JPH04337077A - 大気圧化学蒸着装置及び薄膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般に錫及び（又は）
フッ素がドープされた酸化インジウムの薄膜を製造する
ことに関し、特に大気圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）により
、トリメチルインジウム又はトリメチルインジウムジエ
チルエーテレートの化学的インジウム源、化学的錫源で
あるテトラメチル錫、化学的フッ素源であるブロモトリ
フルオロメタン、及び酸素源である分子状酸素（Ｏ２　
）又は水からそのような薄膜を形成することに関する。

【０００２】

【従来の技術】錫ドープ酸化インジウム（インジウム・
錫・酸化物、又はＩＴＯ）膜は、光に対する透明性と良
好な電気伝導度との組合せを示す比較的まれなものであ
る。ＩＴＯ膜の如き透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）は、一
般に液晶、エレクトロルミネッセンス、プラズマ、及び
真空蛍光情報表示に用いられている。ＴＣＯは、ホトセ
ル（ｐｈｏｔｏｃｅｌｌ）、及びビデオカメラの如き場
所に用いられる電荷注入素子（ＣＩＤ）及び電荷結合素
子（ＣＣＤ）のゲート電極にも有用である。透明電気抵
抗体として、そのような層は飛行機、自動車等の霜取り
窓に用いられる。ガラス基体上でのそのような膜の熱反
射性は、太陽収熱器、建物の窓、オーブン、炉、ナトリ
ウム蒸気ランプ、及びガラス繊維絶縁体の効率を増大す
るのに用いられている。

【０００３】酸化第二錫（ＳｎＯ２）、酸化インジウム
（Ｉｎ２Ｏ３）、及び錫酸カドミウム（Ｃｄ２ＳｎＯ４
）、膜は、スパッタリング、蒸着、及び噴霧熱分解を含
めた種々の方法により製造されてきた。ゴールドン（Ｇ
ｏｒｄｏｎ）による１９８１年５月５日に公告された米
国特許第４，２６５，９７４　号明細書には、透明導電
性被覆及び層を製造するのに用いられてきた多くの方法
の背景が記載されている。これらの被覆を適用する初期
の方法は、ガラスの如き高温表面上に金属塩の溶液を噴
霧することに基づいている。米国特許第２，６１７，７
４５　号明細書には、ガラスの上に純粋シリカの被覆を
適用することによりガラスの曇りを減少させる方法が記
載されている。そのような被覆で均一性及び再現性に関
する問題は、米国特許第２，６５１，５８５　号明細書
では装置中の湿度を制御することにより対処されている
。一層透明で一層再現性のある被覆が、蒸着及びスパッ
タリングの如き真空蒸着法を用いて試みられてきた。 半導体製造の必要性は、そのような方法に伴われるコス
トの増大を許容して余りあるものであった。

【０００４】半導体中の錫、アンチモン、及びフッ素の
不純物は素子の伝導度に寄与し、上記被覆及び膜の適用
中計画的に導入することができる。フッ素をドープした
酸化第二錫膜の透明性及び伝導度は、アンチモンをドー
プしたものよりも大きいので、酸化錫に対するドープ剤
としてフッ素はアンチモンよりも利点を有する。ゴール
ドンは、フッ素ドーピングが余り満足できない噴霧法で
実際に示されているに過ぎないものであることを指摘し
ている。ＣＶＤ、蒸着、及びスパッタリングは、フッ素
ドーピングを生ずるものとしては示されていないと考え
られる。フッ素の利点は、就中、太陽電池及び太陽集光
器への応用にとって重要である。米国特許第３，６７７
，８１４　号明細書に記載されているように、ギラリー
は噴霧法を用いることにより酸化錫膜で一つの最も低い
抵抗率を達成している。噴霧法を用いて、ギラリーは１
５Ω／スクエアー位の低い抵抗を持つフッ素ドープ酸化
錫膜を得ている。ゴールドンは、最も低い市販酸化錫被
覆ガラスは１９７９年には４０Ω／スクエアーの範囲に
あったと言う見解を述べている。

【０００５】酸化錫及び酸化インジウム膜の真空蒸着の
費用を減少させ、電気伝導度及び可視光線透明性の両方
を改良するためには、方法及び装置の一層の改良が必要
である。

【０００６】金属の酸化物は良好な電気絶縁体として働
くものと通常考えることができる。酸化錫も例外ではな
いが、酸素欠乏酸化錫は或る程度の電気伝導度を示し、
膜として付着させると可視光に対して透明になる。酸化
インジウムは、或る程度の電気伝導度を示し、膜として
付着させると可視光に対して透明になる別の材料である
。二成分系では、インジウム化学物質、Ｉｎ（ＣＨ３）
３Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　は理論的に化学量論的な仕方で
分子状酸素Ｏ２　と反応する： 　　２Ｉｎ（ＣＨ３）３　Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　＋２４
Ｏ２　−→　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　Ｉｎ２Ｏ３　＋１４ＣＯ２　＋１
９Ｈ２　Ｏ　　　　（１）

【０００７】最初の三元系で
は、錫（Ｓｎ）を陽イオン電子供与体としてインジウム
（Ｉｎ）の代わりに置換し、下の（２）に示すように、
製造中電気伝導度を一層信頼性をもって制御することが
できるようにする。（２−ｘ）分子のＩｎ（ＣＨ３）３
　Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　がｘ　分子数のＳｎ（ＣＨ３）
４　及び適当な数のＯ２　分子と結合し、ｘ　数の錫原
子がインジウム原子の代わりに置換されたインジウム・
錫・酸化物（ＩＴＯ）を形成する。 （２−ｘ）Ｉｎ（ＣＨ３）３　Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　＋
　ｘＳｎ（ＣＨ３）４　＋（２４−１７ｘ／４）Ｏ２　
−→　２Ｉｎ２−ｘＳｎｘ　Ｏ３　＋（１４−３ｘ）Ｃ
Ｏ２　＋（１９−７ｘ／２）Ｈ２　Ｏ　　　　　　　　
（２）

【０００８】第二の三元系では、陰イオン電子供
与体としてフッ素（Ｆ）を酸素（Ｏ）の代わりに置換し
て、同じく下の（３）に示すように、製造中電気伝導度
を一層信頼性をもって制御することができるようにする
。２分子のＩｎ（ＣＨ３）３　Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　が
ｙ／３　分子数のＣＦ３　Ｂｒ及び適当な数のＯ２　分
子と結合して、ｙ　数のフッ素原子が酸素原子と置換さ
れたインジウム・フッ素・酸化物（ＩＦＯ）を形成する
。 ２Ｉｎ（ＣＨ３）３　Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　＋（ｙ／３
）ＣＦ３　Ｂｒ＋（２４−ｙ／４）Ｏ２　−→Ｉｎ２Ｏ
３−ｙ　Ｆｙ　＋（１４＋ｙ／３）ＣＯ２　＋（１９−
ｙ／６）Ｈ２　Ｏ＋（ｙ／３）ＨＢｒ　　（３）

【００
０９】上記反応（２）及び（３）を本質的に一緒にした
ものである四元系では、二重電子供与体（ｄｕａｌ　ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ　ｄｏｎｏｒ）を与えることになる系で
錫（Ｓｎ）をインジウム（Ｉｎ）の代わりに置換し、フ
ッ素（Ｆ）を酸素（Ｏ）と置換する。下の式（４）に示
すように、（２−ｘ）分子の数のＩｎ（ＣＨ３）３　Ｏ
（Ｃ２　Ｈ５）２　が、ｘ分子数のＳｎ（ＣＨ３）４　
、ｙ／３　分子数のＣＦ３　Ｂｒ、及び適当な数のＯ２
　分子と結合し、ｘ　数の錫原子がインジウム原子の代
わりに置換され、ｙ　数のフッ素原子が酸素原子と置換
された、フッ素がドープされたインジウム・フッ素・酸
化物（ＩＴＯ：Ｆ）を形成する。 （２−ｘ）Ｉｎ（ＣＨ３）３　Ｏ（Ｃ２　Ｈ５）２　＋
　ｘＳｎ（ＣＨ３）４　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　＋（ｙ／３）ＣＦ３　Ｂｒ＋（２４−１７
ｘ／４　−ｙ／４）Ｏ２　−→Ｉｎ２−ｘＳｎｘ　Ｏ３
−ｙ　Ｆｙ　＋（１４−３ｘ＋ｙ／３）ＣＯ２　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　＋（１９−７ｘ／
２−ｙ／６）Ｈ２　Ｏ＋（ｙ／３）ＨＢｒ　　　　　　
（４）

【００１０】式（１）〜（４）に列挙した種々の
化学物質の理論的割合は、実際の製造で実現されていて
も、いなくてもよい。化学物質の実際の比率は正確な反
応条件及び用いられた反応装置に依存する。

【００１１】そのような系は、連続的大気圧化学蒸着法
で利用することができる。下に記載する本発明の方法及
び装置の態様は、ガラス又は他の適当な基体上に電気伝
導性及び可視光線に対する透明性を有する膜を製造する
経済的な実際的方法を与える。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ドープ及び非ドープ酸化インジウム膜を真空蒸着す
るための装置のコストを低下することにある。本発明の
更に別な目的は、ドープした酸化インジウム膜の電気伝
導度及び可視光線透明性の両方を改良することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】簡単に述べると、錫及び
フッ素が単独又は組合せてドープされた酸化インジウム
膜を形成するための大気圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）系が
与えられる。そのような膜は単一の物質（ｓｉｎｇｌｅ
　ｓｐｅｃｉｅｓ）又は二種類の物質（ｄｕａｌ　ｓｐ
ｅｃｉｅｓ）の電子供与体を有する固相電子系を形成す
る。ＡＰＣＶＤ装置は、払拭用窒素カーテンによって分
離された一つ以上の反応室を通って連続的に処理するた
めの搬送機ベルト及び駆動系を有する。（典型的には、
三つの反応室が使用される）。装置を通過する基体は幾
つかの加熱器により加熱されたマッフルに入り、反応室
には酸化剤源、フッ素化学物質源、窒素源、それらの源
のための回転計、流量制御器、錫化学物質気泡発生器、
加熱導管、インジウム化学物質気泡発生器、加熱器を有
する一対の水浴、及び付随するバルブを具えた化学物質
源供給系により供給される。

【００１４】本発明の利点は、ガラス基体上に透明導電
性薄膜を付着させるのに、バッチ式ではなく連続的処理
を用いることができることである。

【００１５】本発明のこれら及び他の目的及び利点は、
種々の図面に例示された好ましい態様についての次の詳
細な記述を読むことにより、当業者には必ず明らかにな
るであろう。

【００１６】〔好ましい態様についての詳細な記述〕第
１図及び第２図は、全体的参照番号１０によって示した
大気圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）装置である本発明の好ま
しい態様を例示しており、それは搬送機ベルト１２、駆
動装置１３、積載位置１４、取外し位置１６、マッフル
１７、複数の払拭用窒素カーテン１８、内側バイパス分
離室２０、外側バイパス分離室２２、複数のバイパス室
通気口２４、複数の加熱器２６、前処理室２８、主反応
室３０、後処理室３２、及び装置囲い３４（他の部材を
そこに描くことができるように点線で示されている）を
有する。

【００１７】積載位置１４で基体を搬送機ベルト１２上
に置く。基体は典型的にはガラスであるが、他の材料も
用いることができる。搬送機ベルトには駆動装置１３に
よって位置１４から位置１６へ連続的に動く。ベルト１
２は約３８０　ｍｍ／分で動く。基体がマッフル１７中
に入る時、ガス雰囲気を遮断する払拭用窒素カーテン１
８の一つを通る。基体が囲い３４の中に入ると、それは
加熱器２６により約５００　℃へ加熱される。外側バイ
パス分離室２２は、バイパス室通気口２４を通って過剰
のガスを引く。次のカーテン１８は前処理室２８の入口
を封じ、その室内でＳｉＯ２　被覆が基体に適用される
。そのような被覆は通常の窓ガラスのようなソーダ・石
灰ガラス中に存在する高度に易動性のナトリウムイオン
に対する拡散障壁として必要である。ナトリウムは、後
の工程で適用される膜の電気伝導度を悪くすることがあ
る。しかし、基体のナトリウム含有量が低い場合でも、
又は全くナトリウムを含まない場合でも、ガラス基体の
仕上げ及び光学的性質を改良するため、ＳｉＯ２　の前
被覆を適用するのが有利であろう。更に二つの払拭用窒
素カーテン１８により、室２８と３０が遮断される。 第３図に関して下で論ずるところにより、主反応室３０
中でどのようにしてフッ素含有インジウム・錫・酸化物
（ＩＴＯ：Ｆ）被覆が基体に適用されるかを詳細に示す
。更に二つの払拭用窒素カーテン１８が室３０と３２と
を遮断する。後処理室３２は、丁度単一の主反応室３０
で可能なものよりも厚く一層伝導性の膜を形成するため
、別のＩＴＯ：Ｆ室になっていてもよい。次に基体は更
に二つの払拭用窒素カーテン１８を通って出、それが取
外し位置１６に近づくに従って冷却される。

【００１８】ここで用いられる化学的組成物の幾つかの
名前は異常に長いので、以下の記述及び図面の幾つかで
は、省略記号「ＩＣ」、「ＦＣ」、及び「ＴＣ」を用い
る。インジウム化学物質は「ＩＣ」として省略し、トリ
メチルインジウムジエチルエーテレート又はトリメチル
インジウムからなるのが好ましい。トリメチルインジウ
ムは市販されており、容易に入手でき、トリメチルイン
ジウムジエチルエーテレートよりも僅かに高価である。 試験によると、僅かに一層良好な性能特性を有する膜を
形成するのに、トリメチルインジウムジエチルエーテレ
ートを用いることができることを示している。両方の混
合物を用いてもよい。その他の点で、両方の化学物質は
、本発明者に知られている他のインジウム源よりも優れ
ている。錫化学物質は「ＴＣ」として省略され、テトラ
メチル錫（ＴＭＴ）からなるのが好ましい。錫−２−エ
チルヘキサノエートをＴＣとして試験したが、ＴＭＴを
用いた方が遥かに良い結果を生じた。フッ素化学物質は
「ＦＣ」として省略し、ＣＦ３　Ｂｒとしても知られて
いるブロモトリフルオロメタンからなり、フレオン（Ｆ
ＲＥＯＮ）１３Ｂ１として市販されている。酸素源は水
蒸気又は純粋酸素（Ｏ２　）であるのが好ましく、酸素
を用いた時最良の結果が得られている。ここに記載する
化学物質及び方法により２００　℃より低い温度で化学
物質源供給装置を操作することができる。

【００１９】第３図は装置１０中の主反応室３０を詳細
に示している。もしＩＣガスを単に空気に曝すと、役に
立たない白色粉末が形成されるであろう。連続的ＡＰＣ
ＶＤ法では、ＩＣと酸素の導入を互いに制御し、被覆す
べき基体の表面に対し制御することが極めて重要である
。反応室３０は、注入器５０を有し、それは基体の表面
上に層状ガス流５２を確立する。比較的不活性な蒸気相
ＴＣと窒素との混合物は、高度に反応性の蒸気相ＩＣを
酸素から、表面反応に都合のよい過程が開始されるまで
分離する。 化学物質源供給装置（下に記述する）からの化学物質の
導入により、ＩＣ及びＦＣをそれらの気相状態で注入器
５０を通って、加熱された基体と接触している第一ガス
層へ供給する。気相ＩＣは吸着される（基体の表面上に
積み重なる）。次に窒素（Ｎ２）とＴＣとの第二ガス層
が、第三ガス層からの酸素（Ｏ２　）が通過して吸収さ
れた層と反応して希望の膜を形成する速度を制御する。 〔グラレンスキ（Ｇｒａｌｅｎｓｋｉ）　Ｎ．Ｍ．、「
薄膜付着のための最新式ＡＰＣＶＤ反応器」（Ａｄｖａ
ｎｃｅｄ　ＡＰＣＶＤ　Ｒｅａｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　Ｔ
ｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、Ｍｉｃｒ
ｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎ
ｇ　ａｎｄ　Ｔｅｓｔｉｎｇ，　Ｓｅｐｔ／Ｏｃｔ．，
１９８７年、及びインターナショナル・ソサイアティ・
フォア・ハイブリド・マイクロエレクトロニクス・イン
ターネプコン・テクニカル・セミナー（Ｉｎｔｅｒｎａ
ｔｉｏｎａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｆｏｒ　Ｈｙｂｒｉｄ
　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｉｎｔｅｒｎｅ
ｐｃｏｎ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｓｅｍｉｎａｒ）、１
９８３年１月、で与えられた「搬送型大気圧ＣＶＤによ
る薄膜」（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ　ｂｙ　Ｃｏｎｖｅｙ
ｏｒｉｚｅｄ　Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ　ＣＶＤ）参照
〕。得られる反応についての理論的化学状態は上の式（
４）で与えられている。上記やり方で基体の表面に化学
物質を送ることにより、非バッチ式で搬送機ベルト１２
を使用することができる。従来の付着装置はバッチ法を
必要とし、それらは、バッチが調製され、操作され、そ
して取り出されなければならないことのため高価であっ
た。各操作は多かれ少なかれ他の操作を阻害する。連続
的ＣＶＤ法は間断のない処理を可能にし、最大の効率を
与える。

【００２０】第４図は、ＡＰＣＶＤ装置１０に必要な化
学物質を導入することができる化学物質源供給装置（Ｓ
ＣＤＳ）６０を例示している。ＳＣＤＳ６０は、酸化剤
源、フッ素化学物質源、窒素源、上記源のための回転計
、流量制御器、錫化学物質気泡発生器、加熱導管、イン
ジウム化学物質気泡発生器、加熱器を有する一対の水浴
、及び付随のバルブを有する。そのような化学物質供給
装置の構造及び使用は、当業者にとっては日常的なもの
であり、よく知られていると考えられる。ＳＣＤＳ６０
は、出口導管６２から酸素を供給し、出口導管６４から
ＴＣ及び窒素、出口導管６６からＦＣ及びＩＣを供給す
る。

【００２１】本発明を現在好ましい態様に関して記述し
てきたが、その記述は限定的なものと解釈されてはなら
ないことは分かるであろう。上記開示を読むことにより
疑いもなく種々の変更及び修正が当業者には明らかにな
るであろう。従って、請求の範囲は、本発明の本質及び
範囲内に入る全ての変更及び修正を含むものと解釈され
なければならない。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１図は、大気圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）装置
である本発明の好ましい態様についての上面図である。 分かり易くするため装置の覆いは単なる点線輪郭で示さ
れている。

【図２】第２図は、第１図の線２−２に沿ってとった第
１図の装置の断面図である。装置覆いは単なる点線輪郭
として示されており、バイパス室はマッフルを明確に例
示できるようにするため示されていない。

【図３】第３図は、第１図のＡＰＣＶＤ装置の主反応室
の断面図である。

【図４】第４図は、第１図のＡＰＣＶＤ装置に化学物質
源を供給するための化学物質源供給装置の一例の工程図
である。

【符号の説明】 １０　　大気圧化学蒸着装 １２　　搬送機ベルト １３　　駆動装置 １４　　積載位置 １６　　取外し位置 １７　　マッフル １８　　払拭用窒素カーテン ２０　　内側バイパス分離室 ２２　　外側バイパス分離室 ２４　　バイパス室通気口 ２６　　加熱器 ２８　　前処理室 ３０　　主反応室 ３２　　後処理室 ３４　　装置囲い

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　一つ以上の基体の表面中に吸着するこ
   とができる材料の第一層状流、前記第一層状流に隣接し
   た不活性ガスの第二層状流、及び酸化用ガスの第三層状
   流を確立するためのガス注入機構を有する第一化学反応
   室、基体の流れを前記第一化学反応室中へ連続的に入れ
   、そしてそこから出すための機構、ＡＰＣＶＤ系内の雰
   囲気から外の室内空気を遮断する機構、及び前記基体を
   、搬送手段上を移動させながら加熱する機構、を具えた
   大気圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）装置。
2. 【請求項２】　　第一層状流がトリメチルインジウムジ
   エチルエーテレート又はトリメチルインジウムからなる
   請求項１に記載の装置。
3. 【請求項３】　　第一層状流がブロモトリフルオロメタ
   ンからなる請求項１に記載の装置。
4. 【請求項４】　　第二層状流が窒素とテトラメチル錫と
   の混合物からなる請求項１に記載の装置。
5. 【請求項５】　　第三層状流が酸素からなる請求項１に
   記載の装置。
6. 【請求項６】　　遮断機構が、複数の払拭用カーテン、
   内側及び外側バイパス分離室、及び使用済み反応室ガス
   の排出部からなる請求項１に記載の装置。
7. 【請求項７】　　搬送手段上を移動する基体が第一化学
   反応室に入る前に、前記基体上に二酸化珪素膜を付着す
   ることができる前被覆室に入るように配置された前被覆
   室、及び前記前被覆室内の雰囲気を、外側の室内空気及
   び第一化学反応室から遮断するための機構、を更に含む
   請求項１に記載の装置。
8. 【請求項８】　　搬送手段上を移動する基体が、第一化
   学反応室を出た後、前記第一化学反応室と実質的に同様
   な第二化学反応室に入るように配置された第二化学反応
   室、及び前記第二化学反応室内の雰囲気を外側の室内空
   気及び第一化学反応室から遮断するための機構を更に含
   む請求項１に記載の装置。
9. 【請求項９】　　基体が、Ｉｎ２−ｘ　Ｓｎｘ　Ｏ３−
   ｙ　Ｆｙ　からなる透明導電性薄膜によって被覆するこ
   とができる請求項１に記載の装置。
10. 【請求項１０】　　連続的方法で基体上に透明導電性薄
    膜を適用する方法において、一つ以上の基体を連続的搬
    送機に沿って移動し、前記基体を外側の室内雰囲気から
    遮断された不活性雰囲気中に導入し、前記基体を加熱し
    、前記基体を、前記基体の表面上に吸着させることがで
    きる材料の第一層状流、前記材料を一時的に酸化剤から
    遮断する、前記第一層状流に隣接したガスの第二層状流
    、及び酸化用ガスの第三層状流を確立するガス注入機構
    を有する化学反応室中に導入し、前記第一、第二、及び
    第三層状流からの材料を反応させることにより前記基体
    の表面上に前記薄膜を形成し、そして前記基体を冷却す
    る、諸工程からなる透明導電性薄膜適用方法。
11. 【請求項１１】　　第一層状流がブロモトリフルオロメ
    タンと、トリメチルインジウムジエチルエーテレート又
    はトリメチルインジウムの少なくとも一方との混合物か
    らなり、第二層状流が窒素とテトラメチル錫との混合物
    からなり、第三層状流が酸素からなる請求項１０に記載
    の方法。
12. 【請求項１２】　　基体上に透明導電性薄膜を形成する
    方法において、ブロモトリフルオロメタンと、トリメチ
    ルインジウムジエチルエーテレート及びトリメチルイン
    ジウムの少なくとも一方との混合物をそれらの気相状態
    で前記基体の表面に供給し、インジウムを前記基体の表
    面に吸着させ、前記基体の表面を窒素と気相状態のテト
    ラメチル錫との混合物で覆い、そして前記覆った表面を
    酸化剤に曝し、錫及びフッ素原子がドープされた酸化イ
    ンジウムの、電気伝導が維持される二重電子供与体を有
    する薄膜を形成させる、諸工程からなる透明導電性薄膜
    の形成方法。
13. 【請求項１３】　　記載した諸工程のいずれかの前に不
    活性雰囲気中で基体を加熱し、そして記載の諸工程が完
    了した後基体を冷却する、工程を更に含む請求項１２に
    記載の方法。
14. 【請求項１４】　　供給、覆い、及び曝す工程の間、連
    続的搬送機ベルトに沿って一つの方向に基体を移動させ
    、薄膜被覆を持たない基体を前記搬送機ベルトの一方の
    端から入れ、薄膜被覆を有する基体を他方の端から取り
    出すことができる、工程を更に含む請求項１２に記載の
    方法。
15. 【請求項１５】　　供給、覆い、及び曝す工程が行われ
    る単数又は複数の場所を外側の室内雰囲気から遮断し、
    それによって化学的源供給系から供給された、前記供給
    、覆い、及び曝す工程で用いられる実質的に純粋な或る
    濃度の化学物質を存在させる、工程を更に含む請求項１
    ４に記載の方法。
16. 【請求項１６】　　遮断が払拭用窒素カーテン及び加熱
    マッフルを使用することを含む請求項１５に記載の方法
    。
17. 【請求項１７】　　約５００　℃の処理温度で錫及びフ
    ッ素ドープ酸化インジウムを製造する方法において水浴
    中で窒素を加熱し、前記加熱した窒素を、ブロモトリフ
    ルオロメタンと混合されたトリメチルインジウムジエチ
    ルエーテレート又はトリメチルインジウムの少なくとも
    一方を含む化学的気泡発生器中に用いて第一ガスを生成
    させ、前記加熱が２００　℃を越えないようにし、窒素
    を、流量調節器及びテトラメチル錫を含む化学的気泡発
    生器に通して第二ガスを生成させ、第三ガスとして酸化
    用ガスを導入し、そして前記第一、第二、及び第三ガス
    を一緒にして錫及びフッ素がドープされた酸化インジウ
    ムの薄膜を適当な基体の表面上に形成する、諸工程から
    なる酸化インジウム製造方法。