JPH04329584A - 電子写真装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真装置、特にア
モルファスシリコン系感光体を用いた電子写真装置に関
するものであり、電位安定性及び光メモリー防止を目的
とした主除電光に特徴を有する電子写真装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真装置には、セレン（Ｓｅ）系、
有機光導電体（ＯＰＣ）系、アモルファスシリコン系な
ど、様々な感光体がそれぞれの特徴を生かすべく工夫さ
れて使用されている。

【０００３】アモルファスシリコン系感光体は表面硬度
が高く、半導体レーザー（７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）な
どの長波長光に高い感度を示し、しかも繰り返し使用に
よる劣化も殆ど認められないなど、特に、高速複写機や
ＬＢＰ（レーザービームプリンター）などの電子写真用
感光体として広く使用されている。

【０００４】ＯＰＣ系感光体は均一な成膜性に優れ大面
積感光体の作製が容易であり、量産性に優れ且つ安価に
感光体を供給できるというメリットがあるなど、特に、
大版複写機やパーソナル複写機、小型ＬＢＰなどの電子
写真用感光体として賞用されている。

【０００５】Ｓｅ系感光体はテルルの添加などによって
、半導体レーザー（７７０ｎｍ〜８００ｎｍ）などの波
長域にも感度を示し、中速複写機やＬＢＰなどの電子写
真用感光体として広く用いられている。

【０００６】図１に、複写機とされる従来の電子写真装
置の一例が示される。本例にて、ドラム状とされるアモ
ルファスシリコン系感光体１０１は矢印Ｘ方向に回転し
、感光体１０１の周辺にはよく知られているように、主
帯電器１０２、静電潜像形成部位１０３、現像器１０４
、転写紙給送系１１０、転写・分離帯電器１１２、クリ
ーナー１０５、搬送系１１３、除電光源１０６などが配
設されている。

【０００７】感光体１０１は主帯電器１０２によって一
様に帯電され、これにハロゲンランプ、蛍光灯等の光源
１１４により発した光をプラテンガラス１１８上の原稿
１１７に照射し、その反射光をミラー系１１９、レンズ
系１１６、フィルター１１５を介して感光体表面上に導
き投影され、感光体１０１上に静電潜像が形成される。 該潜像は現像器１０４からトナーが供給されて可視像、
即ち、トナー像となる。

【０００８】一方、転写材Ｐは、転写紙通路１１１、レ
ジストローラ１０９よりなる転写紙供給系１１０を通っ
て、感光体１０１方向へと供給され、転写帯電器１１２
と感光体１０１との間隙において、背面からトナーとは
反対極性の電界を与えられ、これによって、感光体表面
のトナー像は転写材Ｐに転移する。

【０００９】分離された転写材Ｐは、転写紙搬送系１１
３を通って定着装置（図示せず）に至って、トナー像は
定着されて装置外に排出される。

【００１０】尚、転写部位において転写に寄与せず感光
体表面に残る残留トナーは、クリーナー１０５に至りク
リーニングブレード１０７によってクリーニングされる
。

【００１１】上記クリーニングにより更新された感光体
１０１は更に主除電光源１０６から除電露光を与えられ
て再び次の画像形成プロセスに供せられる。

【００１２】一方、感光体の直径は、せいぜい８０ｍｍ
〜１２０ｍｍ程度であり、これら小径の感光体では、特
にはアモルファスシリコン系感光体の場合帯電能の低さ
に対する帯電器の大型化、暗減衰の大きさに対する現像
器の近接化などにより、実装上きわめて窮屈なものにな
っている。又、近年の複写機の高速化の進展を考慮する
と、主帯電器から主除電光までの時間的距離を確保する
ことが困難になってきている。

【００１３】特に主除電光は、光メモリー消去並びに帯
電能確保及び電位シフト低減の点から波長及び光量を厳
密にコントロールできるＬＥＤアレイを用いることが必
須であり、又、該ＬＥＤアレイは基板のスペース確保が
困難なことから、図示のように帯電器１０２とクリーナ
ー１０５との間の上部に配設することが一般的である。

【００１４】このことは、Ｓｅ或はＯＰＣなどの他の感
光体を用いる場合でも言えることである。

【００１５】又、主除電光源１０６の点灯は、極く一般
的な直流点灯方式にて行なわれ、光量は直列に接続した
抵抗によって調整している。従って、従来装置において
は、主除電光の波長及び光量を変えても光メモリーレベ
ルが同等であれば、帯電能及び電位シフトは同等である
といった関係があった。

【００１６】従って、主除電光量を弱めゴースト等の光
メモリーレベルをある程度許容せざるを得ないケースも
生じていた。このような現象のメカニズムをアモルファ
スシリコン系感光体を例にとり次に簡単に説明する。

【００１７】アモルファスシリコン系感光体は、局在準
位が光キャリアーの一部を捕捉してその走行性を低下さ
せ、或は光生成キャリアーの再結合確率を低下させる。 従って、画像形成プロセスにおいて、露光によって生成
されたキャリアーの一部は、次工程の帯電時に感光体に
電界がかかると同時に局在準位から開放され、露光部と
非露光部で、感光体表面電位に差が生じて、これが最終
的に光メモリーに起因する画像むらとなって現れる。

【００１８】この光メモリーは、主除電工程において均
一露光を行なうことにより感光体内部に潜在するキャリ
アーを過多にし、全面で均一になるようにして消去する
ことが一般である。更に、主除電光の光量を増やしたり
、或は主除電光の波長をアモルファスシリコン系感光体
の分光感度ピーク（大略６８０ｎｍ〜７００ｎｍ）に近
付けることにより、より効果的にゴーストを消去するこ
とが可能である。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、余りに主除電
光を強くし過ぎたり、或は波長を分光感度ピークに近づ
けて長くし、感光体の深さ方向で深い位置に光キャリア
ーが発生する確率を増加させると、キャリアーの残存率
が増加する。その結果、感光体内部に潜在する過多とな
ったキャリアーが、再結合する前に主帯電工程に突入し
、帯電能率を著しく低下させるといった弊害があった。 即ち、帯電工程において初期はキャリアーの再結合過程
であり、次いで表面電位の上昇過程といったステップを
踏むため、帯電工程直前の感光体内のキャリアー量が、
その後の表面電位の高低、即ち帯電能に大きく影響する
。一方、同一条件下で連続的に画像形成プロセスを繰り
返したときに、現像器位置での電位が除々に変化すると
いった電位シフト現象が悪化し、コピー時に画像濃度が
不安定になるといった弊害をもたらす傾向にある。

【００２０】従って、主除電光は、光メモリーを消去し
得る範囲で、光量が少なく且つ短い波長を用い、キャリ
アーが概ね再結合した後に帯電工程へ進むことが望まし
い。

【００２１】しかし、主除電光の条件（光量、波長）を
変え光メモリーの程度が同等であるときの帯電能及び電
位シフトは同じになる傾向があるため、従来は、帯電能
、即ち暗部電位の確保の制約を受け、ある程度のゴース
トは許容せざるを得ない状況にあった。

【００２２】光メモリー、帯電能及び電位シフトに及ぼ
す主除電光の影響について本発明者らは鋭意検討した結
果、主除電光の光量（強度×時間）を時間変調（基準波
を用いたパルス幅変調・ＰＷＭ）して強度或は時間を変
えることにより、光メモリーのレベルを変化させずに、
帯電能及び電位シフトを変化できることを見出した。本
発明は斯る新規な知見に基づきなされたものである。

【００２３】なお、パルス幅変調（ＰＷＭ）は、例えば
特開昭６２−３９９７２号公報に記載されるように、画
像露光にレーザー光源を用いた電子写真装置においては
既に画像露光光量制御手段として用いられている技術で
あるが、主除電光の光量制御手段として用いるのは、本
発明が最初であり、構成及び作用効果は従来技術とは大
きく相違するものである。

【００２４】従って、本発明の目的は、ゴースト消去に
不可欠な主除電光の光メモリー消去能力を最大限に引き
出し、且つ帯電能低下及び電位シフトを最小限に抑え、
トータル性能に優れ、高品質の画像を得ることのできる
電子写真装置を提供することである。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記目的は本発明に係る
電子写真装置にて達成される。要約すれば本発明は、電
子写真感光体を除電光源により除電した後、該電子写真
感光体に潜像を形成して画像を得る電子写真装置におい
て、前記除電光源の点灯方式がパルス幅変調であること
を特徴とする電子写真装置であり、好ましくは、前記パ
ルス幅変調に用いる基準波の周波数が１０ＫＨＺ　以下
であり、且つ前記感光体表面の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ
）を前記基準波の周波数（／ｓｅｃ）で除した値が１ｍ
ｍ以下とされ、又、感光体はアモルファスシリコン系感
光体とされる。

【００２６】

【実施例】次に、本発明の電子写真装置を図面に則して
更に詳しく説明する。先ず、本発明の特徴部分を実験例
について説明する。

【００２７】実験例−１ 電子写真感光体としてドラム状のアモルファスシリコン
系感光体を使用した図１に示すような電子写真装置を用
いて実験した。感光体１０１は、その表面の移動速度が
、即ち、本実施例では感光体１０１の周速度が３８０ｍ
ｍ／ｓｅｃとなるように回転され、主除電光源１０６の
光量を一定に保ちながら波長を変えて、光メモリー、帯
電能及び電位シフトの主除電光波長依存性を測定した。

【００２８】ここで、光メモリーは次のようにして測定
した。先ず、現像位置における暗部電位が４００Ｖにな
るように主帯電器１０２の帯電電流を調整し、転写紙（
Ａ３サイズ）Ｐを原稿とした際の明部電位が＋５０Ｖに
なるように、原稿照明ハロゲンランプ１１４の点灯電圧
を調整する。更に、その状態で画像先端部だけハロゲン
ランプ１１４を点灯させた場合と、ハロゲンランプ１１
４を点灯させない場合とにおける、感光体１０１の同一
部位における電位差、即ち、画像後端部の電位差を測定
して、光メモリー電位とした。

【００２９】帯電能は、主帯電器１０２に一定の電流を
流した際の現像器１０４の位置での暗部電位を測定した
。

【００３０】電位シフトは、主帯電器１０２に一定の電
流を流し、連続コピー動作をした際の現像器１０４の位
置における暗部電位の変化分を測定した。

【００３１】図２は、本実験の結果を示すグラフであり
、光量を一定にして波長を長くすると、光メモリーが減
少する反面、帯電能や電位シフトは悪化する傾向にある
ことが分かる。

【００３２】実験例−２ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６の波
長を一定にし、光量を変えて、光メモリー、帯電能及び
電位シフトの主除電光光量依存性を測定した。

【００３３】ここで、光メモリー、帯電能及び電位シフ
トは、実験例−１と同様にして測定した。

【００３４】図３は、本実験の結果を示すグラフであり
、波長を一定にして光量を増加させると、光メモリーが
減少する反面、帯電能や電位シフトは悪化する傾向にあ
ることが分かる。

【００３５】実験例−３ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６の点
灯方式を、図８に示すような従来の直流点灯から図６に
示すようなパルス幅変調点灯に変更した。そして、波長
及び光量を一定にした状態で、デューティー比（図７に
示す１サイクルの時間に対するｏｎ時間の比）を変えて
、光メモリー、帯電能及び電位シフトの主除電光デュー
ティー比依存性を測定した。

【００３６】パルス幅変調は、例えば図７のような鋸歯
状波を基準波とし、制御信号レベルとこの基準波を比較
してその大小により主除電光源１０６のｏｎ−ｏｆｆを
制御するものである。本実験において、上記基準波は４
ＫＨＺ　のものを用いた。

【００３７】ここで、光メモリー、帯電能及び電位シフ
トは、実験例−１と同様にして測定した。

【００３８】図５は、デューティー比を変化させる際の
発光強度を示す図であり、図４は、本実験の結果を示す
グラフである。図４から、光量及び波長を一定にして、
デユーティー比を減少させると、光メモリーは変化せず
に、帯電能や電位シフトは良化する傾向にあることが分
かる。

【００３９】実験例−４ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６の点
灯方式を、図８に示すような従来の直流点灯から図６に
示すようなパルス幅変調点灯に変更した。そして、波長
及び光量を一定にした状態で、デューティー比１００％
の場合と２５％の場合の、光メモリー、帯電能及び電位
シフトの比を基準波の周波数を変えて依存性を測定した
。

【００４０】パルス幅変調は、例えば図７のような鋸歯
状波を基準波とし、制御信号レベルとこの基準波を比較
してその大小により主除電光源１０６のｏｎ−ｏｆｆを
制御するものである。

【００４１】ここで、光メモリー、帯電能及び電位シフ
トは、実験例−１と同様にして測定した。

【００４２】図９は本実験の結果を示すグラフであり、
光量及び波長を一定にして、基準波の周波数を変えると
、光メモリーが変化せずに、帯電能や電位シフトが良化
する周波数には上限が存在することが分かった。

【００４３】一方、周波数を減少させて行くと、感光体
１０１の回転スピード（ｍｍ／ｓｅｃ）を周波数（／ｓ
ｅｃ）で除した値が１（ｍｍ）を越えるあたりから、感
光体１０１の回転方向で、主除電光の光量ムラができて
しまう。従って、適正な周波数には下限が存在すること
が分かった。

【００４４】実験例−１及び実験−２から分かった光メ
モリー、帯電能及び電位シフトの主除電光の光量及び波
長に対する依存性は、図２及び図３にＡで示す２点鎖線
のラインで交差しており、他の光量・波長においても、
光量及び波長のいずれかを決めれば、他方の範囲は自ず
と決まってしまう。従って、光量を調節することにより
、光メモリー、帯電能及び電位シフトを満足し得る主除
電光の波長範囲は、５００〜７００ｎｍであると言える
。

【００４５】また、この波長範囲では光メモリーを一定
レベルに保ったままで、帯電能及び電位シフトを向上さ
せることはできないことが分かった。

【００４６】一方、実験例−３より主除電光源１０６の
点灯方式をパルス幅変調にし、デューティー比を変化さ
せれば、光メモリーを一定レベルに保ったままで、帯電
能及び電位シフトを向上させることができることが分か
った。

【００４７】更に、実験例−４より主除電光源１０６の
点灯方式をパルス幅変調にし、光メモリーを一定レベル
に保ったままで、帯電能及び電位シフトを向上させるこ
とができるためには、基準波の周波数が１０ＫＨＺ　以
下であり、且つ、感光体１０１の回転スピード（ｍｍ／
ｓｅｃ）を該基準波の周波数（／ｓｅｃ）で除した値が
１ｍｍ以下でなければならないことが分かった。

【００４８】その結果、主除電光の波長・光量を変えな
いで従来の良いレベルの光メモリーを確保したまま、帯
電能及び電位シフトを向上させることが可能になった。

【００４９】本発明を更に以下の実施例により説明する
が、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない
実施例−１図１に示すような電子写真装置を用い、感光
体１０１を３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源
１０６として波長ピークが５６５ｎｍのＬＥＤを用いた
。又、主除電光源１０６の点灯は図６に示すようなパル
ス幅変調点灯方式を用い、デューティー比を２５％、光
量を５μＪ／ｃｍ２　にし、光メモリー、帯電能及び電
位シフトを測定した。

【００５０】パルス幅変調は、例えば図７のような鋸歯
状波を基準波とし、制御信号レベルとこの基準波を比較
してその大小により主除電光源のｏｎ−ｏｆｆを制御す
るものである。本実施例において、上記基準波は４ＫＨ
Ｚ　のものを用いた。

【００５１】ここで、光メモリー、帯電能及び電位シフ
トは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した。

【００５２】その結果を表１に示す。光メモリーが良い
条件で帯電能向上・電位シフト低減が可能になった。

【００５３】

【表１】

【００５４】比較例−１ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６とし
て波長ピークが５６５ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除
電光源１０６の点灯は図８に示す直流点灯方式を用い、
光量を５μＪ／ｃｍ２　にして光メモリー、帯電能及び
電位シフトを測定した。

【００５５】ここで、光メモリー、帯電能及び電位シフ
トは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した。

【００５６】その結果を表１に示す。光メモリーは実施
例１と同等であったが、帯電能・電位シフトは従来どお
りであった。

【００５７】実施例−２ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６とし
て波長ピークが６１０ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除
電光源１０６の点灯は図６に示すようなパルス幅変調点
灯方式を用い、デューティー比を２５％、光量を５μＪ
／ｃｍ２　にし、光メモリー、帯電能及び電位シフトを
測定した。

【００５８】本実施例において、上記基準波は４ＫＨＺ
　のものを用いた。又、光メモリー、帯電能及び電位シ
フトは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した
。

【００５９】その結果を表１に示す。光メモリーが良い
条件で帯電能向上・電位シフト低減が可能になった。

【００６０】比較例−２ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６とし
て波長ピークが６１０ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除
電光源１０６の点灯は図８に示す直流点灯方式を用い、
光量を５μＪ／ｃｍ２　にして光メモリー、帯電能及び
電位シフトを測定した。

【００６１】ここで、光メモリー、帯電能及び電位シフ
トは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した。

【００６２】その結果を表１に示す。光メモリーは実施
例２と同等であったが、帯電能・電位シフトは従来どお
りであった。

【００６３】実施例−３ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６とし
て波長ピークが５６５ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除
電光源１０６の点灯は図６に示すようなパルス幅変調点
灯方式を用い、デューティー比を５０％、光量を５μＪ
／ｃｍ２　にし、光メモリー、帯電能及び電位シフトを
測定した。

【００６４】本実施例において、上記基準波は４ＫＨＺ
　のものを用いた。又、光メモリー、帯電能及び電位シ
フトは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した
。

【００６５】その結果を表１に示す。光メモリーが良い
条件で帯電能向上・電位シフト低減が可能になった。

【００６６】実施例−４ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１を
３８０ｍｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６とし
て波長ピークが５６５ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除
電光源１０６の点灯は図６に示すようなパルス幅変調点
灯方式を用い、デューティー比を２５％、光量を３μＪ
／ｃｍ２　にし、光メモリー、帯電能及び電位シフトを
測定した。

【００６７】本実施例において、上記基準波は４ＫＨＺ
　のものを用いた。又、光メモリー、帯電能及び電位シ
フトは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した
。

【００６８】その結果を表１に示す。光メモリーが良い
条件で帯電能向上・電位シフト低減が可能になった。

【００６９】上記表１をパラメーター毎に分割して検討
すると、次のことが理解される。

【００７０】つまり、表２は、デューティー依存性を抽
出した表であるが、表２から、波長及び光量が一定の下
では、デューティーを減少させたほうが、帯電能・電位
シフトが良くなることが分かる。同時に、光メモリーは
デューティーに依存しないことも理解される。

【００７１】次に、表３は、波長依存性を抽出した表で
ある。これにより、光量・デューティーが一定の下では
、波長を短くしたほうが、帯電能・電位シフトが良くな
り、光メモリーは悪くなることが分かる。

【００７２】最後に、表４は、光量依存性を抽出した表
である。これにより、波長・デューティーが一定の下で
は、光量は少ないほうが、光メモリーは悪くなるが、帯
電能・電位シフトはあまり影響を受けないことが分かる
。

【００７３】

【表２】

【００７４】

【表３】

【００７５】

【表４】

【００７６】実施例−５ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１と
して銅フタロシアニン系ＯＰＣ感光体を用い、２７０ｍ
ｍ／ｓｅｃで回転させ、主除電光源１０６として波長ピ
ークが５６５ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除電光源１
０６の点灯は図６に示すようなパルス幅変調点灯方式を
用い、デューティー比を５０％、光量を５μＪ／ｃｍ２
　にし、光メモリー、帯電能及び電位シフトを測定した
。

【００７７】本実施例において、上記基準波は４ＫＨＺ
　のものを用いた。又、光メモリー、帯電能及び電位シ
フトは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した
。

【００７８】その結果、光メモリーが良い条件で帯電能
向上・電位シフト低減が可能になった。

【００７９】実施例−６ 図１に示すような電子写真装置を用い、感光体１０１と
してＳｅ−Ｔｅ系感光体を用い、２７０ｍｍ／ｓｅｃで
回転させ、主除電光源１０６として波長ピークが５５５
ｎｍのＬＥＤを用いた。又、主除電光源１０６の点灯は
図６に示すようなパルス幅変調点灯方式を用い、デュー
ティー比を５０％、光量を５μＪ／ｃｍ２　にし、光メ
モリー、帯電能及び電位シフトを測定した。

【００８０】本実施例において、上記基準波は４ＫＨＺ
　のものを用いた。又、光メモリー、帯電能及び電位シ
フトは、先に説明した実験例−１と同様にして測定した
。

【００８１】その結果、光メモリーが良い条件で帯電能
向上・電位シフト低減が可能になった。

【００８２】

【発明の効果】以上詳しく説明した如く、本発明の電子
写真装置は、主除電光源の点灯方式をパルス幅変調（Ｐ
ＷＭ）にし高輝度でパルス露光する構成とされるので、
ゴースト消去に不可欠な主除電光の光メモリー消去能力
を最大限に引き出し、且つ帯電能低下及び電位シフトを
最小限に抑え、トータル性能に優れ、高品質の画像を得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用することのできる電子写真装置の
一実施例の断面図である。

【図２】光メモリー、帯電能及び電位シフトの主除電光
波長依存性のグラフである。

【図３】光メモリー、帯電能及び電位シフトの主除電光
光量依存性のグラフである。

【図４】光メモリー、帯電能及び電位シフトの主除電光
デューティー比依存性のグラフである。

【図５】主除電デューティー比の概念図である。

【図６】本発明に従った主除電光源点灯方式を示す回路
図である。

【図７】パルス幅変調（ＰＷＭ）の概念図である。

【図８】従来の主除電光源点灯方式を示す回路図である
。

【図９】光メモリー、帯電能及び電位シフトの主除電光
デューティー比が２５％及び１００％の場合の比を基準
波の周波数に対してプロットしたグラフである。

【符号の説明】

１０１　　　　　　　　アモルファスシリコン系感光体
１０２　　　　　　　　主帯電器 １０３　　　　　　　　潜像形成部位 １０４　　　　　　　　現像器 １０５　　　　　　　　クリーナー １０６　　　　　　　　主除電光源

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　電子写真感光体を除電光源により除電
   した後、該電子写真感光体に潜像を形成して画像を得る
   電子写真装置において、前記除電光源の点灯方式がパル
   ス幅変調であることを特徴とする電子写真装置。
2. 【請求項２】　　前記パルス幅変調に用いる基準波の周
   波数が１０ＫＨＺ　以下であり、且つ前記電子写真感光
   体の移動速度（ｍｍ／ｓｅｃ）を前記基準波の周波数（
   ／ｓｅｃ）で除した値が１ｍｍ以下であることを特徴と
   する請求項１の電子写真装置。
3. 【請求項３】　　前記電子写真感光体がアモルファスシ
   リコンを含む感光体であることを特徴とする請求項１又
   は請求項２の電子写真装置。