JPS58200273A - 電子写真装置 - Google Patents

電子写真装置

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JPS58200273A
JPS58200273A JP57083623A JP8362382A JPS58200273A JP S58200273 A JPS58200273 A JP S58200273A JP 57083623 A JP57083623 A JP 57083623A JP 8362382 A JP8362382 A JP 8362382A JP S58200273 A JPS58200273 A JP S58200273A
Authority
JP
Japan
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photoreceptor
charger
light source
developing device
photosensitive layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP57083623A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiyuki Iijima
飯島 俊幸
Hideki Kino
喜納 秀樹
Masaharu Nanba
難波 正治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Priority to US06/494,268 priority patent/US4623243A/en
Priority to DE19833318126 priority patent/DE3318126A1/de
Publication of JPS58200273A publication Critical patent/JPS58200273A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/06Eliminating residual charges from a reusable imaging member

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光導電材料として非晶質シリコン(以下a−8
i:Hと記す)を用いた感光体を備えた電子写真装置に
関する。
電子写真用感光体に用いられる光導電材料としては、従
来酸化亜鉛(ZrO)、傭化カドミウム(Odd)、P
VK等の有機半導体および非晶質セレン(a−8e)あ
るいはa−8eを主体としたセレン・テルル合金、セレ
ン・砒素合金などが知られている。これらの各材料は感
光体としてそれぞれ利点を有するものの、必ずしも感光
体に要求される各性能を十分に満足してはいない。特I
こ最近の複写機あるいはプリンタの高速化に伴い、耐刷
性のすぐれた感光体が要求される。これに対してa−8
t:Hは機械的性質が良好で、耐刷性がすぐれているの
でこの要求ζこ応じるばかりでなく、結晶化温度がa−
8eなどより高いので耐熱性にもすぐれ、さらに環境汚
染に対する影響も少ない事などから注目を集め、電子写
真用感光層材料としての利用開発が活発に進められてい
る。しかしながら発明者等の研究によれば、a−8i:
)I系感光層の帯電性能は、使用する照射光により大き
く変動する事が見出された。すなわち照射光ζこよって
は繰返し使用の際の光疲労が大きく、帯電性能が劣化し
て画像品質が低下する欠点を有している。この光疲労は
、光照射により発生するキャリアの一部が感光層中に残
留する結果もたらされると説明される。すなわち、感光
層表面に照射された光は、反射される部分を除いて感光
層の内部に浸入し、1吸収される。この光によって発生
するキャリアの一部は再結合などによって消滅するが、
一部は捕獲中心に捕獲されて感光層中に残留し、引き続
く帯電過程ζこおける電場印加により捕獲中心からのキ
ャリア放出が促進され、帯電位の低下をもたらす。しか
しながらこの間捕獲さたキャリアは捕獲中心に固定され
るものでなく、熱励起などにより放出され、捕獲キャリ
アは減少する。従って、光照射によりもたらされる帯電
位の低下量は光照射後、特に像露光よりも強い光を照射
する除電光照射後の時間に依存し、その時間を増す事に
より原理的には帯電位の低下は改善される。
第1図はこのことを確かめるための実験装置を示し、a
−8i:H感光層を有し回転できる感光体1の周囲に除
電光源2、帯電器3、表面帯電位測定用プローブ4が順
に配置されでいる。この装置において、除電光源2より
光を照射した場合と照射しない場合との、帯電器3によ
る帯電後プローブ41こより測定される帯電位1の差と
もって帯電低下量とし、除電光源2と帯電′−にの相対
的位置、すなわち角度Aを変えて帯電低下量の経過時間
依存性を評価した。除電光は28500にの白色光を用
い、除電光を照射しない場合の帯電位は450Vである
。第2図は測定結果を示し、帯電低下量は光照射後の経
過時間に対しほぼ指数関係で表わされる依存性を示す。
経過時間を長くとる程疲労は減少し、3秒以上、特に5
秒以上では帯電低下量が十分小さい事が認められる。し
かしながら光除電から帯電器までの間にそのような長い
時間を経過させることは、実際の電子写真装置の複写プ
ロセスには採用できない。
本発明はこれに対し、実際の装置で容易に実施できる方
法番こよりa−8i:H感光層の光疲労を低減した電子
写真装置を提供することを目的とする。
この目的は電子写真装置の繰返し使用のためクリーニン
グ装置の前に置かれる除電手段が、潜像形成のために感
光層表面に帯電させる電荷と逆極性のコロナ帯電器と照
射光源とからなることによって達成される。・ 本発明は、感光層表面に例えば正の゛電荷が付与   
“される電子写真用感光体に対する除電過程として、適
当な大きさの負のコロナ帯電と光照射とを組み合せた場
合、感光体帝岨圧の疲労が大幅をこ低減できるとの知見
に基づく。
以下図を引用して本発明の実施例1こついて説明する。
第3図(こ示す電子写真装置においては、a−8t :
 ’H感光層を有する感光体1の周囲に、帯電器3、像
露光系5、現像器6、転写器7、紙分離器8、除電器9
、クリーニング器lOが順次配置され、感光体1の回転
により繰返し画像形成が行なわれる。帯電器3は感光体
lの感光層表面に電荷を付与するために用いられ、コロ
ナ放電器が常用される。像露光系5に用いられる光源と
しては、タングステンランプ、)−ロゲンランプ等の白
色光源、螢光灯あるいはHe −Neレーザ、半導体レ
ーザ光源、発光ダイオードなど公知のものが使用可能で
ある。現像器6としては一成分系現像)二成分現像のい
ずれも適用でき、紙分離器8も図示の又流放電器に限ら
ずつめ分離器でもよい。またクリーニング機構10とし
てはブレードクリーニング器、ファーブラシ等が使用で
き、才だ独立したクリーニング器を設置しないで現像器
を使用するク 5− リーニング手法などの公知の技術も適用できる。
本発明にかかわる除電器9は感光体表面に残存する電荷
を取り除く事を目的ζして設置され、光源11と帯電器
3による帯電と逆極性の帯電のための直流コロナ帯電器
12と組合せたものである。
しかし特に一体化する必要はなく、紙分離器8とクリー
ニング器10の間に別々に配置してもよい。
除電光源11としては、タングステンランプ、ノ10ゲ
ンランプ等の白色光源、螢光灯、エレクトロルミネセン
トランプ等が使用でき、除電光波長を選択してより光疲
労の低限をはかることも可能である。除電光波長の選択
あるいは照射光量の調節のためフィルタを付加すること
もある。
第4図は本発明の効果を知るための実験装置で、a−8
i:H感光体1の周囲に正帯電器3、負帯電器12、除
電光源11を配置し、光疲労の度合は電位測定用プロー
ブ4の位置lこおける表面電位で測定した。除電光源1
1には色温度2900°にの白色光源を用い、照射光量
を半減衰露光量(感光層表面電位を半減し得る光量)の
10倍に設定し、 6− 感光体1を回転数19 R,PMで回転した。第1表は
その実験結果であって、負帯電器12にょる除電の大き
さは正帯電器3により感光体に流れるドラム電流に対す
る負除篭時のドラム電流の比で示呟帯電位変化は200
回の繰返しにおける初期電位(400V )と200回
目の電位との差で示す。
第1表 この表より明らかなように、直流逆極性除電を光除電に
重畳することζこより、光除電のみ、の場合lこ比し光
疲労の著しい向上が得られた。
第5図により実際の電子写真装置に近い実験装置で、正
帯電器3より45°の位置に露光光源5.90°の位置
にプローブ4を配置し、第4図と同様に負帯電器12、
除電光源11.も配置した。この装置を用いて光源5(
こよる光照射を25サイクルのオン、25サイクルのオ
フを繰り返しながら表面電位を測定すると、繰返しによ
る表面電位の変化は、照射光オフの場合の測定において
、光除電のみの場合には135VMこ達するに対し、電
流比1以下で負除電を重畳した場合に40V以下に抑え
ることができた。−力負除電のみの場合、照射光のオン
からオフ、オフからオンへのきりかえの後数サイクルの
間変動が大きく、実用的でない。
さらに除電光として600 mmより短波長の光を用9
)れば帯電位変動は実質的に零とすることができ゛る。
以上述べたように、本発明は耐刷性、耐熱性のすぐれた
a−8i:H感光体の欠点である光疲労を、感光体帯電
極性と逆極性の直流除電と光除電との組合せlこより低
減するもので、実際の電子写真装置に容易に実施可能で
あり、a−8i:H感光体の実用化lこ対して極めて大
きな効果を与えるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はa−8i:H感光体の光疲労に対する実験装置
の配置図、第2図は第1図の装置illこよって得られ
た帯電低下量と光除電後の経過時間との関係線図、第3
図は本発明の一実施例の配置図、第4図は本発明の効果
を知るための一つの実験装置の配置図、第5図は別の実
験装置の配置図である。 1:a−8i:H感光体、3:帯電器(正)、9:除電
器、11:除電光源、12:除電用直流帯電器(賃)。 9− 71図 低置vr[1(す) ?2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)光導電材料として非晶質シリコンを用いた感光体を
    備えるものlこおいて、クリーニング装置の層表面に帯
    電させる電荷と逆極性のコhす帯電器と照射光源とから
    なることを特徴とする電子写真装置。
JP57083623A 1982-05-18 1982-05-18 電子写真装置 Pending JPS58200273A (ja)

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JP57083623A JPS58200273A (ja) 1982-05-18 1982-05-18 電子写真装置
US06/494,268 US4623243A (en) 1982-05-18 1983-05-13 Apparatus for improving the performance of non-crystalline silicon photosensitive material in an electronic copier
DE19833318126 DE3318126A1 (de) 1982-05-18 1983-05-18 Vorrichtung zum verbessern der eigenschaften des fotosensitiven, nichtkristallinen materials in einem elektrostatischen kopierer

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DE3318126A1 (de) 1983-11-24
US4623243A (en) 1986-11-18

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