JPH04312740A - シャドウマスクの製造方法 - Google Patents
シャドウマスクの製造方法Info
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- JPH04312740A JPH04312740A JP7780291A JP7780291A JPH04312740A JP H04312740 A JPH04312740 A JP H04312740A JP 7780291 A JP7780291 A JP 7780291A JP 7780291 A JP7780291 A JP 7780291A JP H04312740 A JPH04312740 A JP H04312740A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シャドウマスクの製造
方法に関し、シャドウマスクのエッチング方法に関する
。
方法に関し、シャドウマスクのエッチング方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】カラーテレビあるいはコンピュータの表
示装置用のカラーブラウン管に使用されているシャドウ
マスクは、アルミキルド鋼等の軟鋼あるいは鉄とニッケ
ルを主成分とする膨張率が小さいアンバー等の厚さ０．
１ｍｍから０．３ｍｍの薄板が主に用いられている。シ
ャドウマスクは基材の薄板の両面にフォトレジストを塗
布した後に乾燥し、所定のパターンが描かれたフォトマ
スクを使用して露光し、続いてフォトレジスト膜を現像
し、フォトレジスト膜にエッチングすべきパターンを形
成した後に、塩化第２鉄を主成分とするエッチング液に
よって基材に所望の開孔を形成している。
示装置用のカラーブラウン管に使用されているシャドウ
マスクは、アルミキルド鋼等の軟鋼あるいは鉄とニッケ
ルを主成分とする膨張率が小さいアンバー等の厚さ０．
１ｍｍから０．３ｍｍの薄板が主に用いられている。シ
ャドウマスクは基材の薄板の両面にフォトレジストを塗
布した後に乾燥し、所定のパターンが描かれたフォトマ
スクを使用して露光し、続いてフォトレジスト膜を現像
し、フォトレジスト膜にエッチングすべきパターンを形
成した後に、塩化第２鉄を主成分とするエッチング液に
よって基材に所望の開孔を形成している。
【０００３】カラーブラウン管では、３本の電子銃から
放射された電子ビームはシャドウマスクの開孔部分にお
いて交わった後に、表示面に設けた赤、緑および青の３
色に発光する３本の電子ビームに対応する蛍光体を励起
している。
放射された電子ビームはシャドウマスクの開孔部分にお
いて交わった後に、表示面に設けた赤、緑および青の３
色に発光する３本の電子ビームに対応する蛍光体を励起
している。
【０００４】カラーブラウン管の大型化、画像の高品質
化、蛍光体のピッチの高精細化等により、シャドウマス
クに形成される孔にも高い精度が要求されるようになっ
ている。
化、蛍光体のピッチの高精細化等により、シャドウマス
クに形成される孔にも高い精度が要求されるようになっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】シャドウマスクに形成
される開孔は、電子銃側は径が小さい小孔であり、蛍光
面側は径が大きくなった大孔が形成されている。このよ
うな径が異なる小孔と大孔とを貫通させ、しかも孔の内
面の形状も電子銃に悪影響を及ぼさないように凹凸の少
ない曲面状とすることが要求されている。更に、多数個
の開孔部の特性を一様とするように注意が払われている
。
される開孔は、電子銃側は径が小さい小孔であり、蛍光
面側は径が大きくなった大孔が形成されている。このよ
うな径が異なる小孔と大孔とを貫通させ、しかも孔の内
面の形状も電子銃に悪影響を及ぼさないように凹凸の少
ない曲面状とすることが要求されている。更に、多数個
の開孔部の特性を一様とするように注意が払われている
。
【０００６】シャドウマスクのエッチングは、帯状の金
属の薄板を基材とし、基材上にはフォトレジストのパタ
ーンを形成し、得られた金属の基材を移動させながらエ
ッチングノズルによってエッチング液を噴霧することに
よって行われている。
属の薄板を基材とし、基材上にはフォトレジストのパタ
ーンを形成し、得られた金属の基材を移動させながらエ
ッチングノズルによってエッチング液を噴霧することに
よって行われている。
【０００７】図６は、エッチング工程の供給管とノズル
の配置の１例を示す図であり、図６（Ａ）は供給管とエ
ッチングノズルの配置を示す図であり、図６（Ｂ）はエ
ッチング液を噴射するエッチング工程の進行方向に直角
の方向の断面図を示したものである。
の配置の１例を示す図であり、図６（Ａ）は供給管とエ
ッチングノズルの配置を示す図であり、図６（Ｂ）はエ
ッチング液を噴射するエッチング工程の進行方向に直角
の方向の断面図を示したものである。
【０００８】所定のパターンが描かれたフォトレジスト
を形成した帯状の被処理基材２１が連続して送られ、被
処理基材の上下に設けた供給管２２に取り付けたエッチ
ングノズル２３からエッチング液２４が噴霧される。被
処理基材には、エッチング液が均一に噴霧されるように
エッチングノズルを取り付けた供給管を揺動させたり、
あるいはエッチング液の流れを利用してエッチングノズ
ルを揺動させている。また、均一なエッチング特性を得
るために、エッチングノズルの配置間隔に工夫すること
も行われている。
を形成した帯状の被処理基材２１が連続して送られ、被
処理基材の上下に設けた供給管２２に取り付けたエッチ
ングノズル２３からエッチング液２４が噴霧される。被
処理基材には、エッチング液が均一に噴霧されるように
エッチングノズルを取り付けた供給管を揺動させたり、
あるいはエッチング液の流れを利用してエッチングノズ
ルを揺動させている。また、均一なエッチング特性を得
るために、エッチングノズルの配置間隔に工夫すること
も行われている。
【０００９】しかしながら、シャドウマスクをエッチン
グ液を噴霧して製造する場合には、シャドウマスクの設
計上、シャドウマスクの中心部と外周部の孔径に差があ
るため、シャドウマスクの全面でほぼ同時に貫通孔を得
ることが難しく、貫通後のエッチング時間に場所による
ばらつきが生じ、シャドウマスク品質への悪影響を及ぼ
しているという問題が解決されていない。とくに基材の
板厚が２００μｍ以上の場合に問題となっている。
グ液を噴霧して製造する場合には、シャドウマスクの設
計上、シャドウマスクの中心部と外周部の孔径に差があ
るため、シャドウマスクの全面でほぼ同時に貫通孔を得
ることが難しく、貫通後のエッチング時間に場所による
ばらつきが生じ、シャドウマスク品質への悪影響を及ぼ
しているという問題が解決されていない。とくに基材の
板厚が２００μｍ以上の場合に問題となっている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理基材を
水平方向に移動しながらエッチングする際に、被処理基
材の径の小さなパターン側から噴霧するエッチングノズ
ルについて、被処理基材の幅方向の外周部のエッチング
ノズルの噴霧圧力を、中心部のエッチングノズルの噴霧
圧力よりも低くすることによって中心部と外側との間で
生じるエッチングむらを減少することを可能としたもの
である。
水平方向に移動しながらエッチングする際に、被処理基
材の径の小さなパターン側から噴霧するエッチングノズ
ルについて、被処理基材の幅方向の外周部のエッチング
ノズルの噴霧圧力を、中心部のエッチングノズルの噴霧
圧力よりも低くすることによって中心部と外側との間で
生じるエッチングむらを減少することを可能としたもの
である。
【００１１】図７にシャドウマスクのエッチング過程を
示すが、図７（Ａ）は、シャドウマスク基材３１の一方
の面のフォトレジスト膜３２には大径パターン３３を設
け、他方の面には小径パターン３４を設けているが、両
面からエッチングを行うと噴霧されたエッチング液によ
って、やがて孔３５が生じる。エッチングは深さ方向の
みではなく横方向にも進行するので、フォトレジストの
下面のエッチングも進むが、フォトレジストの下部がエ
ッチングされた結果フォトレジストにオーバーハング部
３５が形成される。図７（Ｂ）に示すように小径パター
ン３４側にもエッチング液が噴霧されているので、やが
て径の大きな孔と径の小さな孔が結びついて貫通孔３６
を形成する。
示すが、図７（Ａ）は、シャドウマスク基材３１の一方
の面のフォトレジスト膜３２には大径パターン３３を設
け、他方の面には小径パターン３４を設けているが、両
面からエッチングを行うと噴霧されたエッチング液によ
って、やがて孔３５が生じる。エッチングは深さ方向の
みではなく横方向にも進行するので、フォトレジストの
下面のエッチングも進むが、フォトレジストの下部がエ
ッチングされた結果フォトレジストにオーバーハング部
３５が形成される。図７（Ｂ）に示すように小径パター
ン３４側にもエッチング液が噴霧されているので、やが
て径の大きな孔と径の小さな孔が結びついて貫通孔３６
を形成する。
【００１２】貫通孔が生じる前は、上面から噴霧されて
開孔部に滞留したエッチング液は連続して噴霧されるエ
ッチング液と置換されながら上部のみへ排出されるが、
貫通孔が生じると上面から供給されたエッチング液は貫
通孔を通じて下方へも落下するので、新しいエッチング
液がエッチング面に供給される機会が増大し、その結果
、エッチング速度は貫通孔の形成の時点から大きくなる
。とくに径の小さな開孔と径の大きな開孔との連通部分
３７のエッチング速度が大きくなる。
開孔部に滞留したエッチング液は連続して噴霧されるエ
ッチング液と置換されながら上部のみへ排出されるが、
貫通孔が生じると上面から供給されたエッチング液は貫
通孔を通じて下方へも落下するので、新しいエッチング
液がエッチング面に供給される機会が増大し、その結果
、エッチング速度は貫通孔の形成の時点から大きくなる
。とくに径の小さな開孔と径の大きな開孔との連通部分
３７のエッチング速度が大きくなる。
【００１３】図８（Ａ）はカラーブラウン管の断面図を
示したものであるが、３本の電子銃４１から放出された
電子ビーム４２を偏向コイル４３によって偏向し、シャ
ドウマスク４４の開孔部分で交差させて所定の蛍光体４
５を励起している。カラーブラウン管の周辺部分は電子
ビームの偏向角度が大きく、また中心部分は偏向角度が
小さいが、図８（Ｂ）には中心部の開孔の拡大図を示し
、図８（Ｃ）には周辺部の拡大図を示すように、シャド
ウマスクに設ける孔４６および４７は周辺部分ほど大き
くする必要がある。そこで、通常シャドウマスクをエッ
チングによって製造する際に、被処理基材に形成するフ
ォトレジスト膜のパターンにおいても周辺部ほど大きな
径を設けている。
示したものであるが、３本の電子銃４１から放出された
電子ビーム４２を偏向コイル４３によって偏向し、シャ
ドウマスク４４の開孔部分で交差させて所定の蛍光体４
５を励起している。カラーブラウン管の周辺部分は電子
ビームの偏向角度が大きく、また中心部分は偏向角度が
小さいが、図８（Ｂ）には中心部の開孔の拡大図を示し
、図８（Ｃ）には周辺部の拡大図を示すように、シャド
ウマスクに設ける孔４６および４７は周辺部分ほど大き
くする必要がある。そこで、通常シャドウマスクをエッ
チングによって製造する際に、被処理基材に形成するフ
ォトレジスト膜のパターンにおいても周辺部ほど大きな
径を設けている。
【００１４】シャドウマスクに設ける孔の一例を示すと
径の大きなパターンの側には、３００μｍないし３８０
μｍの孔を設け、径の小さなパターンの側には５０μｍ
ないしは８０μｍの孔を設けている。径の大きなパター
ンの側に設ける３００μｍないし３８０μｍの孔の場合
のように、比較的大きな径の孔の場合には、深さ方向の
エッチング速度は孔の径によらずに被処理基材の全面に
ほぼ一定の速度で形成することができる。一方、５０μ
ｍないし８０μｍ程度の径の小さいパターンの場合には
、同一の時間でエッチングされる穴の深さは径の大きさ
に依存し、径が相対的に大きい場合には深くなり、また
径が相対的に小さい場合には浅い穴が形成される。この
傾向は、５０μｍないし８０μｍの範囲に限らず、径が
約２００μｍ以下の場合に同様の傾向がみられる。
径の大きなパターンの側には、３００μｍないし３８０
μｍの孔を設け、径の小さなパターンの側には５０μｍ
ないしは８０μｍの孔を設けている。径の大きなパター
ンの側に設ける３００μｍないし３８０μｍの孔の場合
のように、比較的大きな径の孔の場合には、深さ方向の
エッチング速度は孔の径によらずに被処理基材の全面に
ほぼ一定の速度で形成することができる。一方、５０μ
ｍないし８０μｍ程度の径の小さいパターンの場合には
、同一の時間でエッチングされる穴の深さは径の大きさ
に依存し、径が相対的に大きい場合には深くなり、また
径が相対的に小さい場合には浅い穴が形成される。この
傾向は、５０μｍないし８０μｍの範囲に限らず、径が
約２００μｍ以下の場合に同様の傾向がみられる。
【００１５】シャドウマスクではその特性上、周辺部ほ
ど径の大きな孔を設けるために、フォトレジストのパタ
ーンにも径の大きなパターンを設けている。その結果、
通常の方法では小径のパターン側の周辺部の孔が深くエ
ッチングされて、早期に貫通孔が生じ周辺部のエッチン
グ速度が大きくなり、得られるシャドウマスクにはむら
が生じる。とくに被処理基材の板厚が２００μｍ以上の
とき、大きな問題となっている。
ど径の大きな孔を設けるために、フォトレジストのパタ
ーンにも径の大きなパターンを設けている。その結果、
通常の方法では小径のパターン側の周辺部の孔が深くエ
ッチングされて、早期に貫通孔が生じ周辺部のエッチン
グ速度が大きくなり、得られるシャドウマスクにはむら
が生じる。とくに被処理基材の板厚が２００μｍ以上の
とき、大きな問題となっている。
【００１６】そこで、本発明では小径側のパターンへエ
ッチング液を噴霧するエッチングノズルの噴霧圧力を、
中心部に比べて外周部のエッチングノズルの噴霧圧力を
低下させて、中心部から外周部に向けて大きくなるよう
に形成したパターンの開孔が実質的に同一の経過時間で
貫通するようにするものである。
ッチング液を噴霧するエッチングノズルの噴霧圧力を、
中心部に比べて外周部のエッチングノズルの噴霧圧力を
低下させて、中心部から外周部に向けて大きくなるよう
に形成したパターンの開孔が実質的に同一の経過時間で
貫通するようにするものである。
【００１７】外側のエッチングノズルの圧力を低下させ
るには、被処理基材の進行方向と平行に複数の供給管を
配置し、各供給管にエッチングノズルを取り付ける場合
には中心部の供給管に比べて外側の供給管へのエッチン
グ液の供給圧力を低下させることによって行うことが可
能である。
るには、被処理基材の進行方向と平行に複数の供給管を
配置し、各供給管にエッチングノズルを取り付ける場合
には中心部の供給管に比べて外側の供給管へのエッチン
グ液の供給圧力を低下させることによって行うことが可
能である。
【００１８】また、本発明における外周部のエッチング
ノズルの低下圧力は、小径のパターンに設ける小孔の径
の分布によって適宜定めることができる。
ノズルの低下圧力は、小径のパターンに設ける小孔の径
の分布によって適宜定めることができる。
【００１９】
【作用】本発明は、基材の一方の面に大径のパターンを
有し他方の面には小径のパターンを有しており、大径お
よび小径がそれぞれ中心部から外周部に向けて径が増大
するように配置したフォトレジストのパターンに対して
エッチング液をエッチングノズルから噴霧して大径と小
径とが貫通した開孔を設ける際に、小径のパターンを設
けた側のエッチング液の噴霧圧力を、中心部に対して外
周部を相対的に低下することによって、実質的に同一の
経過時間で貫通孔が得られるようにして、エッチングむ
らを生じないようにしたものである。
有し他方の面には小径のパターンを有しており、大径お
よび小径がそれぞれ中心部から外周部に向けて径が増大
するように配置したフォトレジストのパターンに対して
エッチング液をエッチングノズルから噴霧して大径と小
径とが貫通した開孔を設ける際に、小径のパターンを設
けた側のエッチング液の噴霧圧力を、中心部に対して外
周部を相対的に低下することによって、実質的に同一の
経過時間で貫通孔が得られるようにして、エッチングむ
らを生じないようにしたものである。
【００２０】
【実施例】以下に図面を用いて本発明をさらに詳細に説
明する。図１は本発明の方法を実施するための１実施例
の断面図を示すが、被処理基材１の進行方向と平行に７
本の供給管２を設けている。そして、供給管にはエッチ
ングノズル３が取り付けられており、下面に設ける供給
管のうち３本の中心部の供給管４の圧力に対して４本の
外周部の供給管４の圧力を低下させて、周辺部のパター
ンの径が大きくてもエッチング孔の深さが一定となるよ
うにしたものである。
明する。図１は本発明の方法を実施するための１実施例
の断面図を示すが、被処理基材１の進行方向と平行に７
本の供給管２を設けている。そして、供給管にはエッチ
ングノズル３が取り付けられており、下面に設ける供給
管のうち３本の中心部の供給管４の圧力に対して４本の
外周部の供給管４の圧力を低下させて、周辺部のパター
ンの径が大きくてもエッチング孔の深さが一定となるよ
うにしたものである。
【００２１】実施例１
幅７００ｍｍ、厚さ０．２５ｍｍのアルミキルド鋼を基
材とし、基材の両面にカゼインに重クロム酸アンモニウ
ムを混合した感光材料からなる厚さ１０μｍのフォトレ
ジスト膜を形成し、全面に５０μｍ、６０μｍ、７０μ
ｍおよび８０μｍの孔を設けたパターンを用いて、５ｋ
Ｗ超高圧水銀灯によって６０秒間密着露光し、３０℃で
現像を行った。得られたパターンを上面にして、上面か
らエッチングを行った。エッチング条件はエッチングノ
ズルと被処理基材との距離を３００ｍｍ、基材の搬送速
度を２．２５ｍ／分、１２０ｍｍの間隔で供給管を７本
設けてノズルの間隔を４００ｍｍとして、中央部の３本
の供給管へのエッチング液の供給圧力を４．０ｋｇ／ｃ
ｍ２とし、外側の各２本の供給管へのエッチング液の供
給圧力を１．５ｋｇ／ｃｍ２とした。
材とし、基材の両面にカゼインに重クロム酸アンモニウ
ムを混合した感光材料からなる厚さ１０μｍのフォトレ
ジスト膜を形成し、全面に５０μｍ、６０μｍ、７０μ
ｍおよび８０μｍの孔を設けたパターンを用いて、５ｋ
Ｗ超高圧水銀灯によって６０秒間密着露光し、３０℃で
現像を行った。得られたパターンを上面にして、上面か
らエッチングを行った。エッチング条件はエッチングノ
ズルと被処理基材との距離を３００ｍｍ、基材の搬送速
度を２．２５ｍ／分、１２０ｍｍの間隔で供給管を７本
設けてノズルの間隔を４００ｍｍとして、中央部の３本
の供給管へのエッチング液の供給圧力を４．０ｋｇ／ｃ
ｍ２とし、外側の各２本の供給管へのエッチング液の供
給圧力を１．５ｋｇ／ｃｍ２とした。
【００２２】図２に、パターンの径をパラメータに中心
部からの距離に対してエッチングで形成された孔の深さ
を示すが、異なる孔径のパターンでも孔の深さを一定に
することができ、中心部から外周部に向かって漸次大と
なるパターンを用いてもシャドウマスク全面で深さをほ
ぼ一定にできることがわかる。
部からの距離に対してエッチングで形成された孔の深さ
を示すが、異なる孔径のパターンでも孔の深さを一定に
することができ、中心部から外周部に向かって漸次大と
なるパターンを用いてもシャドウマスク全面で深さをほ
ぼ一定にできることがわかる。
【００２３】実施例２
外周部の各２本のエッチング液の供給圧力を１．５ｋｇ
／ｃｍ２、３．０ｋｇ／ｃｍ２として実施例１と同様の
条件でエッチングを行い、孔の深さが１３０μｍとなる
パターンの径を測定した。
／ｃｍ２、３．０ｋｇ／ｃｍ２として実施例１と同様の
条件でエッチングを行い、孔の深さが１３０μｍとなる
パターンの径を測定した。
【００２４】図３には、中心からの距離を横軸に、パタ
ーンの径を縦軸に、外周部の圧力をパラメータに示す。 （Ａ）は外周部の圧力が１．５ｋｇ／ｃｍ２の場合、（
Ｂ）は３．０ｋｇ／ｃｍ２の場合を示す。
ーンの径を縦軸に、外周部の圧力をパラメータに示す。 （Ａ）は外周部の圧力が１．５ｋｇ／ｃｍ２の場合、（
Ｂ）は３．０ｋｇ／ｃｍ２の場合を示す。
【００２５】比較例１
被処理基材の一方の面の全面にわたり、３００μｍ、３
２０μｍ、３４０μｍ、３６０μｍ、３８０μｍの開孔
のパターンを形成し、このパターンの面を下側にして下
面からエッチングノズルの圧力をすべて４．０ｋｇ／ｃ
ｍ２として、実施例１と同様の条件でエッチングを行い
、パターンの径をパラメータに中心部からの距離に対し
てエッチングで形成された孔の深さを図４に示すが、径
の大小にかかわらずほぼ一定の深さの孔が得られること
を示している。
２０μｍ、３４０μｍ、３６０μｍ、３８０μｍの開孔
のパターンを形成し、このパターンの面を下側にして下
面からエッチングノズルの圧力をすべて４．０ｋｇ／ｃ
ｍ２として、実施例１と同様の条件でエッチングを行い
、パターンの径をパラメータに中心部からの距離に対し
てエッチングで形成された孔の深さを図４に示すが、径
の大小にかかわらずほぼ一定の深さの孔が得られること
を示している。
【００２６】比較例２
エッチング液の供給圧力をすべて４．０ｋｇ／ｃｍ２と
した点を除いて、実施例１と同様の方法でエッチングを
行い。小径のパターンの径をパラメータに中心部からの
距離と深さの関係を図５に示すように、径の大きいほど
エッチング深さが大きいことを示している。
した点を除いて、実施例１と同様の方法でエッチングを
行い。小径のパターンの径をパラメータに中心部からの
距離と深さの関係を図５に示すように、径の大きいほど
エッチング深さが大きいことを示している。
【００２７】比較例３
エッチング液の供給圧力をすべて４．０ｋｇ／ｃｍ２と
した点を除いて実施例１と同様の条件でエッチングを行
い、小孔の深さが１３０μｍの孔の、中心部からの距離
とパターンの径との関係を図３に（Ｃ）で示す。
した点を除いて実施例１と同様の条件でエッチングを行
い、小孔の深さが１３０μｍの孔の、中心部からの距離
とパターンの径との関係を図３に（Ｃ）で示す。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、一方の面に大孔のパターンを
形成し、他方の面には小孔のパターンを形成したフォト
レジストを設けた被処理基材を水平方向に移動しながら
両面からエッチング液を噴霧してシャドウマスクを製造
する際に、小孔のパターンを設けた面にエッチング液を
噴霧するエッチングノズルのうち、外周部のエッチング
ノズルの噴霧圧力を中心部のエッチングノズルの噴霧圧
力よりも低くすることにより、被処理基材の中心部から
外周部にかけて径が増加する開孔について実質的に同一
の時点で貫通孔を得ることができるので、シャドウマス
ク全面についてむらのないエッチングを行うことが可能
となる。
形成し、他方の面には小孔のパターンを形成したフォト
レジストを設けた被処理基材を水平方向に移動しながら
両面からエッチング液を噴霧してシャドウマスクを製造
する際に、小孔のパターンを設けた面にエッチング液を
噴霧するエッチングノズルのうち、外周部のエッチング
ノズルの噴霧圧力を中心部のエッチングノズルの噴霧圧
力よりも低くすることにより、被処理基材の中心部から
外周部にかけて径が増加する開孔について実質的に同一
の時点で貫通孔を得ることができるので、シャドウマス
ク全面についてむらのないエッチングを行うことが可能
となる。
【図１】本発明におけるノズルの配置の１実施例を示す
。
。
【図２】外周部の圧力を低下させた場合のパターンの径
をパラメータに中心部からの距離に対してエッチングで
形成された孔の深さを示す。
をパラメータに中心部からの距離に対してエッチングで
形成された孔の深さを示す。
【図３】外周部の圧力をパラメータに、中心部からの距
離に対して同一の深さが得られるパターンの径を示す。
離に対して同一の深さが得られるパターンの径を示す。
【図４】大径のパターンを設けた面に形成された孔の深
さを中心からの距離に対して示す。
さを中心からの距離に対して示す。
【図５】外周部の圧力が同一の場合のパターンの径をパ
ラメータに中心部からの距離に対してエッチングで形成
された孔の深さを示す。
ラメータに中心部からの距離に対してエッチングで形成
された孔の深さを示す。
【図６】エッチング工程を示す図。
【図７】エッチング過程を示す図。
【図８】カラーブラウン管の断面図を示す図。
Claims (3)
- 【請求項１】フォトレジストのパターンが形成された帯
状の被処理基材を水平方向に移動しながら両面からエッ
チング液を噴霧して開孔を形成するシャドウマスクの製
造方法において、径の小さなパターン側のエッチング液
を噴霧するエッチングノズルのうち、被処理基材の幅方
向の外周部のエッチングノズルの噴霧圧力を中心部のエ
ッチングノズルの噴霧圧力よりも低くし、被処理基材に
形成する径の異なる開孔を実質的に同時に貫通させるこ
とを特徴とするシャドウマスクの製造方法。 - 【請求項２】径の小さなパターン側の孔径が２００μｍ
以下で、被処理基板の厚みが２００μｍ以上であること
を特徴とする請求項１記載のシャドウマスクの製造方法
。 - 【請求項３】被処理基材の進行方向と平行に等間隔に７
本配置した供給管の外周部のそれぞれ２本の圧力を中心
部の３本の供給管に比べて低下させることにより、被処
理基材の幅方向の外周部のエッチングノズルの噴霧圧力
を中心部のエッチングノズルの圧力よりも低下させるこ
とを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載のシャ
ドウマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03077802A JP3093307B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | シャドウマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03077802A JP3093307B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | シャドウマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04312740A true JPH04312740A (ja) | 1992-11-04 |
| JP3093307B2 JP3093307B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=13644140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03077802A Expired - Fee Related JP3093307B2 (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | シャドウマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3093307B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102912348A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-06 | 东莞市五株电子科技有限公司 | 蚀刻装置及蚀刻工艺 |
| CN102978622A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 东莞市五株电子科技有限公司 | 蚀刻装置及蚀刻工艺 |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP03077802A patent/JP3093307B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102912348A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-06 | 东莞市五株电子科技有限公司 | 蚀刻装置及蚀刻工艺 |
| CN102978622A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-03-20 | 东莞市五株电子科技有限公司 | 蚀刻装置及蚀刻工艺 |
| CN102978622B (zh) * | 2012-11-14 | 2014-10-29 | 东莞市五株电子科技有限公司 | 蚀刻装置及蚀刻工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3093307B2 (ja) | 2000-10-03 |
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