、個々の磁区でデータを表わす所望の磁
化配向を保持する、第１の磁気層（記憶層）を有
する。第２の磁気層（バイアス層）は、第１の磁
気層に結合され、第１の磁気層で所望の磁化配向
を得るためのバイアス磁界をもたらす。
憶媒体は、個々の磁区でデータを表わす所望の磁
化配向を保持する、第１の磁気層（記憶層）を有
する。第２の磁気層（バイアス層）は、第１の磁
気層に結合され、第１の磁気層で所望の磁化配向
を得るためのバイアス磁界をもたらす。
記憶媒体にデータを記録するため、第１の層の
１つの磁区に対応する部分を、レーザによつて周
囲温度からそのキユリー温度以上に加熱する。第
２の層は、補償温度をもつフエリ磁性体のバイア
ス層であり、第１の層の加熱と同時に同じレーザ
で加熱される。これらの層の加熱前の両層中の磁
区の磁化方向は同じである。例えば、上向きであ
る。
１つの磁区に対応する部分を、レーザによつて周
囲温度からそのキユリー温度以上に加熱する。第
２の層は、補償温度をもつフエリ磁性体のバイア
ス層であり、第１の層の加熱と同時に同じレーザ
で加熱される。これらの層の加熱前の両層中の磁
区の磁化方向は同じである。例えば、上向きであ
る。
第１の層の磁区がそのキユリー温度に達する
と、その磁化は実質的に除去される。第２の層の
対応する磁区は、その補償温度より高い温度にあ
り、その有効磁化は周囲温度におけるその有効磁
化とは反対の下向きの有効配向になつている。
と、その磁化は実質的に除去される。第２の層の
対応する磁区は、その補償温度より高い温度にあ
り、その有効磁化は周囲温度におけるその有効磁
化とは反対の下向きの有効配向になつている。
レーザを切ると、これらの層は冷却し始める。
第１の層の温度はそのキユリー温度を通過して降
下し、加熱された磁区の磁化は近接する第２の層
の下向きに配向された磁化と一致する。冷却が続
くと、第２の層はその補償温度を通過する。その
後で有効配向が上向きになる。第２の層の保磁力
は、第１の層から投射される磁化の影響を受ける
のに十分なほど小さく、したがつてその有効磁化
もまた下向き方向に反転する。周囲温度に達する
と、第１および第２の層はともに下向き方向に磁
化される。第１および第２の層の加熱される所
に、磁区のフリツプ・フロツプが生じている。
第１の層の温度はそのキユリー温度を通過して降
下し、加熱された磁区の磁化は近接する第２の層
の下向きに配向された磁化と一致する。冷却が続
くと、第２の層はその補償温度を通過する。その
後で有効配向が上向きになる。第２の層の保磁力
は、第１の層から投射される磁化の影響を受ける
のに十分なほど小さく、したがつてその有効磁化
もまた下向き方向に反転する。周囲温度に達する
と、第１および第２の層はともに下向き方向に磁
化される。第１および第２の層の加熱される所
に、磁区のフリツプ・フロツプが生じている。
磁区の配向を上向きに戻すには、磁区を第１の
層のキユリー温度近くに再び加熱する。この時点
で、第２の層の有効な磁化方向は上向きになる。
冷却すると、第１の層は第２の層の影響を受けて
上向き方向に磁化される。補償温度を過ぎてさら
に冷却すると、再び第２の層の保磁力は有効磁化
が上向き方向に変わるのに十分なほど低くなる。
周囲温度で、第１および第２の層はともに再び上
向き方向に磁化される。
層のキユリー温度近くに再び加熱する。この時点
で、第２の層の有効な磁化方向は上向きになる。
冷却すると、第１の層は第２の層の影響を受けて
上向き方向に磁化される。補償温度を過ぎてさら
に冷却すると、再び第２の層の保磁力は有効磁化
が上向き方向に変わるのに十分なほど低くなる。
周囲温度で、第１および第２の層はともに再び上
向き方向に磁化される。
磁区の磁化方向のこのフリツプ・フロツプ動作
は、記憶媒体を一体のバイアス磁界によつて可能
になる。従来の場合のような外部バイアス源は必
要でない。
は、記憶媒体を一体のバイアス磁界によつて可能
になる。従来の場合のような外部バイアス源は必
要でない。
好ましくは、集束レーザ・ビームを用いて、媒
体中で非常に小さな磁区を得る。これらの小さな
磁区は、同じレーザから発し物質から反射された
ビームによつて検出される。ビームの運動経路の
間に物質の磁化によつて生じるビームの偏光の変
化が、磁区の磁化を示す。この偏光の変化はカー
（Kerr）回転角と呼ばれる。データが読出される
温度である周囲温度では、両層の磁化は同じ方向
である。第２の層からのカー回転角が大きくなる
と、層の厚さと間隔に応じて単一の層によつて生
じる偏光の変化よりも、磁区の磁化配向の検出が
容易である。
体中で非常に小さな磁区を得る。これらの小さな
磁区は、同じレーザから発し物質から反射された
ビームによつて検出される。ビームの運動経路の
間に物質の磁化によつて生じるビームの偏光の変
化が、磁区の磁化を示す。この偏光の変化はカー
（Kerr）回転角と呼ばれる。データが読出される
温度である周囲温度では、両層の磁化は同じ方向
である。第２の層からのカー回転角が大きくなる
と、層の厚さと間隔に応じて単一の層によつて生
じる偏光の変化よりも、磁区の磁化配向の検出が
容易である。
一体的バイアス磁界を実現すると、磁界源と記
憶層との間の距離が小さくなるので、より小さい
磁界源で充分である。従来装置の外部的に発生さ
れる磁界は、より大きな距離を横断する必要があ
り、したがつてより多くのエネルギーが必要であ
り、そのため切換時間が遅かつた。本発明では、
バイアス磁界を切換えるのにレーザの熱を利用す
る。薄いフイルム層と集束レーザ・ビームからの
強い熱を利用するため、磁化の変化が従来装置の
場合よりも迅速になる。
憶層との間の距離が小さくなるので、より小さい
磁界源で充分である。従来装置の外部的に発生さ
れる磁界は、より大きな距離を横断する必要があ
り、したがつてより多くのエネルギーが必要であ
り、そのため切換時間が遅かつた。本発明では、
バイアス磁界を切換えるのにレーザの熱を利用す
る。薄いフイルム層と集束レーザ・ビームからの
強い熱を利用するため、磁化の変化が従来装置の
場合よりも迅速になる。
良好なもう一つの実施例では、第２の層の下に
第３の磁化層を設ける。第３の層は所定の配向の
磁化を有する。第１および第２の層をそれらのキ
ユリー点以上に加熱すると、第３の層は第１およ
び第２の層の磁化が第３の層と同じ方向になる。
第３の層の温度依存性の磁気特性は、第１および
第２の層と同時に加熱するとき、投射される磁化
が大きくなるように選択する。したがつて、全て
の磁区は、各磁区の最初の磁化配向がどうであろ
うと、選択されたある配向にすることができる。
第３の磁化層を設ける。第３の層は所定の配向の
磁化を有する。第１および第２の層をそれらのキ
ユリー点以上に加熱すると、第３の層は第１およ
び第２の層の磁化が第３の層と同じ方向になる。
第３の層の温度依存性の磁気特性は、第１および
第２の層と同時に加熱するとき、投射される磁化
が大きくなるように選択する。したがつて、全て
の磁区は、各磁区の最初の磁化配向がどうであろ
うと、選択されたある配向にすることができる。
第２図に、記憶媒体用における温度依存性の磁
界バイアス層について磁化と温度の関係を示す。
バイアス層は、好ましくはフエリ磁性体であり、
したがつて第１および第２の磁性体から成る。こ
れらの磁性体成分は、第２図にそれぞれ線１０お
よび１２で示した反対方向の磁化をもつ。周囲温
度または室温で、両成分物質の磁化は、通常の動
作温度範囲のとき最大となるが、反対方向に向い
ている。磁化の大きさの関係を示すため、第２の
成分１２の磁化を温度軸の上方に示すが、第１の
成分とは向きが反対である。２つの物理的に異な
る層を有するバイアス層も、所期の特性をもたら
す。
界バイアス層について磁化と温度の関係を示す。
バイアス層は、好ましくはフエリ磁性体であり、
したがつて第１および第２の磁性体から成る。こ
れらの磁性体成分は、第２図にそれぞれ線１０お
よび１２で示した反対方向の磁化をもつ。周囲温
度または室温で、両成分物質の磁化は、通常の動
作温度範囲のとき最大となるが、反対方向に向い
ている。磁化の大きさの関係を示すため、第２の
成分１２の磁化を温度軸の上方に示すが、第１の
成分とは向きが反対である。２つの物理的に異な
る層を有するバイアス層も、所期の特性をもたら
す。
層の温度が上昇すると、両成分物質の磁化は減
少するが、その速度は異なる。層の磁化は、１４
で示す有効磁化と呼ばれる。これは、基本的に成
分磁化１０と１２の和である。周囲温度では、第
１の成分の大きさの方が第２の成分よりも大き
く、第１の成分１０と同じ方向の有効磁化を与え
る。層の温度が温度軸上の１６で示す補償温度ま
で上がると、成分磁化の絶対値は等しく、したが
つて有効磁化（線１４）はほぼゼロである。これ
は、第１の成分の磁化の減少速度が第２の成分の
磁化の減少より大きいためである。
少するが、その速度は異なる。層の磁化は、１４
で示す有効磁化と呼ばれる。これは、基本的に成
分磁化１０と１２の和である。周囲温度では、第
１の成分の大きさの方が第２の成分よりも大き
く、第１の成分１０と同じ方向の有効磁化を与え
る。層の温度が温度軸上の１６で示す補償温度ま
で上がると、成分磁化の絶対値は等しく、したが
つて有効磁化（線１４）はほぼゼロである。これ
は、第１の成分の磁化の減少速度が第２の成分の
磁化の減少より大きいためである。
層の温度が上昇し続けると、第２の成分の磁化
の大きさは第１の成分の磁化の大きさより大きく
なり、有効磁化の方向は、第１の成分とは反対の
第２の成分の方向になる。温度がさらに層のキユ
リー温度以上に上昇する場合は、磁化はほぼゼロ
になるはずである。
の大きさは第１の成分の磁化の大きさより大きく
なり、有効磁化の方向は、第１の成分とは反対の
第２の成分の方向になる。温度がさらに層のキユ
リー温度以上に上昇する場合は、磁化はほぼゼロ
になるはずである。
バイアス層の保磁力は、第３図の線２０で表わ
される。保磁力は、周囲温度から上昇して補償温
度のときピークに達し、次に補償温度より上で減
少する。保磁力は、キユリー温度以上ではゼロで
ある。
される。保磁力は、周囲温度から上昇して補償温
度のときピークに達し、次に補償温度より上で減
少する。保磁力は、キユリー温度以上ではゼロで
ある。
第２図および第３図に関連して説明したバイア
ス層の温度依存特性は、第１図に概括的に３０で
示す磁気記憶媒体にバイアス磁界を投射するのに
利用される。記憶媒体３０は、磁気的なバイアス
層３４に結合された磁気的な記憶層３２を含んで
いる。データは、記憶層における磁化の変化によ
つて表わされる。媒体３０の領域を加熱してデー
タ・ビツトを表わす配向を有する個々の磁区を作
ることによつて、データが書込まれる。データ
は、磁区によつて引起されるレーザ・ビームの偏
光の変化を観測することによつて検出される。好
ましくは磁区の読み書きに同じレーザを用いる。
磁区を作る際に隣接する磁区からのバイアス磁界
の影響を減らすため、記憶層３２とバイアス層３
４との間の間隔は、好ましくは書込まれた磁区の
半径の1/4より小さい。
ス層の温度依存特性は、第１図に概括的に３０で
示す磁気記憶媒体にバイアス磁界を投射するのに
利用される。記憶媒体３０は、磁気的なバイアス
層３４に結合された磁気的な記憶層３２を含んで
いる。データは、記憶層における磁化の変化によ
つて表わされる。媒体３０の領域を加熱してデー
タ・ビツトを表わす配向を有する個々の磁区を作
ることによつて、データが書込まれる。データ
は、磁区によつて引起されるレーザ・ビームの偏
光の変化を観測することによつて検出される。好
ましくは磁区の読み書きに同じレーザを用いる。
磁区を作る際に隣接する磁区からのバイアス磁界
の影響を減らすため、記憶層３２とバイアス層３
４との間の間隔は、好ましくは書込まれた磁区の
半径の1/4より小さい。
加熱中に形成される個々の磁区は、実際には周
囲の層とは異なる磁気特性を有する。このため、
静磁結合効果がバイアス層３４から必要なバイア
ス磁界を投射することが可能になる。個々の磁区
はまた、磁化の適正な配向を妨げる恐れのある好
ましくない核発生に対する実質的なエネルギー障
壁をもたらす。
囲の層とは異なる磁気特性を有する。このため、
静磁結合効果がバイアス層３４から必要なバイア
ス磁界を投射することが可能になる。個々の磁区
はまた、磁化の適正な配向を妨げる恐れのある好
ましくない核発生に対する実質的なエネルギー障
壁をもたらす。
記憶層及びバイアス層の有効磁化特性の温度依
存性を、第４図で線４０および４２で表わしてあ
る。１つの領域が周囲温度から加熱されると、両
磁化は最初同じ方向を向き、温度の上昇とともに
減少する。温度がバイアス層３４の補償温度ま
で、さらにそれ以上に上がると、バイアス層３４
の有効磁化の配向は向きが変わる。記憶層３２が
キユリー温度に達するとき、その磁化はほぼゼロ
である。この温度でのバイアス層の有効磁化は、
好ましくは最大またはそれに近い。最大になるの
は、その補償温度とキユリー温度との間である。
これらの層の温度がバイアス層のキユリー温度ま
で引続き上昇すると、バイアス層の有効磁化の絶
対値は減少し、そのキユリー温度でほぼゼロにな
る。この時点でデータは失われる。
存性を、第４図で線４０および４２で表わしてあ
る。１つの領域が周囲温度から加熱されると、両
磁化は最初同じ方向を向き、温度の上昇とともに
減少する。温度がバイアス層３４の補償温度ま
で、さらにそれ以上に上がると、バイアス層３４
の有効磁化の配向は向きが変わる。記憶層３２が
キユリー温度に達するとき、その磁化はほぼゼロ
である。この温度でのバイアス層の有効磁化は、
好ましくは最大またはそれに近い。最大になるの
は、その補償温度とキユリー温度との間である。
これらの層の温度がバイアス層のキユリー温度ま
で引続き上昇すると、バイアス層の有効磁化の絶
対値は減少し、そのキユリー温度でほぼゼロにな
る。この時点でデータは失われる。
第１図の記憶媒体中で、所望のビツト・パター
ンを表わす磁化を得るための温度サイクル（加熱
および冷却）を第５，第６，第７および第８図に
示す。これらの図で、記憶層３２の磁化は温度軸
の上側の線で表わされ、バイアス層３４の有効磁
化は温度軸の下側の線で表わされる。これらの線
には、磁化の配向を示す矢印がついている。
ンを表わす磁化を得るための温度サイクル（加熱
および冷却）を第５，第６，第７および第８図に
示す。これらの図で、記憶層３２の磁化は温度軸
の上側の線で表わされ、バイアス層３４の有効磁
化は温度軸の下側の線で表わされる。これらの線
には、磁化の配向を示す矢印がついている。
第５図において、周囲温度50で両層の磁化は上
向きになつている。温度が上昇すると、バイアス
層の有効磁化は減少し、バイアス層の補償温度52
でゼロになる。それ以上加熱すると、記憶層の磁
化が著しく減少し、バイアス層の有効磁化が増大
（但し下向きに）する。54で記憶層のキユリー温
度に到達するとき、記憶層の磁化はゼロであり、
バイアス層の有効磁化は好ましくは補償温度とバ
イアス層のキユリー温度との間で最大になる。媒
体を温度56までもう少し加熱すると、確実に記憶
層のキユリー温度に達するが、バイアス層のキユ
リー温度よりも低い。
向きになつている。温度が上昇すると、バイアス
層の有効磁化は減少し、バイアス層の補償温度52
でゼロになる。それ以上加熱すると、記憶層の磁
化が著しく減少し、バイアス層の有効磁化が増大
（但し下向きに）する。54で記憶層のキユリー温
度に到達するとき、記憶層の磁化はゼロであり、
バイアス層の有効磁化は好ましくは補償温度とバ
イアス層のキユリー温度との間で最大になる。媒
体を温度56までもう少し加熱すると、確実に記憶
層のキユリー温度に達するが、バイアス層のキユ
リー温度よりも低い。
第５図の加熱過程の次の冷却過程を第６図に示
す。温度56からキユリー温度54を経て冷却する
と、バイアス層の磁化が記憶層に作用してバイア
ス層の有効磁化と同じ磁化方向、すなわち下向き
方向にする。このように、記憶層の磁化は、単に
媒体を加熱することによつて方向が反転する。バ
イアス層の補償温度を通過して冷却を続けると、
バイアス層の有効磁化は上向き方向に変わるが、
記憶層の磁化および保磁力が増大するので、バイ
アス層の有効磁化の影響を受けない。バイアス層
の補償温度より低い温度58では、バイアス層の保
持力は比較的低い。温度58では、記憶層の磁化は
バイアス層の有効磁化を下向きに変えるのに十分
なほど大きい。周囲温度50に達するとき、両層の
磁化は下向きになる。
す。温度56からキユリー温度54を経て冷却する
と、バイアス層の磁化が記憶層に作用してバイア
ス層の有効磁化と同じ磁化方向、すなわち下向き
方向にする。このように、記憶層の磁化は、単に
媒体を加熱することによつて方向が反転する。バ
イアス層の補償温度を通過して冷却を続けると、
バイアス層の有効磁化は上向き方向に変わるが、
記憶層の磁化および保磁力が増大するので、バイ
アス層の有効磁化の影響を受けない。バイアス層
の補償温度より低い温度58では、バイアス層の保
持力は比較的低い。温度58では、記憶層の磁化は
バイアス層の有効磁化を下向きに変えるのに十分
なほど大きい。周囲温度50に達するとき、両層の
磁化は下向きになる。
磁区の磁化を反転して上向きに戻すには、第７
図および第８図に示すように、加熱および冷却過
程を繰返す。加熱中に両層の磁化は減少し、バイ
アス層の有効磁化は補償温度52より上で上向きに
変わる。再び、媒体を記憶層のキユリー温度54以
上に加熱する。第８図で冷却が始まると、バイア
ス層の磁化が記憶層に投射されるため、記憶層の
磁化配向は上向きになる。補償温度52を通過して
さらに冷却すると、バイアス層の磁化は下向きに
反転し、次に温度58で記憶層の磁化が投射され、
またその温度でのバイアス層の保持力が比較的低
いために、上向きに戻る。周囲温度で、両層の磁
化は上向きになる。
図および第８図に示すように、加熱および冷却過
程を繰返す。加熱中に両層の磁化は減少し、バイ
アス層の有効磁化は補償温度52より上で上向きに
変わる。再び、媒体を記憶層のキユリー温度54以
上に加熱する。第８図で冷却が始まると、バイア
ス層の磁化が記憶層に投射されるため、記憶層の
磁化配向は上向きになる。補償温度52を通過して
さらに冷却すると、バイアス層の磁化は下向きに
反転し、次に温度58で記憶層の磁化が投射され、
またその温度でのバイアス層の保持力が比較的低
いために、上向きに戻る。周囲温度で、両層の磁
化は上向きになる。
選択された磁区のフリツプ・フロツプ動作は、
レーザ以外の外力を使用しないで実現される。レ
ーザは、媒体を加熱し、磁区の配向を検出するた
めに使われる。切換可能なバイアス磁場をもたら
すために、外力は必要でない。
レーザ以外の外力を使用しないで実現される。レ
ーザは、媒体を加熱し、磁区の配向を検出するた
めに使われる。切換可能なバイアス磁場をもたら
すために、外力は必要でない。
第５図ないし第８図の考察では、媒体の全ての
層の温度が等しいものと仮定している。実際に
は、加熱されるとき、これらの層は、予想可能な
温度勾配を有するはずである。したがつて、キユ
リー温度と補償温度の間の正確な関係は、媒体に
含まれる各層の加熱および冷却特性に依存する。
層の温度が等しいものと仮定している。実際に
は、加熱されるとき、これらの層は、予想可能な
温度勾配を有するはずである。したがつて、キユ
リー温度と補償温度の間の正確な関係は、媒体に
含まれる各層の加熱および冷却特性に依存する。
第９図のタイミング・ダイアグラムは、磁区が
どのようにして第１のビツト・パターン９０の表
示から第２のビツト・パターン９２の表示に変わ
るかを示したものである。媒体の初期磁化は線９
４によつて表わされている。上向き方向の磁化は
「１」ビツトを表わし、下向き方向の磁化は「０」
ビツトを表わす。磁区の初期状態は、磁区がレー
ザに向つて動くとき磁区の周縁近くで検出され
る。磁区を変化させる必要がある場合、出来るだ
け磁区の中心近くをレーザで加熱する。読出しお
よび加熱が必要な場合、好ましくはレーザが磁区
を１回通過する際に行われる。
どのようにして第１のビツト・パターン９０の表
示から第２のビツト・パターン９２の表示に変わ
るかを示したものである。媒体の初期磁化は線９
４によつて表わされている。上向き方向の磁化は
「１」ビツトを表わし、下向き方向の磁化は「０」
ビツトを表わす。磁区の初期状態は、磁区がレー
ザに向つて動くとき磁区の周縁近くで検出され
る。磁区を変化させる必要がある場合、出来るだ
け磁区の中心近くをレーザで加熱する。読出しお
よび加熱が必要な場合、好ましくはレーザが磁区
を１回通過する際に行われる。
第９図において出会う最初のビツトは１であ
り、所期のビツトは０である。磁区を１から０に
変えるためのレーザ・バーストを、線９６で示
す。レーザ・バーストおよび冷却に続く媒体の磁
化を線９８で示す。現在記憶されているデータと
所望のデータの第２および第３ビツトは同じであ
り、したがつてレーザ・バーストの必要はない。
４番目に出会うビツトは０であり、所望のビツト
は１であるので、第１のバーストと同じ第２のレ
ーザ・バーストが生じ、磁化が線９８で示すよう
に変わる。同様に、５，６および７番目のビツト
がレーザ・バーストによつて変えられる。
り、所期のビツトは０である。磁区を１から０に
変えるためのレーザ・バーストを、線９６で示
す。レーザ・バーストおよび冷却に続く媒体の磁
化を線９８で示す。現在記憶されているデータと
所望のデータの第２および第３ビツトは同じであ
り、したがつてレーザ・バーストの必要はない。
４番目に出会うビツトは０であり、所望のビツト
は１であるので、第１のバーストと同じ第２のレ
ーザ・バーストが生じ、磁化が線９８で示すよう
に変わる。同様に、５，６および７番目のビツト
がレーザ・バーストによつて変えられる。
記憶媒体のもう一つの良好な実施例を、第１０
図において１１０で概括的に示す。記憶層１１２
は、第１図の記憶層３２と大体同じである。同様
に、第１のバイアス層１１４を記憶層１１２の下
に設ける。第１のバイアス層１１４と記憶層１１
２は、第１のバイアス層のキユリー温度以下に加
熱されると、第１図の２つの層と大体同様に協働
する。第２のバイアス層１１６は初めの２つの層
の下にあり、所定の永久的配向をもつ磁化を含ん
でいる。
図において１１０で概括的に示す。記憶層１１２
は、第１図の記憶層３２と大体同じである。同様
に、第１のバイアス層１１４を記憶層１１２の下
に設ける。第１のバイアス層１１４と記憶層１１
２は、第１のバイアス層のキユリー温度以下に加
熱されると、第１図の２つの層と大体同様に協働
する。第２のバイアス層１１６は初めの２つの層
の下にあり、所定の永久的配向をもつ磁化を含ん
でいる。
第２のバイアス層は、好ましくは初めの２つの
層から光学的に絶縁されており、したがつてそれ
らの磁化配向を反転させることによる磁区の書込
みは、第３図の媒体での磁区の書込みと大体同じ
ように行われる。第２のバイアス層は、磁区の配
向がどうであろうと記憶層及び第１のバイアス層
の磁化を所定の配向にするために用いられるバイ
アス磁界をもたらす。初めの２つの層が両層のキ
ユリー温度を超える温度まで加熱され、次に冷却
されると、それらは第２のバイアス層の磁化の配
向を取る。第２のバイアス層の磁化は、好ましく
は記憶層及び第１のバイアス層の加熱に付随して
加熱される際に増大する。第１のバイアス層はそ
のキユリー温度以下に冷却すると、第２のバイア
ス層の磁化配向を取るが、次にその補償温度以下
に冷却すると配向を変える。記憶層の磁界効果の
ために、上述の第１のバイアス層の補償温度以下
の温度で第１のバイアス層が同様に反転する。し
たがつて、外部バイアス源を用いずに消去能力が
もたらされる。初めの２つの層の磁化がわかつて
いるので、新しいデータで磁区を書込む前に、磁
区を読出す必要はない、このため、磁区の周縁を
読出し、次に機能を切換えて、磁区の中心近くに
書込もうとする際に、正確なタイミングの必要が
なくなる。光学的絶縁により、読出されるデータ
の磁区と反対の配向を有するかも知れない第３の
層によつてレーザ・ビームが有効に偏光されるこ
とが実質的に防止される。
層から光学的に絶縁されており、したがつてそれ
らの磁化配向を反転させることによる磁区の書込
みは、第３図の媒体での磁区の書込みと大体同じ
ように行われる。第２のバイアス層は、磁区の配
向がどうであろうと記憶層及び第１のバイアス層
の磁化を所定の配向にするために用いられるバイ
アス磁界をもたらす。初めの２つの層が両層のキ
ユリー温度を超える温度まで加熱され、次に冷却
されると、それらは第２のバイアス層の磁化の配
向を取る。第２のバイアス層の磁化は、好ましく
は記憶層及び第１のバイアス層の加熱に付随して
加熱される際に増大する。第１のバイアス層はそ
のキユリー温度以下に冷却すると、第２のバイア
ス層の磁化配向を取るが、次にその補償温度以下
に冷却すると配向を変える。記憶層の磁界効果の
ために、上述の第１のバイアス層の補償温度以下
の温度で第１のバイアス層が同様に反転する。し
たがつて、外部バイアス源を用いずに消去能力が
もたらされる。初めの２つの層の磁化がわかつて
いるので、新しいデータで磁区を書込む前に、磁
区を読出す必要はない、このため、磁区の周縁を
読出し、次に機能を切換えて、磁区の中心近くに
書込もうとする際に、正確なタイミングの必要が
なくなる。光学的絶縁により、読出されるデータ
の磁区と反対の配向を有するかも知れない第３の
層によつてレーザ・ビームが有効に偏光されるこ
とが実質的に防止される。
第１図の記憶媒体の詳細はブロツク・ダイアグ
ラムを、第１１図に１２０で示す。レーザ１２２
または同様の熱源がSiO2などの保護層１２４に
向けてビームを放出する。レーザ１２２からの保
護層１２４の下側の記憶層１２６は、好ましくは
TbFeなどの磁性体で形成する。誘電体層１２８
は、好ましくはSiO2であり、記憶層１２６をバ
イアス層１３０に結合する。バイアス層１３０
は、好ましくはGdCoなどのフエリ磁性体で形成
され、第３図のバイアス層３４に関連して上述し
た特性を有する。
ラムを、第１１図に１２０で示す。レーザ１２２
または同様の熱源がSiO2などの保護層１２４に
向けてビームを放出する。レーザ１２２からの保
護層１２４の下側の記憶層１２６は、好ましくは
TbFeなどの磁性体で形成する。誘電体層１２８
は、好ましくはSiO2であり、記憶層１２６をバ
イアス層１３０に結合する。バイアス層１３０
は、好ましくはGdCoなどのフエリ磁性体で形成
され、第３図のバイアス層３４に関連して上述し
た特性を有する。
誘電体層１３２は、反射層１３４に対して所期
の量の熱絶縁をもたらす。誘電体層１３２も好ま
しくはSiO2であり、バイアス層１３０から反射
層１３４への熱伝達を制御する働きをする。反射
層は、好ましくは高い反射率を有するアルミニウ
ムまたは他の物質で形成され、記憶層及びバイア
ス層の磁区の配向の検出に役立つ。反射層はガラ
スなどの共通基板１３６の上に形成される。
の量の熱絶縁をもたらす。誘電体層１３２も好ま
しくはSiO2であり、バイアス層１３０から反射
層１３４への熱伝達を制御する働きをする。反射
層は、好ましくは高い反射率を有するアルミニウ
ムまたは他の物質で形成され、記憶層及びバイア
ス層の磁区の配向の検出に役立つ。反射層はガラ
スなどの共通基板１３６の上に形成される。
媒体１２０は、ハード・デイスク・フアイルに
適している。その場合、媒体がデイスクの形状に
形成され、その軸の回りで回転し、媒体の選択さ
れた部分を加熱してデータを表わす磁区を作るた
めに用いられる放射源に対する相対運動を発生す
る。テープ形など他の用途は、当業者にとつて明
らかである。
適している。その場合、媒体がデイスクの形状に
形成され、その軸の回りで回転し、媒体の選択さ
れた部分を加熱してデータを表わす磁区を作るた
めに用いられる放射源に対する相対運動を発生す
る。テープ形など他の用途は、当業者にとつて明
らかである。
Ｆ 発明の効果
本発明において選択された磁性層の保磁力は周
囲温度で比較的高く、キユリー温度でも比較的高
いので、非常に安定した磁区ができる。低速でし
か切換えできない外部磁界を切換える必要がない
ため、磁区の迅速な反転が可能である。もう一つ
の利点は、記憶層およびバイアス層が、配向が検
出される通常温度である周囲温度で同じ磁気配向
を有するという点である。したがつて、光の偏光
の変化によつて配向を検出するのに用いられる光
のビームは両層によつて偏光され、当業者には周
知のように、両層の厚さと間隔を適切に選んだ場
合、偏光の変化の検出が向上する。
囲温度で比較的高く、キユリー温度でも比較的高
いので、非常に安定した磁区ができる。低速でし
か切換えできない外部磁界を切換える必要がない
ため、磁区の迅速な反転が可能である。もう一つ
の利点は、記憶層およびバイアス層が、配向が検
出される通常温度である周囲温度で同じ磁気配向
を有するという点である。したがつて、光の偏光
の変化によつて配向を検出するのに用いられる光
のビームは両層によつて偏光され、当業者には周
知のように、両層の厚さと間隔を適切に選んだ場
合、偏光の変化の検出が向上する。
本発明はさらに、一般に光学／磁気記録および
読出しがもたらす利点を利用している。これらの
利点には、読出し／書込みヘツドの広範な空気力
学的設計の必要性が低減されることが含まれてい
る。何故ならば、書込みおよび検出手段を媒体に
極端に近くする必要がないからである。電磁雑音
に対する感度の低いことが、もう一つの利点であ
る。また、回折制限集束システムを有するレーザ
を使用すると非常に小さな磁区ができ、外部バイ
アス磁界を必要とする媒体に比べてデータ密度を
増大することができる。小さすぎる磁区ができる
場合でも、周縁効果は磁区の読出しおよび書込み
に影響を与えるのに十分なほど大きいことがあ
る。自己バイアス媒体のもう一つの利点は、大き
な磁界源がなくせるために、本発明を組み込んだ
記憶装置の寸法が小さくなること、またはバイア
ス磁界をもたらすために用いられてきたデータ書
込みヘツドを複雑さを軽減できることである。
読出しがもたらす利点を利用している。これらの
利点には、読出し／書込みヘツドの広範な空気力
学的設計の必要性が低減されることが含まれてい
る。何故ならば、書込みおよび検出手段を媒体に
極端に近くする必要がないからである。電磁雑音
に対する感度の低いことが、もう一つの利点であ
る。また、回折制限集束システムを有するレーザ
を使用すると非常に小さな磁区ができ、外部バイ
アス磁界を必要とする媒体に比べてデータ密度を
増大することができる。小さすぎる磁区ができる
場合でも、周縁効果は磁区の読出しおよび書込み
に影響を与えるのに十分なほど大きいことがあ
る。自己バイアス媒体のもう一つの利点は、大き
な磁界源がなくせるために、本発明を組み込んだ
記憶装置の寸法が小さくなること、またはバイア
ス磁界をもたらすために用いられてきたデータ書
込みヘツドを複雑さを軽減できることである。
第１図は本発明に基く記憶層とバイアス層を組
み込んだ記憶媒体の部分断面図、第２図は、バイ
アス層の磁化特性と温度の関係を示す図、第３図
は、バイアス層の保磁力と温度に関係を示す図、
第４図は第１図の記憶媒体の記憶層及びバイアス
層の有効磁化特性と温度の関係を示す図、第５
図、第６図、第７図及び第８図は、第１図の記憶
媒体の連続的加熱および冷却サイクル中の記憶層
及びバイアス層の磁化の有効値および方向と温度
の関係を示す図、第９図はデータの書込み中の記
憶層の磁化およびレーザ・バーストと時間の関係
を示すタイミング図、第１０図は所定の磁化を有
する第３の磁性層を備えた第１図の最初の２つの
層を組み込んだ記憶媒体の部分断面図、第１１図
は本発明にもとづくバイアス層を組み込んだ多層
記憶媒体の部分断面図である。 ３０，１１０，１２０……磁気記憶媒体、３
２，１１２，１２６……記憶層、３４，１１４，
１１６，１３０……バイアス層。
み込んだ記憶媒体の部分断面図、第２図は、バイ
アス層の磁化特性と温度の関係を示す図、第３図
は、バイアス層の保磁力と温度に関係を示す図、
第４図は第１図の記憶媒体の記憶層及びバイアス
層の有効磁化特性と温度の関係を示す図、第５
図、第６図、第７図及び第８図は、第１図の記憶
媒体の連続的加熱および冷却サイクル中の記憶層
及びバイアス層の磁化の有効値および方向と温度
の関係を示す図、第９図はデータの書込み中の記
憶層の磁化およびレーザ・バーストと時間の関係
を示すタイミング図、第１０図は所定の磁化を有
する第３の磁性層を備えた第１図の最初の２つの
層を組み込んだ記憶媒体の部分断面図、第１１図
は本発明にもとづくバイアス層を組み込んだ多層
記憶媒体の部分断面図である。 ３０，１１０，１２０……磁気記憶媒体、３
２，１１２，１２６……記憶層、３４，１１４，
１１６，１３０……バイアス層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ データを表わす所望の磁化配向を有する磁区
を保持するための記憶層と、該記憶層に所望の磁
化配向を有する磁区を形成するよう記憶層に結合
されたバイアス層とを備え、 該バイアス層は、前記記憶層のキユリー温度よ
りも低い補償温度及びそのキユリー温度よりも高
いキユリー温度をもち、且つ前記補償温度よりも
低い温度及び高い温度では互に異なる向きの磁化
を示す磁化特性を有し、温度の関数であるバイア
ス磁界を前記記憶層に与えることを特徴とする熱
的書込み可能な磁気記憶媒体 ２ データを表わす所望の磁化配向を有する磁区
を保持するための記憶層と、該記憶層のキユリー
温度よりも高いキユリー温度を有し、補償温度以
下の温度では第１の向きの磁化状態を示すと共に
補償温度よりも高いがキユリー温度よりも低い温
度では前記第１の向きとは異なる第２の向きの磁
化状態を示す磁化特性を有し温度の関数であるバ
イアス磁界を前記記憶層に与えるバイアス層とを
備えた光−磁気記憶媒体にデータを熱的に書込む
方法において、 前記記憶媒体の所定部分を前記記憶層のキユリ
ー温度以上で前記バイアス層のキユリー温度以下
の温度へ加熱する段階と、 前記所定部分の磁化の配向が変更されるようバ
イアス層の補償温度よりも相当に低い温度に前記
所定部分を冷却する段階と、 より成る前記書込み方法
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US781618 | 1985-09-30 | ||
| US06/781,618 US4649519A (en) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | Self biasing thermal magneto-optic medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280846A JPS6280846A (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0434217B2 true JPH0434217B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=25123353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61163938A Granted JPS6280846A (ja) | 1985-09-30 | 1986-07-14 | 磁気記憶媒体及び書込み方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4649519A (ja) |
| EP (1) | EP0217067B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6280846A (ja) |
| DE (1) | DE3669941D1 (ja) |
| SG (1) | SG25891G (ja) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4794560A (en) * | 1985-09-30 | 1988-12-27 | International Business Machines Corporation | Eraseable self biasing thermal magneto-optic medium |
| US4882718A (en) * | 1986-03-07 | 1989-11-21 | Movid Information Technology, Inc. | Single-head, direct overwrite magneto-optic system and method |
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| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
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| US5014252A (en) * | 1986-10-08 | 1991-05-07 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method using two beams, and magnetooptical recording apparatus therefor |
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-
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- 1991-04-05 SG SG258/91A patent/SG25891G/en unknown
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