JPH0432616Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0432616Y2 JPH0432616Y2 JP1984026576U JP2657684U JPH0432616Y2 JP H0432616 Y2 JPH0432616 Y2 JP H0432616Y2 JP 1984026576 U JP1984026576 U JP 1984026576U JP 2657684 U JP2657684 U JP 2657684U JP H0432616 Y2 JPH0432616 Y2 JP H0432616Y2
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- Japan
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- coaxial cable
- probe card
- insulating ring
- integrated circuit
- probe
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- Expired
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Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、半導体ウエハに形成された多数の集
積回路の電気的特性を測定するために使用される
プローブカードに関する。
積回路の電気的特性を測定するために使用される
プローブカードに関する。
(ロ) 従来技術
一般に半導体ウエハに形成された多数の集積回
路の電気的特性をそれぞれ測定する場合、集積回
路の1単位に相当する半導体ウエハ面上の1個の
ます目、即ちチツプ内の電極に対応して配置され
る探針を有するプローブカードが用いられてい
る。例えば、第1図に示すように、プリント配線
基板1には中央に開口部2が開設されると共に、
開口部2の裏面側には嵌合部3が形成され、この
嵌合部3に絶縁リング4が嵌着されている。そし
て、絶縁リング4の傾斜面には複数本の探針5が
放射状に配置されて、絶縁性合成樹脂6にて固着
されている。さらに、プリント配線基板1の表裏
面には、絶縁リング4近傍から外方向にプリント
配線7が放射状に配設され、かつこのプリント配
線7の絶縁リング4側の一端に前記探針5が半田
付けにて接続されて、プローブカードが構成され
ている。なお、図例では表面側に配設されたプリ
ント配線7は省略した。
路の電気的特性をそれぞれ測定する場合、集積回
路の1単位に相当する半導体ウエハ面上の1個の
ます目、即ちチツプ内の電極に対応して配置され
る探針を有するプローブカードが用いられてい
る。例えば、第1図に示すように、プリント配線
基板1には中央に開口部2が開設されると共に、
開口部2の裏面側には嵌合部3が形成され、この
嵌合部3に絶縁リング4が嵌着されている。そし
て、絶縁リング4の傾斜面には複数本の探針5が
放射状に配置されて、絶縁性合成樹脂6にて固着
されている。さらに、プリント配線基板1の表裏
面には、絶縁リング4近傍から外方向にプリント
配線7が放射状に配設され、かつこのプリント配
線7の絶縁リング4側の一端に前記探針5が半田
付けにて接続されて、プローブカードが構成され
ている。なお、図例では表面側に配設されたプリ
ント配線7は省略した。
そして、図外のプローバと呼ばれる測定装置に
このプローブカードを接続し、前記探針5を半導
体チツプの所定電極上に接触させた状態で測定に
供せられる。
このプローブカードを接続し、前記探針5を半導
体チツプの所定電極上に接触させた状態で測定に
供せられる。
ところが、このプローブカードを使用して、高
速動作例えば10-9sec程度の高速動作をなす半導
体装置を測定する場合は、各探針5に接続された
配線長さが相違する場合、その寸法差に起因して
信号伝達の時間差を生じるため測定値の信頼性が
低下するという問題があつた。また、プリント配
線7と探針5との接続は絶縁リング4側のプリン
ト配線基板1裏面側で行われるため、長寸法の探
針5を必要とし、その結果雑音誘導が大きくなつ
て測定値の信頼性が低下するという問題があつ
た。
速動作例えば10-9sec程度の高速動作をなす半導
体装置を測定する場合は、各探針5に接続された
配線長さが相違する場合、その寸法差に起因して
信号伝達の時間差を生じるため測定値の信頼性が
低下するという問題があつた。また、プリント配
線7と探針5との接続は絶縁リング4側のプリン
ト配線基板1裏面側で行われるため、長寸法の探
針5を必要とし、その結果雑音誘導が大きくなつ
て測定値の信頼性が低下するという問題があつ
た。
(ハ) 目的
本考案はこのような問題点を解決し、高速動作
をなす半導体装置であつても信頼性の高い高周波
特性の測定が行い得るプローブカードを提供する
ことを目的とする。
をなす半導体装置であつても信頼性の高い高周波
特性の測定が行い得るプローブカードを提供する
ことを目的とする。
(ニ) 構成
本願考案は、集積回路と測定装置とを電気的に
接続する複数本の同軸ケーブルと、この同軸ケー
ブルが内部の空間に挿通される略平箱状のプロー
ブカード本体と、このプローブカード本体の中央
開口部で、かつ集積回路に近い側に取り付けられ
た絶縁リングと、この絶縁リングの傾斜面に放射
状に配設され、かつ前記同軸ケーブルに接続され
た略等しい長さの複数本の探針と、前記空間に充
填される絶縁性充填材とを具備しており、前記同
軸ケーブルはその先端が絶縁性リングの近傍に所
定の間隔を有して穿設された孔部を通つて集積回
路に近い側に導出され、かつその後端は同軸ケー
ブル用のコネクタに接続されたことを特徴として
いる。
接続する複数本の同軸ケーブルと、この同軸ケー
ブルが内部の空間に挿通される略平箱状のプロー
ブカード本体と、このプローブカード本体の中央
開口部で、かつ集積回路に近い側に取り付けられ
た絶縁リングと、この絶縁リングの傾斜面に放射
状に配設され、かつ前記同軸ケーブルに接続され
た略等しい長さの複数本の探針と、前記空間に充
填される絶縁性充填材とを具備しており、前記同
軸ケーブルはその先端が絶縁性リングの近傍に所
定の間隔を有して穿設された孔部を通つて集積回
路に近い側に導出され、かつその後端は同軸ケー
ブル用のコネクタに接続されたことを特徴として
いる。
(ホ) 実施例
第2図は本考案に係るプローブカードの一実施
例を示す要部断面側面図である。
例を示す要部断面側面図である。
同図において、10は内部が中空になつたドー
ナツ状又は角形の略平箱状のプローブカード本体
であり、その中央には開口部11が開設されてい
る。また、開口11を取り囲むように所定の間隔
を有して複数の孔部15が開設されている。
ナツ状又は角形の略平箱状のプローブカード本体
であり、その中央には開口部11が開設されてい
る。また、開口11を取り囲むように所定の間隔
を有して複数の孔部15が開設されている。
プローブカード本体10の集積回路に近い側の
前記開口部11の周辺には嵌合部14が設けら
れ、当該嵌合部14には絶縁リング12が嵌着さ
れている。従つて、当該絶縁リング12は、前記
孔部15が開設された円周の内側に設けられるこ
とになる。かかる絶縁リング12は、セラミツク
スや表面をアルマイト仕上げしたアルミニウム等
の材質で形成され、下面は傾斜面13となつてい
る。
前記開口部11の周辺には嵌合部14が設けら
れ、当該嵌合部14には絶縁リング12が嵌着さ
れている。従つて、当該絶縁リング12は、前記
孔部15が開設された円周の内側に設けられるこ
とになる。かかる絶縁リング12は、セラミツク
スや表面をアルマイト仕上げしたアルミニウム等
の材質で形成され、下面は傾斜面13となつてい
る。
複数本の探針16は、前記傾斜面13に放射状
に配置される。かかる探針16は、タングステン
やリン青銅等の材質にて形成され、それぞれ略等
しい長さに設定されている。
に配置される。かかる探針16は、タングステン
やリン青銅等の材質にて形成され、それぞれ略等
しい長さに設定されている。
また、複数本の同軸ケーブル17は、例えば、
同等からなる芯線18と、この芯線18を被覆す
る四ふつ化エチレン樹脂(商品名 テフロン)ま
たはポリエチレン等を材質とした絶縁層19を被
覆したシールド層20と、シールド層20を被覆
するポリエチレン樹脂からなる外被層21とから
重層形成される。
同等からなる芯線18と、この芯線18を被覆す
る四ふつ化エチレン樹脂(商品名 テフロン)ま
たはポリエチレン等を材質とした絶縁層19を被
覆したシールド層20と、シールド層20を被覆
するポリエチレン樹脂からなる外被層21とから
重層形成される。
そして、芯線18が露呈された同軸ケーブル1
7の先端側は、前記プローブカード本体10の内
部空間から孔部15を通つて集積回路に近い側に
導出され、前記探針16と芯線18とは半田付け
で接続される。しかも、探針16等は、エポキシ
樹脂樹脂等の絶縁性合成樹脂24によつて前記傾
斜面13に固着される。かかる同軸ケーブル17
も略等しい長さに設定される。
7の先端側は、前記プローブカード本体10の内
部空間から孔部15を通つて集積回路に近い側に
導出され、前記探針16と芯線18とは半田付け
で接続される。しかも、探針16等は、エポキシ
樹脂樹脂等の絶縁性合成樹脂24によつて前記傾
斜面13に固着される。かかる同軸ケーブル17
も略等しい長さに設定される。
一方、同軸ケーブル17の後端部には、コネク
タ23が設けられ、当該コネクタ23を介して図
外の測定装置に接続される。
タ23が設けられ、当該コネクタ23を介して図
外の測定装置に接続される。
ここで、同軸ケーブル17の略等しい長さと
は、測定信号の周波数に対応して変わるもので、
核探針16に接続される同軸ケーブル17を伝送
する信号遅れが、測定精度上問題とならない範囲
の寸法差を含むものとし、例えば測定信号の周期
が10-9secの場合、その寸法差は5cmが好ましい。
は、測定信号の周波数に対応して変わるもので、
核探針16に接続される同軸ケーブル17を伝送
する信号遅れが、測定精度上問題とならない範囲
の寸法差を含むものとし、例えば測定信号の周期
が10-9secの場合、その寸法差は5cmが好ましい。
さらに、同軸ケーブル17が挿通されるプロー
ブカード本体10の内部空間には、シリコンゴム
或いはエポキシ樹脂等の常温又は加熱硬化型の絶
縁性充填材30が充填される。なお、図面中22
はリング状の固定部材であつて、絶縁性充填材3
0の充填前に同軸ケーブル17をプローブカード
本体10の空間内部に固定するものである。
ブカード本体10の内部空間には、シリコンゴム
或いはエポキシ樹脂等の常温又は加熱硬化型の絶
縁性充填材30が充填される。なお、図面中22
はリング状の固定部材であつて、絶縁性充填材3
0の充填前に同軸ケーブル17をプローブカード
本体10の空間内部に固定するものである。
(ヘ) 効果
本考案は以上詳述した構成にて所期の目的を有
効に達成した。特に、同軸ケーブルの配線長さを
略等しい長さに設定したから、信号の位相遅れが
発生せず測定値の信頼性の向上を図ることが可能
となる。また、同軸ケーブルと探針との接続を絶
縁リングの傾斜面上で行つたから、従来のような
長寸法の探針が不要となり、その結果雑音誘導が
小さくなつて測定値の高信頼性が確保される。従
つて、高速動作をなす半導体装置であつても信頼
性の高い高周波特性の測定が行い得るプローブカ
ードを提供することが可能となる。
効に達成した。特に、同軸ケーブルの配線長さを
略等しい長さに設定したから、信号の位相遅れが
発生せず測定値の信頼性の向上を図ることが可能
となる。また、同軸ケーブルと探針との接続を絶
縁リングの傾斜面上で行つたから、従来のような
長寸法の探針が不要となり、その結果雑音誘導が
小さくなつて測定値の高信頼性が確保される。従
つて、高速動作をなす半導体装置であつても信頼
性の高い高周波特性の測定が行い得るプローブカ
ードを提供することが可能となる。
しかも、プローブカード本体の内部空間に絶縁
性充填材を充填したから、同軸ケーブルが不意に
動くことはない。従つて、測定中に外力によつて
同軸ケーブルが動かされ、探針と集積回路の電極
との接触圧が変化し、測定結果に悪影響を及ぼす
ことがない。また、同軸ケーブルは、プローブカ
ード本体の内部に収容されているので、外観上す
つきりしたプローブカードとすることができる。
性充填材を充填したから、同軸ケーブルが不意に
動くことはない。従つて、測定中に外力によつて
同軸ケーブルが動かされ、探針と集積回路の電極
との接触圧が変化し、測定結果に悪影響を及ぼす
ことがない。また、同軸ケーブルは、プローブカ
ード本体の内部に収容されているので、外観上す
つきりしたプローブカードとすることができる。
第1図は従来のプローブカードの一実施例を示
す断面側面図、第2図は本考案の一実施例を示す
要部断面側面図である。 10……プローブカード本体、11……中央開
口部、12……絶縁リング、13……傾斜面、1
6……探針、17……同軸ケーブル。
す断面側面図、第2図は本考案の一実施例を示す
要部断面側面図である。 10……プローブカード本体、11……中央開
口部、12……絶縁リング、13……傾斜面、1
6……探針、17……同軸ケーブル。
Claims (1)
- 集積回路と測定装置とを電気的に接続する複数
本の同軸ケーブルと、この同軸ケーブルが内部の
空間に挿通される略平箱状のプローブカード本体
と、このプローブカード本体の中央開口部で、か
つ集積回路に近い側に取り付けられた絶縁リング
と、この絶縁リングの傾斜面に放射状に配設さ
れ、かつ前記同軸ケーブルに接続された略等しい
長さの複数本の探針と、前記空間に充填される絶
縁性充填材とを具備しており、前記同軸ケーブル
はその先端が絶縁性リングの近傍に所定の間隔を
有して穿設された孔部を通つて集積回路に近い側
に導出され、かつその後端は同軸ケーブル用のコ
ネクタに接続されたことを特徴とするプローブカ
ード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2657684U JPS60139276U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2657684U JPS60139276U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プロ−ブカ−ド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60139276U JPS60139276U (ja) | 1985-09-14 |
JPH0432616Y2 true JPH0432616Y2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=30522710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2657684U Granted JPS60139276U (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60139276U (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0739231Y2 (ja) * | 1987-10-13 | 1995-09-06 | エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社 | 超高速プローブ基板 |
JP6199010B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-09-20 | エス・ブイ・プローブ・プライベート・リミテッドSv Probe Pte Ltd. | プローブカード |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5853762A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-30 | Seiichiro Sogo | テストプロ−ブ組立体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5711414Y2 (ja) * | 1978-11-13 | 1982-03-05 |
-
1984
- 1984-02-24 JP JP2657684U patent/JPS60139276U/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5853762A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-03-30 | Seiichiro Sogo | テストプロ−ブ組立体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60139276U (ja) | 1985-09-14 |
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