JP4949776B2 - 薄膜製造方法及び薄膜製造システム - Google Patents
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Description
図3は、本発明の第1の実施形態における薄膜製造システム200を示している。薄膜製造システム200は、薄膜製造装置1と、薄膜製造装置1が製膜した薄膜の膜厚を測定するための膜厚測定装置80と、薄膜製造装置1が製膜した薄膜を含む太陽電池の発電検査を行う発電検査装置86と、薄膜製造装置1の制御をする制御装置87と、設定値読出し装置89とを具備している。制御装置87は、薄膜製造装置1が実行する製膜バッチ処理が薄膜製造装置1について実行された最後のセルフクリーニングから何回目の製膜バッチ処理であるかに応じて薄膜製造装置1を制御する。設定値読出し装置89は、そのための制御条件テーブル100を記憶している。制御条件テーブル100は、処理の回数と制御のための設定値とを対応付けている。制御装置87は、この設定値に基づいて薄膜製造装置1を制御する。膜厚測定装置80は、薄膜製造装置1が製膜した薄膜(i層膜)の膜厚Diを検出し、膜厚Diを示す検出膜厚(i層膜)93を出力する。発電検査装置86は、発電検査用の光を太陽電池パネルに照射し、そのとき太陽電池が出力する初期発電電流及び初期発電出力を検出し、検出初期発電電流95及び検出初期発電出力96として出力する。検出膜厚(i層膜)93、検出初期発電電流95、及び検出初期発電出力96は、工程管理に利用される。
ガラスのような透光性の基板8を用意する。基板8は、例えば、1.4m×1.1m、板厚4mmのソーダフロートガラスで、基板端面は破損防止にコーナー面取りやR面取り加工されていることが望ましい。
基板8の表面に透明電極層111として酸化錫膜を主成分とする透明導電膜を約500nmから800nmの膜厚となるよう熱CVD装置にて約500℃で形成する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層111として、透明電極膜に加えて、基板8と透明電極膜の間にアルカリバリア膜を形成してもよい。
プラズマCVD装置により、アモルファスシリコン薄膜からなる光電変換層(p層膜)112を透明電極層111上に形成する。光電変換層(p層膜)112は、SiH4ガスとH2ガスとを主原料として含み、更にドーパントとしてジボラン(B2H6)を含む製膜ガスにより製膜される。なお、光電変換層(p層膜)112は、アモルファスSiCであっても良い。光電変換層(p層膜)112の膜厚は、例えば、10nm〜30nmである。
薄膜製造装置1を用いてアモルファスシリコン薄膜からなる光電変換層(i層膜)113を光電変換層(p層膜)112上に形成する。ステップS4は、ステップS4a〜ステップS4cを含んでいる。
透明電極層111及び光電変換層(p層膜)112が形成された基板8を対向電極2にセットする。その後、製膜室6を所定の真空度(例示:10−6Pa)にする。対向電極2の温度は、例えば200℃で一定となるようにヒータ5を温度制御されている。
製膜用のガスを、原料ガス配管16、横電極20内部及び縦電極21内部に設けられたガス流通路、ガス噴出し孔22、を介して放電電極3と基板8との間に供給する。アモルファスシリコン薄膜を形成する場合、ガスは、例えば、H2+SiH4(SiH4分圧:2〜20%)である。ただし、製膜圧力の範囲は、例えば、アモルファスシリコン薄膜を形成する場合、200〜600Paである。
整合器13の出力側のインピーダンスの整合をとりながら、電源部60から放電電極3へ所定の高周波電力を供給する。これにより、放電電極3と対向電極2との間に高周波電力が印加されてガスのプラズマが発生し、基板8上にシリコン薄膜としての光電変換層(i層膜)113が製膜される。アモルファスシリコン薄膜を形成する場合、高周波電力及び基板温度と膜厚は、例えば、0.2W/cm2及び200℃と250nm〜300nmである。
膜厚測定装置80は、透過膜厚計であり、光電変換層(i層膜)113に入射される入射光114の強度と、入射光114が光電変換層(i層膜)113を透過した透過光115の強度とから、光電変換層(i層膜)113の膜厚Diを検出し、膜厚Diを示す検出膜厚(i層膜)93を出力する。膜厚測定装置80は、予め求めておいた光電変換層(i層膜)の膜厚と透過光強度とを関係付けるデータを参照して、透過光115の強度からステップS4で製膜された光電変換層(i層膜)113の膜厚Diを検出することが可能である。
プラズマCVD装置により、アモルファスシリコン薄膜からなる光電変換層(n層膜)を光電変換層(i層膜)113上に形成する。光電変換層(n層膜)は、SiH4ガスとH2ガスとを主原料として含み、更にドーパントとしてホスフィン(PH3)を含む製膜ガスにより製膜される。光電変換層(n層膜)の厚さは、例えば、30〜50nmである。
光電変換層(n層膜)上に銀やアルミニウムによる裏面導電膜をスパッタリング装置で形成して太陽電池を製造する。なお、必要に応じて各層の間に他の薄膜を形成しても良い。また、特に記載していないが、太陽電池として直列集積構造とするために、途中工程にYAGレーザーなどを用いた膜のエッチング工程を実施する。
EVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等による充填材シートを介してバックシートを設置して太陽電池パネルに防水を施す。さらに、太陽電池が発電した電力を出力する端子箱を基板8に取りつけて太陽電池パネルを完成する。
完成した太陽電池パネルについて発電検査装置86を用いて発電検査を行う。発電検査装置86は、AM1.5、全天日射基準太陽光(1000W/m2)のソーラシミュレータである。発電検査装置86は、発電検査用の光を太陽電池パネルに照射し、そのとき太陽電池が出力する初期発電電流及び初期発電出力を検出し、検出初期発電電流95及び検出初期発電出力96として出力する。初期発電出力は、初期発電電力とも言われる。
薄膜製造装置1は、ステップS14においてセルフクリーニングNを実行し、ステップS16においてセルフクリーニングN’を実行する。ここで、セルフクリーニングN’は、セルフクリーニングNの次のセルフクリーニングである。セルフクリーニングは、製膜バッチ処理を繰り返すことにより放電電極3や製膜室6の内壁に付着した半導体膜(以下「付着膜」という)を除去するために製膜バッチ処理を所定回数行うごとに実行される。セルフクリーニングは、製膜室6内に横電極20内部及び縦電極21内部に設けられたガス流通路及びガス噴出し孔22を介してフッ素を含むセルフクリーニング用のガスを導入する工程と、セルフクリーニング用のガスを導入しながら、電源部60が放電電極3に所定の高周波電力を供給して放電電極3と対向電極2との間に高周波電力を印加する工程とを含んでいる。これにより、放電電極3と対向電極2の間の領域にFラジカルが発生し、そのFラジカルと付着膜とが反応することにより、放電電極3等から付着膜が除去される。
薄膜製造装置1は、セルフクリーニングN(ステップS14)の後、セルフクリーニングN’(ステップS16)の前に、太陽電池の光電変換層(i層膜)113を製膜する製膜バッチ処理(ステップS4)を繰り返す(ステップS15)。
薄膜製造装置1は、セルフクリーニングMを実行し(ステップS11)、セルフクリーニングM’を実行する(ステップS13)。ここで、セルフクリーニングM’は、セルフクリーニングMの次のセルフクリーニングである。
薄膜製造装置1は、セルフクリーニングMの後、セルフクリーニングM’の前に、太陽電池の光電変換層(i層膜)113を製膜する製膜バッチ処理(ステップS4)を繰り返す(ステップS12)。ステップS12により得られるデータに基づいて制御条件テーブル100を作成する。
図15は、本発明の第2の実施形態に係る薄膜製造システム200’を示している。薄膜製造システム200’は、薄膜製造装置1と、薄膜製造装置1が製膜した薄膜の膜厚を測定するための膜厚測定装置80と、薄膜製造装置1が製膜した薄膜を含む太陽電池の発電検査を行う発電検査装置86と、薄膜製造装置1の制御をする制御装置87と、発光強度検出器85と、補償器88と、設定値読出し装置89とを具備している。薄膜製造装置1、膜厚測定装置80、発電検査装置86は、第1の実施形態と同様である。設定値読出し装置89が記憶している制御条件テーブル100は、第1の実施形態の場合と同様に作成される。発光強度検出器85は、薄膜製造装置1で発生するプラズマの所定の波長における発光強度を検出し、検出発光強度94を出力する。ここで、所定の波長は、Si*ラジカルの発光波長である286nm、又はSiH*ラジカルの発光波長である414nmである。これらのラジカルの発光強度は、シリコン膜の堆積速度を反映している。なお、プラズマ中に存在する他の発光性ラジカルであるHβ*の発光波長は486nm、Hαの発光波長は656nmである。発光波長が発光性ラジカルごとに大きく異なっているため、所望の発光性ラジカルについての発光強度を検出することが可能である。
Y’=Y+k(B0−B)
により設定値Y’を算出する。ここで、Bは薄膜製造装置1がK回目の製膜バッチ処理で製膜した光電変換層(i層膜)113の膜厚Di、B0は補償器88に入力する基準膜厚97が示す基準膜厚W、kは比例定数である。したがって、K回目の製膜バッチ処理で製膜された光電変換層(i層膜)113の膜厚Diが基準膜厚Wよりも大きい場合には、設定値Yよりも小さい設定値Y’が得られ、その逆の場合には、設定値Yよりも大きい設定値Y’が得られる。制御装置87は、制御信号104を出力し、電源部60がステップS4cにおいて設定値Y’の指定する高周波電力105を放電電極3に対して供給するように電源部60を制御する。なお、設定値Yから設定値Y’を算出する場合、高周波電力105のパワー又は供給時間のいずれか一について補償しても良く、両者について補償しても良い。
2…対向電極
3…放電電極
4…防着板
5…ヒータ
6…製膜室
8…基板
12、12a、12b…高周波給電伝送路
13、13a、13b…整合器
14、14a、14b…高周波給電伝送路
16、16a、16b…原料ガス配管
17…絶縁管
20、20a、20b…横電極
21…縦電極
22…ガス噴出し孔
53、54…給電点
60…電源部
60a、60b…高周波電源
80…膜厚測定装置
85…発光強度検出器
86…発電検査装置
87…制御装置
88…補償器
89…設定値読出し装置
93…検出膜厚(i層膜)
94…検出発光強度
95…検出初期発電電流
96…検出初期発電出力
97…目標膜厚
98…目標発光強度
100、100’…制御条件テーブル
101…回数
102、102’103…設定値
104…制御信号
105…高周波電力
106…検出値テーブル
106a…曲線
111…透明電極層
112…光電変換層(p層膜)
113…光電変換層(i層膜)
114…入射光
115…透過光
200、200’…薄膜製造システム
Claims (8)
- 薄膜製造装置を用いた薄膜製造方法であって、
前記薄膜製造装置は、
製膜室と、
前記製膜室内に設けられた放電電極と、
前記製膜室内に設けられ、前記放電電極に対向する対向電極と
を具備し、
前記薄膜製造方法は、
(a)製膜バッチ処理Lを実行して基板L上に薄膜Lを形成する工程と、
(e)製膜バッチ処理Kを実行して基板K上に薄膜Kを形成する工程と、
(f)前記薄膜Kの膜厚Kを測定する工程と、
を具備し、
前記(a)工程は、
(a1)前記基板Lを前記対向電極に保持する工程と、
(a2)前記製膜室内に前記薄膜Lの原料を含むガスLを導入する工程と、
(a3)前記ガスLを導入しながら、前記放電電極と前記対向電極との間に高周波電力Lを印加して前記基板L上に前記薄膜Lを形成する工程と
を含み、
前記(a)工程は、前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングNの後、その次のセルフクリーニングN’の前に実行され、
前記(a3)工程において、前記セルフクリーニングNから前記製膜バッチ処理Lまでに前記薄膜製造装置が実行する製膜バッチ処理の回数Lに対応づけられた設定値Lに基づいて前記高周波電力Lが制御され、
前記製膜バッチ処理Kは、前記セルフクリーニングNと前記製膜バッチ処理Lとの間に実行され、
前記(e)工程は、
(e1)前記基板Kを前記対向電極に保持する工程と、
(e2)前記製膜室内に前記薄膜Kの原料を含むガスKを導入する工程と、
(e3)前記ガスKを導入しながら、前記放電電極と前記対向電極との間に高周波電力Kを印加して前記基板K上に前記薄膜Kを形成する工程と、
を含み、
前記(e3)工程において、前記セルフクリーニングNから前記製膜バッチ処理Kまでに前記薄膜製造装置が実行する製膜バッチ処理の回数Kに対応づけられた設定値Kに基づいて前記高周波電力Kが制御され、
前記(a3)工程において、前記膜厚Kと基準膜厚Kとの比較に基づいて前記設定値Lが補償される薄膜製造方法。 - 前記設定値Lは前記高周波電力のパワーを規定する請求項1に記載の薄膜製造方法。
- 前記設定値Lは前記高周波電力Lの印加時間を規定する請求項1又は2に記載の薄膜製造方法。
- (b)前記薄膜製造装置を用いて、製膜バッチ処理を繰り返す工程と、
(c)前記(b)工程において形成された薄膜についてバッチの繰り返しにともなう膜厚の変動を測定するステップと、
(d)前記膜厚の変動に基づいて、前記回数Lと前記設定値Lとを対応づける制御規則を定める工程と
を具備し、
前記(b)工程は、前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングMの後、その次のセルフクリーニングM’の前に実行され、
前記セルフクリーニングM’は、前記セルフクリーニングNのこと、又は前記セルフクリーニングNより前に実行される前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングのことである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜製造方法。 - (b)前記薄膜製造装置を用いて、製膜バッチ処理を繰り返す工程と、
(c)前記(b)工程において形成されたi層膜を含む太陽電池についてバッチの繰り返しにともなう発電電流の変動を測定するステップと、
(d)前記発電電流の変動に基づいて、前記回数Lと前記設定値Lとを対応づける制御規則を定める工程と
を具備し、
前記薄膜Lは太陽電池用のi層膜であり、
前記(b)工程は、前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングMの後、その次のセルフクリーニングM’の前に実行され、
前記セルフクリーニングM’は、前記セルフクリーニングNのこと、又は前記セルフクリーニングNより前に実行される前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングのことである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜製造方法。 - (b)前記薄膜製造装置を用いて、製膜バッチ処理を繰り返す工程と、
(c)前記(b)工程において形成されたi層膜を含む太陽電池についてバッチの繰り返しにともなう発電出力の変動を測定するステップと、
(d)前記発電出力の変動とに基づいて、前記回数Lと前記設定値Lとを対応づける制御規則を定める工程と
を具備し、
前記薄膜Lは太陽電池用のi層膜であり、
前記(b)工程は、前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングMの後、その次のセルフクリーニングM’の前に実行され、
前記セルフクリーニングM’は、前記セルフクリーニングNのこと、又は前記セルフクリーニングNより前に実行される前記薄膜製造装置についてのセルフクリーニングのことである請求項1乃至3のいずれか1項に記載の薄膜製造方法。 - 前記セルフクリーニングNは、
前記製膜室内にフッ素を含むセルフクリーニング用のガスを導入する工程と、
前記セルフクリーニング用のガスを導入しながら、前記放電電極と前記対向電極との間に高周波電力を印加する工程と、
を含む請求項1乃至6のいずれか1項に記載の薄膜製造方法。 - 薄膜製造装置と、
制御装置と
前記薄膜製造装置を用いて形成された薄膜の膜厚を測定する膜厚測定装置と、
補償器と、
を具備し、
前記薄膜製造装置は、
製膜室と、
前記製膜室内に設けられた放電電極と、
前記製膜室内に設けられ、前記放電電極に対向する対向電極と、
前記放電電極に高周波電力を供給する電源部と
を備え、
前記制御装置は、前記薄膜製造装置について実行された最後のセルフクリーニングNの後に前記薄膜製造装置が実行する製膜バッチ処理Lの際に、前記製膜バッチ処理Lの回数Lに対応づけられた設定値Lに基づいて前記電源部を制御し、且つ、前記薄膜製造装置について実行された最後のセルフクリーニングNと前記製膜バッチ処理Lとの間に実行する製膜バッチ処理Kの際に、前記製膜バッチ処理Kの回数Kに対応づけられた設定値Kに基づいて前記電源部を制御し、
前記膜厚測定装置は、前記製膜バッチ処理Kで製膜された膜厚Kを測定し、
前記補償器は、前記膜厚Kと基準膜厚Kとの比較に基づいて前記設定値Lを補償する薄膜製造システム。
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