JPH04326556A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
、特にダイパッドの裏面に、周縁にインナーリードを有
する電源プレーンを絶縁フィルムを介して接続し、該電
源プレーン上に半導体チップを接着し、該半導体チップ
の一方の極性の電源電極と上記インナーリードとの間を
ワイヤを介して接続し、電源の上記一方の極性の電位を
外部から上記電源プレーンを介して半導体チップに与え
るようにした樹脂封止型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、半導体
チップが電極パッドを一対有し、そして、一対の電源用
インナーリードとその一対の電極パッドとがワイヤを介
して接続されている構造を有しているのが普通であった
。しかし、半導体チップが大型化し、素子数が増加する
傾向にあり、それに伴って半導体チップの信号用電極パ
ッドの数が増えつつある。そのため、電源供給用電極パ
ッドの数も増やす必要が生じている。即ち、電源供給用
電極パッドが複数対必要である。さもないと、大型化し
た半導体チップのどの部分にも安定した電源電圧を供給
するようにすることが難しいからである。ところで、従
来においては電源供給用電極パッドの数を増やすとその
電源供給用電極パッドに電源電圧を供給するための電源
用外部端子リードの数も増やさざるを得なかった。

【０００３】ところが、上述したように半導体チップの
大型化、素子数増大化に伴って半導体チップの信号用電
極パッドの数が増大し、更に電源供給用電極パッドの数
も増やすと、必然的に外部端子リード（インナーリード
とアウターリードが一体になったリード）の数が非常に
多くなる。そして、外部端子リードが多くなると、外部
端子リードが占有する面積が広くなり、その分樹脂封止
型半導体装置の大きさが大きくなる。換言すれば、外部
端子リードの樹脂封止型半導体装置に占める面積が広く
なり、樹脂封止型半導体装置の実装密度の向上が阻まれ
てしまう。また、外部端子リードの数が多くなるに従っ
てボンディングワイヤの長さが長くなり、インピーダン
ス成分（主として抵抗、従としてインダクタンス）が大
きくなり、性能の向上を阻害する要因となる。また、外
部端子リードが多いと電源供給用電極パッドの位置や外
部端子リードの位置に制約が多くなり、耐ノイズ性、高
速性の向上を図ることも難しくなり、クロックスキュー
の問題も生じてくる。そして、外部端子リード数が多い
ことは、回路基板に樹脂封止型半導体装置を実装するた
めの半田付けの不良率を高くする要因ともなる。

【０００４】そこで、このような問題点を解決すべく、
電源用外部端子リードを増やすことなく半導体チップの
電源供給用電極パッドを増加し、半導体チップの各部に
安定に電源電圧を供給できるようにするという要請に応
えることを目的として、ダイパッドの裏面に、周縁にイ
ンナーリードを有する電源プレーンを絶縁フィルムを介
して接続し、該電源プレーン上に半導体チップを接着し
、該半導体チップの一方の極性の電源電極と上記インナ
ーリードとの間をワイヤを介して接続し、電源の上記一
方の極性の電位を外部から上記電源プレーンを介して半
導体チップに与えるようにした樹脂封止型半導体装置が
本願発明者によって開発された。このような樹脂封止型
半導体装置によれば、電源プレーンを例えば接地側の電
極に用いることとすれば、半導体チップの多数の接地電
極への接地電位の付与は直接的には接地用インナーリー
ドによって行うことができ、接地用外部端子リードの数
を増やさなくても多数の接地電極へ接地電位を付与でき
るのである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
樹脂封止型半導体装置には高集積化が進むに伴って放熱
性を高くすることが強く要求される。

【０００６】本発明はかかる要求に応えるべく為された
もので、ダイパッドの裏面に、周縁にインナーリードを
有する電源プレーンを絶縁フィルムを介して接続し、該
電源プレーン上に半導体チップを接着し、該半導体チッ
プの一方の極性の電源電極と上記インナーリードとの間
をワイヤを介して接続し、電源の上記一方の極性の電位
を外部から上記電源プレーンを介して半導体チップに与
えるようにした樹脂封止型半導体装置の放熱性を高くす
ることを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明樹脂封止型半導体
装置は、上記樹脂封止型半導体装置においてダイパッド
の反半導体チップ側の面を外部に露出させてなることを
特徴とする。

【０００８】

【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置を図示実
施例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）、（Ｂ）は本
発明樹脂封止型半導体装置の一つの実施例を示すもので
、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はワイヤボンディング部を示
す平面図であり、図２（Ａ）、（Ｂ）は図１（Ａ）、（
Ｂ）に示す樹脂封止型半導体装置の製造に用いるリード
フレームを示すもので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は分解
斜視図である。

【０００９】図面において、１はリードフレーム、２は
該リードフレーム１のダイパッド、３は該ダイパッド２
を吊るダイパッド吊りリード、４、４、…はリードフレ
ーム１の一部を成すインナーリードで、アウターリード
５、５、…と一体を成している。即ち、４、４、…はア
ウターリード５、５、…により外部へ電気的に導出され
るインナーリード（普通のインナーリード）である。

【００１０】そのインナーリード４、４、…のうち、４
ｓはＶＳＳ用インナーリード、４ｄはＶＤＤ用インナー
リード、そして、ＶＳＳ用インナーリード４ｓ、ＶＤＤ
用インナーリード４ｄ以外のインナーリード４、４、…
は信号用インナーリードである。７は上記ダイパッド２
の表面に絶縁フィルム８を介して積層された−側導電性
プレーンで、その周縁にはＶＳＳ用インナーリード９、
９、…が形成されている。尚、上記ダイパッド２は電気
的には中立である。

【００１１】１０は−側導電性プレーン７表面に例えば
銀エポキシペーストにより加熱処理により接着された半
導体チップ、１１、１１、…は該半導体チップ１０の表
面に形成された電極パッドであり、そのうち１１ｓ、１
１ｓ、…はＶＤＤ側電源供給用電極パッド、１１ｄ、１
１ｄ、…はＶＳＳ側電源供給用電極パッド、それ以外の
電極パッド１１、１１、…は信号用電極パッドである。 １２、１２、…はインナーリードと電極パッドとの間あ
るいは電源用インナーリード間を接続するワイヤ、１３
は封止樹脂である。封止樹脂１３はその裏面がダイパッ
ド２の裏面と略同一平面上に位置するようにされ、ダイ
パッド２の裏面が外部に露出せしめられている。

【００１２】本樹脂封止型半導体装置は、リードフレー
ム１としてダイパッド２の表面に、周縁にＶＳＳ用イン
ナーリード９、９、…を形成した導電性プレーン７を絶
縁フィルム８を介して積層したものを用い、そして、半
導体チップ１０の電源供給用電極パッド１１ｓ、１１ｓ
、…、１１ｄ、１１ｄ、…には電源供給用外部端子リー
ドのアウターリード、インナーリード、導電性プレーン
７及び電源用インナーリード７、７、…を介して電源電
圧が印加されるようになっている。このように、本樹脂
封止型半導体装置によれば、封止樹脂１３の裏面がダイ
パッド２の反半導体チップ側の面と略同一平面上に位置
されて、ダイパッド２の裏面が外部に露出せしめられて
いるので、半導体チップ１で発生した熱の多くがダイパ
ッド２から放散され、放熱性がきわめて高くなる。そし
て、封止樹脂１３の裏面がダイパッド２の反半導体チッ
プ側の面と略同一平面上に位置されている［即ち、面一
（ツライチ）にされている］ので、樹脂１３からなるパ
ッケージの薄型化を図ることができる。また、導電性プ
レート７がアースされているので半導体チップ１０に対
する静電シールド効果を有し、従って、耐ノイズ性が高
くなる。そして、接地用インナーリードを半導体チップ
近傍に自由度をもって多数配置できる。従って、入出力
信号が同時に多数回オン、オフしても電源電圧のバラン
スが小さくなり、その点でも耐ノイズ性が高くなる。 尚、図３（Ａ）、（Ｂ）は本樹脂封止型半導体装置の一
つの使用例を示し、本使用例は装置を上下逆さにして使
用するものである。本使用例によれば、ダイパッド２が
チップ１０への光（寄生フォトトランジスタや寄生フォ
トダイオードに侵入して光電流を生ぜしめる原因となり
好ましくない）や電磁ノイズの侵入を阻むことができる
という効果がある。

【００１３】

【発明の効果】本発明樹脂封止型半導体装置は、ダイパ
ッドの裏面に、周縁にインナーリードを有する電源プレ
ーンを絶縁フィルムを介して接続し、該電源プレーン上
に半導体チップを接着し、該半導体チップの一方の極性
の電源電極と上記インナーリードとの間をワイヤを介し
て接続し、電源の上記一方の極性の電位を外部から上記
電源プレーンを介して半導体チップに与えるようにした
樹脂封止型半導体装置であって、上記ダイパッドの反半
導体チップ側の面を外部に露出させてなることを特徴と
するものである。従って、本発明樹脂封止型半導体装置
によれば、ダイパッドの裏面が外部に露出せしめられて
いるので、半導体チップで発生した熱の多くがダイパッ
ドから放散され、放熱性がきわめて高くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）
はワイヤボンディング部を示す拡大平面図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示す樹脂封止型半導体
装置の製造に用いるリードフレームを示し、（Ａ）は断
面図、（Ｂ）は分解斜視図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示す樹脂封止型半導体
装置の一つの使用例を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は
断面図である。

【符号の説明】

２　　ダイパッド ７　　導電性プレーン ８　　絶縁フィルム ９　　導電性プレーンのインナーリード１０　　半導体
チップ １１　　電極パッド １３　　封止樹脂

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ダイパッドの裏面に、周縁にインナー
   リードを有する電源プレーンを絶縁フィルムを介して接
   続し、該電源プレーン上に半導体チップを接着し、該半
   導体チップの一方の極性の電源電極と上記インナーリー
   ドとの間をワイヤを介して接続し、電源の上記一方の極
   性の電位を外部から上記電源プレーンを介して半導体チ
   ップに与えるようにした樹脂封止型半導体装置であって
   、上記ダイパッドの反半導体チップ側の面を外部に露出
   させてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置