JPH04320028A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04320028A JPH04320028A JP8698691A JP8698691A JPH04320028A JP H04320028 A JPH04320028 A JP H04320028A JP 8698691 A JP8698691 A JP 8698691A JP 8698691 A JP8698691 A JP 8698691A JP H04320028 A JPH04320028 A JP H04320028A
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- Japan
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- photoresist
- interlayer insulating
- insulating film
- contact hole
- forming
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高集積メモリー装置等
の半導体装置の製造方法に関する。
の半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、特にメモリー装置では高集
積化の要望が高く、微細な多層電極構造が多用されてき
ており、製品の信頼性を確保するために、電極間の層間
絶縁膜の平坦化とコンタクトホール部での良好なカバレ
ージを有する配線電極が不可欠となっている。
積化の要望が高く、微細な多層電極構造が多用されてき
ており、製品の信頼性を確保するために、電極間の層間
絶縁膜の平坦化とコンタクトホール部での良好なカバレ
ージを有する配線電極が不可欠となっている。
【０００３】従来の多層電極を有する半導体装置の製造
方法の例を図２を参照して説明する。
方法の例を図２を参照して説明する。
【０００４】図２（ａ）に示すように、半導体基板１に
ゲート絶縁膜２を介してゲート電極３を形成し、不純物
のイオン注入により不純物拡散層４を形成する。次に図
２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜５を形成し、さらに
フォトレジスト膜６を塗布する。次に図２（ｃ）に示す
ように、層間絶縁膜５とフォトレジスト膜６を同じエッ
チング速度でエッチバックし、フォトレジスト膜６およ
び層間絶縁膜５の一部を除去することで層間絶縁膜５を
平坦化する。次に図２（ｄ）に示すように、第２のフォ
トレジスト膜７を塗布し、コンタクト形成用のマスク８
を介して露光する。次に図２（ｅ）に示すように、フォ
トレジスト膜７を現像し、ポストベークして残留水分を
除去し、コンタクト形成用のフォトレジストパターン９
を得る。次に図２（ｆ）に示すように、異方性のドライ
エッチングにより層間絶縁膜５にコンタクトホール１０
を形成して、アルミニウム等のスパッタリングにより配
線電極１１を形成する。
ゲート絶縁膜２を介してゲート電極３を形成し、不純物
のイオン注入により不純物拡散層４を形成する。次に図
２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜５を形成し、さらに
フォトレジスト膜６を塗布する。次に図２（ｃ）に示す
ように、層間絶縁膜５とフォトレジスト膜６を同じエッ
チング速度でエッチバックし、フォトレジスト膜６およ
び層間絶縁膜５の一部を除去することで層間絶縁膜５を
平坦化する。次に図２（ｄ）に示すように、第２のフォ
トレジスト膜７を塗布し、コンタクト形成用のマスク８
を介して露光する。次に図２（ｅ）に示すように、フォ
トレジスト膜７を現像し、ポストベークして残留水分を
除去し、コンタクト形成用のフォトレジストパターン９
を得る。次に図２（ｆ）に示すように、異方性のドライ
エッチングにより層間絶縁膜５にコンタクトホール１０
を形成して、アルミニウム等のスパッタリングにより配
線電極１１を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、層間絶縁膜に形成するコンタクトホールが
ほぼ垂直な断面形状を有するため、配線電極のカバレー
ジが悪く、保護膜の熱応力や、配線への電荷密度の増加
などによる断線不良が発生しやすいという課題を有して
いた。
の構成では、層間絶縁膜に形成するコンタクトホールが
ほぼ垂直な断面形状を有するため、配線電極のカバレー
ジが悪く、保護膜の熱応力や、配線への電荷密度の増加
などによる断線不良が発生しやすいという課題を有して
いた。
【０００６】このような課題に対し、これまでにコンタ
クトホールのフォトレジストパターン形成後、ウェット
エッチングを行い、さらにドライエッチングを行う方法
などが用いられてきたが、工程増加は免れないため、量
産上好ましくない。
クトホールのフォトレジストパターン形成後、ウェット
エッチングを行い、さらにドライエッチングを行う方法
などが用いられてきたが、工程増加は免れないため、量
産上好ましくない。
【０００７】本発明は上記従来の課題を解決するもので
、極端な工程増加なしに、微細なパターンにおいて、良
好なカバレージ形状を有する配線電極を形成できる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
、極端な工程増加なしに、微細なパターンにおいて、良
好なカバレージ形状を有する配線電極を形成できる半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的を達成させるた
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、まず層間絶縁
膜上にフォトレジスト膜を塗布した後に、コンタクトホ
ール形成用のマスクを介して露光、現像をしてからフォ
トレジスト膜の残留水分を除去するポストベークにて、
そのフォトレジスト膜の耐熱温度を超える温度でベーキ
ングを行い、形状をなだらかに変化させ、その後エッチ
バックにより、コンタクトホールを形成する工程を備え
ている。
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、まず層間絶縁
膜上にフォトレジスト膜を塗布した後に、コンタクトホ
ール形成用のマスクを介して露光、現像をしてからフォ
トレジスト膜の残留水分を除去するポストベークにて、
そのフォトレジスト膜の耐熱温度を超える温度でベーキ
ングを行い、形状をなだらかに変化させ、その後エッチ
バックにより、コンタクトホールを形成する工程を備え
ている。
【０００９】
【作用】この構成により、層間絶縁膜の平坦化を行うと
同時にコンタクトホールがなだらかな形状に形成される
ため、工程数の増加なしに、良好なカバレージを有する
配線電極を得ることができる。
同時にコンタクトホールがなだらかな形状に形成される
ため、工程数の増加なしに、良好なカバレージを有する
配線電極を得ることができる。
【００１０】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は図２（ａ），（ｂ）と
同じであるから同一番号を付し、説明を省略する。すな
わち本発明の特徴は図１（ｂ）の後、図１（ｃ）に示す
ように、コンタクト形成用のマスク２１を介して露光す
る。次に図１（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜６
をトリメチルアンモニウム水溶液等の有機アルカリで現
像し、１７０℃程度の温度でベーキングして、残留水分
を除去すると同時に、コンタクトホール近傍のフォトレ
ジスト膜６の形状を熱によりなだらかに変化させ、コン
タクト形成用のフォトレジストパターン２２を得る。次
に図１（ｅ）に示すように、層間絶縁膜５とフォトレジ
ストパターン２２を同じエッチング速度でエッチバック
し、コンタクトホール２３を形成し、アルミニウム等の
スパッタリングにより、配線電極２４を形成する。
同じであるから同一番号を付し、説明を省略する。すな
わち本発明の特徴は図１（ｂ）の後、図１（ｃ）に示す
ように、コンタクト形成用のマスク２１を介して露光す
る。次に図１（ｄ）に示すように、フォトレジスト膜６
をトリメチルアンモニウム水溶液等の有機アルカリで現
像し、１７０℃程度の温度でベーキングして、残留水分
を除去すると同時に、コンタクトホール近傍のフォトレ
ジスト膜６の形状を熱によりなだらかに変化させ、コン
タクト形成用のフォトレジストパターン２２を得る。次
に図１（ｅ）に示すように、層間絶縁膜５とフォトレジ
ストパターン２２を同じエッチング速度でエッチバック
し、コンタクトホール２３を形成し、アルミニウム等の
スパッタリングにより、配線電極２４を形成する。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明は半導体基板上の層
間絶縁膜上にフォトレジスト膜を塗布し、コンタクトホ
ール形成用のマスクを介して露光，現像し、さらにその
フォトレジスト膜の耐熱温度を超える温度でベーキング
して、フォトレジストパターンのコンタクトホール部分
の形状をなだらかに変形させ、さらにエッチバックによ
りコンタクトホールを形成することにより、工程数の増
加なしに微細なパターンにおいて段切れ等が起こらない
良好なカバレージの配線電極を有する半導体装置を提供
できる。
間絶縁膜上にフォトレジスト膜を塗布し、コンタクトホ
ール形成用のマスクを介して露光，現像し、さらにその
フォトレジスト膜の耐熱温度を超える温度でベーキング
して、フォトレジストパターンのコンタクトホール部分
の形状をなだらかに変形させ、さらにエッチバックによ
りコンタクトホールを形成することにより、工程数の増
加なしに微細なパターンにおいて段切れ等が起こらない
良好なカバレージの配線電極を有する半導体装置を提供
できる。
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の製造方
法の工程断面図
法の工程断面図
【図２】従来の半導体装置の製造方法の工程断面図
１ 半導体基板
２ ゲート絶縁膜
３ ゲート電極
４ 不純物拡散層
５ 層間絶縁膜
６ フォトレジスト膜
２１ コンタクト形成用のマスク２２ コ
ンタクト形成用のフォトレジストパターン２３
コンタクトホール ２４ 配線電極
ンタクト形成用のフォトレジストパターン２３
コンタクトホール ２４ 配線電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＭＯＳ型トランジスタ等を形成した半
導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、その層間絶
縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、そのフォト
レジストをコンタクトホール形成用のマスクを介して露
光し現像する工程と、その現像後のフォトレジストをベ
ーキングしてコンタクトホール近傍の形状をなだらかに
する工程と、そのベーキング後のフォトレジストと前記
層間絶縁膜を同じエッチング速度でエッチバックし、コ
ンタクトホールを形成する工程とを少なくとも有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698691A JPH04320028A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698691A JPH04320028A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320028A true JPH04320028A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=13902188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8698691A Pending JPH04320028A (ja) | 1991-04-18 | 1991-04-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320028A (ja) |
-
1991
- 1991-04-18 JP JP8698691A patent/JPH04320028A/ja active Pending
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