JPH04317733A - 耐薬品性・耐熱性の多孔質半透過性膜 - Google Patents
耐薬品性・耐熱性の多孔質半透過性膜Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ミクロ濾過、ナノ濾過
及び限外濾過用の半透過性膜に関する。
及び限外濾過用の半透過性膜に関する。
【0002】
【従来の技術】レブ(Loeb)及びスリラジャン(S
ourirajan)による酢酸セルロース(スリラジ
ャン、逆浸透、ロゴスプレス、英ロンドン、1970(
S.Sourirajan,Reverse,Osmo
sis,Logos Press,London 19
70))や疎水性ポリマー(米国特許第3,615,0
24号明細書)の非対称膜の導入以来、多数の膜が特に
水に溶解した低分子量成分及び高分子量成分の分離用と
して開発・提案されており、その構造及び適性は文献(
Desalination,35(1980),5−2
0)に記載があり、工業的実施又は医療目的でも試験に
成功している。
ourirajan)による酢酸セルロース(スリラジ
ャン、逆浸透、ロゴスプレス、英ロンドン、1970(
S.Sourirajan,Reverse,Osmo
sis,Logos Press,London 19
70))や疎水性ポリマー(米国特許第3,615,0
24号明細書)の非対称膜の導入以来、多数の膜が特に
水に溶解した低分子量成分及び高分子量成分の分離用と
して開発・提案されており、その構造及び適性は文献(
Desalination,35(1980),5−2
0)に記載があり、工業的実施又は医療目的でも試験に
成功している。
【0003】これまでに記載された膜の多くは、特に特
定目的の達成に有利であった。その化学的及び物理的構
造から、個々の膜は各ケースで特定の分離問題に対して
のみ最高の適性を発揮することができる。このため、新
課題に対する新規膜の絶えざる開発が基本的に必要とさ
れている。
定目的の達成に有利であった。その化学的及び物理的構
造から、個々の膜は各ケースで特定の分離問題に対して
のみ最高の適性を発揮することができる。このため、新
課題に対する新規膜の絶えざる開発が基本的に必要とさ
れている。
【0004】公知膜の利点・欠点に関する概説はEP−
A−O,682,433号明細書に記載されている。例
えば、酢酸セルロースの親水性非対称膜は、抗吸収性に
は満足できるが、耐熱性及び耐薬品性に多くの課題があ
る。ポリスルホン又は類似ポリマーの膜は良好な耐熱性
及び耐薬品性を有するが、有機溶剤の作用には敏感であ
る。
A−O,682,433号明細書に記載されている。例
えば、酢酸セルロースの親水性非対称膜は、抗吸収性に
は満足できるが、耐熱性及び耐薬品性に多くの課題があ
る。ポリスルホン又は類似ポリマーの膜は良好な耐熱性
及び耐薬品性を有するが、有機溶剤の作用には敏感であ
る。
【0005】再生セルロース膜は親水性及び耐溶剤性が
共に良好であるが、酸性又はアルカリ性の媒体中で比較
的容易に加水分解され、微生物の攻撃も急速に受ける。
共に良好であるが、酸性又はアルカリ性の媒体中で比較
的容易に加水分解され、微生物の攻撃も急速に受ける。
【0006】DE−A−3,321,860号は、化学
的抵抗性をもった部分スルホン化ポリエーテルケトンの
膜について記載している。上記の膜はアセトンやテトラ
ヒドロフラン(THF)のような有機溶剤の作用下でも
溶解はしないが、激しく膨潤して膜の性質を不可逆的に
変える。
的抵抗性をもった部分スルホン化ポリエーテルケトンの
膜について記載している。上記の膜はアセトンやテトラ
ヒドロフラン(THF)のような有機溶剤の作用下でも
溶解はしないが、激しく膨潤して膜の性質を不可逆的に
変える。
【0007】機械的安定性の向上のため、膜は織布又は
不織布上に吸着される。一般に使用される担持材料はポ
リプロピレン又はポリエチレンテレフタレートである。 しかしながら、このような担持膜には、例えば不織布又
は織布の熱安定性が不適当なため可使温度がかなり低下
する欠点がある。更には、有機溶剤、酸及びアルカリの
作用により、担持材料が溶解したり膜が剥れたりする。
不織布上に吸着される。一般に使用される担持材料はポ
リプロピレン又はポリエチレンテレフタレートである。 しかしながら、このような担持膜には、例えば不織布又
は織布の熱安定性が不適当なため可使温度がかなり低下
する欠点がある。更には、有機溶剤、酸及びアルカリの
作用により、担持材料が溶解したり膜が剥れたりする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高い
安定性を有し、加水分解剤及び酸化剤の両者に対する抵
抗性を有し、高い熱安定性を有し、かつ、昇温下でも有
機溶剤に攻撃されないような半透過性膜を提供すること
である。
安定性を有し、加水分解剤及び酸化剤の両者に対する抵
抗性を有し、高い熱安定性を有し、かつ、昇温下でも有
機溶剤に攻撃されないような半透過性膜を提供すること
である。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、担持材料
及びそれに付着した層から構成され、担持材料がポリフ
ェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン又はポリアラ
ミドをベースとする織布又は不織布である半透過性膜に
より達成される。本明細書に記載の膜はミクロ濾過、ナ
ノ濾過及び限外濾過に特に好適である。
及びそれに付着した層から構成され、担持材料がポリフ
ェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン又はポリアラ
ミドをベースとする織布又は不織布である半透過性膜に
より達成される。本明細書に記載の膜はミクロ濾過、ナ
ノ濾過及び限外濾過に特に好適である。
【0010】本発明の膜では、担持材料上の半透過性層
をポリエーテルケトン又はポリアラミドとすることがで
きる。
をポリエーテルケトン又はポリアラミドとすることがで
きる。
【0011】この半透過性層及び適当なら担体層も式(
Ia)の繰り返し単位を有するポリエーテルケトン、特
に式(Ib)の繰り返し単位を有するポリエーテルケト
ンから調製される。
Ia)の繰り返し単位を有するポリエーテルケトン、特
に式(Ib)の繰り返し単位を有するポリエーテルケト
ンから調製される。
【0012】
上式(Ib)中、Aは
なる基であり、更に上式中R1、R2、R3及びR4は
同一若しくは相異なるのもとすることができ、水素、(
C1−C4)−アルキル、(C6−C14)−アリール
若しくは(C6−C14)−ヒドロキシアリール基又は
NO2、CN、NR52(R5=(C1−C6)−アル
キル)若しくはハロゲンであり、かつ、−Z−は下記の
基の一種である。
同一若しくは相異なるのもとすることができ、水素、(
C1−C4)−アルキル、(C6−C14)−アリール
若しくは(C6−C14)−ヒドロキシアリール基又は
NO2、CN、NR52(R5=(C1−C6)−アル
キル)若しくはハロゲンであり、かつ、−Z−は下記の
基の一種である。
【0013】
ポリエーテルケトンの調製、例えば親核性芳香族の重
縮合による調製法は公知であり、EP−A−0,001
,879号明細書及びGB−A−1,414,421号
明細書に記載されている。本発明の膜として使用される
ポリエーテルケトンは、例えばDE−A−3,936,
997号明細書に記載されている。この特許の優先権主
張日は本願より早いが、本願出願前に公告されたもので
はない。
縮合による調製法は公知であり、EP−A−0,001
,879号明細書及びGB−A−1,414,421号
明細書に記載されている。本発明の膜として使用される
ポリエーテルケトンは、例えばDE−A−3,936,
997号明細書に記載されている。この特許の優先権主
張日は本願より早いが、本願出願前に公告されたもので
はない。
【0014】更に好適な一実施態様の半透過性層及び(
適当ならば)担持材料は式(II)の繰り返し構造単位
を一以上有する芳香族のホモポリアミド又はコポリアミ
ドである。
適当ならば)担持材料は式(II)の繰り返し構造単位
を一以上有する芳香族のホモポリアミド又はコポリアミ
ドである。
【0015】
但し式(II)中、−E1−及びE2−は同一若しくは
相異なるものであって、 −Ar1−又は−Ar1−X−Ar2−からなる群の一
以上から選択され、但し上式中、−Ar1−及び−Ar
2−は同一若しくは相異なるものであって、1,2−フ
ェニレン、1,3−フェニレン、1,4−フェニレン基
又は(C6−C14)−アリーレン基であり、前記の基
を(C1−C6)−アルキル、(C1−C6)−アルコ
キシ若しくはCF3基又はハロゲン原子特にフッ素、塩
基若しくは臭素原子の一以上により置換したものでもよ
く、或いは複素芳香族基たとえば[2,5]−又は[3
,4]−フラノ基であり、基−X−は a)直接結合であるか、又は−O−、−C(CF3)2
−、−SO2−、−CO−若しくは−C(R6)2−(
但し、R6は水素又は(C1−C6)−アルキル基若し
くは(C1−C4)−フルオロアルキル基である)なる
二価基の一種であるか、或いは b)−Y−Ar1−Y−(但し、−Y−は−O−又は−
C(CH3)で基である)であるか、或いはc)−O−
Ar1−Q−Ar2−O−(但し−Q−はXaの意味を
有する)である。
相異なるものであって、 −Ar1−又は−Ar1−X−Ar2−からなる群の一
以上から選択され、但し上式中、−Ar1−及び−Ar
2−は同一若しくは相異なるものであって、1,2−フ
ェニレン、1,3−フェニレン、1,4−フェニレン基
又は(C6−C14)−アリーレン基であり、前記の基
を(C1−C6)−アルキル、(C1−C6)−アルコ
キシ若しくはCF3基又はハロゲン原子特にフッ素、塩
基若しくは臭素原子の一以上により置換したものでもよ
く、或いは複素芳香族基たとえば[2,5]−又は[3
,4]−フラノ基であり、基−X−は a)直接結合であるか、又は−O−、−C(CF3)2
−、−SO2−、−CO−若しくは−C(R6)2−(
但し、R6は水素又は(C1−C6)−アルキル基若し
くは(C1−C4)−フルオロアルキル基である)なる
二価基の一種であるか、或いは b)−Y−Ar1−Y−(但し、−Y−は−O−又は−
C(CH3)で基である)であるか、或いはc)−O−
Ar1−Q−Ar2−O−(但し−Q−はXaの意味を
有する)である。
【0016】本発明の膜の担持材料及び層材料として好
適なポリアラミドの調製法は、DE−A−3,903,
098号明細書及びDE−A−3,802,030号明
細書に記載されている。
適なポリアラミドの調製法は、DE−A−3,903,
098号明細書及びDE−A−3,802,030号明
細書に記載されている。
【0017】それを調製するための好適出発材料の例は
、 a)式(IV)のジカルボン酸二塩化物Cl−CO−E
1−CO−Cl (IV)但し上記式(I
V)中のE1は前記のものと同じ意味を有する。
、 a)式(IV)のジカルボン酸二塩化物Cl−CO−E
1−CO−Cl (IV)但し上記式(I
V)中のE1は前記のものと同じ意味を有する。
【0018】式(IV)化合物の例は、4,4’−ジフ
ェニルスルホン−ジカルボン酸二塩化物、4,4’−ジ
フェニルエーテル−ジカルボン酸二塩化物、4,4’−
ジフェニルジカルボン酸二塩化物、2,6−ナフタレン
ジカルボン酸二塩化物、イソフタル酸二塩化物及び2,
5−フランジカルボン酸二塩化物であり、特にテレフタ
ル酸二塩化物及び置換テレフタル酸二塩化物、例えば2
−クロロテレフタル酸二塩化物である; b)式(V)の芳香族ジアミン H2N−E2−NH2 (V)
例えばm−フェニレンジアミン又は2−クロロ−、2,
5−ジクロロ若しくは2−メトキシ−p−フェニレンジ
アミン等の置換フェニレンジアミン、特にp−フェニレ
ンジアミン並びに置換ベンジジン誘導体、例えば4,4
’−ジアミノベンゾフェノン、ビス−[4−アミノフェ
ニル]スルホン、ビス−[4−(4’−アミノフェノキ
シ)フェニル]スルホン、1,2−ビス−[4’−アミ
ノフェノキシ]ベンゼン、1,4−ビス−[(4’−ア
ミノフェニル)イソプロピル]ベンゼン及び2,2’−
ビス−[4−(4’−アミノフェノキシ)フェニル]プ
ロパン、特に1,4−ビス−(4’−アミノフェノキシ
)ベンゼン及び前記ジアミンの混合物である。
ェニルスルホン−ジカルボン酸二塩化物、4,4’−ジ
フェニルエーテル−ジカルボン酸二塩化物、4,4’−
ジフェニルジカルボン酸二塩化物、2,6−ナフタレン
ジカルボン酸二塩化物、イソフタル酸二塩化物及び2,
5−フランジカルボン酸二塩化物であり、特にテレフタ
ル酸二塩化物及び置換テレフタル酸二塩化物、例えば2
−クロロテレフタル酸二塩化物である; b)式(V)の芳香族ジアミン H2N−E2−NH2 (V)
例えばm−フェニレンジアミン又は2−クロロ−、2,
5−ジクロロ若しくは2−メトキシ−p−フェニレンジ
アミン等の置換フェニレンジアミン、特にp−フェニレ
ンジアミン並びに置換ベンジジン誘導体、例えば4,4
’−ジアミノベンゾフェノン、ビス−[4−アミノフェ
ニル]スルホン、ビス−[4−(4’−アミノフェノキ
シ)フェニル]スルホン、1,2−ビス−[4’−アミ
ノフェノキシ]ベンゼン、1,4−ビス−[(4’−ア
ミノフェニル)イソプロピル]ベンゼン及び2,2’−
ビス−[4−(4’−アミノフェノキシ)フェニル]プ
ロパン、特に1,4−ビス−(4’−アミノフェノキシ
)ベンゼン及び前記ジアミンの混合物である。
【0019】本発明の半透過性膜では、担持材料と半透
過性層は共に式(Ia)及び(Ib)の同一若しくは相
異なるポリエーテルケトンにすることができ、或いは式
(II)の同一若しくは相異なるポリアラミドにするこ
とができる。また、この担持材料及び層材料は別種の材
料を含むことができる。
過性層は共に式(Ia)及び(Ib)の同一若しくは相
異なるポリエーテルケトンにすることができ、或いは式
(II)の同一若しくは相異なるポリアラミドにするこ
とができる。また、この担持材料及び層材料は別種の材
料を含むことができる。
【0020】式(III)の繰り返し構造単位を有する
ポリフェニレンスルフィドを担持材料とする場合が特に
有利である。
ポリフェニレンスルフィドを担持材料とする場合が特に
有利である。
【0021】
前記のポリアラミド、ポリエーテルケトン及びポリフェ
ニレンスルフィドは、本発明の膜では不織布又は織布、
好ましくは不織布の形態で使用される。
ニレンスルフィドは、本発明の膜では不織布又は織布、
好ましくは不織布の形態で使用される。
【0022】本発明の膜の製造では、先ずポリマーを溶
解・濾過して脱気する。ポリエーテルケトンの好適溶剤
は、例えば、H2SO4、CF3−SO3F、HF、C
l2HC−COOH、特にCl2HC−COOHとH2
SO4との混合物であり、ポリアラミドの好適溶剤は特
にN−メチルピロドリン、N,N−ジメチルアセタミド
、ジメチルスルホキシド及びジメチルホルムアミドであ
る。半透過性膜はこれらの溶液から公知の逆相法(ケス
ティング(Robert E.Kesting)、“S
ynthetic PolymeicMembrane
s(合成高分子膜)”、第2版、1985、第237頁
以降)により製造される。この目的のため、ポリマー溶
液を担持材料上に液層として散布する。溶剤とは相溶性
があるがポリマー溶液中に解けたポリマーには不溶性で
あって、半透過性膜として沈殿させるような沈殿液を引
き続き液体層に作用させる。この沈殿液は例えば水であ
る。
解・濾過して脱気する。ポリエーテルケトンの好適溶剤
は、例えば、H2SO4、CF3−SO3F、HF、C
l2HC−COOH、特にCl2HC−COOHとH2
SO4との混合物であり、ポリアラミドの好適溶剤は特
にN−メチルピロドリン、N,N−ジメチルアセタミド
、ジメチルスルホキシド及びジメチルホルムアミドであ
る。半透過性膜はこれらの溶液から公知の逆相法(ケス
ティング(Robert E.Kesting)、“S
ynthetic PolymeicMembrane
s(合成高分子膜)”、第2版、1985、第237頁
以降)により製造される。この目的のため、ポリマー溶
液を担持材料上に液層として散布する。溶剤とは相溶性
があるがポリマー溶液中に解けたポリマーには不溶性で
あって、半透過性膜として沈殿させるような沈殿液を引
き続き液体層に作用させる。この沈殿液は例えば水であ
る。
【0023】この方法を実施する際には、実際上全溶剤
が沈殿液に置き代わるまで、沈殿液を沈殿する膜に作用
させると有利である。次に、形成された膜を例えば空気
流中で直接乾燥させるか、又は先ずグリセロール等の柔
軟剤で処理した後で乾燥させることにより膜から沈殿液
を除去する。
が沈殿液に置き代わるまで、沈殿液を沈殿する膜に作用
させると有利である。次に、形成された膜を例えば空気
流中で直接乾燥させるか、又は先ずグリセロール等の柔
軟剤で処理した後で乾燥させることにより膜から沈殿液
を除去する。
【0024】担持層を伴った本発明の膜厚は150乃至
350μmの範囲、特に200乃至300μmの範囲内
である。その場合の半透過性層の厚みは20乃至150
μm、好ましくは50乃至100μmである。
350μmの範囲、特に200乃至300μmの範囲内
である。その場合の半透過性層の厚みは20乃至150
μm、好ましくは50乃至100μmである。
【0025】本発明の膜は平坦膜又は管状膜の形態で製
造することができ、特に平坦膜の形態で製造することが
好ましい。膜の製造方法は当該技術分野で公知である。
造することができ、特に平坦膜の形態で製造することが
好ましい。膜の製造方法は当該技術分野で公知である。
【0026】本発明の膜は、ポリエーテルケトン、ポリ
フェニレンスルフィド又はポリアラミド、好ましくはポ
リフェニレンスルフィドの担持材料、及びポリエーテル
ケトン又はポリアラミドの半透過性層から構成され、薬
品、機械的応力及び熱に対する抵抗が高いことを特徴と
する。担持材料としてポリフェニレンスルフィドを用い
、半透過性層としてポリエーテルケトンを用いた膜は2
00℃を越える温度まで耐性を有する。半透過性層及び
担持材料としてポリアラミドを用いた膜又は半透過性層
としてポリアラミドを用い、担持層としてポリフェニレ
ンスルフィドを用いた膜は、特に攻撃的媒体に対する高
い抵抗性が求められる分野で使用可能であり、かつ、好
適である。このような膜は、昇温時でも酸、アルカリ又
は塩化ベンゼンやメタノール等の有機溶剤、或いは次亜
塩素酸ナトリウム等の酸化剤により攻撃されることがな
い。膜の分離効率、選択率及び機械的安定性は極端な応
力を加えた後でも保持される。この膜は更に酵素及び微
生物の攻撃に対して高い抵抗性をもつことを特徴とし、
従ってバイオテクノロジー媒体の処理に特に好適である
。本発明の膜の極めて有望な別用途は、オキソ合成(オ
レフィンのヒドロホルミル化によるアルデヒドの合成)
におけるロジウム触媒の除去である。
フェニレンスルフィド又はポリアラミド、好ましくはポ
リフェニレンスルフィドの担持材料、及びポリエーテル
ケトン又はポリアラミドの半透過性層から構成され、薬
品、機械的応力及び熱に対する抵抗が高いことを特徴と
する。担持材料としてポリフェニレンスルフィドを用い
、半透過性層としてポリエーテルケトンを用いた膜は2
00℃を越える温度まで耐性を有する。半透過性層及び
担持材料としてポリアラミドを用いた膜又は半透過性層
としてポリアラミドを用い、担持層としてポリフェニレ
ンスルフィドを用いた膜は、特に攻撃的媒体に対する高
い抵抗性が求められる分野で使用可能であり、かつ、好
適である。このような膜は、昇温時でも酸、アルカリ又
は塩化ベンゼンやメタノール等の有機溶剤、或いは次亜
塩素酸ナトリウム等の酸化剤により攻撃されることがな
い。膜の分離効率、選択率及び機械的安定性は極端な応
力を加えた後でも保持される。この膜は更に酵素及び微
生物の攻撃に対して高い抵抗性をもつことを特徴とし、
従ってバイオテクノロジー媒体の処理に特に好適である
。本発明の膜の極めて有望な別用途は、オキソ合成(オ
レフィンのヒドロホルミル化によるアルデヒドの合成)
におけるロジウム触媒の除去である。
【0027】以下の実施例により本発明の膜の利点を更
に説明する。
に説明する。
【0028】
【実施例1〜7:ポリアミド膜の場合】実施例で検討し
た膜のポリアラミドIIAは、 テレフタル酸二塩化物(TPC)
>95モル%パラ−
フェニレンジアミン(PPD)
25モル%3,3’−ジメ
チルベンジジン(DMB)
50モル%及び1,4−ビス−(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン 2
5モル% (BAPOB)をN
−メチルピロドリン(NMP)溶剤中、50℃で重縮合
させて調製した。
た膜のポリアラミドIIAは、 テレフタル酸二塩化物(TPC)
>95モル%パラ−
フェニレンジアミン(PPD)
25モル%3,3’−ジメ
チルベンジジン(DMB)
50モル%及び1,4−ビス−(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン 2
5モル% (BAPOB)をN
−メチルピロドリン(NMP)溶剤中、50℃で重縮合
させて調製した。
【0029】ポリアラミドIIBは、
TPC
>95モル%及び2,2’−ビス−[4−(4’
−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン 100モル
%から同様に調製した。
>95モル%及び2,2’−ビス−[4−(4’
−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン 100モル
%から同様に調製した。
【0030】100モル%のCaOで中和した後、粘稠
な溶液を直接濾過・脱気するか、或いは撹拌しながら固
体のポリ−N−ビニルピロリドンを加えてポリマーブレ
ンドを調製する。この結果得られる種々のスタウディン
ガー指数及び濃度を有する透明溶液をキャスティング装
置を用いて担体(不織布又は織布)に塗布する。この膜
を5乃至20℃の水中で沈殿させる。次に、この膜に4
0乃至50%濃度のグリセリン溶液を含浸させて50℃
で乾燥する。この膜の厚みは、担体の厚みにも関係する
が、150乃至350μmである。
な溶液を直接濾過・脱気するか、或いは撹拌しながら固
体のポリ−N−ビニルピロリドンを加えてポリマーブレ
ンドを調製する。この結果得られる種々のスタウディン
ガー指数及び濃度を有する透明溶液をキャスティング装
置を用いて担体(不織布又は織布)に塗布する。この膜
を5乃至20℃の水中で沈殿させる。次に、この膜に4
0乃至50%濃度のグリセリン溶液を含浸させて50℃
で乾燥する。この膜の厚みは、担体の厚みにも関係する
が、150乃至350μmである。
【0031】
スタウディンガー指数[η](極限粘度、固有粘度)は
次式で表現される。
次式で表現される。
【0032】
但し上式中、
ηsp=比粘度=η/η1−1
C2=溶解物質濃度
η=溶液粘度
η1=純溶媒粘度
【0033】
【実施例8〜10】担持材料としてポリアラミドIIA
、ポリエーテルケトン(Ia,b)又はポリフェニレン
スルフィド(III)を用いた膜も有機媒体中で使用す
ることができる。本発明の膜を使用して、例えばオキソ
合成時に沈殿した貴金属触媒を溶液から除去することが
できる。この場合の分離はステンレス鋼のオーバーフロ
ーセル内で行われる。
、ポリエーテルケトン(Ia,b)又はポリフェニレン
スルフィド(III)を用いた膜も有機媒体中で使用す
ることができる。本発明の膜を使用して、例えばオキソ
合成時に沈殿した貴金属触媒を溶液から除去することが
できる。この場合の分離はステンレス鋼のオーバーフロ
ーセル内で行われる。
【0034】
【0035】
【実施例11〜15:ポリエーテルケトン膜の場合】ポ
リエーテルケトン膜(半透過性層としてPEK)の製造
には、ポリエーテルケトン(Ib)120gを96%濃
度のH2SO4 880g中に約30℃で撹拌しなが
ら溶解する。約12時間後、溶液を濾過・脱気する。膜
は実施例1乃至7のポリアラミド膜と同様に製造される
。
リエーテルケトン膜(半透過性層としてPEK)の製造
には、ポリエーテルケトン(Ib)120gを96%濃
度のH2SO4 880g中に約30℃で撹拌しなが
ら溶解する。約12時間後、溶液を濾過・脱気する。膜
は実施例1乃至7のポリアラミド膜と同様に製造される
。
【0036】
Claims (9)
- 【請求項1】 担持材料及び担持材料に付着する半透
過性層を含むミクロ濾過、ナノ濾過及び限外濾過用の半
透過性膜であって、担持材料がポリフェニレンスルフィ
ド、ポリエーテルケトン又はポリアラミドをベースとす
る織布又は不織布である前記半透過性膜。 - 【請求項2】 該半透過性層が、式(Ia)の繰り返
し単位を有するポリエーテルケトンを含む請求項1に記
載の半透過性膜。 - 【請求項3】 該半透過性層が、式(Ib)の繰り返
し単位を有し、但し上式(Ib)の−A−は、であり、
R1、R2、R3及びR4は同一若しくは相異なるもの
であって、水素、(C1−C4)−アルキル、(C6−
C14)−アリール若しくは(C6−C14)−ヒドロ
キシアリール基又はNO2、CN、NR52(R5=(
C1−C6)−アルキル)若しくはハロゲンであり、か
つ、−Z−は、 であるポリエーテルケトンを含む請求項1に記載の半透
過性膜。 - 【請求項4】 該半透過性膜が、式(II)の繰り返
し構造単位を一以上有し、但し上記式(II)の−E1
−及び−E2は同一若しくは相異なるものであって、 −Ar1−又は−Ar1−X−Ar2の群の一以上から
選択され、−Ar1及び−Ar2−は同一若しくは相異
なる1,2−フェニレン、1,3−フェニレン、1,4
−フェニレン基又は(C6−C14)−アリーレン基で
あり、前記の基を(C1−C6)−アルキル、(C1−
C6)−アルコキシ若しくはCF3基又はハロゲン、特
にフッ素、塩素若しくは臭素の一以上で置換したもので
もよく、或いは複素芳香族基であり、かつ、X基はa)
直接結合又は−O−、−C(CF3)2−、−SO2−
、−CO−若しくは−C(R6)2−(R6は水素又は
(C1−C6)−アルキル若しくは(C1−C4)−フ
ルオロアルキル基である)の二価基の一つ、或いはb)
−Y−Ar1−Y−(−Y−は−O−若しくは−C(C
H3)2−基である)、或いは c)−O−Ar1−Q−Ar2−O−(QはXaで定義
したもの)である芳香族ホモポリアミド又はコポリアミ
ドを含む請求項1に記載の半透過性膜。 - 【請求項5】 該担持材料及び該半透過性層が、共に
式(Ia)若しくは式(Ib)の繰り返し単位を有する
同一のポリエーテルケトンを含むか、又は式(Ia)若
しくは式(Ib)の繰り返し単位を有する相異なるポリ
エーテルケトンを含み、或いは式(II)の同一ポリア
ラミドを含むか、又は式(II)の相異なるポリアラミ
ドを含む、請求項2又は請求項3に記載の半透過性膜。 - 【請求項6】 担持材料が、式(Ia)若しくは式(
Ib)又は式(II)の繰り返し単位を有するポリマー
をベースとする不織布又は織布である請求項1に記載の
半透過性膜。 - 【請求項7】 該担持材料が、式(III)の繰り返
し構造単位を有するポリフェニレンスルフィドである請
求項1に記載の半透過性膜。 - 【請求項8】 請求項1に記載の半透過性膜を製造す
る方法であって、先ずポリマーを溶剤に溶かし、該溶液
を濾過及び脱気すること、及び次のステップで逆相法に
より膜を製造すること、並びにポリエーテルケトンの溶
剤としてH2SO4、CF3−SO3H、HF、Cl2
HC−COOH又はCl2HC−COOHとH2SO4
の混合物を使用し、ポリアラミドの溶剤としてN−メチ
ルピロリドン、ジメチルアセタミド又はジメチルホルム
アミドを使用することを包含する、前記方法。 - 【請求項9】 平坦膜又は管状膜である請求項1に記
載の半透過性膜。
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