JPH04336752A - 液晶型情報記録媒体への静電情報転写方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、静電情報を蓄積した電
荷保持媒体から、情報を安定して保持しうる液晶型情報
記録媒体への静電情報転写方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高解像度撮影技術として銀塩写真
法、電子写真技術、テレビ撮影技術、固体撮像素子（Ｃ
ＣＤ等）を利用した撮影技術等が使用されているが、こ
れらのものは画像記録が高品質、高解像であれば処理工
程が複雑であり、工程が簡便であれば記憶機能の欠如、
或いは画質の基本的劣化等があった。

【０００３】本発明者等は先に、感光体と電荷保持媒体
を光軸上で対向させ、両電極間に電圧印加露光すること
により電荷保持媒体に露光パターンに応じた情報電荷を
蓄積させ、その情報電荷を検出電極、又はレーザー等の
光学的手段により情報電荷を読み取り、再生させる新規
な情報記録再生方法を提案した（特願昭６３−１２１５
９２号）。この方法により電荷保持媒体に記録されるる
情報電荷は、高品質、高解像であると共に処理工程が簡
便で、長時間の記憶が可能であり、記憶した文字、線画
、画像、（１．０）情報を目的に応じた画質で任意に反
復記録再生することができるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、この電
荷保持媒体における情報電荷の保持形態を検討する中で
、静電情報を液晶記録媒体に転写することにより、電荷
保持媒体に保持された静電情報を液晶の配向性に変換し
より安定した形で保持しうることを見出した。

【０００５】即ち、本発明は電荷保持媒体における静電
情報を、分子レベルでの記録が可能な液晶型記録媒体に
転写する方法の提供を課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶記録媒体へ
の静電情報転写方法は、電極層上に加熱により導電化す
る樹脂からなり、静電情報を記録した電荷保持層を積層
した電荷保持媒体と、電荷保持層面上を走査する静電情
報読み取り用半導体レーザー光走査手段と、静電情報読
み取り用半導体レーザー光と同期させて走査され、かつ
上記電荷保持媒体電極と電気的に接続される静電情報書
き込み用半導体レーザー光走査手段と、静電情報書き込
み用半導体レーザー光走査手段によりレーザー光が走査
される液晶型情報記録媒体とからなり、液晶型情報記録
媒体を透明支持体上に透明電極層、光透過型赤外線吸収
層、高分子分散型液晶層を順次積層した構造としてあら
かじめ該記録媒体を電界付与により液晶層を均一配向さ
せておいた状態で、まず電荷保持媒体における電荷保持
層面に静電情報読み取り用半導体レーザー光を走査して
静電情報を電極層からのリーク電流として取り出し、次
いでリーク電流を静電情報書き込み用半導体レーザー光
走査手段への書き込み信号として静電情報書き込み用半
導体レーザー光を液晶型情報記録媒体の液晶層に走査し
て、電荷保持媒体における静電情報を液晶型情報記録媒
体における液晶層の配向性に変換することを特徴とする
。

【０００７】また、上記電荷保持媒体は赤外線吸収物質
を含有した電荷保持層からなっていてもよく、また電極
層上に電荷注入防止層、光導電層、電荷保持層を順次積
層したもの、更には電極層上に電荷保持層、光導電層を
順次積層したものであってもよいものである。

【０００８】また、本発明における液晶型情報記録媒体
への他の静電情報転写方法として、電極層上の電荷保持
層に静電情報を蓄積した電荷保持媒体と、一方の面に透
明電極層を設け、更に、高分子分散液晶層を積層した液
晶型情報記録媒体とを、上記電荷保持媒体における電荷
保持層面と液晶型情報記録媒体における液晶層面を近接
して対向させ、かつ両電極層間を電気的に接続すること
により、電荷保持媒体における静電情報を液晶型情報記
録媒体における液晶層の配向性に変換させて転写するこ
とを特徴とする。

【０００９】以下、本発明の液晶型情報記録媒体への静
電情報転写方法について説明する。図１は液晶型情報記
録媒体への転写方法を説明するための図で、図中２０は
電荷保持媒体、２１は支持体、２２は電極層、２３は電
荷保持層、５０は液晶型情報記録媒体、５１は支持体、
５２は電極層、５３は光透過型赤外線吸収性層、５４は
高分子分散液晶層、５５は反射防止膜、１０１ａは静電
情報読み取り用半導体レーザー、１０１ｂは静電情報書
き込み用半導体レーザー、１０２は集光レンズ、１０３
はミラー、１０４は走査手段、１０５は増幅器、１０８
は静電情報読み取り用半導体レーザー光、１０９は静電
情報書き込み用半導体レーザー光である。

【００１０】図１に示すように、本発明の液晶型情報記
録媒体への静電情報転写方法は、静電情報を蓄積した電
荷保持媒体２０と、その電荷保持層２３面を走査する静
電情報読み取り用半導体レーザー走査手段１０１ａ、及
び電荷保持媒体の電極層を介して結線され、信号電流（
リーク電流）が入力される静電情報書き込み用レーザー
走査手段１０１ｂ、該静電情報書き込み用レーザー走査
手段によりレーザー光が走査される液晶型情報記録媒体
５０とからなる。

【００１１】まず、電荷保持媒体２０は支持体２１上の
電極層２２上に電荷保持層２３を積層して形成されるも
のであり、例えば図４により後述するような感光体と対
向させた状態での電圧印加時露光により、その電荷保持
層１１に静電情報を蓄積したものである。

【００１２】電荷保持層２３は、情報電荷の移動を抑え
るため高絶縁性の高分子材料からなるものであり、比抵
抗で１０１４Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求
される。電荷保持層を構成する高分子材料としては、電
荷保持性の観点からそのガラス転移温度が使用環境温度
以上であることが必要である。このような高分子材料と
しては熱可塑性樹脂、或いは熱硬化性樹脂、紫外線硬化
性樹脂、電子線硬化性樹脂等のエネルギー線硬化樹脂、
或いはエンジニアリングプラスチック等を使用すること
ができ、例えば弗素樹脂、例えばポリテトラフルオロエ
チレン、弗素化エチレンプロピレン、テトラフルオロエ
チレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体
、またそれらのディスパージョンタイプ、または変性タ
イプ（コーティングタイプ）、またポリエーテルエーテ
ルケトン樹脂、ポリパラキシリレン等を使用し、電荷保
持媒体電極上にコーティングするか、または蒸着させる
ことにより層形成されるものであり、膜厚０．１μｍ〜
１００μｍとするとよい。

【００１３】電荷保持媒体２０においては、情報電荷は
電荷保持層２３に保持されるが、その情報電荷の存在す
る部位においてレーザー光が照射されると電荷保持層を
形成する樹脂が軟化して導電性化し、情報電荷は電界（
情報電荷とその電極層に形成される誘起電荷により形成
される電界）作用により電極方向に移動し、電極層から
リーク電流として出力しうるものである。

【００１４】電荷保持層には、よりレーザー光の熱エネ
ルギーを吸収しやすくするために赤外線吸収性物質を含
有させておくとよい。赤外線吸収物質としては銅フタロ
シアニン、チタン、ゲルマニウム、亜鉛、赤外線吸収色
剤、例えばキノン類、メロシアニン類、スピロピラン類
、フルキド類等が挙げられ、電荷保持層を形成するに際
して、溶融又は溶液状の樹脂中に１０−６重量％〜２０
０重量％、好ましくは０．０１〜１００重量％混入して
電極層上にコーティングすることにより含有させること
ができる。尚、これらの物質は溶解のみならず、分散（
粒子）した状態であってもよい。

【００１５】また、電荷保持媒体としては図２に示すよ
うな構造としてもよい。この電荷保持媒体３０は支持体
３１上の電極層３２上に電荷注入防止層３３、光導電層
３４、電荷保持層３５、更に必要に応じて反射防止膜と
して、例えば弗化マグネシウム、酸化チタン等の無機酸
化物を単層又は複層状に順次積層したものである。

【００１６】電荷注入防止層とは電極から電荷が注入さ
れるのを防止するために設けられるもので、ＳｉＯ２、
　Ａｌ２Ｏ３　、ＳｉＣ　、ＳｉＮ　等の無機絶縁層を
蒸着、スパッター、グロー放電法等により電極基板上に
設けられる。或いはポリエステル、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル、ポリブチラール、弗素樹脂等の絶縁層
をコーティング法等により形成してもよい。また整流効
果を利用した電荷注入防止層としてもよい。この場合電
極極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷輸送層を設け
るもので無機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型
光導電層で形成される。具体的には、電極がマイナスの
場合はＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等をドープしたアモルファ
スシリコン光導電層、アモルファスセレン、またはオキ
サジアゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、
スチルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニ
ルメタン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香
族アミン等を樹脂中に分散して形成した有機光導電層、
電極がプラスの場合は、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ等を
ドープしたアモルファスシリコン光導電層、ＺｎＯ光導
電層等をグロー放電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、
コーティング等の方法により形成される。これら電荷注
入防止層の膜厚は０．１〜１０μｍ程度とするとよい。

【００１７】光導電層は、光が照射されると照射部分で
光キャリア（電子、正孔）が発生し、それらのキャリア
が層幅を移動することができる導電性層であり、特に電
界が存在する場合にその効果が顕著である層であり、例
えばアモルファスシリコン、アモルファスセレン、硫化
カドミウム、酸化亜鉛等の無機光導電材料を蒸着、スパ
ッター法等により成膜し、単層、或いは積層で使用する
。また硫化カドミウム、酸化亜鉛は、バインダーに分散
され、コーティング等により成膜化してもよい。膜厚は
１〜５０μｍである。また、有機光導電材料としては、
ピリリウム塩系染料、キサンテン系染料、トリニトロフ
ルオレノン、トリアリールメタン系染料等の電荷発生物
質とポリビニルカルバゾール系の電荷輸送物質の混合物
からなる単層系光導電体を蒸着、溶融又は溶剤に混合し
溶液状としコーティングにより膜厚を１０〜５０μｍと
するとよい。

【００１８】また、この電荷発生物質と電荷輸送物質を
分離し、電荷発生層と電荷輸送層を積層したタイプとし
てもよく、機能分離型光導電体の作製方法としては、ま
ず電荷発生物質を溶剤に溶解または均一分散させて、電
荷保持層上に塗布し、次に電荷輸送層を溶剤に溶かして
電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０．１〜１０μｍ、
電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚とするとよい。この
場合、電荷発生物質としてはフタロシアニン系染料、ア
ゾ系顔料、シアニン系顔料、ピリリウム塩系染料等が用
いられ、電荷輸送物質としてはヒドラゾン、ピラゾリン
、オキサジアゾール、スチルベン、トリフェニルアミン
系物質等が用いられる。上記単層型においても、また積
層型においても読み取りレーザー波長と電荷発生物質の
有効な光吸収波長をマッチングさせる必要がある。

【００１９】バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレ
ン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル
樹脂、飽和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂
、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラ
ミン樹脂、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送
材料各１部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易い
ようにする。

【００２０】また、電荷発生層と電荷輸送層の積層型光
導電体として無機材料と有機材料とを、例えばａ−セレ
ン電荷発生層、ヒドラゾン電荷輸送層等のようにペアで
使用することも可能である。また、光導電層を設けるこ
とにより、より情報電荷を安定して電荷保持媒体に蓄積
させることができる。

【００２１】この電荷保持媒体３０においては、情報電
荷は電荷保持層３５に保持されるが、レーザー光が照射
されると電荷保持層における情報電荷の存在する部位に
おける樹脂が軟化して導電性化し、情報電荷は電界（情
報電荷とその電極層に形成される誘起電荷により形成さ
れる電界）作用により電極方向に移動し、また光導電層
はレーザー光の照射により導電化するので情報電荷を光
生成電流として電極層から出力しうるものである。電荷
注入防止層３２は、光導電層の絶縁性が不十分なために
設けられるものである。

【００２２】更に、電荷保持媒体を図３に示すような構
造としてもよい。この電荷保持媒体４０は、支持体４１
上の電極層４２上に電荷保持層４３、次いで光導電層４
４、更に必要に応じて反射防止膜を順次積層したもので
、各層の形成材料及び膜厚については上記図２に示す電
荷保持媒体３０で記載したものと同様である。

【００２３】この電荷保持媒体４０においては、情報電
荷は光導電層と電荷保持層間に存在しているが、レーザ
ー光の照射による電荷保持層の導電化により、上記同様
に情報電荷は電極層よりリーク電流として出力しうるも
のである。

【００２４】この場合の電荷保持層４３には、電荷保持
媒体２０と同様にレーザー光の熱エネルギーをより吸収
しうるように赤外線吸収材料を含有させておくことが好
ましい。

【００２５】支持体２１、３１、４１としては、電荷保
持媒体を支持することができるある程度の強度を有して
いれば、その材質、厚みは特に制限がなく、例えば可撓
性のあるプラスチックフィルム、金属箔、紙或いは硝子
、プラスチックシート、金属板（電極を兼ねることもで
きる）等の剛体が使用され、特に厚み１ｍｍ程度の透明
なガラス板、或いはプラスチックのフィルム、シートを
使用するとよく、透明性を要求される場合には上記材料
において透明性を有するものが使用される。

【００２６】また、各電極層の材質は比抵抗値が１０６
　Ω・ｃｍ以下であれば限定されなく、無機金属導電膜
、無機金属酸化物導電膜等である。このような電極は支
持体上に、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティン
グ、メッキ、ディッピング、電解重合等により形成され
る。 またその厚みは電極を構成する材質の電気特性、および
情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要がある
が、例えばアルミニウムであれば１００〜３０００Å程
度である。またＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、Ｓｎ
Ｏ２　等をスパッタリング、蒸着、またはそれらの微粉
末をバインダーと共にインキ化してコーティングしたよ
うな透明電極や、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸
着、またはスパッタリングで作製する半透明電極、テト
ラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリアセチレン等
のコーティングによる有機透明電極等も使用しうる。

【００２７】次ぎに、電荷保持媒体への静電情報記録方
法について図４により説明する。図中、１０は感光体、
２０は電荷保持媒体、１１は感光体支持体、１２は感光
体電極、１３は光導電層、２１は電荷保持層支持体、２
２は電荷保持媒体電極、２３は電荷保持層、１０６は電
源である。

【００２８】感光体１０は、透明支持体１１上の透明電
極１２、光導電層１３を順次積層することにより形成さ
れるもので、電荷保持媒体２０と対向して配置され、両
電極間に電圧を印加しつつ、感光体側から情報露光を行
うことにより電荷保持媒体に静電情報を記録しうるもの
である。

【００２９】まず図４（ａ）に示すように感光体１０と
、１０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体２０を配置
する。次いで同図（ｂ）に示すように、電源１０６によ
り電極１２、２２間に電圧を印加する。暗所であれば光
導電層１３は高抵抗体であるため、電極間には何の変化
も生じない。感光体１０側より光が入射すると、光が入
射した部分の光導電層１３は導電性を示し、かつ発生し
た光キャリアーは放電により電荷保持層２３に像電荷と
して蓄積される。

【００３０】露光が終了したら、同図（ｃ）に示すよう
に電圧をＯＦＦとし、次いで同図（ｄ）に示すように電
荷保持媒体２０を取り出すことにより静電潜像の形成が
終了する。なお、感光体１０と電荷保持媒体２０とは上
記のように非接触でなく接触式でもよい。電荷保持媒体
３０、４０も、上記同様にして静電情報を記録すること
ができる。尚、図においては電荷保持媒体に負の情報電
荷を蓄積させる場合について図示したが、電荷保持媒体
における情報電荷は正電荷とすることもでき、電荷保持
性能や感光体における電荷発生能に応じて適宜設定しう
る。

【００３１】次に、電荷保持媒体における情報電荷を転
写する液晶型情報記録媒体について、図５により説明す
る。

【００３２】図５は液晶型情報記録媒体にレーザー光を
照射した状態を説明するための図であり、図中５１は透
明支持体、５２は透明電極層、５３は透過型赤外線吸収
性層、５４は高分子分散液晶層、５５は光反射防止膜を
示す。

【００３３】透明支持体５１はガラス、石英板、プラス
チックフィルム等を使用することができ、好ましくはガ
ラス板を使用するとよく、その膜厚は０．１ｍｍ〜５ｍ
ｍとするとよい。

【００３４】透明電極層５２、５７は酸化インジウム−
錫、（ＩＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、各種金属薄膜等の
透明導電層であり、支持体上に蒸着又はコーティング等
により、膜厚１００Å〜５０００Åに形成される。

【００３５】また光透過型赤外線吸収性層５３は、レー
ザー光に吸収感度を有する赤外線吸収性物質、例えば銅
フタロシアニン、チタン、ゲルマニウム、亜鉛、赤外線
吸収色剤、例えばキノン類、メロシアニン類、スピロピ
ラン類、フルキド類等を使用することができ、この場合
は溶融又は溶液状の樹脂中に１０−６重量％〜２００重
量％、好ましくは０．０１〜１００重量％として、溶解
もしくは分散して、その溶液をコーティングすることに
より、透明電極層５２上に膜厚０．１μｍ〜５０μｍに
形成するとよい。

【００３６】液晶層５４は高分子分散型液晶層であり、
低分子の液晶材料を樹脂体中に分散固定させたものであ
り、液晶材料としてはスメクチック液晶、ネマチック液
晶、コレステリック液晶あるいはこれらの混合物を使用
することができるが、液晶の配向性を保持し、情報を永
続的に保持させる、所謂、メモリー性の観点からはスメ
クチック液晶を使用するのが好ましい。

【００３７】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、更に弗素系
等のスメクチックＡ相を呈する液晶物質、強誘電性液晶
として用いられるスメクチックＣ相を呈する液晶物質、
或いはスメクチックＨ、Ｇ、Ｅ、Ｆ等を呈する液晶物質
等が挙げられる。

【００３８】又、ネマチック液晶を使用してもよく、ス
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。

【００３９】尚、液晶材料を選ぶ際には、屈折率の異方
向性の大きい材料の方がコントラストがとれるので好ま
しい。又、ポリビニルアルコール等と液晶材料を混合し
てマイクロカプセル化したものを使用してもよい。

【００４０】樹脂体としては、モノマー、オリゴマーの
状態で液晶材料と相溶性を有する、或いは共通の溶媒に
相溶性を有する紫外線硬化型樹脂を使用する。紫外線硬
化型樹脂を使用して架橋することで液晶を多く含有させ
ても液晶の滲み出し等の現象が抑制され、情報記録層表
面への液晶の滲み出しによる画像ムラや、情報記録層表
面に積層される透明電極層のひび割れ等の発生による導
電性の低下を防止することができる。

【００４１】このような紫外線硬化型樹脂としては、モ
ノマー、オリゴマーの状態で、例えばジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート、トリメチロールプロパント
リアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、ポリプロピレングリコールジアクリレート、イソシ
アヌール酸（エチレンオキサイド変性）トリアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ネオペンチル
グリコールジアクリレート、ヘキサンジオールジアクリ
レート等の多官能性モノマー或いは多官能性ウレタン系
、エステル系オリゴマー、更にノニルフェノール変性ア
クリレート、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、２−ヒドロ
キシ−３−フェノキシプロピルアクリレート等の単官能
性モノマー或いはオリゴマー等が挙げられる。

【００４２】紫外線硬化型樹脂を用いて架橋構造とする
ことで、液晶の滲み出しが防止でき、これにより液晶層
上に直接、スパッタ法等によりＩＴＯ電極を設けること
ができる。

【００４３】液晶材料と樹脂体との混合比は、液晶材料
の含有量が１０重量％〜９０重量％、好ましくは４０重
量％〜８０重量％となるように配合するとよく、１０重
量％未満であると情報記録して液晶相が配向しても透過
性が低く、また９０重量％を越えると液晶の滲み出し等
の現象が生じるので好ましくない。液晶は樹脂中に多く
含有させることにより、コントラスト比を向上させ、動
作電圧を低くすることができる。

【００４４】情報記録層の形成方法は、溶媒可溶型の場
合には樹脂体と液晶材料を溶媒に溶解し、その溶液を光
導電層上又は後述する透明絶縁層上にブレードコーター
、ロールコーター、或いはスピンコーター等の一般的な
コーターによりコーティングし、溶媒を乾燥除去して形
成されるが、紫外線硬化型樹脂の場合には更に紫外線照
射して硬化させることにより形成される。必要に応じて
コーティング適性を上げる或いは表面性を良くするため
にレベリング剤を添加するとよい。又、コーティング法
により情報記録層を形成することにより、情報記録層の
膜厚を均一に制御することができる。ラミネート法によ
ると、溶媒の使用が難しく、又、ギャップの均一性を得
るのが難しい。均一にするにはスペーサを介する必要が
ありノイズの原因となるからである。

【００４５】膜厚は解像性に影響を与えるが、乾燥後膜
厚０．１μｍ〜１０μｍ、好ましくは３μｍ〜８μｍと
すると高解像性を維持しつつ、動作電圧も低くすること
ができる。膜厚が薄すぎると情報記録部のコントラスト
が低く、又、厚すぎると動作電圧が高くなるので好まし
くない。

【００４６】尚、紫外線を用いて紫外線硬化型樹脂を硬
化させる際に、基板温度或いは紫外線の照射方法、例え
ば強度、量、雰囲気等により情報記録層の特性を制御す
ることができる。

【００４７】電荷保持媒体からの情報読みだし、又は液
晶型情報記録媒体への情報書き込みに使用される半導体
レーザーは、電荷保持媒体における電荷保持層や液晶型
情報記録媒体における液晶層を加熱しうるものであるこ
とが必要であり、赤外線波長領域での半導体レーザー光
を使用するとよい。その波長は７００ｎｍ〜９００ｎｍ
、好ましくは７８０〜８３０ｎｍのものを使用し、この
波長に対応した赤外線吸収剤を電荷保持層及び液晶型情
報記録媒体における赤外線吸収性層として使用するとよ
い。

【００４８】レーザー光の走査手段としては、ポリゴン
ミラー、ｆθレンズ、ガルバノミラー等の走査手段を使
用することができ、情報電荷読み取り用走査手段と、書
き込み用走査手段とは機械的、又は電気的に同期させて
作動させられる。

【００４９】図５に示すように、液晶型情報記録媒体に
おける反射防止層５５面からレーザー光１０９は走査さ
れるが、レーザー光は予めコロナ帯電等により配向処理
された液晶層５５を通過し、光透過型赤外線吸収性層５
３に吸収されて熱変換され、レーザー照射部位での液晶
層の配向性を撹乱させる。レーザー光の強度又は照射の
有無が電荷保持媒体における情報電荷の強度または有無
に同期させられることにより、静電情報に対応して液晶
層への記録を行うことができる。このようにして液晶層
に記録された情報は、液晶型情報記録媒体におけるコロ
ナ帯電等の電界付与することにより容易に消去すること
ができ、液晶型情報記録媒体を再使用に供することがで
きる。

【００５０】また、液晶型情報記録媒体として、図６に
示すように、液晶型情報記録媒体６０を透明支持体６１
上に透明電極層６２、高分子分散型液晶層６３を積層し
た形態としてもよい。この場合には、図７に示すように
静電情報を蓄積した電荷保持媒体２０と近接して対向さ
せ、両電極２２、６２間を電気的に接続することにより
電荷保持媒体２０における静電情報を液晶型情報記録媒
体６０に転写することもできる。

【００５１】

【作用及び発明の効果】本発明は、電荷保持媒体におけ
る静電情報を蓄積した電荷保持層２３面を、静電情報読
み取り用半導体レーザー１０１ａによるレーザー光１０
８をポリゴンミラー等の走査手段により走査すると、走
査点における電荷保持層２２に熱エネルギーが付与され
、電荷保持層を軟化させることができ、導電化すること
を利用するもので、電荷保持層に蓄積された情報電荷は
、その情報電荷により形成される電極層との間の電界作
用により、電極層にリークし、リーク電流として取り出
すことができる。このリーク電流は増幅器１０５により
増幅し、情報書き込み用半導体レーザー１０１ｂに書き
込み信号として入力される。その際、情報書き込み用半
導体レーザーによるレーザー光１０９を上記情報読み取
りレーザー光１０８の走査速度と機械的、又は電気的に
同調させて液晶型情報記録媒体５０面を走査させると、
走査部位における液晶層はレーザー光の熱エネルギーに
より撹乱され、その状態は偏光子を介し、可視情報とし
て再生しうる。

【００５２】また、図７に示す静電情報転写方法は、液
晶型情報記録媒体６０と電荷保持媒体とを対向配置する
ことにより行われ、電荷保持媒体に蓄積された情報電荷
により電極に誘起される反対電荷により生じる電界作用
により、情報電荷に対応する部位の液晶層は配向し、情
報電荷が存在しない部位においては未配向の状態で留ま
り、偏光子を介して可視像化しうるものである。

【００５３】このように本発明は、電荷保持媒体に蓄積
された静電情報を液晶型情報記録媒体における液晶の配
向性に変換して記録するものであり、静電荷単位での情
報を液晶分子単位での可視情報に変換するもので、情報
をより安定した可視情報として保持しうると共に、静電
情報の記録状態（文字、線画、画像、（１．０）情報）
応じた高品質の液晶記録となしえるものである。

【００５４】以下、実施例により本発明を説明する。

【００５５】

【実施例１】 〔電荷保持媒体Ａの製造方法）１ｍｍ厚のガラス基板上
に、真空蒸着（１０−５Ｔｏｒｒ）法により、　Ａｌ　
電極を１０００Åの膜厚で積層する。その　Ａｌ　電極
上にクロルトリフルオロエチレン（商品名：ＣＴＦＥ、
旭硝子（株）製、ガラス転移温度１０８℃、吸水率０．
０１％、比抵抗１×１０１８Ω・ｃｍ、）　パウダーを
使用し、真空蒸着（１０−５Ｔｏｒｒ）法で、蒸発速度
０．８〜１．８μｍ／ｍｉｎ．、電極基板温度を室温、
抵抗加熱により１０５℃に加熱しつつ、膜厚約１０μｍ
に積層して電荷保持媒体Ａを作製した。

【００５６】〔電荷保持媒体Ｂの製造方法）Ａｌを１０
００Å蒸着した、１ｍｍの膜厚を有するガラス基板上に
ポリエステル樹脂（バイロン２００）１ｇに対して銅フ
タロシアニン０．１ｇを添加し、クロロフォルム１０ｇ
からなる混合液をペイントシェーカーにてガラスビーズ
と共に１時間分散を行い、得られた溶液をドクターブレ
ードコーティング法によりコーティングし、１００℃、
１時間乾燥後、１０μｍの電荷保持媒体Ｂを作製した。

【００５７】〔電荷保持媒体Ｃの製造方法）Ａｌを１０
００Å蒸着した１ｍｍの膜厚を有するガラス基板におけ
る電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法により膜
厚１００Å積層し、電荷注入防止層とし、更に１０−５
ｔｏｒｒの真空度で蒸着法によりアモルファス−セレン
を１０μｍの膜厚に光導電層を積層した。

【００５８】更にこの光導電層の上にポリエステル樹脂
（バイロン２００）１ｇ、クロロフォルム１０ｇからな
る混合液をドクターブレードコーティング法によりコー
ティングし、１００℃、１時間乾燥後、１０μｍの電荷
保持層を形成し、図２に示す電荷保持媒体Ｃを作製した
。

【００５９】〔電荷保持媒体Ｄの製造方法）Ａｌを１０
００Å蒸着した１ｍｍの膜厚を有するガラス基板上にポ
リエステル樹脂（バイロン２００）１ｇ、クロロフォル
ム１０ｇからなる混合液をドクターブレードコーティン
グ法によりコーティングし、１００℃、１時間乾燥後、
１０μｍの電荷保持層を形成した。

【００６０】更にこの電荷保持層上に、１０−５ｔｏｒ
ｒの真空度で蒸着法によりアモルファス−セレンを１０
μｍの膜厚に積層し、光導電層を形成し、更に二酸化珪
素をスパッタリング法により膜厚１００Å積層し、電荷
注入防止層とし、図３に示す電荷保持媒体Ｄを作製した
。

【００６１】〔電荷保持媒体への情報電荷形成方法）電
荷保持媒体への情報記録に使用する感光体１０は、まず
１ｍｍ厚のガラスからなる電極支持体１１上にＩＴＯ透
明電極１２を１０００Å厚にスパッタリング法により積
層し、次いで、この電極層上に１０−５ｔｏｒｒの真空
度で蒸着法によりアモルファス−セレンを１０μｍの膜
厚に積層して光導電層１３を形成して作製した。

【００６２】この感光体１０と上記で作製した電荷保持
媒体Ａを、ポリエステルフィルムをスペーサー２とする
１０μｍの空隙を介して図４（ａ）のように配置する。 次いで同図（ｂ）に示すように電源１０６により電極１
２、２２間にＩＴＯ側を＋にして直流電圧＋７００Ｖを
印加する。電圧を印加した状態で、感光体側より入射光
学光を照度１０００ルックスのハロゲンランプを光源と
する露光を１秒間行う。入射光学光が入射した部分の光
導電層１３と、電荷保持媒体との間で放電により−電荷
が移動し、電荷保持層２３に情報電荷が蓄積される。露
光が終了したら、同図（ｃ）に示すように電圧をＯＦＦ
にし、次いで、同図（ｄ）に示すように電荷保持媒体２
０と、感光体１０を分離することにより電荷保持媒体へ
の静電潜像の形成が終了する。電荷保持層には、＋２５
０Ｖの表面電荷が表面電位計で測定され、未露光部では
表面電位は＋５０Ｖであった。

【００６３】（液晶型情報記録媒体の作製）１ｍｍ厚の
ガラス基板５１上にＩＴＯを１０００Åの膜厚でスパッ
タリングし、透明電極５２を形成した。

【００６４】このＩＴＯ膜上に、含フッ素樹脂（商品名
サイトップ、旭硝子（株）製）をパーフルオロ−２−ブ
チルテトラヒドロフランに溶解し、その５％溶液に、更
に銅フタロシアニン０．１ｇを混合し、ガラスビーズと
共にペイントシェーカーにて１時間分散した後、ブレー
ドコーターにてコーティングを行い、乾燥後１μｍの赤
外線吸収層を設け、更にその上に多官能性モノマー（ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、東亜合成化
学社製、Ｍ−４００）４０部、光硬化開始剤（２−ヒド
ロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン
、メルク社製、ダロキュア１１７３）２部、スメクチッ
ク液晶（ＢＤＨ社製Ｓ−６）６０部、界面活性剤（フロ
ラードＦＣ−４３０、住友３Ｍ社製）３部をキシレン１
９５部中に均一に溶解し、その溶液をブレードコーター
を用いて塗布し、５０℃で３分間乾燥し、次いで５０℃
で３分間減圧乾燥を行った後、直ちに３００ｍＪ／ｃｍ
２　の紫外線を照射し、多官能性モノマーを硬化させた
。膜厚は６μｍであった。

【００６５】（電荷保持媒体から液晶型情報記録媒体へ
の情報転写方法）上記静電情報の蓄積された電荷保持媒
体における電荷保持層面上を、図１に示すように半導体
レーザー１０１により、光強度１０μＷ、スポット径１
０μｍφのレーザー光（８３０ｎｍ）をポリゴンミラー
を使用して、３００ｍｍ／ｓｅｃ．　の走査速度で走査
すると共に、情報書き込み用半導体レーザー光１０９を
情報読み取りレーザーと同調させ、ポリゴンミラーを使
用して液晶型情報記録媒体５０面に走査した。液晶型情
報記録媒体には、電荷保持媒体に形成した光学パターン
が記録されていることを偏光子を介して確認することが
できた。

【００６６】

【実施例２】上記実施例１における電荷保持媒体Ａに代
えて、電荷保持媒体Ｂ、Ｃ、Ｄをそれぞれ実施例１同様
にして情報電荷を蓄積させた。

【００６７】電荷保持媒体Ｂ、Ｃ、Ｄでは露光部での表
面電位は、それぞれ＋２７０Ｖ、＋２４０Ｖ、＋３２０
Ｖが表面電位計で測定され、未露光部では表面電位はい
ずれも＋３０Ｖであった。これらの電荷保持媒体におけ
る静電情報を、実施例１におけるレーザー光の走査速度
で実施例１記載の液晶型情報記録媒体に転写したところ
、実施例１同様に電荷保持媒体に形成した光学パターン
が液晶型情報記録媒体に記録されていること確認した。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶型情報記録媒体への転写方法を説
明するための図

【図２】本発明の電荷保持媒体断面図

【図３】本発明の他の電荷保持媒体断面図

【図４】電荷
保持媒体への静電情報記録方法を説明するための図

【図５】液晶型情報記録媒体断面図により情報記録状態
を説明する図

【図６】他の液晶型情報記録媒体断面図

【図７】図６に
示す液晶型情報記録媒体への静電情報記録状態を説明す
るための図

【符号の説明】

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　電極層上に加熱により導電化する樹脂
   からなり、静電情報を記録した電荷保持層を積層した電
   荷保持媒体と、電荷保持層面上を走査する静電情報読み
   取り用半導体レーザー光走査手段と、静電情報読み取り
   用半導体レーザー光と同期させて走査され、かつ上記電
   荷保持媒体電極と電気的に接続される静電情報書き込み
   用半導体レーザー光走査手段と、静電情報書き込み用半
   導体レーザー光走査手段によりレーザー光が走査される
   液晶型情報記録媒体とからなり、液晶型情報記録媒体を
   透明支持体上に透明電極層、光透過型赤外線吸収層、高
   分子分散型液晶層を順次積層した構造としてあらかじめ
   該記録媒体を電界付与により液晶層を均一配向させてお
   いた状態で、まず電荷保持媒体における電荷保持層面に
   静電情報読み取り用半導体レーザー光を走査して静電情
   報を電極層からのリーク電流として取り出し、次いでリ
   ーク電流を静電情報書き込み用半導体レーザー光走査手
   段への書き込み信号として静電情報書き込み用半導体レ
   ーザー光を液晶型情報記録媒体の液晶層に走査して、電
   荷保持媒体における静電情報を液晶型情報記録媒体にお
   ける液晶層の配向性に変換することを特徴とする液晶型
   情報記録媒体への静電情報転写方法。
2. 【請求項２】　　液晶型情報記録媒体の均一配向法がコ
   ロナ帯電である請求項１記載の液晶型情報記録媒体への
   静電情報転写方法。
3. 【請求項３】　　電荷保持媒体が、赤外線吸収物質を含
   有した電荷保持層からなる請求項１記載の液晶型情報記
   録媒体への静電情報転写方法。
4. 【請求項４】　　電荷保持媒体が、電極層上に電荷注入
   防止層、光導電層、電荷保持層を順次積層したものであ
   る請求項１記載の液晶型情報記録媒体への静電情報転写
   方法。
5. 【請求項５】　　電荷保持媒体が、電極層上に電荷保持
   層、光導電層、電荷注入防止層を順次積層したものであ
   る請求項１記載の液晶型情報記録媒体への静電情報転写
   方法。
6. 【請求項６】　　電極層上の電荷保持層に静電情報を蓄
   積した電荷保持媒体と、一方の面に透明電極層を設け、
   更に高分子分散液晶層を積層した液晶型情報記録媒体と
   を、上記電荷保持媒体における電荷保持層面と液晶型情
   報記録媒体における液晶層面を近接して対向させ、かつ
   両電極層間を電気的に接続することにより、電荷保持媒
   体における静電情報を液晶型情報記録媒体における液晶
   層の配向性に変換させて転写することを特徴とする液晶
   型情報記録媒体への静電情報転写方法。