JP2009149951A - 製膜装置の膜厚調整方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供する。
【解決手段】 コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気部３７と、各排気部３７の外側に形成され、原料ガスを排気部３７へ案内する前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７と、を有する大気圧熱ＣＶＤ装置１の膜厚調整方法であって、コンベア７を停止した状態で試験基板５１に膜を製膜する停止製膜工程と、膜について、コンベア７の搬送方向Ｌにおけるノズル３９の中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、均一性が所定の範囲に収まるように各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備える。
【選択図】 図４
【解決手段】 コンベア７によって搬送される基板３に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル３９を有するインジェクタ３５と、吹き付けられた原料ガスを基板３とインジェクタ３５との間から排気する前後一対の排気部３７と、各排気部３７の外側に形成され、原料ガスを排気部３７へ案内する前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７と、を有する大気圧熱ＣＶＤ装置１の膜厚調整方法であって、コンベア７を停止した状態で試験基板５１に膜を製膜する停止製膜工程と、膜について、コンベア７の搬送方向Ｌにおけるノズル３９の中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、均一性が所定の範囲に収まるように各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備える。
【選択図】 図４
Description
本発明は、製膜装置、特にＣＶＤ法（化学気相成長法）を用いて基板上に膜を製膜する製膜装置の膜厚調整方法に関する。
従来、たとえば、特許文献１に示されるように、ＳｎＯ２（酸化スズ）を主成分とする透明導電膜をコンベアで搬送される基板の上に製膜する方法として、主原料のＳｎＣｌ４（四塩化スズ）とＨ２Ｏ（水）とを高温基板（５００℃程度）に吹き付ける製膜方法が知られている。また、製膜する際に、透明導電膜の導電性を高めるために主原料の中にＨＦガス（フッ化水素ガス）を添加する製膜方法も知られている。
近年では、太陽電池に用いられる均一な膜特性を有する透明導電膜等が形成された大面積なガラス基板や、ガラス窓等に用いられる均一な膜特性を有する熱線反射膜や反射防止膜等などの光学膜が形成された大面積なガラス板などの需要が高まっている。このような大面積基板の上に均一な膜を形成するためには、膜の主原料であるＳｎＣｌ４などのガスを均一に基板に吹き付け、基板上で主原料ガスの濃度分布の偏りが生じないようにする必要があった。
この濃度分布の偏りを発生させないために、基板上に吹き付けられた主原料ガスなどを外部へ排気する排気流路の外側に、窒素ガスの気流で構成される窒素ガスカーテンを形成し、主原料ガスなどを排気流路に案内する方法が知られている。このようにすると、主原料ガスなどが滑らかに排気流路に流されるので、排気されるガス流量分布の均一化が図られ、基板上における主原料ガスの濃度分布の偏りの発生が防止される。
しかしながら、この方法では全て気流のバランスが重要な要素となるので、たとえば、周辺の圧力状況、運転状況等の変動によってあるいはメンテナスで分解し再組立した後は窒素ガスカーテンの状況が変動し、基板上における主原料ガスの濃度分布の偏りが発生することがあった。
基板上における主原料ガスの濃度分布の偏りが発生すると、基板全体に膜厚分布や膜質分布が生じて製膜されるので、膜特性が変化してしまい、太陽電池発電性能に分布を生じ、基板全体での太陽電池発電性能が低下するために、製品歩留まりが低下することが問題となる。
基板上における主原料ガスの濃度分布の偏りが発生すると、基板全体に膜厚分布や膜質分布が生じて製膜されるので、膜特性が変化してしまい、太陽電池発電性能に分布を生じ、基板全体での太陽電池発電性能が低下するために、製品歩留まりが低下することが問題となる。
このため、従来は、製品の出来具合を見て窒素ガスカーテンの流量の調整が必要と判断した場合には、たとえば、製膜作業中に外部からビューポートを通して窒素ガス等の流れ具合を見て、窒素ガスの流量を調整する、あるいは、コンベアを停止した状態で製膜（停止製膜）し、その製膜状態を見て状況を推測して窒素ガスの流量を調整する等の処置が行われていた。
しかしながら、従来の窒素ガスカーテンの流量の調整方法では、作業員が運転状況を見て判断する、あるいは停止製膜時の製膜状態を見て判断するので、作業員によって判断が異なり、それによって窒素ガスの流量の調整量が異なることになる。
このため、基板上における主原料ガスの濃度分布の偏りが残ることになるので、均一な膜特性をもつ製品を得るには十分といえなかった。
また、試行錯誤に行うことになるので、効率的とはいえない。
このため、基板上における主原料ガスの濃度分布の偏りが残ることになるので、均一な膜特性をもつ製品を得るには十分といえなかった。
また、試行錯誤に行うことになるので、効率的とはいえない。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、基板に製膜される膜の厚さを効果的かつ効率的に均一にすることができる製膜装置の膜厚調整方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の製膜装置の膜厚調整方法は、コンベアによって搬送される基板に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズルを有するインジェクタと、前記吹き付けられた原料ガスを前記基板と前記インジェクタとの間から排気する前後一対の排気流路と、該各排気流路の外側に形成され、前記原料ガスを前記排気流路へ案内する不活性ガス流と、を有する製膜装置の膜厚調整方法であって、前記コンベアを停止した状態で試験体に膜を製膜する停止製膜工程と、該膜について、前記コンベアの搬送方向における前記ノズルの中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、前記均一性が所定の範囲に収まるように前記各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備えることを特徴とする。
本発明の製膜装置の膜厚調整方法は、コンベアによって搬送される基板に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズルを有するインジェクタと、前記吹き付けられた原料ガスを前記基板と前記インジェクタとの間から排気する前後一対の排気流路と、該各排気流路の外側に形成され、前記原料ガスを前記排気流路へ案内する不活性ガス流と、を有する製膜装置の膜厚調整方法であって、前記コンベアを停止した状態で試験体に膜を製膜する停止製膜工程と、該膜について、前記コンベアの搬送方向における前記ノズルの中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、前記均一性が所定の範囲に収まるように前記各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備えることを特徴とする。
コンベアを停止した状態で試験体に膜を製膜すると、ノズルから吹き付けられる原料ガスはノズルの位置から搬送方向における前方（すなわち、下流側）および後方（すなわち、上流側）に流れて両側の排気通路に排気されるので、ノズルの部分が最も厚く、前後に行くに伴い徐々に薄くなるような膜厚分布を持つ膜が製膜される。不活性ガス流のバランスが良好な場合には、この膜厚分布がきれいに形成されることになる。
本発明によれば、停止製膜された膜について、コンベアの搬送方向におけるノズルの中央位置を境として、その前方部分、すなわち、搬送方向下流側部分と、その後方部分、すなわち、搬送方向上流側部分と、の間での均一性を判定するので、判定する基準を明確にすることができ、判定が作業員によって異なることを防止することができる。そして、この判定された均一性が所定の範囲に収まるように各不活性ガス流の流量を調節するので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
一般にコンベアの基板搬送速度は原料ガスが排気流路へ向かう速度に対して十分小さいため、停止製膜による膜の均一性とコンベアによって搬送される基板での膜の均一性は同じと考えて差し支えない。停止製膜における膜厚分布がノズルの前後で同じような形となると、コンベアによって搬送される基板に作用する原料ガスの量が略均一となるので、基板全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。したがって、膜性能が略均一となるので、基板全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
一般にコンベアの基板搬送速度は原料ガスが排気流路へ向かう速度に対して十分小さいため、停止製膜による膜の均一性とコンベアによって搬送される基板での膜の均一性は同じと考えて差し支えない。停止製膜における膜厚分布がノズルの前後で同じような形となると、コンベアによって搬送される基板に作用する原料ガスの量が略均一となるので、基板全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。したがって、膜性能が略均一となるので、基板全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
なお、判定工程で判定される均一性の程度と、それを均一とするための各不活性ガス流の流量との関係を順次蓄積する、あるいは、予め試験してデータを集めておくことによって、たとえば、調整工程を自動化することができる。
また、均一性の判定は、幅方向（基板面に沿う搬送方向に直交する方向）に複数箇所で測定し、その平均値を用いるようにするのが、幅方向の変動を考慮できるので、好適である。
不活性ガス流の不活性ガスとしては、価格の面から窒素が用いられる。
また、均一性の判定は、幅方向（基板面に沿う搬送方向に直交する方向）に複数箇所で測定し、その平均値を用いるようにするのが、幅方向の変動を考慮できるので、好適である。
不活性ガス流の不活性ガスとしては、価格の面から窒素が用いられる。
上記発明においては、前記判定工程では、前記均一性は前記膜の前記搬送方向における長さによって判定されることとしてもよい。
本発明によれば、均一性は膜の搬送方向における長さによって判定されるので、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
上記発明においては、前記判定工程では、前記膜の光干渉像を取得し、該光干渉像の干渉縞における外側端を前記膜の外側端であると見做すこととしてもよい。
このように、膜の光干渉像を取得しているので、同じ厚さの位置が干渉縞として明確に表されることになる。すなわち、判定し易い。
この光干渉像の干渉縞における両側の外側端は、最も厚さが薄い同じ厚さの部分、すなわち、製膜された膜の外側端近傍を示しているので、この端を膜の外側端と見做してもほとんど差異は生じない。
この光干渉像の干渉縞における両側の外側端は、最も厚さが薄い同じ厚さの部分、すなわち、製膜された膜の外側端近傍を示しているので、この端を膜の外側端と見做してもほとんど差異は生じない。
また、本発明の製膜装置の膜厚調整方法は、前記判定工程では、前記膜の光干渉像を取得し、前記均一性は該光干渉像の干渉縞における外側から２番目の干渉縞までの前記搬送方向における長さによって判定されることを特徴とする。
このように、膜の光干渉像を取得しているので、同じ厚さの位置が干渉縞として明確に表されることになる。すなわち、判定し易い。
また、試験体に製膜される膜の厚さは、ノズルから離れるにしたがい漸減するので、干渉縞の間隔は、一般に外側ほど広くなる。このため、外側から２番目の干渉縞も判定し易い。
このように、膜がある程度の厚さ形成されている部分での長さを均一性の判定に用いるので、膜の厚さが薄い最も外側のものに比べて曖昧さが少なくなる分、より精度を向上させることができる。
なお、均一性の判定は、幅方向に複数箇所で測定し、その平均値を用いるようにするのが、幅方向の変動を考慮できるので、好適である。
また、試験体に製膜される膜の厚さは、ノズルから離れるにしたがい漸減するので、干渉縞の間隔は、一般に外側ほど広くなる。このため、外側から２番目の干渉縞も判定し易い。
このように、膜がある程度の厚さ形成されている部分での長さを均一性の判定に用いるので、膜の厚さが薄い最も外側のものに比べて曖昧さが少なくなる分、より精度を向上させることができる。
なお、均一性の判定は、幅方向に複数箇所で測定し、その平均値を用いるようにするのが、幅方向の変動を考慮できるので、好適である。
また、本発明の製膜装置の膜厚調整方法は、前記判定工程では、前記膜の光干渉像を取得し、前記均一性は該光干渉像の干渉縞に基づいて算出される前記搬送方向における断面積によって判定されることを特徴とする。
干渉縞は、厚さの変化を近似でき、干渉縞の間隔は搬送方向の長さを表すので、光干渉像によって搬送方向における断面積を近似的に算出することができる。
本発明によれば、均一性の判定にこの断面積を用いるので、均一性の判定に厚さの要素が加味されることになる。したがって、上述の長さの情報のみに基づくものよりも一層精度よく均一性を判定することができる。
なお、均一性の判定は、幅方向に複数箇所で測定し、その平均値を用いるようにするのが、幅方向の変動を考慮できるので、好適である。
本発明によれば、均一性の判定にこの断面積を用いるので、均一性の判定に厚さの要素が加味されることになる。したがって、上述の長さの情報のみに基づくものよりも一層精度よく均一性を判定することができる。
なお、均一性の判定は、幅方向に複数箇所で測定し、その平均値を用いるようにするのが、幅方向の変動を考慮できるので、好適である。
また、本発明の製膜装置の膜厚調整方法は、前記停止製膜工程では、前記インジェクタが設置される炉内における圧損が大きい箇所の全てに前記試験体が設置されていることを特徴とする。
このように、炉内における圧損が大きい箇所の全てに試験体が設置されているので、停止製膜が実際の製膜運転時と同様の気流バランスで行うことができる。実際の製膜運転時と同様の気流バランスで行われた停止製膜によって判定した均一性に基づいて不活性ガス流の流量を調整するので、基板全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。したがって、膜性能が略均一となるので、基板全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
また、本発明の製膜装置の膜厚調整方法では、前記試験体は、複数に分割されていることを特徴とする。
このように、試験体は、複数に分割されているので、製膜されなかった部分のものはそのまま次回に用いることができ、また製膜された基板も製膜箇所以外に再度用いることができ経済的である。
また、一枚が小さくなるので、熱等による変形量が一体のものに比べて小さくなる。このため、変形に伴う割れが無くなるので、確実に製膜でき、均一性を判定することができる。
また、一枚が小さくなるので、熱等による変形量が一体のものに比べて小さくなる。このため、変形に伴う割れが無くなるので、確実に製膜でき、均一性を判定することができる。
また、本発明の製膜装置の膜厚調整方法は、前記試験体と前記膜との屈折率が近似している場合、前記試験体の少なくとも製膜される部分に、それと屈折率の異なる予備膜が製膜されていることを特徴とする。
試験体と膜との屈折率が近似していると、光干渉させても干渉縞が見難いので、均一性を判定し辛くなる。本発明では、試験体と膜との間に屈折率の異なる予備膜が製膜されているので、膜の干渉縞が明確になる。これにより、膜について確実に正確な均一性の判定を行うことができる。
なお、試験体と膜との屈折率が近似しているものとしては、たとえば、試験体がガラスで、膜がシリカである組合せである。
なお、試験体と膜との屈折率が近似しているものとしては、たとえば、試験体がガラスで、膜がシリカである組合せである。
本発明の製膜装置の膜厚調整方法によれば、停止製膜された膜について、コンベアの搬送方向におけるノズルの中央位置を境として、その前方部分、すなわち、搬送方向下流側部分と、その後方部分、すなわち、搬送方向上流側部分と、の間での均一性を判定するので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一にすることができる。
これにより、基板全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができるので、基板全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
これにより、基板全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができるので、基板全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
〔第一実施形態〕
以下、本発明の第一実施形態に係る製膜装置の膜厚調整方法について図１から図６を参照して説明する。
図１は、本実施形態にかかる膜厚調整方法を実施する大気圧熱ＣＶＤ装置（製膜装置）１の全体概略構成を示す縦断面図である。
この大気圧熱ＣＶＤ装置１は、透光性の基板３（たとえば：１．４ｍ×１．１ｍ×４ｍｍのソーダガラス基板）上に熱ＣＶＤ法により透明電極膜を製膜する。透明電極膜は、アルカリバリア膜および透明導電膜を含む。
以下、本発明の第一実施形態に係る製膜装置の膜厚調整方法について図１から図６を参照して説明する。
図１は、本実施形態にかかる膜厚調整方法を実施する大気圧熱ＣＶＤ装置（製膜装置）１の全体概略構成を示す縦断面図である。
この大気圧熱ＣＶＤ装置１は、透光性の基板３（たとえば：１．４ｍ×１．１ｍ×４ｍｍのソーダガラス基板）上に熱ＣＶＤ法により透明電極膜を製膜する。透明電極膜は、アルカリバリア膜および透明導電膜を含む。
大気圧熱ＣＶＤ装置１には、直方体形状の室である製膜室（炉）５と、基板３が製膜室５内を通過するように基板３を搬送する搬送コンベア７とが備えられている。
製膜室５は、長手方向の一方の端部に入口部９が、他方の端部に出口部１１が備えられている。製膜室５には、入口部９から出口部１１に向けて、加熱部１３と、第１チャンバ１５と、第２チャンバ１７と、第３チャンバ１９と、第４チャンバ２１と、第５チャンバ２３と、第６チャンバ２５と、第７チャンバ２７と、水冷部２９と、が順に備えられている。
製膜室５は、長手方向の一方の端部に入口部９が、他方の端部に出口部１１が備えられている。製膜室５には、入口部９から出口部１１に向けて、加熱部１３と、第１チャンバ１５と、第２チャンバ１７と、第３チャンバ１９と、第４チャンバ２１と、第５チャンバ２３と、第６チャンバ２５と、第７チャンバ２７と、水冷部２９と、が順に備えられている。
入口部９には、たとえば、窒素ガスを噴出することで、製膜室５内の雰囲気が入口部９から流出することを防止する入口シール部３１が備えられている。
出口部１１には、たとえば、窒素ガスを噴出することで、製膜室５内の雰囲気が出口部１１から流出することを防止する出口シール部３３が備えられている。
出口部１１には、たとえば、窒素ガスを噴出することで、製膜室５内の雰囲気が出口部１１から流出することを防止する出口シール部３３が備えられている。
コンベア７は、入口部９から出口部１１へ向かって製膜室５を貫くように設けられている。出口部１１から出た後、製膜室５の下側を通り、入口部９へ戻る。基板３は、コンベア７に載せられ、入口部９から製膜室５へ進入し、所定の処理をされ、出口部１１から送出される。
加熱部１３は、電気炉であり、製膜室５内部の水冷部２９手前までの雰囲気を所定の温度、たとえば、５００℃に維持する。この高温雰囲気中を通過する基板３は、進行に伴いこの所定の温度まで昇温される。
第１チャンバ１５は、下を通過する基板３上に反射防止膜を形成する。
第１チャンバ１５は、原料ガスとしてＴＴＩＰ（テトライソプロポキシチタニウム）ガスを通過する基板３上に送出することで、熱ＣＶＤ法により基板３上にＴｉＯ２膜を形成する。
第２チャンバ１７および第３チャンバ１９は、それぞれ下を通過する基板３上にアルカリバリア膜を形成する。第２チャンバ１７および第３チャンバ１９は、原料ガスとしてＳｉＨ４ガスおよびＯ２ガスを通過する基板３上に送出することで、熱ＣＶＤ法により基板３上にＳｉＯ２膜を形成する。
第１チャンバ１５は、原料ガスとしてＴＴＩＰ（テトライソプロポキシチタニウム）ガスを通過する基板３上に送出することで、熱ＣＶＤ法により基板３上にＴｉＯ２膜を形成する。
第２チャンバ１７および第３チャンバ１９は、それぞれ下を通過する基板３上にアルカリバリア膜を形成する。第２チャンバ１７および第３チャンバ１９は、原料ガスとしてＳｉＨ４ガスおよびＯ２ガスを通過する基板３上に送出することで、熱ＣＶＤ法により基板３上にＳｉＯ２膜を形成する。
第４チャンバ２１ないし第７チャンバ２７は、それぞれ下を通過する基板３上に透明導電膜を形成する。
すなわち、第４チャンバ２１ないし第７チャンバ２７は、原料ガスとしてＳｎＣｌ４ガス、Ｈ２ＯガスおよびＨＦガスをＮ２ガスで希釈して送出することで、熱ＣＶＤ法により基板２０上にＦをドープされたＳｎＯ２膜を形成する。
第１チャンバ１５ないし第７チャンバ２７は、製膜内容に応じて適宜選択して用いられる。
すなわち、第４チャンバ２１ないし第７チャンバ２７は、原料ガスとしてＳｎＣｌ４ガス、Ｈ２ＯガスおよびＨＦガスをＮ２ガスで希釈して送出することで、熱ＣＶＤ法により基板２０上にＦをドープされたＳｎＯ２膜を形成する。
第１チャンバ１５ないし第７チャンバ２７は、製膜内容に応じて適宜選択して用いられる。
第１チャンバ１５ないし第７チャンバ２７には、たとえば、第４チャンバ２１を例としてその下部の構成を図２に示すように、図示しない供給源から供給された原料ガスを下方に向けて噴射するインジェクタ３５と、インジェクタ３５の搬送方向Ｌにおける前方（搬送方向Ｌの下流側）および後方（搬送方向Ｌの上流側）にそれぞれ設けられた排気部（排気流路）３７とが備えられている。
インジェクタ３５は、横断面が略矩形状をし、幅方向（搬送方向Ｌに直交する方向；図２の紙面に直交する方向）に延在するように配置されている。
コンベア７、言い換えると基板３に対向するインジェクタ３５の下面には、搬送方向Ｌにおける略中央位置に、幅方向略全幅にわたりノズル部（ノズル）３９が取り付けられている。
ノズル部３９の前後部は、下方に向かい間隔が漸増するように形成され、図２の原料ガス流４１に示されるように原料ガスを前方および後方に向けて噴射する。
コンベア７、言い換えると基板３に対向するインジェクタ３５の下面には、搬送方向Ｌにおける略中央位置に、幅方向略全幅にわたりノズル部（ノズル）３９が取り付けられている。
ノズル部３９の前後部は、下方に向かい間隔が漸増するように形成され、図２の原料ガス流４１に示されるように原料ガスを前方および後方に向けて噴射する。
インジェクタ３５の上部には、原料ガスであるＳｎＣｌ４ガスをノズル部３９に供給するスリット状の第１吹出口４３Ａと、Ｎ２ガスおよびＨＦガス、または、Ｎ２ガスのみを供給する一対のスリット状の第２吹出口４３Ｂと、水蒸気（Ｈ２Ｏ）およびＮ２ガスを供給する一対のスリット状の第３吹出口４３Ｃが形成されている。
これらの第１吹出口４３Ａ、第２吹出口４３Ｂおよび第３吹出口４３Ｃは、幅方向に延びるように形成され、第１吹出口４３Ａから前後に向かって第２吹出口４３Ｂ、第３吹出口４３Ｃの順に並んで配置されている。
これらの第１吹出口４３Ａ、第２吹出口４３Ｂおよび第３吹出口４３Ｃは、幅方向に延びるように形成され、第１吹出口４３Ａから前後に向かって第２吹出口４３Ｂ、第３吹出口４３Ｃの順に並んで配置されている。
原料ガスは、基板３の上に供給され、製膜に用いられた後、前後の排気部３７を通って排出される。
第４チャンバ２１（第１チャンバ１５、第２チャンバ１７、第３チャンバ１９、第５チャンバ２３、第６チャンバ２５、第７チャンバ２７）の前方には、原料ガス流４１の搬送方向Ｌ下流側への拡散を抑制するとともに前方の排気部３７へ案内する前窒素ガスカーテン（不活性ガス流）４５が、後方には、原料ガス流４１の搬送方向Ｌ上流側への拡散を抑制するとともに後方の排気部３７へ案内する後窒素ガスカーテン（不活性ガス流）４７が備えられている。
窒素ガスカーテン４５,４７は、他の不活性ガスを用いてもよいが、コストの点で窒素ガスが好適である。
第４チャンバ２１（第１チャンバ１５、第２チャンバ１７、第３チャンバ１９、第５チャンバ２３、第６チャンバ２５、第７チャンバ２７）の前方には、原料ガス流４１の搬送方向Ｌ下流側への拡散を抑制するとともに前方の排気部３７へ案内する前窒素ガスカーテン（不活性ガス流）４５が、後方には、原料ガス流４１の搬送方向Ｌ上流側への拡散を抑制するとともに後方の排気部３７へ案内する後窒素ガスカーテン（不活性ガス流）４７が備えられている。
窒素ガスカーテン４５,４７は、他の不活性ガスを用いてもよいが、コストの点で窒素ガスが好適である。
水冷部２９は、第７チャンバ２７の搬送方向Ｌ下流側に設けられ、通過する基板３を所定の温度以下に降温する。
大気圧熱ＣＶＤ装置１には、装置各部の動作、運転状況を制御する制御部４９が備えられている。
大気圧熱ＣＶＤ装置１には、装置各部の動作、運転状況を制御する制御部４９が備えられている。
次に、上記の構成からなる大気圧熱ＣＶＤ装置１における製膜される膜厚を均一にする膜厚調整方法について図４を参照して説明する。
この膜厚調整方法は、たとえば、メンテナンスを行った後、季節の移りかわる時期等、変動が大きい時に実施される。
この膜厚調整方法は、たとえば、メンテナンスを行った後、季節の移りかわる時期等、変動が大きい時に実施される。
調整が開始される（ステップＳ１）と、まず、停止製膜が行われる（ステップＳ２）。このステップＳ２が、本発明の停止製膜工程である。
停止製膜は、コンベア７を停止した状態で、試験基板（試験体）５１へ製膜作業を行うものである。この試験基板５１は、入口シール部３１、第１チャンバ１５ないし第７チャンバ２７、各チャンバの前後窒素ガスカーテンおよび出口シール部３３の下方にそれぞれ位置するように配置されている。
このように、試験基板５１は、製膜室５の内部で圧損の大きい箇所には全て配置されていることになるので、停止製膜が実際の製膜運転時と同様の気流バランスで行うことができる。
停止製膜は、コンベア７を停止した状態で、試験基板（試験体）５１へ製膜作業を行うものである。この試験基板５１は、入口シール部３１、第１チャンバ１５ないし第７チャンバ２７、各チャンバの前後窒素ガスカーテンおよび出口シール部３３の下方にそれぞれ位置するように配置されている。
このように、試験基板５１は、製膜室５の内部で圧損の大きい箇所には全て配置されていることになるので、停止製膜が実際の製膜運転時と同様の気流バランスで行うことができる。
また、試験基板５１は、分割、たとえば、図３に示されるように６分割した分割試験基板５３を組み合わせたものとしてもよい。
この場合、たとえば、搬送方向Ｌ中央部の２枚の分割試験基板５３が製膜されるようにできる。このため、進行方向Ｌ前後端の４枚の分割試験基板５３は、製膜されないので、そのままの状態で次回の停止製膜に用いることができ、また製膜された基板を前後端の４枚に使用することもできるので経済性を向上できる。
また、分割試験基板５３は試験基板５１よりも格段に小さくなるので、製膜作業に伴う熱等による変形量が試験基板５１のそれに比べて格段に小さくなる。
このため、熱による変形に伴う割れが無くなるので、確実に製膜することができる。
この場合、たとえば、搬送方向Ｌ中央部の２枚の分割試験基板５３が製膜されるようにできる。このため、進行方向Ｌ前後端の４枚の分割試験基板５３は、製膜されないので、そのままの状態で次回の停止製膜に用いることができ、また製膜された基板を前後端の４枚に使用することもできるので経済性を向上できる。
また、分割試験基板５３は試験基板５１よりも格段に小さくなるので、製膜作業に伴う熱等による変形量が試験基板５１のそれに比べて格段に小さくなる。
このため、熱による変形に伴う割れが無くなるので、確実に製膜することができる。
試験基板５１は、基板３と同じ材料で構成されているのが、製膜条件が同じとなるので好適である。一方、分割基板５３を用いる場合、製膜に用いられない分割基板５３は、基板３と同じ材料とする必要は少ないので、別の材料とすることも考えられる。この場合、たとえば、熱膨張係数等の条件が基板３ときわめて類似しているものを用いるのが好適である。
試験基板５１が、ソーダガラスで構成されている場合、それと略同一の屈折率を持つＳｉＯ２膜が製膜される第４チャンバ２１ないし第７チャンバ２７のところに配置される試験基板５１の少なくとも製膜される部分には、ソーダガラスと光の屈折率が異なる膜、たとえば、ＺｎＯにドーパンとしてＧａを添加したＧａドープ多結晶ＺｎＯ薄膜（ＧＺＯ）が予め製膜されている。
このような状態として、製膜作業を行うと、各チャンバでは、ノズル３９から吹き付けられる原料ガスはノズル３９の位置から搬送方向における前方（すなわち、下流側、出口側）および後方（すなわち、上流側、入口側）に流れて両側の排気部４７に排気されるので、ノズル３９の中央部分に相当する位置が最も厚く、前後に行くに伴い徐々に薄くなるような膜厚分布を持つ膜が製膜される。
ステップＳ２の停止製膜が完了すると、気流バランスの数値化を行う（ステップＳ３）。
具体的には、各チャンバでそれぞれ製膜された部分を対象に光干渉法を用いて光干渉像５５を取得する。図５は、光干渉像５５の一部を示している。
この光干渉像５５を用いて図５に示すような数値を取得する。すなわち、ノズル３９の搬送方向Ｌにおける中央位置に対応するから位置Ｃから最も外側の干渉縞５７の外側端までの長さ、入口側膜長さＬｉおよび出口側膜長さＬｅを測る。
具体的には、各チャンバでそれぞれ製膜された部分を対象に光干渉法を用いて光干渉像５５を取得する。図５は、光干渉像５５の一部を示している。
この光干渉像５５を用いて図５に示すような数値を取得する。すなわち、ノズル３９の搬送方向Ｌにおける中央位置に対応するから位置Ｃから最も外側の干渉縞５７の外側端までの長さ、入口側膜長さＬｉおよび出口側膜長さＬｅを測る。
この干渉縞５７における両側の外側端は、最も厚さが薄い同じ厚さの部分、すなわち、製膜された膜の外側端近傍を示しているので、この入口側膜長さＬｉおよび出口側膜長さＬｅは位置Ｃから膜の外側端までの長さと見做せる。
次いで、入口側膜長さＬｉと出口側膜長さＬｅの差Ｌｉｅ（＝Ｌｉ−Ｌｅ）を計算する。この場合、幅方向の複数箇所でこの膜長差Ｌｉｅを算出して、それらを平均したものを膜長差Ｌｉｅとするようにしてもよい。
この膜長差Ｌｉｅは、位置Ｃを境とした前方および後方の均一性の程度を判断、すなわち、小さいほど均一性があると判断できるので、均一性を示す指標となる。
次いで、入口側膜長さＬｉと出口側膜長さＬｅの差Ｌｉｅ（＝Ｌｉ−Ｌｅ）を計算する。この場合、幅方向の複数箇所でこの膜長差Ｌｉｅを算出して、それらを平均したものを膜長差Ｌｉｅとするようにしてもよい。
この膜長差Ｌｉｅは、位置Ｃを境とした前方および後方の均一性の程度を判断、すなわち、小さいほど均一性があると判断できるので、均一性を示す指標となる。
ステップＳ３で膜長差Ｌｉｅを算出すると、この膜長差Ｌｉｅに基づいて気流バランスの内容を判定する（ステップＳ４）。
後窒素ガスカーテン４７の入口側流量Ｎｉと前窒素ガスカーテン４５の出口側流量Ｎｅとの流量差Ｎｉｅ（＝Ｎｉ−Ｎｅ）と膜長差Ｌｉｅとの関係Ｆ［Ｌｉｅ，Ｎｉｅ］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握している。これは、たとえば、図６に示されるように表される。
後窒素ガスカーテン４７の入口側流量Ｎｉと前窒素ガスカーテン４５の出口側流量Ｎｅとの流量差Ｎｉｅ（＝Ｎｉ−Ｎｅ）と膜長差Ｌｉｅとの関係Ｆ［Ｌｉｅ，Ｎｉｅ］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握している。これは、たとえば、図６に示されるように表される。
図６において膜長差Ｌｉｅが０のところが、前後の原料ガス流４１がバランス、すなわち、気流がバランスする点Ｂである。図６の場合、後窒素ガスカーテン４７側の流量が多いところで気流がバランスしていることになる。実際には、膜長差Ｌｉｅが０にすることは困難であるので、膜長差Ｌｉｅの目標範囲Ｍが設定されている。
膜長差Ｌｉｅが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、気流のバランスは入口側に傾いていると判定する。一方、膜長差Ｌｉｅが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、気流のバランスは出口側に傾いていると判定する。
このステップＳ３およびステップＳ４が本発明の判定工程である。
膜長差Ｌｉｅが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、気流のバランスは入口側に傾いていると判定する。一方、膜長差Ｌｉｅが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、気流のバランスは出口側に傾いていると判定する。
このステップＳ３およびステップＳ４が本発明の判定工程である。
ステップＳ４で、気流バランスが入口側に傾いていると判定された場合、入口側である後窒素ガスカーテン４７の流量を増加し、出口側である前窒素ガスカーテン４５の流量を減少させる（ステップＳ５）。このとき、調整する流量は、膜長差Ｌｉｅの大きさによって図６を元に膜長差Ｌｉｅが目標範囲Ｍに入るように決定する。
ステップＳ４で、気流バランスが出口側に傾いていると判定された場合、入口側である後窒素ガスカーテン４７の流量を減少し、出口側である前窒素ガスカーテン４５の流量を増加させる（ステップＳ６）。このとき、調整する流量は、膜長差Ｌｉｅの大きさによって図６を元に膜長差Ｌｉｅが目標範囲Ｍに入るように決定する。
ステップＳ５またはステップＳ６の調整が終わると、あるいは、ステップＳ４で目標範囲Ｍ内にあると判定されると、まだ、調整されていないチャンバがあるかを判定する（ステップＳ７）。
ステップＳ７で有りの場合、ステップＳ４に戻って次のチャンバの調整を行う。すなわち、上記ステップＳ４、ステップＳ５またはステップＳ６を対象となる全てのチャンバで繰り返し行うこととなる。
ステップＳ７で無しの場合、調整を終了する（ステップＳ８）。
ステップＳ７で有りの場合、ステップＳ４に戻って次のチャンバの調整を行う。すなわち、上記ステップＳ４、ステップＳ５またはステップＳ６を対象となる全てのチャンバで繰り返し行うこととなる。
ステップＳ７で無しの場合、調整を終了する（ステップＳ８）。
このように、本実施形態では、停止製膜された膜の光干渉像を取得し、位置Ｃから最外端の干渉縞５７の外側までの長さを測定しているので、測定が容易で、かつ、作業員によって異なる結果がでる恐れを抑制できる。
このため、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
また、均一性を表す膜長差Ｌｉｅの正負および大きさによって、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量調整が一義的に、かつ、容易に行えるので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
このため、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
また、均一性を表す膜長差Ｌｉｅの正負および大きさによって、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量調整が一義的に、かつ、容易に行えるので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
停止製膜における膜厚分布がノズル３９の前後で同じような形となると、コンベア７によって搬送される基板３に作用する原料ガスの量が略均一となるので、基板３全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。
したがって、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
したがって、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
なお、本実施形態は、特に、チャンバ間の相互干渉が小さいものに有効な方法である。
また、制御部４９に図６の内容をデータとして格納し、膜長差Ｌｉｅを入力すれば、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の調整流量を算出できるようにすると、その調整流量となるように前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７を制御する機能は備えられているので、この部分、すなわち、ステップ４以降を自動化することができる。
この場合、作業員が微調整したときの前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量と膜長差Ｌｉｅとの関係を蓄積して図６の関係を修正するようにすると、一層精度よく調整することができる。
また、制御部４９に図６の内容をデータとして格納し、膜長差Ｌｉｅを入力すれば、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の調整流量を算出できるようにすると、その調整流量となるように前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７を制御する機能は備えられているので、この部分、すなわち、ステップ４以降を自動化することができる。
この場合、作業員が微調整したときの前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量と膜長差Ｌｉｅとの関係を蓄積して図６の関係を修正するようにすると、一層精度よく調整することができる。
〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態について図７および図８を参照して説明する。
本実施形態の基本構成は、第一実施形態と同様であるが、第一実施形態とは、気流バランスの数値化の内容が異なっている。よって、本実施形態においては、図７および図８を用いて気流バランスの数値化を説明し、その他の重複するものについては説明を省略する。
なお、第一実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
次に、本発明の第二実施形態について図７および図８を参照して説明する。
本実施形態の基本構成は、第一実施形態と同様であるが、第一実施形態とは、気流バランスの数値化の内容が異なっている。よって、本実施形態においては、図７および図８を用いて気流バランスの数値化を説明し、その他の重複するものについては説明を省略する。
なお、第一実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態にかかる膜厚調整方法は、第一実施形態と同様に図４に示されるフローで行われる。
本実施形態では、図４のフローにおけるステップＳ３〜ステップＳ６の処理内容が第一実施形態と異なる。
まず、ステップＳ３の気流バランスの数値化は、図７に示すような数値を取得する。
すなわち、図７に示すようにノズル３９の搬送方向Ｌにおける中央位置に対応するから位置Ｃから外側から２番目の干渉縞５９の外側端までの長さを計測する。このとき計測した後方である入口側膜長さｌｉおよび前方である出口側膜長さｌｅが均一性の判定に用いられる。
本実施形態では、図４のフローにおけるステップＳ３〜ステップＳ６の処理内容が第一実施形態と異なる。
まず、ステップＳ３の気流バランスの数値化は、図７に示すような数値を取得する。
すなわち、図７に示すようにノズル３９の搬送方向Ｌにおける中央位置に対応するから位置Ｃから外側から２番目の干渉縞５９の外側端までの長さを計測する。このとき計測した後方である入口側膜長さｌｉおよび前方である出口側膜長さｌｅが均一性の判定に用いられる。
試験体５１に製膜される膜の厚さは、ノズル３９の中心位置から離れるにしたがい漸減するので、干渉縞の間隔は、一般に外側になるほど広くなる。このため、最も外側の干渉縞５９と外側から２番目の干渉縞５９との間隔は広くなるので、干渉縞５９の外側位置は判定し易い。
また、膜の外側は、たとえば、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量のゆれによる影響を受け易いので、最も外側の干渉縞５９の外側位置は場所あるいは状況により予期せぬ変動が発生する恐れ、言い換えれば、曖昧さがある。
外側から２番目の干渉縞５９はある程度の厚さ形成されている部分であるので、膜の厚さが薄い最も外側の干渉縞５７に比べて曖昧さが少なくなる分、流量バランスの調整精度を一層向上させることができる。
また、膜の外側は、たとえば、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量のゆれによる影響を受け易いので、最も外側の干渉縞５９の外側位置は場所あるいは状況により予期せぬ変動が発生する恐れ、言い換えれば、曖昧さがある。
外側から２番目の干渉縞５９はある程度の厚さ形成されている部分であるので、膜の厚さが薄い最も外側の干渉縞５７に比べて曖昧さが少なくなる分、流量バランスの調整精度を一層向上させることができる。
次いで、入口側膜長さｌｉと出口側膜長さｌｅの差ｌｉｅ（＝ｌｉ−ｌｅ）を計算する。この場合、幅方向の複数箇所でこの膜長差ｌｉｅを算出して、それらを平均したものを膜長差ｌｉｅとするようにしてもよい。
この膜長差ｌｉｅは、位置Ｃを境とした前方および後方の均一性の程度を判断、すなわち、小さいほど均一性があると判断できるので、均一性を示す指標となる。
この膜長差ｌｉｅは、位置Ｃを境とした前方および後方の均一性の程度を判断、すなわち、小さいほど均一性があると判断できるので、均一性を示す指標となる。
次いで、ステップＳ４では、後窒素ガスカーテン４７の入口側流量Ｎｉと前窒素ガスカーテン４５の出口側流量Ｎｅとの流量差Ｎｉｅ（＝Ｎｉ−Ｎｅ）と膜長差ｌｉｅとの関係Ｆ［ｌｉｅ，Ｎｉｅ］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握されている。これは、たとえば、図８に示されるように表される。
図８において膜長差ｌｉｅが０のところが、前後の原料ガス流４１がバランス、すなわち、気流がバランスする点Ｂである。図８の場合、後窒素ガスカーテン４７側の流量が多いところで気流がバランスしていることになる。実際には、膜長差ｌｉｅを０にすることは困難であるので、膜長差ｌｉｅの目標範囲Ｍが設定されている。
膜長差ｌｉｅが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、気流のバランスは入口側に傾いていると判定する。一方、膜長差Ｌｉｅが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、気流のバランスは出口側に傾いていると判定する。
膜長差ｌｉｅが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、気流のバランスは入口側に傾いていると判定する。一方、膜長差Ｌｉｅが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、気流のバランスは出口側に傾いていると判定する。
ステップＳ４で、気流バランスが入口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ５に入り、入口側である後窒素ガスカーテン４７の流量を増加し、出口側である前窒素ガスカーテン４５の流量を減少させる。このとき、調整する流量は、膜長差ｌｉｅの大きさによって図８を元に膜長差ｌｉｅが目標範囲Ｍに入るように決定される。
ステップＳ４で、気流バランスが出口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ６に入り、入口側である後窒素ガスカーテン４７の流量を減少し、出口側である前窒素ガスカーテン４５の流量を増加させる。このとき、調整する流量は、膜長差ｌｉｅの大きさによって図６を元に膜長差ｌｉｅが目標範囲Ｍに入るように決定される。
本実施形態では、ある程度膜厚が厚い外側から２番目の干渉縞を用いているので、膜長差ｌｉｅは、膜長差Ｌｉｅよりも差が大きく現れる。言い換えれば、目標範囲Ｍの前後におけるＦ［ｌｉｅ，Ｎｉｅ］（図８）の傾きは、Ｆ［Ｌｉｅ，Ｎｉｅ］（図６）の傾きよりも小さくなる。
したがって、目標範囲Ｍに入る調整が容易となる。
したがって、目標範囲Ｍに入る調整が容易となる。
このように、本実施形態では、停止製膜された膜の光干渉像を取得し、位置Ｃから外側から２番目の干渉縞５９の外側までの長さを測定しているので、測定が容易で、かつ、作業員によって異なる結果がでる恐れを抑制できる。
このため、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
また、均一性を表す膜長差ｌｉｅの正負および大きさによって、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量調整が一義的に、かつ、容易に行えるので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
このため、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
また、均一性を表す膜長差ｌｉｅの正負および大きさによって、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量調整が一義的に、かつ、容易に行えるので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
停止製膜における膜厚分布がノズル３９の前後で同じような形となると、コンベア７によって搬送される基板３に作用する原料ガスの量が略均一となるので、基板３全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。
したがって、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
したがって、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
〔第三実施形態〕
次に、本発明の第三実施形態について図９〜図１１を参照して説明する。
本実施形態の基本構成は、第一実施形態と同様であるが、第一実施形態とは、気流バランスの数値化の内容が異なっている。よって、本実施形態においては、図９〜図１１を用いて気流バランスの数値化を説明し、その他の重複するものについては説明を省略する。
なお、第一実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
次に、本発明の第三実施形態について図９〜図１１を参照して説明する。
本実施形態の基本構成は、第一実施形態と同様であるが、第一実施形態とは、気流バランスの数値化の内容が異なっている。よって、本実施形態においては、図９〜図１１を用いて気流バランスの数値化を説明し、その他の重複するものについては説明を省略する。
なお、第一実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。
本実施形態にかかる膜厚調整方法は、第一実施形態と同様に図４に示されるフローで行われる。
本実施形態では、図４のフローにおけるステップＳ３〜ステップＳ６の処理内容が第一実施形態と異なる。
まず、ステップＳ３の気流バランスの数値化は、光干渉像５５を用いて図９および図１０に示すような数値を取得する。
すなわち、図９に示すようにノズル３９の搬送方向Ｌにおける中央位置に対応する位置Ｃから入口側の膜の断面積である入口側膜厚積算面積Ａｉと、出口側の膜の断面積である出口側膜厚積算面積Ａｅとを算出する。
本実施形態では、図４のフローにおけるステップＳ３〜ステップＳ６の処理内容が第一実施形態と異なる。
まず、ステップＳ３の気流バランスの数値化は、光干渉像５５を用いて図９および図１０に示すような数値を取得する。
すなわち、図９に示すようにノズル３９の搬送方向Ｌにおける中央位置に対応する位置Ｃから入口側の膜の断面積である入口側膜厚積算面積Ａｉと、出口側の膜の断面積である出口側膜厚積算面積Ａｅとを算出する。
光干渉像５５の各干渉縞６１は、所定膜厚毎に現れるので、厚さに換算することができる。停止製膜された膜は中心から外側に向かい厚さが漸減するので、各干渉縞６１は、いわゆる、等高線を表すことになる。
各干渉縞６１の厚さと位置とを組み合わせると、膜厚分布ＭＢが取得できる。
各干渉縞６１の位置は目視でも決定できるが、中心部分は干渉縞６１が詰まって見分け難いことになる可能性がある。
このような場合、あるいは、常時、各干渉縞６１の位置は、たとえば、画像解析をして、その画像解析結果ＧＫにおける明暗の変化によって把握するようにしてもよい。
各干渉縞６１の厚さと位置とを組み合わせると、膜厚分布ＭＢが取得できる。
各干渉縞６１の位置は目視でも決定できるが、中心部分は干渉縞６１が詰まって見分け難いことになる可能性がある。
このような場合、あるいは、常時、各干渉縞６１の位置は、たとえば、画像解析をして、その画像解析結果ＧＫにおける明暗の変化によって把握するようにしてもよい。
図１０は、このようにして形成された膜厚分布ＭＢを示している。
入口側膜厚積算面積Ａｉおよび出口側膜厚積算面積Ａｅは、この膜厚分布ＭＢに基づいて算出される。
この入口側膜厚積算面積Ａｉおよび出口側膜厚積算面積Ａｅが均一性の判定に用いられる。
入口側膜厚積算面積Ａｉおよび出口側膜厚積算面積Ａｅは、この膜厚分布ＭＢに基づいて算出される。
この入口側膜厚積算面積Ａｉおよび出口側膜厚積算面積Ａｅが均一性の判定に用いられる。
このように、均一性の判定にこの入口側膜厚積算面積Ａｉおよび出口側膜厚積算面積Ａｅを用いるので、均一性の判定に厚さの要素が加味されることになる。
したがって、第一実施形態および第二実施形態の長さの情報のみに基づくものよりも一層精度よく均一性を判定することができるので、流量バランスの調整精度を一層向上させることができる。
したがって、第一実施形態および第二実施形態の長さの情報のみに基づくものよりも一層精度よく均一性を判定することができるので、流量バランスの調整精度を一層向上させることができる。
次いで、膜厚差αを、α＝（Ａｉ−Ａｅ）／（Ａｉ＋Ａｅ）によって計算する。
この場合、幅方向の複数箇所、たとえば、８箇所でこの膜厚差αを算出して、それらを平均したものを膜厚差αとする。
この膜厚差αは、位置Ｃを境とした前方および後方の均一性の程度を判断、すなわち、ゼロに近いほど均一性があると判断できるので、均一性を示す指標となる。
この場合、幅方向の複数箇所、たとえば、８箇所でこの膜厚差αを算出して、それらを平均したものを膜厚差αとする。
この膜厚差αは、位置Ｃを境とした前方および後方の均一性の程度を判断、すなわち、ゼロに近いほど均一性があると判断できるので、均一性を示す指標となる。
次いで、ステップＳ４では、後窒素ガスカーテン４７の入口側流量Ｎｉと前窒素ガスカーテン４５の出口側流量Ｎｅとの流量差Ｎｉｅ（＝Ｎｉ−Ｎｅ）と膜厚差αとの関係Ｆ［α，Ｎｉｅ］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握されている。これは、たとえば、図１１に示されるように表される。
図１１において膜厚差αが０のところが、前後の原料ガス流４１がバランス、すなわち、気流がバランスする点Ｂである。図１１の場合、後窒素ガスカーテン４７側の流量が多いところで気流がバランスしていることになる。実際には、膜厚差αを０にすることは困難であるので、膜厚差αの目標範囲Ｍが設定されている。
膜厚差αが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、気流のバランスは入口側に傾いていると判定する。一方、膜厚差αが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、気流のバランスは出口側に傾いていると判定する。
膜厚差αが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、気流のバランスは入口側に傾いていると判定する。一方、膜厚差αが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、気流のバランスは出口側に傾いていると判定する。
ステップＳ４で、気流バランスが入口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ５に入り、入口側である後窒素ガスカーテン４７の流量を増加し、出口側である前窒素ガスカーテン４５の流量を減少させる。このとき、調整する流量は、膜厚差αの大きさによって図１１を元に膜厚差αが目標範囲Ｍに入るように決定される。
ステップＳ４で、気流バランスが出口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ６に入り、入口側である後窒素ガスカーテン４７の流量を減少し、出口側である前窒素ガスカーテン４５の流量を増加させる。このとき、調整する流量は、膜長差ｌｉｅの大きさによって図６を元に膜長差ｌｉｅが目標範囲Ｍに入るように決定される。
このように、本実施形態では、長さと厚さの積である面積（膜厚差α）を用いているので、膜厚差αは、膜長差Ｌｉｅあるいは膜長差ｌｉｅよりも差が大きく現れる。すなわち、目標範囲Ｍの前後におけるＦ［α，Ｎｉｅ］（図１１）の傾きは、Ｆ［Ｌｉｅ，Ｎｉｅ］（図６）あるいはＦ［ｌｉｅ，Ｎｉｅ］（図８）の傾きよりも小さくなるので、これらに比べて目標範囲Ｍに入る調整が容易となる。
このように、本実施形態では、停止製膜された膜の光干渉像を取得し、干渉縞６１を用いて位置Ｃの前後膜厚差を測定しているので、測定が容易で、かつ、作業員によって異なる結果がでる恐れを抑制できる。
このため、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
また、均一性を表す膜厚差αの正負および大きさによって、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量調整が一義的に、かつ、容易に行えるので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
このため、簡単に測定することができ、すばやい判定を行うことができる。
また、均一性を表す膜厚差αの正負および大きさによって、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量調整が一義的に、かつ、容易に行えるので、効果的かつ効率的に停止製膜の膜厚分布を均一に、言い換えると、略左右同形にすることができる。
停止製膜における膜厚分布がノズル３９の前後で同じような形となると、コンベア７によって搬送される基板３に作用する原料ガスの量が略均一となるので、基板３全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。
したがって、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
したがって、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
〔第四実施形態〕
次に、本発明の第四実施形態について図１２から図１７を参照して説明する。
本実施形態は、チャンバ間の相互干渉が大きいものを対象とする膜厚調整方法である。本実施形態を実施する大気圧熱ＣＶＤ装置１の概略構成は第一実施形態で説明したものと略同じであるので、ここでは重複した説明を省略する。
次に、本発明の第四実施形態について図１２から図１７を参照して説明する。
本実施形態は、チャンバ間の相互干渉が大きいものを対象とする膜厚調整方法である。本実施形態を実施する大気圧熱ＣＶＤ装置１の概略構成は第一実施形態で説明したものと略同じであるので、ここでは重複した説明を省略する。
チャンバ間の相互干渉が大きい装置では、たとえば、第２チャンバ１７の前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量を変更した場合、その影響が、上流側の第１チャンバ１５および下流側の第３チャンバ１９ないし第７チャンバ２７に及ぶことになる。
したがって、第一実施形態ないし第三実施形態の各チャンバ毎の調整とは異なり、大気圧熱ＣＶＤ装置１全体での調整が必要となる。
したがって、第一実施形態ないし第三実施形態の各チャンバ毎の調整とは異なり、大気圧熱ＣＶＤ装置１全体での調整が必要となる。
図１４および図１５は、本実施形態の調整フローを示している。
調整が開始される（ステップＳ２１）と、まず、停止製膜が行われる（ステップＳ２２）。このステップＳ２２が、本発明の停止製膜工程であり、停止製膜は、具体的には、第一実施形態におけるステップＳ２と同様に行われる。
調整が開始される（ステップＳ２１）と、まず、停止製膜が行われる（ステップＳ２２）。このステップＳ２２が、本発明の停止製膜工程であり、停止製膜は、具体的には、第一実施形態におけるステップＳ２と同様に行われる。
ステップＳ２２の停止製膜が完了すると、気流バランスの数値化を行う（ステップＳ２３）。
ここでは、第三実施形態と同様に、膜厚差αを算出することとする。なお、膜厚差αではなく、第一実施形態の膜長差Ｌｉｅあるいは第二実施形態の膜長差ｌｉｅを算出するようにしてもよい。
ここでは、第三実施形態と同様に、膜厚差αを算出することとする。なお、膜厚差αではなく、第一実施形態の膜長差Ｌｉｅあるいは第二実施形態の膜長差ｌｉｅを算出するようにしてもよい。
ステップＳ２３で膜厚差αを算出すると、この膜厚差αに基づいて装置全体の気流バランスの内容を判定する（ステップＳ２４）。
第１チャンバ１５よりも入口側における窒素ガスカーテン部の窒素ガス流量である入口側流量Ｎｍ，ｉと、第７チャンバ２７よりも出口側における窒素ガスカーテン部の窒素ガス流量である入口側流量Ｎｍ，ｅと、流量差Ｎｍ，ｉｅ（＝Ｎｍ，ｉ−Ｎｍ，ｅ）と膜厚差αとの関係Ｆ［α，Ｎｍ，ｉｅ］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握している。これは、たとえば、図１２に示されるように表される。
第１チャンバ１５よりも入口側における窒素ガスカーテン部の窒素ガス流量である入口側流量Ｎｍ，ｉと、第７チャンバ２７よりも出口側における窒素ガスカーテン部の窒素ガス流量である入口側流量Ｎｍ，ｅと、流量差Ｎｍ，ｉｅ（＝Ｎｍ，ｉ−Ｎｍ，ｅ）と膜厚差αとの関係Ｆ［α，Ｎｍ，ｉｅ］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握している。これは、たとえば、図１２に示されるように表される。
図１２において膜厚差αが０のところが、全チャンバの原料ガス流４１がバランス、すなわち、気流がバランスする点Ｂである。図１２の場合、入口側流量Ｎｍ，ｉの流量が多いところで全チャンバの気流がバランスしていることになる。実際には、膜厚差αを０にすることは困難であるので、膜厚差αの目標範囲Ｍが設定されている。
膜厚差αが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、全体の気流のバランスは入口側に傾いていると判定される。一方、膜厚差αが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、全体の気流のバランスは出口側に傾いていると判定される。
このステップＳ２３およびステップＳ２４が本発明の判定工程である。
膜厚差αが正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、全体の気流のバランスは入口側に傾いていると判定される。一方、膜厚差αが負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、全体の気流のバランスは出口側に傾いていると判定される。
このステップＳ２３およびステップＳ２４が本発明の判定工程である。
ステップＳ２４で、全体の気流バランスが入口側に傾いていると判定された場合、入口側である入口側流量Ｎｍ，ｉを増加し、出口側である出口側流量Ｎｍ，ｅを減少させる（ステップＳ２５）。このとき、調整する流量は、膜厚差αの大きさによって図１２を元に膜厚差αが目標範囲Ｍに入るように決定する。
ステップＳ２４で、気流バランスが出口側に傾いていると判定された場合、入口側である入口側流量Ｎｍ，ｉを減少し、出口側である出口側流量Ｎｍ，ｅを増加させる（ステップＳ２６）。このとき、調整する流量は、膜厚差αの大きさによって図１２を元に膜厚差αが目標範囲Ｍに入るように決定する。
ステップＳ２５およびステップＳ２６において入口側流量Ｎｍ，ｉおよび出口側流量Ｎｍ，ｅが調整されると、ステップＳ２２に戻り、再度停止製膜を行い、上記処理を繰り返す。
ステップＳ２４で全体の気流バランスする、具体的には、膜厚差αが目標範囲Ｍ内に入ると、チャンバ間の気流バランスの確認に入る（ステップＳ２７）。
これは、前後のチャンバ間の気流バランスを確認し調整するものである。したがって、前後のチャンバを一般化するために、後、すなわち、入口側（上流側）のチャンバに関連するものにｎを付記し、前、すなわち、出口側（下流側）のチャンバに関係するものに（ｎ＋１）と付記する。
これは、前後のチャンバ間の気流バランスを確認し調整するものである。したがって、前後のチャンバを一般化するために、後、すなわち、入口側（上流側）のチャンバに関連するものにｎを付記し、前、すなわち、出口側（下流側）のチャンバに関係するものに（ｎ＋１）と付記する。
チャンバｎの膜厚差αｎからチャンバ（ｎ＋１）の膜厚差α（ｎ＋１）を差し引いたチャンバ間の膜厚差αｎ−α（ｎ＋１）を算出する。
チャンバｎと、チャンバ（ｎ＋１）と、の間に存在する窒素ガスカーテンであるチャンバｎの前窒素ガスカーテン４５の流量Ｎｅｎおよびチャンバ（ｎ＋１）の後窒素ガスカーテン４７の流量Ｎｉ（ｎ＋１）とを加えた合計流量Ｎｎ，（ｎ＋１）を算出する。
膜厚差αｎ，（ｎ＋１）と、合計流量Ｎｎ，（ｎ＋１）との関係Ｇ［αｎ，（ｎ＋１），Ｎｎ，（ｎ＋１）］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握している。これは、たとえば、図１３に示されるように表される。
チャンバｎと、チャンバ（ｎ＋１）と、の間に存在する窒素ガスカーテンであるチャンバｎの前窒素ガスカーテン４５の流量Ｎｅｎおよびチャンバ（ｎ＋１）の後窒素ガスカーテン４７の流量Ｎｉ（ｎ＋１）とを加えた合計流量Ｎｎ，（ｎ＋１）を算出する。
膜厚差αｎ，（ｎ＋１）と、合計流量Ｎｎ，（ｎ＋１）との関係Ｇ［αｎ，（ｎ＋１），Ｎｎ，（ｎ＋１）］は、予め実機におけるパラメータスタディーによって把握している。これは、たとえば、図１３に示されるように表される。
図１３において膜厚差αｎ−α（ｎ＋１）が０のところが、チャンバ間の前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７がバランス、すなわち、気流がバランスする点Ｂである。図１３の場合、合計流量Ｎｎ，（ｎ＋１）の流量が多いところでチャンバ間の気流がバランスしていることになる。実際には、膜厚差αｎ，（ｎ＋１）を０にすることは困難であるので、膜厚差αｎ，（ｎ＋１）の目標範囲Ｍが設定されている。
差膜厚差αｎ，（ｎ＋１）が正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、チャンバ間の気流のバランスは相互に遠のいていると判定される。一方、膜厚差αｎ，（ｎ＋１）が負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、チャンバ間の気流のバランスは相互に近づいていると判定される。
差膜厚差αｎ，（ｎ＋１）が正で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｉ）には、チャンバ間の気流のバランスは相互に遠のいていると判定される。一方、膜厚差αｎ，（ｎ＋１）が負で、かつ、目標範囲外の場合（たとえば、点Ｂｅ）には、チャンバ間の気流のバランスは相互に近づいていると判定される。
ステップＳ２８で、相互に近づいていると判定されると、該当チャンバ間における前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量は増加される（ステップＳ２９）。このとき、増加する流量は、膜厚差αｎ−α（ｎ＋１）の大きさによって図１３を元に膜厚差αｎ−α（ｎ＋１）が目標範囲Ｍに入るように決定される。
ステップＳ２８で、相互に遠のいていると判定されると、該当チャンバ間における前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量は減少される（ステップＳ３０）。このとき、減少する流量は、膜厚差αｎ，（ｎ＋１）の大きさによって図１３を元に膜厚差αｎ，（ｎ＋１）が目標範囲Ｍに入るように決定される。
ステップＳ２８で、相互に遠のいていると判定されると、該当チャンバ間における前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量は減少される（ステップＳ３０）。このとき、減少する流量は、膜厚差αｎ，（ｎ＋１）の大きさによって図１３を元に膜厚差αｎ，（ｎ＋１）が目標範囲Ｍに入るように決定される。
ステップＳ２９またはステップＳ３０の調整が終わると、あるいは、ステップＳ２８で目標範囲Ｍ内にあると判定されると、まだ、調整されていないチャンバがあるかを判定する（ステップＳ３１）。
ステップＳ３１で有りの場合、ステップＳ２８に戻って次のチャンバ間の調整を行う。すなわち、上記ステップＳ２８、ステップＳ２９またはステップＳ３０を対象となる全てのチャンバ間で繰り返し行うこととなる。
ステップＳ３１で有りの場合、ステップＳ２８に戻って次のチャンバ間の調整を行う。すなわち、上記ステップＳ２８、ステップＳ２９またはステップＳ３０を対象となる全てのチャンバ間で繰り返し行うこととなる。
ステップＳ３１で無しの場合、全てのチャンバ間の中で、チャンバ間調整（ステップ２９、ステップ３０）が行われたものがあるかを判定する（ステップＳ３２）。
ステップＳ３２で、有の場合、ステップＳ２２と同じ内容で、再度停止製膜を実施する（ステップＳ３３）。次いで、ステップＳ２３と同じ内容で、再度気流バランスの数値化を行い（ステップＳ３４）、再度、ステップＳ２７以降を繰り返す。
ステップＳ３２で、有の場合、ステップＳ２２と同じ内容で、再度停止製膜を実施する（ステップＳ３３）。次いで、ステップＳ２３と同じ内容で、再度気流バランスの数値化を行い（ステップＳ３４）、再度、ステップＳ２７以降を繰り返す。
ステップＳ３２で無しの場合、再度全体の気流バランスの確認に入る（ステップＳ３５：図１５参照）。
最後のステップＳ３４で入手した膜厚差αに基づいて、ステップＳ２４と同じ内容で、装置全体の気流バランスの内容を判定する（ステップＳ３６）。
最後のステップＳ３４で入手した膜厚差αに基づいて、ステップＳ２４と同じ内容で、装置全体の気流バランスの内容を判定する（ステップＳ３６）。
ステップＳ３６で、全体の気流バランスが入口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ２５と同様にして入口側である入口側流量Ｎｍ，ｉを増加し、出口側である出口側流量Ｎｍ，ｅを減少させる（ステップＳ３７）。
ステップＳ３６で、気流バランスが出口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ２６と同様にして入口側である入口側流量Ｎｍ，ｉを減少し、出口側である出口側流量Ｎｍ，ｅを増加させる（ステップＳ３８）。
ステップＳ３６で、気流バランスが出口側に傾いていると判定された場合、ステップＳ２６と同様にして入口側である入口側流量Ｎｍ，ｉを減少し、出口側である出口側流量Ｎｍ，ｅを増加させる（ステップＳ３８）。
ステップＳ３７およびステップＳ３８で、入口側流量Ｎｍ，ｉの流量を調整した場合、ステップＳ２２と同じ内容で、再度停止製膜を実施する（ステップＳ３９）。次いで、ステップＳ２３と同じ内容で、再度気流バランスの数値化を行い（ステップＳ４０）、再度、ステップＳ３５以降を繰り返す。
ステップＳ３６で、全体の気流バランスが目標範囲内に納まっている場合、調整作業を終了する（ステップ４１）。
ステップＳ３６で、全体の気流バランスが目標範囲内に納まっている場合、調整作業を終了する（ステップ４１）。
このように、本実施形態では、チャンバ間の相互干渉が大きい大気圧熱ＣＶＤ装置１でも、停止製膜における膜厚分布を効果的かつ効率的に均一にすることができる。したがって、コンベア７によって搬送される基板３に作用する原料ガスの量が略均一となるので、基板３全体に製膜される膜の膜特性（膜厚分布や膜質分布）を略均一とすることができる。これにより、膜性能が略均一となるので、基板３全体での性能が低下することがなく、製品歩留まりを向上することができる。
図１６および図１７は、この大気圧熱ＣＶＤ装置１の製膜室５内について、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量が気流バランスに与える影響度を算出・導出する管路網解析をした結果の一部を示している。
この管路網解析では、インジェクタ３５と製膜室５の壁との間の空間（装置両脇の気流の抜け道、バイパス路）の大きさ等により変化し、気流バランス解析ではこのようなバイパス路も考慮に含めて解析している。
この管路網解析では、インジェクタ３５と製膜室５の壁との間の空間（装置両脇の気流の抜け道、バイパス路）の大きさ等により変化し、気流バランス解析ではこのようなバイパス路も考慮に含めて解析している。
図１６は、管路網の各部を小分けした場所における流量および流れの方向を示している。数字は流量で、その単位は、ＳＬＭ（ｓｔａｎｄａｒｄ ｌｉｔｅｒ／ｍｉｎ）である。数字の前に「−」が付いているものは、それが付いていないものと反対方向に流れていることを示している。
図１７は、図１６と同じ部分で、流れの方向を矢印で示している。
図１７は、図１６と同じ部分で、流れの方向を矢印で示している。
このように、管路網解析を行うと、前窒素ガスカーテン４５および後窒素ガスカーテン４７の流量について概略の目安がつくので、それに沿って流量を調整すると、たとえば、図１４および図１５に示されるように多数回の停止製膜を行うことなく、流量調整を行うことができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
たとえば、上記の実施の形態においては、この発明を太陽電池の透明導電膜を製膜する大気圧熱ＣＶＤ装置に適応して説明したが、ガラス板に熱線反射膜や反射防止膜等などの光学膜を製膜する開放型の熱ＣＶＤ装置に適用することもでき、特に限定するものではない。
たとえば、上記の実施の形態においては、この発明を太陽電池の透明導電膜を製膜する大気圧熱ＣＶＤ装置に適応して説明したが、ガラス板に熱線反射膜や反射防止膜等などの光学膜を製膜する開放型の熱ＣＶＤ装置に適用することもでき、特に限定するものではない。
１ 大気圧熱ＣＶＤ装置
３ 基板
５ 製膜室
７ コンベヤ
１５ 第１チャンバ
１７ 第２チャンバ
１９ 第３チャンバ
２１ 第４チャンバ
２３ 第５チャンバ
２５ 第６チャンバ
２７ 第７チャンバ
３１ 入口シール部
３３ 出口シール部
３５ インジェクタ
３７ 排気部
４５ 前窒素ガスカーテン
４７ 後窒素ガスカーテン
５１ 試験基板
５３ 分割試験基板
５５ 光干渉像
５７，５９，６１ 干渉縞
３ 基板
５ 製膜室
７ コンベヤ
１５ 第１チャンバ
１７ 第２チャンバ
１９ 第３チャンバ
２１ 第４チャンバ
２３ 第５チャンバ
２５ 第６チャンバ
２７ 第７チャンバ
３１ 入口シール部
３３ 出口シール部
３５ インジェクタ
３７ 排気部
４５ 前窒素ガスカーテン
４７ 後窒素ガスカーテン
５１ 試験基板
５３ 分割試験基板
５５ 光干渉像
５７，５９，６１ 干渉縞
Claims (8)
- コンベアによって搬送される基板に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズルを有するインジェクタと、
前記吹き付けられた原料ガスを前記基板と前記インジェクタとの間から排気する前後一対の排気流路と、
該各排気流路の外側に形成され、前記原料ガスを前記排気流路へ案内する不活性ガス流と、を有する製膜装置の膜厚調整方法であって、
前記コンベアを停止した状態で試験体に膜を製膜する停止製膜工程と、
該膜について、前記コンベアの搬送方向における前記ノズルの中央位置の前後の均一性を判定する判定工程と、
前記均一性が所定の範囲に収まるように前記各不活性ガス流の流量を調整する調整工程と、を備えることを特徴とする製膜装置の膜厚調整方法。 - 前記判定工程では、前記均一性は前記膜の前記搬送方向における長さによって判定されることを特徴とする請求項１記載の製膜装置の膜厚調整方法。
- 前記判定工程では、前記膜の光干渉像を取得し、該光干渉像の干渉縞における外側端を前記膜の外側端であると見做すことを特徴とする請求項１記載の製膜装置の膜厚調整方法。
- 前記判定工程では、前記膜の光干渉像を取得し、前記均一性は該光干渉像の干渉縞における外側から２番目の干渉縞までの前記搬送方向における長さによって判定されることを特徴とする請求項１記載の製膜装置の膜厚調整方法。
- 前記判定工程では、前記膜の光干渉像を取得し、前記均一性は該光干渉像の干渉縞に基づいて算出される前記搬送方向における断面積によって判定されることを特徴とする請求項１記載の製膜装置の膜厚調整方法。
- 前記停止製膜工程では、前記インジェクタが設置される炉内における圧損が大きい箇所の全てに前記試験体が設置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の製膜装置の膜厚調整方法。
- 前記試験体は、複数に分割されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の製膜装置の膜厚調整方法。
- 前記試験体と前記膜との屈折率が近似している場合、前記試験体の少なくとも製膜される部分に、それと屈折率の異なる予備膜が製膜されていることを特徴とする請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の製膜装置の膜厚調整方法。
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|---|---|---|---|
| JP2007329957A JP2009149951A (ja) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 製膜装置の膜厚調整方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104404479A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-11 | 北京七星华创电子股份有限公司 | Cvd成膜工艺的膜厚调节优化方法 |
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-
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- 2007-12-21 JP JP2007329957A patent/JP2009149951A/ja not_active Ceased
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