JPH04305583A - ビニルアルコキシシランの製造方法 - Google Patents
ビニルアルコキシシランの製造方法Info
- Publication number
- JPH04305583A JPH04305583A JP3271909A JP27190991A JPH04305583A JP H04305583 A JPH04305583 A JP H04305583A JP 3271909 A JP3271909 A JP 3271909A JP 27190991 A JP27190991 A JP 27190991A JP H04305583 A JPH04305583 A JP H04305583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alkoxysilane
- reaction
- reaction zone
- acetylene
- alkyne
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 115
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 73
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 26
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 claims description 54
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 64
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 59
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 22
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 20
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 16
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 14
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 10
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 7
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 6
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical group CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- -1 vinyl silyl ethers Chemical class 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 4
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 4
- 229910004721 HSiCl3 Inorganic materials 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- DMZWVCJEOLBQCZ-UHFFFAOYSA-N chloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[SiH2]C=C DMZWVCJEOLBQCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N diethoxy(methyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)OCC GAURFLBIDLSLQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 2
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)C MDLRQEHNDJOFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N triethylsilane Chemical compound CC[SiH](CC)CC AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJXSSNSCWGKDOW-UHFFFAOYSA-N tripentoxysilane Chemical compound CCCCCO[SiH](OCCCCC)OCCCCC XJXSSNSCWGKDOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIOXFKGQNIJXKF-UHFFFAOYSA-N tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[SiH](OCCOC)OCCOC CIOXFKGQNIJXKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEJOYRPGKZZTJW-FDGPNNRMSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;platinum Chemical compound [Pt].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O VEJOYRPGKZZTJW-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 1-pentyne Chemical compound CCCC#C IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQKUIGWFGYUUAE-UHFFFAOYSA-N 1-silylethylsilane Chemical compound CC([SiH3])[SiH3] YQKUIGWFGYUUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003594 H2PtCl6.6H2O Inorganic materials 0.000 description 1
- GCNZVGCALNEQBK-UHFFFAOYSA-N N-silylethenamine Chemical compound [SiH3]NC=C GCNZVGCALNEQBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910019032 PtCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- PKELYQZIUROQSI-UHFFFAOYSA-N phosphane;platinum Chemical class P.[Pt] PKELYQZIUROQSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- XAFJSPPHVXDRIE-UHFFFAOYSA-L platinum(2+);triphenylphosphane;dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pt+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XAFJSPPHVXDRIE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- IZRJPHXTEXTLHY-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-triethoxysilylethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC[Si](OCC)(OCC)OCC IZRJPHXTEXTLHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGDCINCKDQXDX-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-trimethoxysilylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC[Si](OC)(OC)OC JCGDCINCKDQXDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFGUOQUMQLUOAM-UHFFFAOYSA-N tris(2-ethylhexoxy)silane Chemical compound CCCCC(CC)CO[SiH](OCC(CC)CCCC)OCC(CC)CCCC LFGUOQUMQLUOAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
- C07F7/1872—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
- C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Curing Cements, Concrete, And Artificial Stone (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明はビニルアルコキシシランの高純度
での製造方法に関する。殊に、本発明はアルキンとアル
コキシシランとの直接ヒドロシリル化によるビニルアル
コキシシランの効率的製造方法に関する。
での製造方法に関する。殊に、本発明はアルキンとアル
コキシシランとの直接ヒドロシリル化によるビニルアル
コキシシランの効率的製造方法に関する。
【０００２】ビニルシリルエーテルとしても公知であり
、以後ビニルアルコキシシランとして称するビニルシリ
ルエステルは商業的に重要な組成物である。これらの物
質は熱可塑性複合体、ガラス繊維プライマー及びケーブ
ル絶縁体におけるカツプリング剤として用いられる。 殊にこの後者の応用において、高純度のビニルアルコキ
シシランの原料を入手することが重要であり、少量でも
テトラアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシラン
の如き不純物がビニルアルコキシシラン中に存在するこ
とは望ましくない。これらの不純物はその沸点が所望の
ビニルアルコキシシランと近いために蒸留を介して除去
することが実際的に不可能であるために殊に問題である
。
、以後ビニルアルコキシシランとして称するビニルシリ
ルエステルは商業的に重要な組成物である。これらの物
質は熱可塑性複合体、ガラス繊維プライマー及びケーブ
ル絶縁体におけるカツプリング剤として用いられる。 殊にこの後者の応用において、高純度のビニルアルコキ
シシランの原料を入手することが重要であり、少量でも
テトラアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシラン
の如き不純物がビニルアルコキシシラン中に存在するこ
とは望ましくない。これらの不純物はその沸点が所望の
ビニルアルコキシシランと近いために蒸留を介して除去
することが実際的に不可能であるために殊に問題である
。
【０００３】ビニルアルコキシシラン及び関連化合物の
種々の製造方法が公知であるが、高純度生成物を製造す
るに完全に満足できるものはない。１つのアプローチと
して、ビニルクロロシランを次の反応によりアルコール
でエステル化する：
種々の製造方法が公知であるが、高純度生成物を製造す
るに完全に満足できるものはない。１つのアプローチと
して、ビニルクロロシランを次の反応によりアルコール
でエステル化する：
【０００４】
【化１】
ＲＣＨ＝ＣＨＳｉＣｌ３＋３Ｒ′ＯＨ→ＲＣＨ
＝ＣＨＳｉ（ＯＲ′）３＋３ＨＣｌ １
ａ 式中、Ｒはアルキル基または水素であり、そしてＲ′は
一般にアルキルまたはアリール基である。
＝ＣＨＳｉ（ＯＲ′）３＋３ＨＣｌ １
ａ 式中、Ｒはアルキル基または水素であり、そしてＲ′は
一般にアルキルまたはアリール基である。
【０００５】副生物の塩化水素の除去は時間を消費し、
そしてその特性により部分的にのみ成功するため、生成
物に対しては実際的な純度の限界がある。更に、ビニル
クロロシランの製造中に生じる副反応はアルキンからの
ビニルアルコキシシランの実際の収率を低下させる。
そしてその特性により部分的にのみ成功するため、生成
物に対しては実際的な純度の限界がある。更に、ビニル
クロロシランの製造中に生じる副反応はアルキンからの
ビニルアルコキシシランの実際の収率を低下させる。
【０００６】ビニルクロロシランは最初に次のようにＲ
が上記のものであるアルキンとトリクロロシランとのヒ
ドロシリル化により製造される：
が上記のものであるアルキンとトリクロロシランとのヒ
ドロシリル化により製造される：
【０００７】
【化２】
ＲＣ≡ＣＨ＋ＨＳｉＣｌ３→ＲＣＨ＝ＣＨＳｉ
Ｃｌ３
１ｂ 残念ながら、次の副反応も起こり、そしてアルキンから
の所望のビニルアルコキシシランの理論収率を減少させ
る：
Ｃｌ３
１ｂ 残念ながら、次の副反応も起こり、そしてアルキンから
の所望のビニルアルコキシシランの理論収率を減少させ
る：
【０００８】
【化３】
ＲＣＨ＝ＣＨＳｉＣｌ３＋ＨＳｉＣｌ３→Ｃｌ
３ＳｉＣＨＲＣＨ２ＳｉＣｌ３
１ｃ 別のアプローチにおいて、ビニルアルコキシシラン
を次の反応により最初にアルケンを触媒の存在下でアミ
ノシランと反応させることにより製造し得る：
３ＳｉＣＨＲＣＨ２ＳｉＣｌ３
１ｃ 別のアプローチにおいて、ビニルアルコキシシラン
を次の反応により最初にアルケンを触媒の存在下でアミ
ノシランと反応させることにより製造し得る：
【０００
９】
９】
【化４】
ＲＣＨ＝ＣＨ２＋ＨＳｉ（ＮＭｅ２）３→ＲＣ
Ｈ＝ＣＨＳｉ（ＮＭｅ２）３（８７％）＋
ＲＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＮＭｅ２）３（１１％）＋
Ｈ２ ２ａ 次にかくて製造されるビニルアミノシランを次式により
アルコールを用いてアルコキシル化する：
Ｈ＝ＣＨＳｉ（ＮＭｅ２）３（８７％）＋
ＲＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＮＭｅ２）３（１１％）＋
Ｈ２ ２ａ 次にかくて製造されるビニルアミノシランを次式により
アルコールを用いてアルコキシル化する：
【００１０】
【化５】
ＲＣ≡ＣＨ＋ＨＳｉ（ＯＲ′）３→ＲＣＨ＝Ｃ
ＨＳｉ（ＯＲ′）３
３ａ 前の方法と同様に、副反応及び副生物、殊にジメチルア
ミンの存在は所望のビニルアルコキシシラン生成物の理
論収率及び純度を減少させる。
ＨＳｉ（ＯＲ′）３
３ａ 前の方法と同様に、副反応及び副生物、殊にジメチルア
ミンの存在は所望のビニルアルコキシシラン生成物の理
論収率及び純度を減少させる。
【００１１】また本分野は次式により、種々の触媒上の
アルコキシシランを用いるアルキンの直接ヒドロシリル
化を開示している：このアプローチはその１段反応とし
ての簡単さのため、そして所望のビニルアルコキシシラ
ンの生成が理論的に必ずしもジメチルアミンまたは塩化
水素の如きある副生物の生成を伴わないために前に記載
の経路より潜在的に優れている。
アルコキシシランを用いるアルキンの直接ヒドロシリル
化を開示している：このアプローチはその１段反応とし
ての簡単さのため、そして所望のビニルアルコキシシラ
ンの生成が理論的に必ずしもジメチルアミンまたは塩化
水素の如きある副生物の生成を伴わないために前に記載
の経路より潜在的に優れている。
【００１２】米国特許第２，６３７，７３８号に微細に
分割された木炭上に担持された白金からなる触媒の存在
下でトリエトキシシランをアセチレンと反応させてビニ
ルトリアルコキシシランを生成させることが記載されて
いる。反応は約１３０℃の温度及び約２気圧からのガス
圧力で行い（表ＩＩＩ）、ここにビニルシランは約２０
気圧まで生成せず（実施例２）、ここにアセチレンをト
リエトキシシラン及び白金触媒を含む撹拌された反応器
に充填することによりビニルシランが主な生成物であつ
た。残念ながら、所望のビニルトリアルコキシシランの
報告された収率はかなり低く、すべての報告された場合
に次の反応の結果として生成される実質量の副生物であ
るビス（アルコキシシリル）アルカン、即ち１，２−ビ
ス（トリエトキシシリル）エタンが伴われる：
分割された木炭上に担持された白金からなる触媒の存在
下でトリエトキシシランをアセチレンと反応させてビニ
ルトリアルコキシシランを生成させることが記載されて
いる。反応は約１３０℃の温度及び約２気圧からのガス
圧力で行い（表ＩＩＩ）、ここにビニルシランは約２０
気圧まで生成せず（実施例２）、ここにアセチレンをト
リエトキシシラン及び白金触媒を含む撹拌された反応器
に充填することによりビニルシランが主な生成物であつ
た。残念ながら、所望のビニルトリアルコキシシランの
報告された収率はかなり低く、すべての報告された場合
に次の反応の結果として生成される実質量の副生物であ
るビス（アルコキシシリル）アルカン、即ち１，２−ビ
ス（トリエトキシシリル）エタンが伴われる：
【００１
３】
３】
【化６】
ＲＣＨ＝ＣＨＳｉ（ＯＲ′）３＋ＨＳｉ（ＯＲ
′）３→（Ｒ′Ｏ）３ＳｉＣ（Ｒ）ＨＣＨ２Ｓｉ（ＯＲ
′）３ ３ｂ また他の副生物は関連するアルキルアルコキシシラン及
び次の反応によるその生成が通常上昇した反応温度が適
しているテトラアルコキシシランを含む：
′）３→（Ｒ′Ｏ）３ＳｉＣ（Ｒ）ＨＣＨ２Ｓｉ（ＯＲ
′）３ ３ｂ また他の副生物は関連するアルキルアルコキシシラン及
び次の反応によるその生成が通常上昇した反応温度が適
しているテトラアルコキシシランを含む：
【００１４】
【化７】
２ＨＳｉ（ＯＲ）３→Ｓｉ（ＯＲ）４＋Ｈ２Ｓ
ｉ（ＯＲ）２
３Ｃ ＣＨ２＝ＣＨＳｉ（ＯＲ）３＋Ｈ
２→ＣＨ３ＣＨ２Ｓｉ（ＯＲ）３
３ｄ ＣＨ≡ＣＨ＋Ｈ２＋Ｈ
Ｓｉ（ＯＲ）３→ＣＨ３ＣＨ２Ｓｉ（ＯＲ）３
３ｅ これらの反応に対する水素はビス（アルコキシシリル）
アルカン化合物が生成する反応工程中に生じる白金／ビ
ニル錯体の脱水素による所望の生成物の製造中に生成し
得る。また水素は次の縮合反応により多分生成し得る：
ｉ（ＯＲ）２
３Ｃ ＣＨ２＝ＣＨＳｉ（ＯＲ）３＋Ｈ
２→ＣＨ３ＣＨ２Ｓｉ（ＯＲ）３
３ｄ ＣＨ≡ＣＨ＋Ｈ２＋Ｈ
Ｓｉ（ＯＲ）３→ＣＨ３ＣＨ２Ｓｉ（ＯＲ）３
３ｅ これらの反応に対する水素はビス（アルコキシシリル）
アルカン化合物が生成する反応工程中に生じる白金／ビ
ニル錯体の脱水素による所望の生成物の製造中に生成し
得る。また水素は次の縮合反応により多分生成し得る：
【００１５】
【化８】
２ＨＳｉ（ＯＲ）３→（ＯＲ）３ＳｉＳｉ（Ｏ
Ｒ）３＋Ｈ２
３ｆ 米国特許第２，８２３，２１８号に開示される方法
はケイ素−水素結合及び不飽和炭素−炭素結合を含む反
応を触媒するために塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ
２Ｏ）を用いる。この方法は所望の生成物の収率を増大
し、副生物の収率を減少し、そして必要な反応温度を低
下すると言われている。実施例２１はビニルトリアルコ
キシシランを製造するためにアセチレンをトリエトキシ
シラン及び塩化白金酸のイソプロパノール溶液を含む反
応器に加えることを記載している。収率及び純度の情報
は報告されていない。
Ｒ）３＋Ｈ２
３ｆ 米国特許第２，８２３，２１８号に開示される方法
はケイ素−水素結合及び不飽和炭素−炭素結合を含む反
応を触媒するために塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ
２Ｏ）を用いる。この方法は所望の生成物の収率を増大
し、副生物の収率を減少し、そして必要な反応温度を低
下すると言われている。実施例２１はビニルトリアルコ
キシシランを製造するためにアセチレンをトリエトキシ
シラン及び塩化白金酸のイソプロパノール溶液を含む反
応器に加えることを記載している。収率及び純度の情報
は報告されていない。
【００１６】特開昭５７／４９９５号（１９８２）、比
較例１３にトルメトキシシロキサン８０ミリモル及び溶
媒としてのキシレン７０ｍｌに溶解した塩化白金酸溶液
を含む反応器にアセチレンを加えることが開示されてい
る。ヒドロシリル化反応は６０℃の反応温度及び常圧で
行つた。生じる主な生成物は１，２−ビス（トリアルコ
キシシリル）エタンであつた。
較例１３にトルメトキシシロキサン８０ミリモル及び溶
媒としてのキシレン７０ｍｌに溶解した塩化白金酸溶液
を含む反応器にアセチレンを加えることが開示されてい
る。ヒドロシリル化反応は６０℃の反応温度及び常圧で
行つた。生じる主な生成物は１，２−ビス（トリアルコ
キシシリル）エタンであつた。
【００１７】ビニルトリ−ｔ−アルコキシシランを製造
するための白金ヒドロシリル化触媒の存在下での約１５
０℃以上の温度でのトリ−ｔ−アルコキシシランとアル
キンとの反応が米国特許第４，５７９，９６５号に開示
されている。この特許は望ましくないビス（トリ−ｔ−
アルコキシシリル）エタンの製造が極めて低いことを開
示している。示唆された白金ヒドロシリル化触媒には白
金金属（単独または担体上）、塩化白金酸及び白金（Ｉ
Ｉ）２，４−ペンタンジオネートが含まれる。
するための白金ヒドロシリル化触媒の存在下での約１５
０℃以上の温度でのトリ−ｔ−アルコキシシランとアル
キンとの反応が米国特許第４，５７９，９６５号に開示
されている。この特許は望ましくないビス（トリ−ｔ−
アルコキシシリル）エタンの製造が極めて低いことを開
示している。示唆された白金ヒドロシリル化触媒には白
金金属（単独または担体上）、塩化白金酸及び白金（Ｉ
Ｉ）２，４−ペンタンジオネートが含まれる。
【００１８】この特許が第三級アルコキシシランの代り
に、第一級または第二級アルコキシシラン（例えばトリ
メトキシシラン、トリエトキシシランまたはトリイソプ
ロポキシシラン）をアセチレンと反応させた場合、望ま
しくないビス（シリルアルコキシ）アルカン誘導体の生
成がビニルアルコキシシランを生成させる望ましい反応
に対して主であることが開示されていることが注目され
る。殊に、比較例２〜４はアセチレンを第一級または第
二級トリアルコキシシラン及び塩化白金酸触媒の混合物
に加える場合、ビス−シリル誘導体が主に生じることを
示す。塩化白金酸触媒の代りにＰｔＣｌ２（ＰＰｈ３）
２を用いる場合、相対的な選択性は改善されるが、所望
の生成物収率は第一級アルコキシシランに対して８０％
のみのままであつた。更に、各々のかかる場合に、テト
ラアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシラン副生
物の収率は少なくとも２重量％であつた。上記のように
、これらの望ましくない副生物を望ましいビニルシラン
生成物から除去することは極めて困難である。
に、第一級または第二級アルコキシシラン（例えばトリ
メトキシシラン、トリエトキシシランまたはトリイソプ
ロポキシシラン）をアセチレンと反応させた場合、望ま
しくないビス（シリルアルコキシ）アルカン誘導体の生
成がビニルアルコキシシランを生成させる望ましい反応
に対して主であることが開示されていることが注目され
る。殊に、比較例２〜４はアセチレンを第一級または第
二級トリアルコキシシラン及び塩化白金酸触媒の混合物
に加える場合、ビス−シリル誘導体が主に生じることを
示す。塩化白金酸触媒の代りにＰｔＣｌ２（ＰＰｈ３）
２を用いる場合、相対的な選択性は改善されるが、所望
の生成物収率は第一級アルコキシシランに対して８０％
のみのままであつた。更に、各々のかかる場合に、テト
ラアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシラン副生
物の収率は少なくとも２重量％であつた。上記のように
、これらの望ましくない副生物を望ましいビニルシラン
生成物から除去することは極めて困難である。
【００１９】トリアルコキシシランを用いるアルキンの
直接ヒドロシリル化を介して製造される所望のビニルシ
ランの収率を増大させるある種のアプローチは商業的に
実施されていない。ある可能な方法はアルキン（ＲＣ≡
ＣＨ）例えばアセチレンの圧力を２０気圧程度までかな
り増大することを含む。残念ながら、約１〜４気圧（ゲ
ージ）より高いアセチレンの圧力は重大な安全性の障害
を生じさせる。
直接ヒドロシリル化を介して製造される所望のビニルシ
ランの収率を増大させるある種のアプローチは商業的に
実施されていない。ある可能な方法はアルキン（ＲＣ≡
ＣＨ）例えばアセチレンの圧力を２０気圧程度までかな
り増大することを含む。残念ながら、約１〜４気圧（ゲ
ージ）より高いアセチレンの圧力は重大な安全性の障害
を生じさせる。
【００２０】米国特許第３，７９３，３５８号にハロシ
ラン及びアルキンからのアルケニルハロアルキルシラン
（ビニルハロアルキルシラン）の製造方法が開示される
。トリアルコキシシランを用いるアルキンのヒドロシリ
ル化は開示または示唆されていない。開示された方法に
よれば、アルキン及び１個または２個のケイ素−水素結
合を有し、残りのケイ素原子価結合がハロゲンまたは不
活性の一価有機性基例えばアルキル、アリールもしくは
シクロアルキル基で占められるシランの混合物を追加の
触媒及びジシリルエタン（ビス−シリルエタン）溶媒ま
たは希釈剤を含む反応器に加える。用いるジシリルエタ
ンは好ましくはヒドロシリル化反応の副生物として生じ
るものと同じである。１２０乃至２２０℃間の反応温度
及び０．１乃至５．０気圧間の反応圧力を用いる。適当
な付加触媒には塩化白金酸並びに好ましくはその反応生
成物及び錯体が含まれる。この特許はビニルアルコキシ
シランを製造する場合に、如何にして分離できない副生
物例えばアルキルシランの生成を最小にするか、または
回避するかを記載していない。
ラン及びアルキンからのアルケニルハロアルキルシラン
（ビニルハロアルキルシラン）の製造方法が開示される
。トリアルコキシシランを用いるアルキンのヒドロシリ
ル化は開示または示唆されていない。開示された方法に
よれば、アルキン及び１個または２個のケイ素−水素結
合を有し、残りのケイ素原子価結合がハロゲンまたは不
活性の一価有機性基例えばアルキル、アリールもしくは
シクロアルキル基で占められるシランの混合物を追加の
触媒及びジシリルエタン（ビス−シリルエタン）溶媒ま
たは希釈剤を含む反応器に加える。用いるジシリルエタ
ンは好ましくはヒドロシリル化反応の副生物として生じ
るものと同じである。１２０乃至２２０℃間の反応温度
及び０．１乃至５．０気圧間の反応圧力を用いる。適当
な付加触媒には塩化白金酸並びに好ましくはその反応生
成物及び錯体が含まれる。この特許はビニルアルコキシ
シランを製造する場合に、如何にして分離できない副生
物例えばアルキルシランの生成を最小にするか、または
回避するかを記載していない。
【００２１】本分野ではアルコキシシランからの高収率
での高純度ビニルアルコキシシランの直接的製造方法が
定められていない。
での高純度ビニルアルコキシシランの直接的製造方法が
定められていない。
【００２２】本発明はアルキンをヒドロシリル化するこ
とによる高純度ビニルアルコキシシランの効率的及び直
接的、即ち１段の製造方法に関する。本法によれば、Ｒ
が水素または炭素原子１〜１０個の一価炭化水素基であ
る式 ＲＣ≡ＣＨのアルキンを独立して同一もしくは相
異なることができるＲ′及びＲ″が炭素原子１〜６個、
好ましくは１〜４個の第一級アルキル基であり、そして
ｎが１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″
３−ｎ のオルコキシシランでヒドロシリル化する。
とによる高純度ビニルアルコキシシランの効率的及び直
接的、即ち１段の製造方法に関する。本法によれば、Ｒ
が水素または炭素原子１〜１０個の一価炭化水素基であ
る式 ＲＣ≡ＣＨのアルキンを独立して同一もしくは相
異なることができるＲ′及びＲ″が炭素原子１〜６個、
好ましくは１〜４個の第一級アルキル基であり、そして
ｎが１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″
３−ｎ のオルコキシシランでヒドロシリル化する。
【００２３】ヒドロシリル化反応は白金ヒドロシリル化
触媒、好ましくは塩化白金酸の存在下及び低濃度のイオ
ン性塩化物及びアルキルアミン汚染物質を含む反応媒質
中で行う。本出願者はかかる汚染物質の濃度を限定する
ことにより、ヒドロシリル化中での除去し難い副生物の
生成を最小にすることを見い出した。
触媒、好ましくは塩化白金酸の存在下及び低濃度のイオ
ン性塩化物及びアルキルアミン汚染物質を含む反応媒質
中で行う。本出願者はかかる汚染物質の濃度を限定する
ことにより、ヒドロシリル化中での除去し難い副生物の
生成を最小にすることを見い出した。
【００２４】アルキンを含む反応ゾーンにアルコキシシ
ランを徐々に供給することにより反応を行う。反応ゾー
ンは低温（一般に約１５０℃以下）及び随時、好適では
あるが低圧（一般に約７５ｐｓｉａ以下）で操作する。
ランを徐々に供給することにより反応を行う。反応ゾー
ンは低温（一般に約１５０℃以下）及び随時、好適では
あるが低圧（一般に約７５ｐｓｉａ以下）で操作する。
【００２５】反応は連続法またはバツチ法のいずれかで
行い得る。経済的考慮をベースに、連続操作が一般に好
ましいが、ある状況において安全及び便利さの問題を含
む他の考慮により、バツチ操作が好適であり得る。連続
法で操作する場合、アセチレン及びアルコキシシラン反
応体をヒドロシリル化生成物の除去と同時に反応ゾーン
中に供給する。
行い得る。経済的考慮をベースに、連続操作が一般に好
ましいが、ある状況において安全及び便利さの問題を含
む他の考慮により、バツチ操作が好適であり得る。連続
法で操作する場合、アセチレン及びアルコキシシラン反
応体をヒドロシリル化生成物の除去と同時に反応ゾーン
中に供給する。
【００２６】本発明の好適な具体例において、ガス相か
らのアセチレンをヒドロシリル化触媒の存在下で液相中
のアルコキシシランと反応させてビニルアルコキシシラ
ンを生成させる。従つて、良好な混合が本発明の方法に
重要であり；その理由はこのことが一般にガス相からの
アセチレンをヒドロシリル化が起こる液相中に誘導する
主な機構として作用するからである。液体反応相は本明
細書において代りに反応媒質として称する。一般的に、
ビニルアルコキシシラン生成物の純度は混合の度合が完
全に混合される系に近づける条件が達成されるまで増大
させるに従つて改善される。いずれかの反応器のデザイ
ンに適する混合の度合は日常的な実験を用いて決め得る
。
らのアセチレンをヒドロシリル化触媒の存在下で液相中
のアルコキシシランと反応させてビニルアルコキシシラ
ンを生成させる。従つて、良好な混合が本発明の方法に
重要であり；その理由はこのことが一般にガス相からの
アセチレンをヒドロシリル化が起こる液相中に誘導する
主な機構として作用するからである。液体反応相は本明
細書において代りに反応媒質として称する。一般的に、
ビニルアルコキシシラン生成物の純度は混合の度合が完
全に混合される系に近づける条件が達成されるまで増大
させるに従つて改善される。いずれかの反応器のデザイ
ンに適する混合の度合は日常的な実験を用いて決め得る
。
【００２７】本発明の重要な特徴は反応ゾーン中の条件
がアルキン例えばアセチレンが反応媒質中で殆んどの部
分に対してアルコキシシランの濃度を基準として少なく
ともほぼその化学量論的等価量で存在するように制御し
なければならないことである。好ましくは、アルキンは
反応媒質中のアルコキシシランの濃度を基準として化学
量論的過剰量で反応媒質中に存在させる。反応媒質中の
モル比を定量的に評価するように、反応媒質中のアルキ
ン及びアルコキシシランの濃度を正確に測定することは
可能ではないが、本分野に精通せる者は下により詳細に
記載するように、本発明の方法により操作することによ
りアルキンの少なくともモル等価量、好ましくはモル過
剰量の上記の条件を確実に達成し、そして保持し得る。
がアルキン例えばアセチレンが反応媒質中で殆んどの部
分に対してアルコキシシランの濃度を基準として少なく
ともほぼその化学量論的等価量で存在するように制御し
なければならないことである。好ましくは、アルキンは
反応媒質中のアルコキシシランの濃度を基準として化学
量論的過剰量で反応媒質中に存在させる。反応媒質中の
モル比を定量的に評価するように、反応媒質中のアルキ
ン及びアルコキシシランの濃度を正確に測定することは
可能ではないが、本分野に精通せる者は下により詳細に
記載するように、本発明の方法により操作することによ
りアルキンの少なくともモル等価量、好ましくはモル過
剰量の上記の条件を確実に達成し、そして保持し得る。
【００２８】かくて、本発明による方法によれば、アル
コキシシラン反応体を化学量論的過剰量のアルキン（ア
セチレン）を含むヒドロシリル化反応ゾーン中に徐々に
供給し、そして該反応ゾーン中にて白金ヒドロシリル化
触媒の存在下で該アルキンと接触させる。好ましくは、
アルコキシシランはアルキンとの反応により消費される
速度と実質的に等しい速度で反応ゾーン中に供給し、従
つてアルコキシシランはヒドロシリル化反応中に反応ゾ
ーンに蓄積しない。アルコキシシラン反応体は好ましく
はアルキン（アセチレン）を基準としてモル過剰量で反
応ゾーン中に存在すべきでない。
コキシシラン反応体を化学量論的過剰量のアルキン（ア
セチレン）を含むヒドロシリル化反応ゾーン中に徐々に
供給し、そして該反応ゾーン中にて白金ヒドロシリル化
触媒の存在下で該アルキンと接触させる。好ましくは、
アルコキシシランはアルキンとの反応により消費される
速度と実質的に等しい速度で反応ゾーン中に供給し、従
つてアルコキシシランはヒドロシリル化反応中に反応ゾ
ーンに蓄積しない。アルコキシシラン反応体は好ましく
はアルキン（アセチレン）を基準としてモル過剰量で反
応ゾーン中に存在すべきでない。
【００２９】ヒドロシリル化反応を連続的に行う好適な
具体例において、アセチレン及びアルコキシシランを該
アセチレン及び白金ヒドロシリル化触媒を含む反応ゾー
ン中に共供給する。アセチレンの場合に反応ゾーン中に
アセチレンの雰囲気を達成させる反応器中に、好ましく
は超大気圧でアルキン、即ちアセチレンの少なくとも一
部を前もつて導入することにより、殆んどの部分に対し
て、反応媒質中にて良好な混合の条件下で約１．０以上
、好ましくは約２．０以上のアルコキシシランに対する
アルキンの同時的モル比を保持することができる。次に
アルコキシシランを反応ゾーン中に徐々に供給し、そし
てこのものをヒドロシリル化触媒の存在下でアルキンと
接触させることによりヒドロシリル化反応を開始する。
具体例において、アセチレン及びアルコキシシランを該
アセチレン及び白金ヒドロシリル化触媒を含む反応ゾー
ン中に共供給する。アセチレンの場合に反応ゾーン中に
アセチレンの雰囲気を達成させる反応器中に、好ましく
は超大気圧でアルキン、即ちアセチレンの少なくとも一
部を前もつて導入することにより、殆んどの部分に対し
て、反応媒質中にて良好な混合の条件下で約１．０以上
、好ましくは約２．０以上のアルコキシシランに対する
アルキンの同時的モル比を保持することができる。次に
アルコキシシランを反応ゾーン中に徐々に供給し、そし
てこのものをヒドロシリル化触媒の存在下でアルキンと
接触させることによりヒドロシリル化反応を開始する。
【００３０】好ましくは反応体は反応ゾーン中でヒドロ
シリル化反応により消費される速度で実質的に共供給す
る。アセチレンの場合、この供給の速度は反応ゾーン中
に所望のガス相圧力を保持する要求によりアセチレンを
反応ゾーン中に単に導入することにより容易に保持し得
る。アルコキシシランに関し、本出願者は約２．０〜約
８．０ｇ−モル／時間−ｌ反応媒質の範囲の供給速度が
殆んどの状況において適すべきことを見い出した。反応
ゾーン中のアルキン（アセチレン）反応体濃度を反応ゾ
ーン中のアルコキシシランのモル濃度の約１．０〜約１
０．０、より通常は約２．０乃至約５．０間倍のモル比
で保持することが好ましい。良好な混合と共に、これら
の条件下でのアルキン、殊にアセチレンの供給の要求は
アルキン及びアルコキシシランの所望の化学量論量的バ
ランスを保持するために適当量のアセチレンを反応ゾー
ン中に、次に反応媒質中に分配することを保証する。
シリル化反応により消費される速度で実質的に共供給す
る。アセチレンの場合、この供給の速度は反応ゾーン中
に所望のガス相圧力を保持する要求によりアセチレンを
反応ゾーン中に単に導入することにより容易に保持し得
る。アルコキシシランに関し、本出願者は約２．０〜約
８．０ｇ−モル／時間−ｌ反応媒質の範囲の供給速度が
殆んどの状況において適すべきことを見い出した。反応
ゾーン中のアルキン（アセチレン）反応体濃度を反応ゾ
ーン中のアルコキシシランのモル濃度の約１．０〜約１
０．０、より通常は約２．０乃至約５．０間倍のモル比
で保持することが好ましい。良好な混合と共に、これら
の条件下でのアルキン、殊にアセチレンの供給の要求は
アルキン及びアルコキシシランの所望の化学量論量的バ
ランスを保持するために適当量のアセチレンを反応ゾー
ン中に、次に反応媒質中に分配することを保証する。
【００３１】本明細書及び特許請求の範囲を通して用い
られるように、アルコキシシランを反応ゾーンに徐々に
加えることは反応ゾーンへのアルコキシシランの添加の
同時速度が好ましくは反応媒質中でアルコキシシランが
消費される速度の約４．０倍以下、より好ましくは約２
．０倍以下であることを意味する。換言すれば、アルコ
キシシランを反応ゾーンに実質的に一定の速度で連続的
に加えるよりはむしろ一部ずつか、または段階的に加え
ることができる。そのある具体例が本分野でパルス供給
として称せられるこの後者の操作は一般に好ましくなく
、その理由は実質的に一定速度でのアルコキシシランの
連続的供給と比較してより大量のビス（アルコキシシリ
ル）アルカンが生じる傾向があるからである。それにも
かかわらず、この操作は全アルコキシシラン充填物を反
応の開始前に反応器に加えるビニルアルコキシシランの
製造に対する本分野のバツチ法のアプローチより優れて
いる。
られるように、アルコキシシランを反応ゾーンに徐々に
加えることは反応ゾーンへのアルコキシシランの添加の
同時速度が好ましくは反応媒質中でアルコキシシランが
消費される速度の約４．０倍以下、より好ましくは約２
．０倍以下であることを意味する。換言すれば、アルコ
キシシランを反応ゾーンに実質的に一定の速度で連続的
に加えるよりはむしろ一部ずつか、または段階的に加え
ることができる。そのある具体例が本分野でパルス供給
として称せられるこの後者の操作は一般に好ましくなく
、その理由は実質的に一定速度でのアルコキシシランの
連続的供給と比較してより大量のビス（アルコキシシリ
ル）アルカンが生じる傾向があるからである。それにも
かかわらず、この操作は全アルコキシシラン充填物を反
応の開始前に反応器に加えるビニルアルコキシシランの
製造に対する本分野のバツチ法のアプローチより優れて
いる。
【００３２】上記のように、本発明の方法により、アル
キンをアルコキシシランでヒドロシリル化する。アルキ
ンとして本発明による方法においてアセチレンそれ自体
またはアルキンのＳｉ−結合した水素を有するケイ素化
合物への付加によりアルケニルシランの製造に以前用い
た置換されたアセチレンを用いることができる。かくて
、本発明における使用に適するアルキンは特にＲが水素
または炭素原子１〜１０個を有する一価の炭化水素基例
えばアルキル、シクロアルキルまたはアリールである一
般式 ＲＣ≡ＣＨの化合物である。好ましくは、Ｒは水
素または炭素原子１〜６個を有する一価の炭化水素基で
ある。より好ましくは、Ｒは水素、フエニル及びメチル
よりなる群から選ばれる。最も好ましくは、Ｒは水素で
あり、即ちアルキンはアセチレンである。
キンをアルコキシシランでヒドロシリル化する。アルキ
ンとして本発明による方法においてアセチレンそれ自体
またはアルキンのＳｉ−結合した水素を有するケイ素化
合物への付加によりアルケニルシランの製造に以前用い
た置換されたアセチレンを用いることができる。かくて
、本発明における使用に適するアルキンは特にＲが水素
または炭素原子１〜１０個を有する一価の炭化水素基例
えばアルキル、シクロアルキルまたはアリールである一
般式 ＲＣ≡ＣＨの化合物である。好ましくは、Ｒは水
素または炭素原子１〜６個を有する一価の炭化水素基で
ある。より好ましくは、Ｒは水素、フエニル及びメチル
よりなる群から選ばれる。最も好ましくは、Ｒは水素で
あり、即ちアルキンはアセチレンである。
【００３３】適当な置換されたアセチレンにはフエニル
アセチレン、プロピル、１−ブチン及び１−ペンチンが
含まれる。しかしながら、アセチレンは置換されたアセ
チレンより容易に入手され、そして不飽和ビニル基を有
するシランは特別に商業的に重要なものであるため、ア
セチレン（ＨＣ≡ＣＨ）の使用が本発明による方法に好
ましい。必要に応じて、また、本発明による方法におい
てアセチレン及び１つまたはそれ以上の置換されたアセ
チレンの混合物または異なつた置換されたアセチレンの
混合物を用いることができる。随時置換されていてもよ
いアセチレンを無水状態で用いることが有利である。
アセチレン、プロピル、１−ブチン及び１−ペンチンが
含まれる。しかしながら、アセチレンは置換されたアセ
チレンより容易に入手され、そして不飽和ビニル基を有
するシランは特別に商業的に重要なものであるため、ア
セチレン（ＨＣ≡ＣＨ）の使用が本発明による方法に好
ましい。必要に応じて、また、本発明による方法におい
てアセチレン及び１つまたはそれ以上の置換されたアセ
チレンの混合物または異なつた置換されたアセチレンの
混合物を用いることができる。随時置換されていてもよ
いアセチレンを無水状態で用いることが有利である。
【００３４】本発明を実施する際に適するアルコキシシ
ランはトリアルコキシシラン、アルキルジアルコキシシ
ラン並びに独立して同一もしくは相異なることができる
Ｒ′及びＲ″が炭素原子１〜６個、好ましくは１〜４個
の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが１、２また
は３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−ｎ のジア
ルキルアルコキシシランよりなる群から選ばれる。アル
コキシシランの例としてトリメトキシシラン、トリエト
キシシラン、トリス（メトキシエトキシ）シラン、トリ
ブトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルメ
トキシシラン、メチルジエトキシシラン、トリプロポキ
シシラン、トリペントキシシラン及びトリス（２−エチ
ルヘキソキシ）シランを挙げ得る。トリアルコキシシラ
ン及びアルキルジアルコキシシラン、殊にアルキル基が
炭素原子１または２個を有するものが好ましい。最も好
ましくは、アルコキシシランとしてトリメトキシシラン
及びトリエトキシシランを用いる。
ランはトリアルコキシシラン、アルキルジアルコキシシ
ラン並びに独立して同一もしくは相異なることができる
Ｒ′及びＲ″が炭素原子１〜６個、好ましくは１〜４個
の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが１、２また
は３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−ｎ のジア
ルキルアルコキシシランよりなる群から選ばれる。アル
コキシシランの例としてトリメトキシシラン、トリエト
キシシラン、トリス（メトキシエトキシ）シラン、トリ
ブトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルメ
トキシシラン、メチルジエトキシシラン、トリプロポキ
シシラン、トリペントキシシラン及びトリス（２−エチ
ルヘキソキシ）シランを挙げ得る。トリアルコキシシラ
ン及びアルキルジアルコキシシラン、殊にアルキル基が
炭素原子１または２個を有するものが好ましい。最も好
ましくは、アルコキシシランとしてトリメトキシシラン
及びトリエトキシシランを用いる。
【００３５】ヒドロシリル化触媒として本発明による方
法において、随時置換されていてもよいアセチレンをＳ
ｉ−結合した水素を有するケイ素化合物に付加させるこ
とによりアルケニルシランの製造に触媒として前に用い
た白金触媒を用いることができ、但し特定の触媒は選ば
れる反応温度下で十分安定であるものとする。本発明に
よる方法においてヒドロシリル化触媒として使用し得る
物質の例には特に可溶性白金化合物例えば塩化白金酸（
Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）、白金有機錯体例えば白金
−ホスフイン錯体［例えばＰｔＸ２（ＰＰｈ３）２ な
どを含む］及び白金（ＩＩ）ビス２，４−ペンタンジオ
エート、並びに随時固体担体例えばカーボン・ブラツク
、シルカゲル、炭酸カルシウムなど上の白金金属がある
。塩化白金酸、その溶液並びに塩化白金酸と他の無機及
び／または有機化合物との反応生成物または錯体が好ま
しい。通常、塩化白金酸を不活性有機溶媒例えばアルコ
ール、ケトンまたはエーテル中の溶液として反応ゾーン
に加える。塩化白金酸を溶解する溶媒は有利には反応体
に対して溶媒または希釈剤として使用される溶媒と同じ
であり得る。
法において、随時置換されていてもよいアセチレンをＳ
ｉ−結合した水素を有するケイ素化合物に付加させるこ
とによりアルケニルシランの製造に触媒として前に用い
た白金触媒を用いることができ、但し特定の触媒は選ば
れる反応温度下で十分安定であるものとする。本発明に
よる方法においてヒドロシリル化触媒として使用し得る
物質の例には特に可溶性白金化合物例えば塩化白金酸（
Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）、白金有機錯体例えば白金
−ホスフイン錯体［例えばＰｔＸ２（ＰＰｈ３）２ な
どを含む］及び白金（ＩＩ）ビス２，４−ペンタンジオ
エート、並びに随時固体担体例えばカーボン・ブラツク
、シルカゲル、炭酸カルシウムなど上の白金金属がある
。塩化白金酸、その溶液並びに塩化白金酸と他の無機及
び／または有機化合物との反応生成物または錯体が好ま
しい。通常、塩化白金酸を不活性有機溶媒例えばアルコ
ール、ケトンまたはエーテル中の溶液として反応ゾーン
に加える。塩化白金酸を溶解する溶媒は有利には反応体
に対して溶媒または希釈剤として使用される溶媒と同じ
であり得る。
【００３６】触媒はヒドロシリル化反応を触媒するに十
分な量で用いる。白金含有触媒の経費により、用いる触
媒の量をヒドロシリル化反応に悪影響を及ぼさずにでき
る限り最小にすることが代表的には望ましい。かくて、
代表的には過剰の触媒使用は避ける。反応媒質中の白金
濃度は代表的には反応体及び溶媒の重量をベースとして
約５００ｐｐｍ重量までの範囲である。好ましくは、白
金濃度は約２５０ｐｐｍまで、より好ましくは約１乃至
１５０ｐｐｍ間、最も好ましくは約１０乃至７５ｐｐｍ
間である。
分な量で用いる。白金含有触媒の経費により、用いる触
媒の量をヒドロシリル化反応に悪影響を及ぼさずにでき
る限り最小にすることが代表的には望ましい。かくて、
代表的には過剰の触媒使用は避ける。反応媒質中の白金
濃度は代表的には反応体及び溶媒の重量をベースとして
約５００ｐｐｍ重量までの範囲である。好ましくは、白
金濃度は約２５０ｐｐｍまで、より好ましくは約１乃至
１５０ｐｐｍ間、最も好ましくは約１０乃至７５ｐｐｍ
間である。
【００３７】触媒は代表的には蒸留により所望の生成物
から回収することができ、そして通常所望のビニルアル
コキシシラン生成物より重い物質を含む蒸留残渣流体（
即ち低揮発性）中で回収される。ビス−ヘビ−（ｂｉｓ
−ｈｅａｖｙ）物質を含むこの重質流体は代表的にはヒ
ドロシリル化反応に対する溶媒として適している。従つ
て、触媒は有利には溶媒としての重質流体と一緒に再循
環させ得る。代りに、触媒は再循環または回収のために
すべての反応生成物から別々に回収し得る。
から回収することができ、そして通常所望のビニルアル
コキシシラン生成物より重い物質を含む蒸留残渣流体（
即ち低揮発性）中で回収される。ビス−ヘビ−（ｂｉｓ
−ｈｅａｖｙ）物質を含むこの重質流体は代表的にはヒ
ドロシリル化反応に対する溶媒として適している。従つ
て、触媒は有利には溶媒としての重質流体と一緒に再循
環させ得る。代りに、触媒は再循環または回収のために
すべての反応生成物から別々に回収し得る。
【００３８】必要に応じて、白金ヒドロシリル化触媒の
性能を高めるために少量の触媒促進剤を使用し得る。促
進剤は触媒を非活性または低活性形からより活性形に変
えるために役立つ。本分野において、ヒドロシリル化触
媒促進剤としてトリエチルシランまたはフエノチアジン
の使用が教示されている。本明細書に参考として併記さ
れる例えば米国特許第３，９２５，４３４号及び同第４
，６１４，８１２号参照。フエノチアジンは本発明にお
いて好適な触媒促進剤である。
性能を高めるために少量の触媒促進剤を使用し得る。促
進剤は触媒を非活性または低活性形からより活性形に変
えるために役立つ。本分野において、ヒドロシリル化触
媒促進剤としてトリエチルシランまたはフエノチアジン
の使用が教示されている。本明細書に参考として併記さ
れる例えば米国特許第３，９２５，４３４号及び同第４
，６１４，８１２号参照。フエノチアジンは本発明にお
いて好適な触媒促進剤である。
【００３９】白金触媒の存在下でのアルコキシシランに
よるアルキンのヒドロシリル化は多くの副生物を生成さ
せ、そのあるものは所望の生成物から分離することが極
めて困難である。上記のように、反応媒質中のある汚染
物質、特にイオン性塩化物及びアルキルアミンの濃度が
アルキン及びアルコキシシラン間のヒドロシリル化反応
の選択性並びにかかる望ましくない副生物の生成に重大
に影響することが発見された。代表的には、これらの汚
染物質はその製造方法のためにヒドロシリル化反応体、
即ちアルコキシシランと共に反応媒質中に導入する。本
発明の方法により、反応ゾーン中のかかる汚染物質の濃
度は高純度及び収率のビニルアルコキシシランを製造す
るために低濃度に保持しなければならない。
よるアルキンのヒドロシリル化は多くの副生物を生成さ
せ、そのあるものは所望の生成物から分離することが極
めて困難である。上記のように、反応媒質中のある汚染
物質、特にイオン性塩化物及びアルキルアミンの濃度が
アルキン及びアルコキシシラン間のヒドロシリル化反応
の選択性並びにかかる望ましくない副生物の生成に重大
に影響することが発見された。代表的には、これらの汚
染物質はその製造方法のためにヒドロシリル化反応体、
即ちアルコキシシランと共に反応媒質中に導入する。本
発明の方法により、反応ゾーン中のかかる汚染物質の濃
度は高純度及び収率のビニルアルコキシシランを製造す
るために低濃度に保持しなければならない。
【００４０】本発明者はいずれの理論にも拘束されるこ
とを望まないが、反応媒質中のある汚染物質、殊にイオ
ン性塩化物及びアルキルアミンは配位錯体を形成するか
、または白金ヒドロシリル化触媒と反応するものと考え
られる。かかる錯体は触媒を所望の反応を行わせにくく
するか、または触媒の特性を変化させて収率を低下させ
、そしてビニルアルコキシシラン生成物を汚染する副反
応を促進する。
とを望まないが、反応媒質中のある汚染物質、殊にイオ
ン性塩化物及びアルキルアミンは配位錯体を形成するか
、または白金ヒドロシリル化触媒と反応するものと考え
られる。かかる錯体は触媒を所望の反応を行わせにくく
するか、または触媒の特性を変化させて収率を低下させ
、そしてビニルアルコキシシラン生成物を汚染する副反
応を促進する。
【００４１】代表的には、個々及び好ましくは凝集体と
してのアルキルアミン（窒素として測定）及びイオン性
塩化物汚染物質の全濃度は約０．１０重量％を越えるべ
きではなく、好ましくはその濃度は反応ゾーン中で約０
．０５重量％を越えるべきではない。より好ましくは全
濃度は約０．０１重量％を越えず、そして最も好ましく
は約０．００５重量％を越えない。反応媒質中のこれら
の好適な汚染物質濃度で、所望の生成物中に見い出され
るテトラアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシラ
ンの全濃度は約１重量％を越えることは予期されない。
してのアルキルアミン（窒素として測定）及びイオン性
塩化物汚染物質の全濃度は約０．１０重量％を越えるべ
きではなく、好ましくはその濃度は反応ゾーン中で約０
．０５重量％を越えるべきではない。より好ましくは全
濃度は約０．０１重量％を越えず、そして最も好ましく
は約０．００５重量％を越えない。反応媒質中のこれら
の好適な汚染物質濃度で、所望の生成物中に見い出され
るテトラアルコキシシラン及びアルキルアルコキシシラ
ンの全濃度は約１重量％を越えることは予期されない。
【００４２】本発明に用いる際に適するアルコキシシラ
ンは代表的には次の反応により製造し得る（ある副反応
は示していない）： Ａ．トリクロロシランのエステル化
ンは代表的には次の反応により製造し得る（ある副反応
は示していない）： Ａ．トリクロロシランのエステル化
【００４３】
【化９】ＨＳｉＣｌ３＋３ＲＯＨ→ＨＳｉ（ＯＲ）３＋
３ＨＣｌＢ．トリス（ジメチルアミノ）シランのエステ
ル化
３ＨＣｌＢ．トリス（ジメチルアミノ）シランのエステ
ル化
【００４４】
【化１０】
ＨＳｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３＋３ＲＯＨ→ＨＳｉ（ＯＲ
）３＋３ＨＮ（ＣＨ３）２Ｃ．ケイ素及びメタノールの
直接反応
）３＋３ＨＮ（ＣＨ３）２Ｃ．ケイ素及びメタノールの
直接反応
【００４５】
【化１１】Ｓｉ＋３ＲＯＨ→ＨＳｉ（ＯＲ）３＋Ｈ２生
成物が可溶性のイオン性塩化物として、そして部分的な
エステルＨＳｉ（ＯＲ）２Ｃｌの状態の両方で塩化物を
含むが、トリクロロシランのエステル化がアルコキシシ
ランの製造に対しては最も典型的な商業的方法である。 イオン性塩化物濃度を約１００ｐｐｍ（０．０１重量％
）以下に減少させるためにしばしば極めて注意深い中和
が使用され得るが、アルコキシシランが添加されるアル
カリ性物質と反応するために、追加のイオン性塩化物の
除去は困難である。またトリス（ジメチルアミノ）シラ
ンのエステル化により生成されるトリアルコキシシラン
からのアルキルアミンの除去も極めて困難である。
成物が可溶性のイオン性塩化物として、そして部分的な
エステルＨＳｉ（ＯＲ）２Ｃｌの状態の両方で塩化物を
含むが、トリクロロシランのエステル化がアルコキシシ
ランの製造に対しては最も典型的な商業的方法である。 イオン性塩化物濃度を約１００ｐｐｍ（０．０１重量％
）以下に減少させるためにしばしば極めて注意深い中和
が使用され得るが、アルコキシシランが添加されるアル
カリ性物質と反応するために、追加のイオン性塩化物の
除去は困難である。またトリス（ジメチルアミノ）シラ
ンのエステル化により生成されるトリアルコキシシラン
からのアルキルアミンの除去も極めて困難である。
【００４６】同様に多くのアルコキシシランの商業的原
料はこれら２つの方法の１つにより製造されている。従
つて、例えば蒸留によるアルコキシシランの精製は、こ
のものを本発明に用いる前にその塩化物及びアルキルア
ミン汚染物の濃度を減少させることが必要であり得る。 ケイ素及びメタノールの直接反応は所望のアルコキシシ
ラン生成物中に塩化物またはアルキルアミンを生成させ
ないため、第三のアルコキシシランの原料は本発明によ
り用いられるビニルアルコキシシランを製造するために
好ましい。アルコキシシランの直接的製造方法は例えば
本明細書に参考として併記するメンデイシノ（Ｍｅｎｄ
ｉｃｉｎｏ）による米国特許第４，７２７，１７３号に
記載される。
料はこれら２つの方法の１つにより製造されている。従
つて、例えば蒸留によるアルコキシシランの精製は、こ
のものを本発明に用いる前にその塩化物及びアルキルア
ミン汚染物の濃度を減少させることが必要であり得る。 ケイ素及びメタノールの直接反応は所望のアルコキシシ
ラン生成物中に塩化物またはアルキルアミンを生成させ
ないため、第三のアルコキシシランの原料は本発明によ
り用いられるビニルアルコキシシランを製造するために
好ましい。アルコキシシランの直接的製造方法は例えば
本明細書に参考として併記するメンデイシノ（Ｍｅｎｄ
ｉｃｉｎｏ）による米国特許第４，７２７，１７３号に
記載される。
【００４７】常に必要ということではないが、殊にバツ
チ・タイプの操作が望ましい場合、特に触媒として塩化
白金酸を用いる場合、反応を溶媒の存在下で反応を行う
ことがしばしば便利である。適当な溶媒は好ましくは反
応体に対して高い溶解性を有する。溶媒の例にはｏ−ジ
クロロベンゼン、副生物ビス（アルコキシシリル）アル
カン及びビニルアルコキシシラン生成物自体がある。殊
に有用な具体例において、生成物であるビニルアルコキ
シシランは本質的に単独溶媒を構成し得る。そのアルコ
キシシランとの反応がビス（アルコキシシリル）アルカ
ン、即ちビス−ヘビ−生成の主な原料であるため、純度
及び収率に不利な結果をもたらさずに生成物を反応溶媒
として使用し得ることは殊に驚くべきことである。また
他の有機溶媒例えばクメン、トルエンまたはキシレンも
適している。本発明の方法は高収率及び高純度で所望の
ビニルアルコキシシラン生成物を効率的に製造するため
の比較的低経費の、安全な方法を提供する。
チ・タイプの操作が望ましい場合、特に触媒として塩化
白金酸を用いる場合、反応を溶媒の存在下で反応を行う
ことがしばしば便利である。適当な溶媒は好ましくは反
応体に対して高い溶解性を有する。溶媒の例にはｏ−ジ
クロロベンゼン、副生物ビス（アルコキシシリル）アル
カン及びビニルアルコキシシラン生成物自体がある。殊
に有用な具体例において、生成物であるビニルアルコキ
シシランは本質的に単独溶媒を構成し得る。そのアルコ
キシシランとの反応がビス（アルコキシシリル）アルカ
ン、即ちビス−ヘビ−生成の主な原料であるため、純度
及び収率に不利な結果をもたらさずに生成物を反応溶媒
として使用し得ることは殊に驚くべきことである。また
他の有機溶媒例えばクメン、トルエンまたはキシレンも
適している。本発明の方法は高収率及び高純度で所望の
ビニルアルコキシシラン生成物を効率的に製造するため
の比較的低経費の、安全な方法を提供する。
【００４８】本発明の方法によりヒドロシリル化反応を
行う際の圧力及び温度の条件は望ましくない副生物の生
成を最小にするように選ぶ。許容し得る触媒活性及び選
択性を確保するために温度は十分高くなければならない
が、高すぎるか、または低すぎる温度によつて望ましく
ないテトラアルコキシシラン及び水素化されたビニルシ
ラン副生物の生成が有利となり得る。触媒の選択、特殊
な反応体及び所望の操作圧力はある程度選ぶ温度に影響
する。最適な条件は日常的な実験を用いて選択し得る。 例えば塩化白金酸触媒を用いて許容され得る活性を保持
するため、反応温度は通常少なくとも約５０℃であるべ
きである。ある場合に反応は１５０℃及びそれ以上の温
度で十分進行するが、一般に約１５０℃以上の反応温度
は好ましくなく；その理由はこれによりテトラアルコキ
シシラン及びアルキルアルコキシシランの生成が代表的
には許容量を越える濃度（即ち約１重量％以上）に増大
されるからである。例えば米国特許第４，５７９，９６
５号参照。かくて、本発明の方法により反応を行う際の
温度は好ましくは約５０〜１５０℃、より好ましくは約
８５乃至１５０℃間、最も好ましくは約１００乃至１５
０℃間の範囲内である。
行う際の圧力及び温度の条件は望ましくない副生物の生
成を最小にするように選ぶ。許容し得る触媒活性及び選
択性を確保するために温度は十分高くなければならない
が、高すぎるか、または低すぎる温度によつて望ましく
ないテトラアルコキシシラン及び水素化されたビニルシ
ラン副生物の生成が有利となり得る。触媒の選択、特殊
な反応体及び所望の操作圧力はある程度選ぶ温度に影響
する。最適な条件は日常的な実験を用いて選択し得る。 例えば塩化白金酸触媒を用いて許容され得る活性を保持
するため、反応温度は通常少なくとも約５０℃であるべ
きである。ある場合に反応は１５０℃及びそれ以上の温
度で十分進行するが、一般に約１５０℃以上の反応温度
は好ましくなく；その理由はこれによりテトラアルコキ
シシラン及びアルキルアルコキシシランの生成が代表的
には許容量を越える濃度（即ち約１重量％以上）に増大
されるからである。例えば米国特許第４，５７９，９６
５号参照。かくて、本発明の方法により反応を行う際の
温度は好ましくは約５０〜１５０℃、より好ましくは約
８５乃至１５０℃間、最も好ましくは約１００乃至１５
０℃間の範囲内である。
【００４９】高い反応圧力（約２０気圧まで）は改善さ
れた生成物選択性を与えるが、本発明の方法の利点の１
つは低いアセチレン圧力が許容されることにある。かく
て、約７５絶対ｐｓｉのアセチレン（即ちアルキン）圧
力で、特に２５〜３０絶対ｐｓｉ及びそれ以下の圧力、
即ち約１５ポンド／平方インチゲージ圧力までの気圧で
生成物収率及び選択性は本発明の工程において十分なま
まであり、その際に生成物中の分離し難い望ましくない
副生物は好適な反応条件で約１重量％より少ない量で生
成される。所望の反応体純度を保持し、そして温度を適
当に制御することにより、ビス−ヘビ−生成物の生成を
含めた望ましくない反応は高いアセチレン圧力を必要と
せずに回避される。かくて、本発明の方法はビニルアル
コキシシランの安全な製造方法を提供する。
れた生成物選択性を与えるが、本発明の方法の利点の１
つは低いアセチレン圧力が許容されることにある。かく
て、約７５絶対ｐｓｉのアセチレン（即ちアルキン）圧
力で、特に２５〜３０絶対ｐｓｉ及びそれ以下の圧力、
即ち約１５ポンド／平方インチゲージ圧力までの気圧で
生成物収率及び選択性は本発明の工程において十分なま
まであり、その際に生成物中の分離し難い望ましくない
副生物は好適な反応条件で約１重量％より少ない量で生
成される。所望の反応体純度を保持し、そして温度を適
当に制御することにより、ビス−ヘビ−生成物の生成を
含めた望ましくない反応は高いアセチレン圧力を必要と
せずに回避される。かくて、本発明の方法はビニルアル
コキシシランの安全な製造方法を提供する。
【００５０】ヒドロシリル化反応に対し種々の反応器を
用いることができ、そして本発明はいずれかの特殊な反
応器のタイプまたはデザインに限定されない。適当な反
応器には連続供給付きの添加反応器、連続撹拌タンク反
応器（ＣＳＴＲ）及び充填カラム反応器が好まれる。好
適な反応器は一般に向流カラム反応器または蒸留反応器
の如く原料物質（アルキン及びアルコキシシラン）では
なく、生成物（ビニルアルコキシシラン）を選択的に除
去するものである。かかる反応器中で、生成物をアセチ
レンを供給する底部から連続的に除去し；生成物及びア
ルコキシシラン反応体間の接触を最小にするようにアル
コキシシランは好ましくはカラムの他の末端で供給する
。また、バブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）カラム反応器
を用いることができ、その場合に生成物は上部から除去
する。
用いることができ、そして本発明はいずれかの特殊な反
応器のタイプまたはデザインに限定されない。適当な反
応器には連続供給付きの添加反応器、連続撹拌タンク反
応器（ＣＳＴＲ）及び充填カラム反応器が好まれる。好
適な反応器は一般に向流カラム反応器または蒸留反応器
の如く原料物質（アルキン及びアルコキシシラン）では
なく、生成物（ビニルアルコキシシラン）を選択的に除
去するものである。かかる反応器中で、生成物をアセチ
レンを供給する底部から連続的に除去し；生成物及びア
ルコキシシラン反応体間の接触を最小にするようにアル
コキシシランは好ましくはカラムの他の末端で供給する
。また、バブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）カラム反応器
を用いることができ、その場合に生成物は上部から除去
する。
【００５１】本発明を次の実施例を参照して更に詳細に
記載するが、その際に特記せぬ限り部及び％は重量によ
るものとする。
記載するが、その際に特記せぬ限り部及び％は重量によ
るものとする。
【００５２】
【実施例】実施例１〜５
反応ゾーンとしての５００ｍｌ入り三ツ口フラスコはト
リメトキシシラン（ＴＭＳ）充填濾斗、ドライアイス冷
却器、温度計、アセチレンスパージヤー（ｓｐａｒｇｅ
ｒ）及びマグネチツク撹拌子を備えていた。このフラス
コに最初に反応溶媒としてｏ−ジクロロベンゼン（ｏ−
ＤＣＢ）２５０〜３００ｇ、ヒドロシリル化触媒として
塩化白金酸（ＣＰＡ）溶液（エーテル−アルコール中１
０％ＣＰＡ）３３０μｌ及び触媒促進剤としてフエノチ
アジン（ＰＺ）０．０５ｇを充填した。かくて生じた反
応媒質はＣＰＡとしてＰｔ５０ｐｐｍ及びＰＺ２００ｐ
ｐｍを含んでいた。反応器にアセチレンを十分に吹き込
み、そして内容物を１００℃に加熱した。
リメトキシシラン（ＴＭＳ）充填濾斗、ドライアイス冷
却器、温度計、アセチレンスパージヤー（ｓｐａｒｇｅ
ｒ）及びマグネチツク撹拌子を備えていた。このフラス
コに最初に反応溶媒としてｏ−ジクロロベンゼン（ｏ−
ＤＣＢ）２５０〜３００ｇ、ヒドロシリル化触媒として
塩化白金酸（ＣＰＡ）溶液（エーテル−アルコール中１
０％ＣＰＡ）３３０μｌ及び触媒促進剤としてフエノチ
アジン（ＰＺ）０．０５ｇを充填した。かくて生じた反
応媒質はＣＰＡとしてＰｔ５０ｐｐｍ及びＰＺ２００ｐ
ｐｍを含んでいた。反応器にアセチレンを十分に吹き込
み、そして内容物を１００℃に加熱した。
【００５３】アセチレンを液体表面下のスパージヤーを
通して０．３６モル／時間の速度で反応ゾーン中に供給
し、そして高純度トリメトキシシランを０．２２モル／
時間の速度で供給した。反応ゾーンを大気圧で保持した
。約２時間トリメトキシシラン及びアセチレンを反応ゾ
ーン中に供給した後、トリメトキシシランの供給を停止
し、そしてサンプリングのために反応器を冷却した。 この方法を更に４回くり返した。各５回の実験からの試
料の化学分析を表１に示す。測定濃度は溶媒の重量フラ
クシヨンを除去するように規格化した。
通して０．３６モル／時間の速度で反応ゾーン中に供給
し、そして高純度トリメトキシシランを０．２２モル／
時間の速度で供給した。反応ゾーンを大気圧で保持した
。約２時間トリメトキシシラン及びアセチレンを反応ゾ
ーン中に供給した後、トリメトキシシランの供給を停止
し、そしてサンプリングのために反応器を冷却した。 この方法を更に４回くり返した。各５回の実験からの試
料の化学分析を表１に示す。測定濃度は溶媒の重量フラ
クシヨンを除去するように規格化した。
【００５４】５回の実験の平均はビニルトリアルコキシ
シラン９２．２％、ビス（トリメトキシシリル）エタン
（Ｂｉｓ−Ｈｖｓ）６．２％、テトラメトキシシラン［
Ｓｉ（ＯＭｅ）４］０．１２％及びテチルトリメトキシ
シラン（ＥｔＴＭＳ）０．０６％であつた。かくて、生
成物中のテトラアルコキシシラン及びアルキルアルコキ
シシランの全濃度は１．０重量％より小さかつた。
シラン９２．２％、ビス（トリメトキシシリル）エタン
（Ｂｉｓ−Ｈｖｓ）６．２％、テトラメトキシシラン［
Ｓｉ（ＯＭｅ）４］０．１２％及びテチルトリメトキシ
シラン（ＥｔＴＭＳ）０．０６％であつた。かくて、生
成物中のテトラアルコキシシラン及びアルキルアルコキ
シシランの全濃度は１．０重量％より小さかつた。
【００５５】
【表１】
表 １
規格化された未蒸留生成物（重量％） 実
施例 Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物
ＥｔＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ 生成物収率
モル％ １ ０．３５８
９２．７６３ ０．０００ ４．９９
９ ８８．５４３ ２
０．０００ ９２．９４４
０．０００ ６．００１
８７．２０６ ３ ０．０００
９５．０１６ ０．０００ ３
．８８８ ９０．５４８ ４
０．０９０ ９２．２０６
０．０４１ ６．３９０
９１．３４１ ５ ０．１５
７ ８７．９３８ ０．２４７
９．８７６ ８６．８７９
平均 ０．１２１ ９２．１７３
０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ 実施例６〜１１ ＣＰＡヒドロシリル化触媒及びＰＺ触媒促進剤の組合せ
の代りに異なつた触媒を用いる以外はアセチレン及びト
リメトキシシラン間の反応を実施例１〜５の方法及び条
件に従つて行つた。これらの試験の結果を表２に要約す
る。
表 １
規格化された未蒸留生成物（重量％） 実
施例 Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物
ＥｔＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ 生成物収率
モル％ １ ０．３５８
９２．７６３ ０．０００ ４．９９
９ ８８．５４３ ２
０．０００ ９２．９４４
０．０００ ６．００１
８７．２０６ ３ ０．０００
９５．０１６ ０．０００ ３
．８８８ ９０．５４８ ４
０．０９０ ９２．２０６
０．０４１ ６．３９０
９１．３４１ ５ ０．１５
７ ８７．９３８ ０．２４７
９．８７６ ８６．８７９
平均 ０．１２１ ９２．１７３
０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ 実施例６〜１１ ＣＰＡヒドロシリル化触媒及びＰＺ触媒促進剤の組合せ
の代りに異なつた触媒を用いる以外はアセチレン及びト
リメトキシシラン間の反応を実施例１〜５の方法及び条
件に従つて行つた。これらの試験の結果を表２に要約す
る。
【００５６】
【表２】
表 ２実施例
規格化された未蒸留生成物（重量
％） 生成物収率 Ｎｏ 触 媒
Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 Ｅ
ｔＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％
１−５＊ ＣＰＡ／ＰＺ
０．１２１ ９２．１７３ ０．０５８
６．２３１ ８８．９０３ ６
Ｐｔ（ＡｃＡｃ）２ ０．３３０
８８．４３７ ０．４５１ １０．２２
２ ７９．９８０ ７ Ｐｔ（ＡｃＡ
ｃ）２Ｃｌ２ ０．５３２ ５０．
０５４ ２．４０１ ２６．１７０ ３
９．０２８ ８ Ｐｔ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２
０．１１７ ８７．２８４
０．０００ １．９０５ ７３．１６０
９ ＣＰＡ／シリカ ０．０
７ ８２．４３４ ０．３４２ １４
．０７３ ８０．１４８ １０ ＣＰＡ
０．０６３
８８．２３０ ０．２６１ ９．４２４
８６．８７０ １１ リサイクル−ＣＰＡ
／ＰＺ ｎｄ ８２．９９３ ０．
２７８ １４．６０８ ７８．７４７ ＊
表１からの平均値。
表 ２実施例
規格化された未蒸留生成物（重量
％） 生成物収率 Ｎｏ 触 媒
Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 Ｅ
ｔＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％
１−５＊ ＣＰＡ／ＰＺ
０．１２１ ９２．１７３ ０．０５８
６．２３１ ８８．９０３ ６
Ｐｔ（ＡｃＡｃ）２ ０．３３０
８８．４３７ ０．４５１ １０．２２
２ ７９．９８０ ７ Ｐｔ（ＡｃＡ
ｃ）２Ｃｌ２ ０．５３２ ５０．
０５４ ２．４０１ ２６．１７０ ３
９．０２８ ８ Ｐｔ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２
０．１１７ ８７．２８４
０．０００ １．９０５ ７３．１６０
９ ＣＰＡ／シリカ ０．０
７ ８２．４３４ ０．３４２ １４
．０７３ ８０．１４８ １０ ＣＰＡ
０．０６３
８８．２３０ ０．２６１ ９．４２４
８６．８７０ １１ リサイクル−ＣＰＡ
／ＰＺ ｎｄ ８２．９９３ ０．
２７８ １４．６０８ ７８．７４７ ＊
表１からの平均値。
【００５７】ｎｄ＝検出されず
実施例１２〜１３
触媒濃度をそれぞれ２５及び１２ｐｐｍ Ｐｔに減少さ
れる以外はアセチレン及びトリメトキシシラン間の反応
を実施例１〜５の方法及び条件に従つて行つた。結果を
表３に報告する。
れる以外はアセチレン及びトリメトキシシラン間の反応
を実施例１〜５の方法及び条件に従つて行つた。結果を
表３に報告する。
【００５８】
【表３】
表 ３実施例 ＣＰＡによる白金
温度 規格化された未蒸留生成物（重量％）
生成物収率 Ｎｏ ｐｐｍ
℃ Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 Ｅｔ
ＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ １２
１２ １００
０．９８４ ８１．８５１ ０．２５８
１１．１００ ７６．５３１ １３
２５ １００ ０．３６
７ ８７．６２４ ０．２６０ ９．５３
１ ８３．６３８ １−５＊ ５０
１００ ０．１２１
９２．１７３ ０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ ＊ 表１からの平均値 実施例１４〜１６ 反応温度を変える以外はアセチレン及びトリメトキシシ
ラン間の反応を実施例１〜５の方法に従つて行つた。結
果を表４に報告する。
表 ３実施例 ＣＰＡによる白金
温度 規格化された未蒸留生成物（重量％）
生成物収率 Ｎｏ ｐｐｍ
℃ Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 Ｅｔ
ＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ １２
１２ １００
０．９８４ ８１．８５１ ０．２５８
１１．１００ ７６．５３１ １３
２５ １００ ０．３６
７ ８７．６２４ ０．２６０ ９．５３
１ ８３．６３８ １−５＊ ５０
１００ ０．１２１
９２．１７３ ０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ ＊ 表１からの平均値 実施例１４〜１６ 反応温度を変える以外はアセチレン及びトリメトキシシ
ラン間の反応を実施例１〜５の方法に従つて行つた。結
果を表４に報告する。
【００５９】
【表４】
表 ４実施例 ＣＰＡによる白金
温度 規格化された未蒸留生成物（重量％）
Ｎｏ ｐｐｍ ℃
Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ
Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ １４
５０ ８５ １．２５
９ ８０．４７４ ０．２５０ １０．３２
４ ７５．０７４ １５ ５０
１３０ ０．３９７
９０．５０３ ０．２０５ ７．１３１
８５．７５５ １６ ５０
１５０ ０．０６３ ８８．２３
０ ０．２６１ ９．４２４ ８６．８７
０ １−５＊ ５０ １
００ ０．１２１ ９２．１７３ ０．
０５８ ６．２３１ ８８．９０３ ＊ 表
１からの平均値 実施例１７ ｏ−ＤＣＢの代りに反応溶媒としてビス（トリメトキシ
シラン）エタンを用いる以外はアセチレン及びトリメト
キシシラン間の反応を実施例１〜５の方法及び条件に従
つて行つた。最終反応媒質の分析をベースに、所望のビ
ニルトリアルコキシシラン生成物の収率は約８９％であ
り、そして１％より少ないテトラメトキシシラン及びエ
チルトリメトキシシランの組合せを含んでいた。
表 ４実施例 ＣＰＡによる白金
温度 規格化された未蒸留生成物（重量％）
Ｎｏ ｐｐｍ ℃
Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ
Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ １４
５０ ８５ １．２５
９ ８０．４７４ ０．２５０ １０．３２
４ ７５．０７４ １５ ５０
１３０ ０．３９７
９０．５０３ ０．２０５ ７．１３１
８５．７５５ １６ ５０
１５０ ０．０６３ ８８．２３
０ ０．２６１ ９．４２４ ８６．８７
０ １−５＊ ５０ １
００ ０．１２１ ９２．１７３ ０．
０５８ ６．２３１ ８８．９０３ ＊ 表
１からの平均値 実施例１７ ｏ−ＤＣＢの代りに反応溶媒としてビス（トリメトキシ
シラン）エタンを用いる以外はアセチレン及びトリメト
キシシラン間の反応を実施例１〜５の方法及び条件に従
つて行つた。最終反応媒質の分析をベースに、所望のビ
ニルトリアルコキシシラン生成物の収率は約８９％であ
り、そして１％より少ないテトラメトキシシラン及びエ
チルトリメトキシシランの組合せを含んでいた。
【００６０】実施例１８〜１９
実施例１８及び１９は反応ゾーンとして撹拌機、加熱ジ
ヤケツト及び温度コントローラーを備えた１ｌ入りガラ
ス製圧力反応器中で行つた。反応器に最初に反応溶媒と
してｏ−ジクロロベンゼン（ｏ−ＤＣＢ）２５０ｇ、ヒ
ドロシリル化触媒として塩化白金酸溶液（エーテル及び
エタノール溶液中１０％塩化白金酸）３００μｌを充填
し、そして反応ゾーンにアセチレンを吹き込んだ。反応
媒質を１００℃に加熱し、この温度で保持し、そして反
応器を２１．７ｐｓｉａに加圧した。高純度トリメトキ
シシラン（ＴＭＳ）を０．９８モル／時間の速度で反応
ゾーン中に供給し；アセチレンを要求次第２１．７ｐｓ
ｉａの反応ゾーン圧力を保持するに十分な速度で導入し
た（過剰のアセチレンは必要としなかつた）。ＴＭＳ
０．５モルを供給した後、未分別の反応生成物の試料を
分析用に採取した。実施例１９において、ｏ−ＤＣＢ反
応溶媒をビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）に代え
、即ち溶媒として生成物を用いた。結果を表５に報告す
る。
ヤケツト及び温度コントローラーを備えた１ｌ入りガラ
ス製圧力反応器中で行つた。反応器に最初に反応溶媒と
してｏ−ジクロロベンゼン（ｏ−ＤＣＢ）２５０ｇ、ヒ
ドロシリル化触媒として塩化白金酸溶液（エーテル及び
エタノール溶液中１０％塩化白金酸）３００μｌを充填
し、そして反応ゾーンにアセチレンを吹き込んだ。反応
媒質を１００℃に加熱し、この温度で保持し、そして反
応器を２１．７ｐｓｉａに加圧した。高純度トリメトキ
シシラン（ＴＭＳ）を０．９８モル／時間の速度で反応
ゾーン中に供給し；アセチレンを要求次第２１．７ｐｓ
ｉａの反応ゾーン圧力を保持するに十分な速度で導入し
た（過剰のアセチレンは必要としなかつた）。ＴＭＳ
０．５モルを供給した後、未分別の反応生成物の試料を
分析用に採取した。実施例１９において、ｏ−ＤＣＢ反
応溶媒をビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）に代え
、即ち溶媒として生成物を用いた。結果を表５に報告す
る。
【００６１】
【表５】
表 ５実施例 アセチレン圧力
規格化された未蒸留生成物（重量％） 生成
物収率 圧力 Ｎｏ Ｐｓｉａ
Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ
Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ 溶媒 １−
５＊ １４．７ ０．１２１
９２．１７３ ０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ Ｏ−ＤＣＢ １８
２１．７ ｎｄ ９５
．９４６ ｎｄ ３．３１４
９４．６５１ Ｏ−ＤＣＢ １９
２１．７ ０．３７６ ８７．４９
０ ０．０６１ ７．４６８ ８６
．３５５ ＶＴＭＳ ＊ 表１からの平均値 実施例２０〜２３ 種々の反応器の圧力、ＴＭＳ供給速度の調整またはＰＺ
促進剤の添加以外はトリメトキシシラン（ＴＭＳ）及び
アセチレン間の反応は実施例１８及び１９の方法及び条
件に従つて行つた。結果を実施例１〜５に対する平均値
及び実施例１８の結果と比較して表６に示す。
表 ５実施例 アセチレン圧力
規格化された未蒸留生成物（重量％） 生成
物収率 圧力 Ｎｏ Ｐｓｉａ
Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ
Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ 溶媒 １−
５＊ １４．７ ０．１２１
９２．１７３ ０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ Ｏ−ＤＣＢ １８
２１．７ ｎｄ ９５
．９４６ ｎｄ ３．３１４
９４．６５１ Ｏ−ＤＣＢ １９
２１．７ ０．３７６ ８７．４９
０ ０．０６１ ７．４６８ ８６
．３５５ ＶＴＭＳ ＊ 表１からの平均値 実施例２０〜２３ 種々の反応器の圧力、ＴＭＳ供給速度の調整またはＰＺ
促進剤の添加以外はトリメトキシシラン（ＴＭＳ）及び
アセチレン間の反応は実施例１８及び１９の方法及び条
件に従つて行つた。結果を実施例１〜５に対する平均値
及び実施例１８の結果と比較して表６に示す。
【００６２】
【表６】
表 ６ アセチレ
ン ＴＭＳ ＰＺ 規格
化された未蒸留生成物 生成物実施例
圧力 供給 促進剤
（重量％） 収率
Ｎｏ Ｐｓｉａ モル／時間 ｐｐ
ｍ Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ
Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ １−５＊ １４．７
０．２２ ２００ ０．１２
１ ９２．１７３ ０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ １８ ２１．７
０．９８ ０ ｎｄ
９５．９４６ ｎｄ ３．３１４
９４．６５１ ２０ ２３．７ ０．
２２ ２００ ０．０９３ ９７
．１２７ 微 量 １．９６２ ＞９５．０
２１ ２３．７ ０．２２
０ ｎｄ ９６．４００
ｎｄ ３．１７０ ９１．２００ ２２
２２．２ ０．４９
０ ｎｄ ９７．１００ ｎ
ｄ ２．４３０ ９４．４００ ２３
２７．４ １．９６ ０
ｎｄ ９５．５５５ ０．１４３
３．７３７ ９４．３５０ ＊ 表１からの平均
値 実施例２４〜２６ 公知の汚染物質を公知の濃度で与えるためにイオン性塩
化物不純物（Ｃｌ）を含むジメチルアミン（ＤＭＡ）ま
たはトリクロロシランを高純度トリメトキシシランに加
える以外はトリメトキシシラン及びアセチレン間の反応
を実施例１〜５の方法及び条件に従つて装置中で行つた
。両方の場合において、反応は低い生成物収率及び低い
純度で乏しく進行した。表７に要約されるように、ビス
（トリメトキシシラン）エタン、エチルトリメトキシシ
ラン及びテトラメトキシシランの濃度は生成物試料中で
より高かつた。加えて、トリメトキシシランはトリメト
キシシラン中のジメチルアミン０．３％及び塩化物０．
１％を用いる実験に対して完全には反応しなかつた。
表 ６ アセチレ
ン ＴＭＳ ＰＺ 規格
化された未蒸留生成物 生成物実施例
圧力 供給 促進剤
（重量％） 収率
Ｎｏ Ｐｓｉａ モル／時間 ｐｐ
ｍ Ｓｉ（ＯＭｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ
Ｂｉｓ−Ｈｖｓ モル％ １−５＊ １４．７
０．２２ ２００ ０．１２
１ ９２．１７３ ０．０５８ ６．２３１
８８．９０３ １８ ２１．７
０．９８ ０ ｎｄ
９５．９４６ ｎｄ ３．３１４
９４．６５１ ２０ ２３．７ ０．
２２ ２００ ０．０９３ ９７
．１２７ 微 量 １．９６２ ＞９５．０
２１ ２３．７ ０．２２
０ ｎｄ ９６．４００
ｎｄ ３．１７０ ９１．２００ ２２
２２．２ ０．４９
０ ｎｄ ９７．１００ ｎ
ｄ ２．４３０ ９４．４００ ２３
２７．４ １．９６ ０
ｎｄ ９５．５５５ ０．１４３
３．７３７ ９４．３５０ ＊ 表１からの平均
値 実施例２４〜２６ 公知の汚染物質を公知の濃度で与えるためにイオン性塩
化物不純物（Ｃｌ）を含むジメチルアミン（ＤＭＡ）ま
たはトリクロロシランを高純度トリメトキシシランに加
える以外はトリメトキシシラン及びアセチレン間の反応
を実施例１〜５の方法及び条件に従つて装置中で行つた
。両方の場合において、反応は低い生成物収率及び低い
純度で乏しく進行した。表７に要約されるように、ビス
（トリメトキシシラン）エタン、エチルトリメトキシシ
ラン及びテトラメトキシシランの濃度は生成物試料中で
より高かつた。加えて、トリメトキシシランはトリメト
キシシラン中のジメチルアミン０．３％及び塩化物０．
１％を用いる実験に対して完全には反応しなかつた。
【００６３】
【表７】
表 ７ ＴＭＳ中
に 規格化された
未蒸留生成物、 生成物実施例 加えられ
残留 重量％
収率 Ｎｏ
た不純物 ＨＳｉ（ＯＭｅ）３ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ
モル％ １−５＊ 無
ＮＤ ０．１２１ ９２．１７３
０．０５８ ６．２３１ ８８．９０３ ２４
０．３％ ＤＭＡ ９．５４８
２．９９３ ４２．７９０ ４．７５１
３６．６３０ ３２．６３０ ２５
０．１％ Ｃｌ ０．３２８ ０．
９７４ ４８．７７９ １．８９９ ３２．
８１３ ４９．４７０ ２６ ０．０１
％ Ｃｌ ＮＤ ０．３０７
７３．９４２ ０．６２６ ２１．２４９
７２．０６９ ＊ 表１からの平均値 実施例２７ 前の実験に用いたものと同様の装置を用い、トリメトキ
シシラン（ＴＭＳ）を１２０℃の温度及び２７．７ｐｓ
ｉａの圧力でヒドロシリル化アセチレンに加えた。反応
溶媒としてｏ−ＤＣＢを、そして触媒として１０ｐｐｍ
の白金濃度を生じさせる塩化白金酸を用いた。反応器に
最初にアセチレンを出発ＴＭＳを供給する前に充填した
。アセチレンを実質的に０．５モル／時間の一定速度で
反応ゾーン中に導入する間に、最初の１分間は約５ｇ−
モル／時間の速度で、そして残りの９分間は供給なしの
１０分間の供給サイクルを用いてＴＭＳをパルス供給し
た。生成物を１時間毎にサンプリングした。性能結果を
下の表８に要約する。
表 ７ ＴＭＳ中
に 規格化された
未蒸留生成物、 生成物実施例 加えられ
残留 重量％
収率 Ｎｏ
た不純物 ＨＳｉ（ＯＭｅ）３ Ｓｉ（ＯＭ
ｅ）４ 生成物 ＥｔＴＭＳ Ｂｉｓ−Ｈｖｓ
モル％ １−５＊ 無
ＮＤ ０．１２１ ９２．１７３
０．０５８ ６．２３１ ８８．９０３ ２４
０．３％ ＤＭＡ ９．５４８
２．９９３ ４２．７９０ ４．７５１
３６．６３０ ３２．６３０ ２５
０．１％ Ｃｌ ０．３２８ ０．
９７４ ４８．７７９ １．８９９ ３２．
８１３ ４９．４７０ ２６ ０．０１
％ Ｃｌ ＮＤ ０．３０７
７３．９４２ ０．６２６ ２１．２４９
７２．０６９ ＊ 表１からの平均値 実施例２７ 前の実験に用いたものと同様の装置を用い、トリメトキ
シシラン（ＴＭＳ）を１２０℃の温度及び２７．７ｐｓ
ｉａの圧力でヒドロシリル化アセチレンに加えた。反応
溶媒としてｏ−ＤＣＢを、そして触媒として１０ｐｐｍ
の白金濃度を生じさせる塩化白金酸を用いた。反応器に
最初にアセチレンを出発ＴＭＳを供給する前に充填した
。アセチレンを実質的に０．５モル／時間の一定速度で
反応ゾーン中に導入する間に、最初の１分間は約５ｇ−
モル／時間の速度で、そして残りの９分間は供給なしの
１０分間の供給サイクルを用いてＴＭＳをパルス供給し
た。生成物を１時間毎にサンプリングした。性能結果を
下の表８に要約する。
【００６４】
【表８】
表 ８ 試料 規格化さ
れた未蒸留生成物（重量％） Ｎｏ．
生成物 Ｂｉｓ−Ｈｖｓ
分離し難い副生物 １
７６．７ ２１．８
０．８７ ２
７１．５ ２７
．２ ０．９
１ ３ ６７．７
３１．０
０．９４ ４ ６５
．３ ３３．５
０．９３ ５
６５．８ ３２．９
１．０５ 実施例２８〜３０ 実施例１８と同様の装置及び条件を用い、それぞれ６５
℃、４７℃及び２５℃並びに２７ｐｓｉａの圧力でアセ
チレンをヒドロシリル化するためにトリメトキシシラン
（ＴＭＳ）を用いた。反応溶媒（希釈剤）としてｏ−ジ
クロロベンゼン及び触媒として５０ｐｐｍの濃度の白金
を生じさせるに十分な塩化白金酸を用いた。各々の場合
に、反応媒質は触媒促進剤としてフエノチアジン２００
ｐｐｍも含んでいた。規格化され、そして未蒸留の反応
媒質の試料は６５℃の反応に対してはビニルトリメトキ
シシラン生成物８７．３％、ビス−ヘビ−１０．４％及
び分離し難い不純物１．３％；４７℃の反応に対しては
ビニルトリメトキシシラン生成物９２．１％、ビス−ヘ
ビ−５．５％及び分離し難い不純物１．２％；並びに２
５℃の反応に対してはビニルトリメトキシシラン生成物
３５．８％、ビス−ヘビ−１５．８％及び分離し難い不
純物３．１％を含んでいた。
表 ８ 試料 規格化さ
れた未蒸留生成物（重量％） Ｎｏ．
生成物 Ｂｉｓ−Ｈｖｓ
分離し難い副生物 １
７６．７ ２１．８
０．８７ ２
７１．５ ２７
．２ ０．９
１ ３ ６７．７
３１．０
０．９４ ４ ６５
．３ ３３．５
０．９３ ５
６５．８ ３２．９
１．０５ 実施例２８〜３０ 実施例１８と同様の装置及び条件を用い、それぞれ６５
℃、４７℃及び２５℃並びに２７ｐｓｉａの圧力でアセ
チレンをヒドロシリル化するためにトリメトキシシラン
（ＴＭＳ）を用いた。反応溶媒（希釈剤）としてｏ−ジ
クロロベンゼン及び触媒として５０ｐｐｍの濃度の白金
を生じさせるに十分な塩化白金酸を用いた。各々の場合
に、反応媒質は触媒促進剤としてフエノチアジン２００
ｐｐｍも含んでいた。規格化され、そして未蒸留の反応
媒質の試料は６５℃の反応に対してはビニルトリメトキ
シシラン生成物８７．３％、ビス−ヘビ−１０．４％及
び分離し難い不純物１．３％；４７℃の反応に対しては
ビニルトリメトキシシラン生成物９２．１％、ビス−ヘ
ビ−５．５％及び分離し難い不純物１．２％；並びに２
５℃の反応に対してはビニルトリメトキシシラン生成物
３５．８％、ビス−ヘビ−１５．８％及び分離し難い不
純物３．１％を含んでいた。
【００６５】実施例３１
実施例１８と同様の装置及び条件を用い、１２０℃の温
度及び２７ｐｓｉａの圧力でアセチレンをヒドロシリル
化するためにメチルジメトキシシランを用いた。反応溶
媒（希釈剤）としてｏ−ジクロロベンゼン及び触媒とし
て５０ｐｐｍの濃度の白金を生成させるに十分な塩化白
金酸を用いた。また反応媒質は触媒促進剤としてフエノ
チアジン２００ｐｐｍを含んでいた。規格化され、そし
て未蒸留の反応媒質の試料はメチルビニルジメトキシシ
ラン生成物９６．０％、ビス−ヘビ−２．５％及び分離
し難い不純物０．１４％を含んでいた。
度及び２７ｐｓｉａの圧力でアセチレンをヒドロシリル
化するためにメチルジメトキシシランを用いた。反応溶
媒（希釈剤）としてｏ−ジクロロベンゼン及び触媒とし
て５０ｐｐｍの濃度の白金を生成させるに十分な塩化白
金酸を用いた。また反応媒質は触媒促進剤としてフエノ
チアジン２００ｐｐｍを含んでいた。規格化され、そし
て未蒸留の反応媒質の試料はメチルビニルジメトキシシ
ラン生成物９６．０％、ビス−ヘビ−２．５％及び分離
し難い不純物０．１４％を含んでいた。
【００６６】本発明のある特殊な具体例を本明細書に殊
に記載したが、その種々の改質化が本分野に精通せる者
により生じることが認識され、そしてかかる改質化及び
変法は本出願の範囲並びに付属の特許請求の範囲の精神
及び範囲内に含まれることが理解されよう。本明細書を
通して、本発明の方法は反応体として殊にアセチレン及
びトリアルコキシシランに関して記載した。しかしなが
ら、特殊な化合物及び、殊にアセチレン及び特殊なトリ
アルコキシシラン例えばトリメトキシシラン及びトリエ
トキシシランに対する参照例は本明細書の範囲を限定す
べきものとは考えられない。むしろ、かかる参照例は便
利さのために行われたものである。
に記載したが、その種々の改質化が本分野に精通せる者
により生じることが認識され、そしてかかる改質化及び
変法は本出願の範囲並びに付属の特許請求の範囲の精神
及び範囲内に含まれることが理解されよう。本明細書を
通して、本発明の方法は反応体として殊にアセチレン及
びトリアルコキシシランに関して記載した。しかしなが
ら、特殊な化合物及び、殊にアセチレン及び特殊なトリ
アルコキシシラン例えばトリメトキシシラン及びトリエ
トキシシランに対する参照例は本明細書の範囲を限定す
べきものとは考えられない。むしろ、かかる参照例は便
利さのために行われたものである。
【００６７】本発明の主なる特徴及び態様は以下のとお
りである。
りである。
【００６８】１．（ｉ） 反応ゾーンにＲ′及びＲ″が
独立して同一もしくは相異なることができ、且つ炭素原
子１〜６個の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが
１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−
ｎ のアルコキシシランを徐々に供給し、その際に該反
応ゾーンはＲが水素または炭素原子１〜１０個の一価の
炭化水素基である式 ＲＣ≡ＣＨのアルキン及び白金ヒ
ドロシリル化触媒を含み； （ｉｉ） 該白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反
応ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに
０．１重量％より少ないイオン性塩化物及びアルキルア
ミンを接触させてビニルアルコキシシランを生成させ；
そして （ｉｉｉ） 該ビニルアルコキシシランを該反応ゾーン
から回収することからなる、ビニルアルコキシシランの
製造方法。
独立して同一もしくは相異なることができ、且つ炭素原
子１〜６個の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが
１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−
ｎ のアルコキシシランを徐々に供給し、その際に該反
応ゾーンはＲが水素または炭素原子１〜１０個の一価の
炭化水素基である式 ＲＣ≡ＣＨのアルキン及び白金ヒ
ドロシリル化触媒を含み； （ｉｉ） 該白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反
応ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに
０．１重量％より少ないイオン性塩化物及びアルキルア
ミンを接触させてビニルアルコキシシランを生成させ；
そして （ｉｉｉ） 該ビニルアルコキシシランを該反応ゾーン
から回収することからなる、ビニルアルコキシシランの
製造方法。
【００６９】２．（ｉ） 反応ゾーンにＲが水素または
炭素原子１〜１０個の一価の炭化水素基である式 ＲＣ
≡ＣＨのアルキン並びにＲ′及びＲ″が独立して同一も
しくは相異なることができ、且つ炭素原子１〜６個の第
一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが１、２または３
である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−ｎ のアルコキ
シシランを共供給し； （ｉｉ） 白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反応
ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに０
．１重量％より少ない塩化物及びアルキルアミンを接触
させてビニルアルコキシシランを生成させ；そして（ｉ
ｉｉ） 該ビニルアルコキシシランを含む生成物流体を
該反応ゾーンから回収することからなる、ビニルアルコ
キシシランの製造方法。
炭素原子１〜１０個の一価の炭化水素基である式 ＲＣ
≡ＣＨのアルキン並びにＲ′及びＲ″が独立して同一も
しくは相異なることができ、且つ炭素原子１〜６個の第
一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが１、２または３
である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−ｎ のアルコキ
シシランを共供給し； （ｉｉ） 白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反応
ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに０
．１重量％より少ない塩化物及びアルキルアミンを接触
させてビニルアルコキシシランを生成させ；そして（ｉ
ｉｉ） 該ビニルアルコキシシランを含む生成物流体を
該反応ゾーンから回収することからなる、ビニルアルコ
キシシランの製造方法。
【００７０】３．該アルキンがアセチレンである、上記
２に記載の方法。
２に記載の方法。
【００７１】４．Ｒ′及びＲ″を炭素原子１〜４個の第
一級アルキル基から選ぶ、上記１、２または３のいずれ
かに記載の方法。
一級アルキル基から選ぶ、上記１、２または３のいずれ
かに記載の方法。
【００７２】５．該アルコキシシランをトリメトキシシ
ラン、トリエトキシシラン、トリス（メトキシエトキシ
）シラン、トリブトキシシラン、メチルジメトキシシラ
ン、ジメチルメトキシシラン、メチルジエトキシシラン
、トリプロポキシシラン、トリペントキシシラン及びト
リス（２−エチルエトキシ）シランよりなる群から選ぶ
、上記１、２または３のいずれかに記載の方法。
ラン、トリエトキシシラン、トリス（メトキシエトキシ
）シラン、トリブトキシシラン、メチルジメトキシシラ
ン、ジメチルメトキシシラン、メチルジエトキシシラン
、トリプロポキシシラン、トリペントキシシラン及びト
リス（２−エチルエトキシ）シランよりなる群から選ぶ
、上記１、２または３のいずれかに記載の方法。
【００７３】６．該アルコキシシランをトリメトキシシ
ラン及びトリエトキシシランから選ぶ、上記１、２また
は３のいずれかに記載の方法。
ラン及びトリエトキシシランから選ぶ、上記１、２また
は３のいずれかに記載の方法。
【００７４】７．該白金ヒドロシリル化触媒が塩化白金
酸である、上記１、２または３のいずれかに記載の方法
。
酸である、上記１、２または３のいずれかに記載の方法
。
【００７５】８．該反応ゾーンが７５ｐｓｉａより小さ
い圧力である、上記１、２または３のいずれかに記載の
方法。
い圧力である、上記１、２または３のいずれかに記載の
方法。
【００７６】９．該圧力が２５ｐｓｉａより小さい、上
記８に記載の方法。
記８に記載の方法。
【００７７】１０．該反応ゾーンが約５０乃至約１５０
℃間の温度を有する、上記１、２または３のいずれかに
記載の方法。
℃間の温度を有する、上記１、２または３のいずれかに
記載の方法。
【００７８】１１．該温度が約８５乃至約１５０℃間で
ある、上記１０に記載の方法。
ある、上記１０に記載の方法。
【００７９】１２．該アルコキシシランをケイ素及びメ
タノール間の直接反応により製造する上記１、２または
３のいずれかに記載の方法。
タノール間の直接反応により製造する上記１、２または
３のいずれかに記載の方法。
【００８０】１３．該接触をクメン、トルエン、キシレ
ン、ｏ−ジクロロベンゼン、ビニルアルコキシシラン、
ビス（アルコキシシリル）アルカン及びその混合物より
なる群から選ばれる溶媒の存在下で行う、上記１、２ま
たは３のいずれかに記載の方法。
ン、ｏ−ジクロロベンゼン、ビニルアルコキシシラン、
ビス（アルコキシシリル）アルカン及びその混合物より
なる群から選ばれる溶媒の存在下で行う、上記１、２ま
たは３のいずれかに記載の方法。
【００８１】１４．該反応ゾーンがフエノチアジンを含
む、上記７に記載の方法。
む、上記７に記載の方法。
【００８２】１５．（ｉ） 反応ゾーン中にアルキン及
びアルコキシシランを共供給し、その際に該アルキンを
該反応ゾーン中での該アルコキシシランに対する該アル
キンのモル比を約１．０〜１０．０間に保持する速度で
該反応ゾーン中に供給し、該アルキンがＲが水素または
炭素原子１〜１０個の一価の炭化水素である式 ＲＣ≡
ＣＨを有し、そして該アルコキシシランがＲ′及びＲ″
が独立して同一もしくは相異なることができ、且つ炭素
原子１〜６個の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎ
が１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３
−ｎ を有し； （ｉｉ） 白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反応
ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに０
．１重量％より少ないイオン性塩化物及びアルキルアミ
ンを接触させてビニルアルコキシシランを生成させ；そ
して （ｉｉｉ） 同時に該ビニルアルコキシシランを含む生
成物流体を該反応ゾーンから除去することからなる、ビ
ニルアルコキシシランの連続的製造方法。
びアルコキシシランを共供給し、その際に該アルキンを
該反応ゾーン中での該アルコキシシランに対する該アル
キンのモル比を約１．０〜１０．０間に保持する速度で
該反応ゾーン中に供給し、該アルキンがＲが水素または
炭素原子１〜１０個の一価の炭化水素である式 ＲＣ≡
ＣＨを有し、そして該アルコキシシランがＲ′及びＲ″
が独立して同一もしくは相異なることができ、且つ炭素
原子１〜６個の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎ
が１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３
−ｎ を有し； （ｉｉ） 白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反応
ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに０
．１重量％より少ないイオン性塩化物及びアルキルアミ
ンを接触させてビニルアルコキシシランを生成させ；そ
して （ｉｉｉ） 同時に該ビニルアルコキシシランを含む生
成物流体を該反応ゾーンから除去することからなる、ビ
ニルアルコキシシランの連続的製造方法。
【００８３】１６．該アルキンがアセチレンである上記
１５に記載の方法。
１５に記載の方法。
【００８４】１７．該アルコキシシランをトリメトキシ
シラン及びトリエトキシシランから選ぶ、上記１６に記
載の方法。
シラン及びトリエトキシシランから選ぶ、上記１６に記
載の方法。
【００８５】１８．該白金ヒドロシリル化触媒が塩化白
金酸である、上記１７に記載の方法。
金酸である、上記１７に記載の方法。
【００８６】１９．該反応ゾーンが約７５ｐｓｉａより
小さいアセチレン圧力である、上記１８に記載の方法。
小さいアセチレン圧力である、上記１８に記載の方法。
【００８７】２０．該反応ゾーンが約５０乃至約１５０
℃間の温度を有する、上記１５に記載の方法。
℃間の温度を有する、上記１５に記載の方法。
【００８８】２１．該アルコキシシランをケイ素及びメ
タノール間の直接反応により製造する、上記１６または
１７に記載の方法。
タノール間の直接反応により製造する、上記１６または
１７に記載の方法。
【００８９】２２．該アルキンの供給速度が該反応ゾー
ン中のモル比を１．０乃至５．０間に保持される、上記
１５に記載の方法。
ン中のモル比を１．０乃至５．０間に保持される、上記
１５に記載の方法。
【００９０】２３．該反応ゾーンがフエノチアジンを含
む、上記１８に記載の方法。
む、上記１８に記載の方法。
【００９１】２４．該アセチレンを該反応ゾーン中で実
質的に一定の圧力を保持するに必要とされる速度で該反
応ゾーン中に供給する、上記１６または１９に記載の方
法。
質的に一定の圧力を保持するに必要とされる速度で該反
応ゾーン中に供給する、上記１６または１９に記載の方
法。
Claims (3)
- 【請求項１】 （ｉ） 反応ゾーンにＲ′及びＲ″が
独立して同一もしくは相異なることができ、且つ炭素原
子１〜６個の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが
１、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−
ｎ のアルコキシシランを徐々に供給し、その際に該反
応ゾーンはＲが水素または炭素原子１〜１０個の一価の
炭化水素基である式 ＲＣ≡ＣＨのアルキン及び白金ヒ
ドロシリル化触媒を含み； （ｉｉ） 該白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反
応ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに
０．１重量％より少ないイオン性塩化物及びアルキルア
ミンを接触させてビニルアルコキシシランを生成させ；
そして （ｉｉｉ） 該ビニルアルコキシシランを該反応ゾーン
から回収することからなる、ビニルアルコキシシランの
製造方法。 - 【請求項２】 （ｉ） 反応ゾーンにＲが水素または
炭素原子１〜１０個の一価の炭化水素基である式 ＲＣ
≡ＣＨのアルキン並びにＲ′及びＲ″が独立して同一も
しくは相異なることができ、且つ炭素原子１〜６個の第
一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが１、２または３
である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−ｎ のアルコキ
シシランを共供給し； （ｉｉ） 白金ヒドロシリル化触媒の存在下での該反応
ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラン並びに０
．１重量％より少ない塩化物及びアルキルアミンを接触
させてビニルアルコキシシランを生成させ；そして（ｉ
ｉｉ） 該ビニルアルコキシシランを含む生成物流体を
該反応ゾーンから回収することからなる、ビニルアルコ
キシシランの製造方法。 - 【請求項３】 （ｉ） 反応ゾーン中にアルキン及び
アルコキシシランを共供給し、その際に該アルキンを該
反応ゾーン中での該アルコキシシランに対する該アルキ
ンのモル比を約１．０〜１０．０間に保持する速度で該
反応ゾーン中に供給し、該アルキンがＲが水素または炭
素原子１〜１０個の一価の炭化水素である式ＲＣ≡ＣＨ
を有し、そして該アルコキシシランがＲ′及びＲ″が独
立して同一もしくは相異なることができ、且つ炭素原子
１〜６個の第一級アルキル基から選ばれ、そしてｎが１
、２または３である式 ＨＳｉ（ＯＲ′）ｎＲ″３−ｎ
を有し；（ｉｉ） 白金ヒドロシリル化触媒の存在下
での該反応ゾーン中の該アルキン及び該アルコキシシラ
ン並びに０．１重量％より少ないイオン性塩化物及びア
ルキルアミンを接触させてビニルアルコキシシランを生
成させ；そして （ｉｉｉ） 同時に該ビニルアルコキシシランを含む生
成物流体を該反応ゾーンから除去することからなる、ビ
ニルアルコキシシランの連続的製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US588161 | 1984-03-09 | ||
| US07/588,161 US5041595A (en) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | Method for manufacturing vinylalkoxysilanes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305583A true JPH04305583A (ja) | 1992-10-28 |
| JP2720938B2 JP2720938B2 (ja) | 1998-03-04 |
Family
ID=24352727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3271909A Expired - Fee Related JP2720938B2 (ja) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | ビニルアルコキシシランの製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5041595A (ja) |
| EP (1) | EP0477894B1 (ja) |
| JP (1) | JP2720938B2 (ja) |
| AT (1) | ATE174337T1 (ja) |
| BR (1) | BR9104097A (ja) |
| CA (1) | CA2052209C (ja) |
| DE (1) | DE69130599T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008149228A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ヒドロシリル化触媒及びヒドロシリル化触媒組成物 |
| JP2012107011A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Wacker Chemie Ag | アルコキシ置換された１，２−ビス−シリル−エタンの製造法 |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206402A (en) * | 1992-09-17 | 1993-04-27 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of Ω-alkenylchlorosilanes |
| US5416233A (en) * | 1994-01-25 | 1995-05-16 | The Dow Chemical Company | Preparation of vinylsilane-benzocyclobutenes |
| US6015920A (en) * | 1998-09-11 | 2000-01-18 | Ck Witco Corporation | Hydrosilation reaction process with recycle |
| US6087523A (en) * | 1999-07-23 | 2000-07-11 | Dow Corning Corporation | Platinum catalyst for hydrosilations |
| DE10034894A1 (de) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Vinylsilanen |
| WO2002070528A1 (en) | 2001-03-02 | 2002-09-12 | Crompton Corporation | Continuous transesterification process for alkoxyorganosilicon compounds |
| US7842382B2 (en) | 2004-03-11 | 2010-11-30 | Knauf Insulation Gmbh | Binder compositions and associated methods |
| US8603631B2 (en) * | 2004-10-13 | 2013-12-10 | Knauf Insulation Gmbh | Polyester binding compositions |
| ES2942678T3 (es) | 2005-07-26 | 2023-06-05 | Knauf Insulation Gmbh | Aglutinantes y materiales fabricados con los mismos |
| PL2108006T3 (pl) | 2007-01-25 | 2021-04-19 | Knauf Insulation Gmbh | Spoiwa i wytworzone z nich materiały |
| BRPI0721232B1 (pt) | 2007-01-25 | 2023-01-24 | Knauf Insulation Limited | Placa de madeira compósita |
| EP2125650B1 (en) | 2007-01-25 | 2024-05-15 | Knauf Insulation | Mineral fibre board |
| SI2126179T1 (sl) * | 2007-01-25 | 2014-12-31 | Knauf Insulation | Izolacijski proizvod na osnovi mineralnih vlaken brez formaldehida |
| WO2008089848A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Knauf Insulation Limited | Mineral fibre insulation |
| US8082609B2 (en) * | 2007-01-25 | 2011-12-27 | Best Bath Systems, Inc. | Walk-in bathtub having a flip-up seat portion over a rearward foot well recess |
| WO2008127936A2 (en) * | 2007-04-13 | 2008-10-23 | Knauf Insulation Gmbh | Composite maillard-resole binders |
| EA018672B1 (ru) * | 2007-07-05 | 2013-09-30 | Кнауф Инзулацьон Гмбх | Связующее майларда на основе гидроксимонокарбоновой кислоты, содержащие его продукты и способы их получения |
| GB0715100D0 (en) | 2007-08-03 | 2007-09-12 | Knauf Insulation Ltd | Binders |
| EP2324039B1 (en) * | 2008-07-01 | 2013-05-29 | Momentive Performance Materials Inc. | Hydrosilylation process for gaseous unsaturated hydrocarbons |
| EP2462169B1 (en) | 2009-08-07 | 2019-02-27 | Knauf Insulation | Molasses binder |
| US8138274B2 (en) * | 2009-12-08 | 2012-03-20 | Le Centre National De La Recherche Scien | Process for preparation of fluorosilicon polymer |
| BR112012028526B1 (pt) | 2010-05-07 | 2020-11-17 | Knauf Insulation | método de preparação de uma tábua de madeira compósita com um aglutinante polimérico, termorrígido, curado |
| JP6223823B2 (ja) | 2010-05-07 | 2017-11-01 | ナフ インサレーション エセペーアールエル | 炭水化物ポリアミン結合剤およびそれを用いて作製される材料 |
| EP2576882B1 (en) | 2010-06-07 | 2015-02-25 | Knauf Insulation | Fiber products having temperature control additives |
| WO2012152731A1 (en) | 2011-05-07 | 2012-11-15 | Knauf Insulation | Liquid high solids binder composition |
| DE102011076687A1 (de) * | 2011-05-30 | 2012-12-06 | Wacker Chemie Ag | Pt-haltiger Katalysator, dessen Herstellung und dessen Einsatz bei der Hydrosilylierung von Si-H-haltigen Verbindungen |
| GB201206193D0 (en) | 2012-04-05 | 2012-05-23 | Knauf Insulation Ltd | Binders and associated products |
| GB201214734D0 (en) | 2012-08-17 | 2012-10-03 | Knauf Insulation Ltd | Wood board and process for its production |
| ES2921601T3 (es) | 2012-12-05 | 2022-08-30 | Knauf Insulation Sprl | Aglutinante |
| EP3013876B1 (en) | 2013-06-25 | 2019-08-28 | 3M Innovative Properties Company | Moisture-curable composition, method of using, and composite article |
| CN105916675B (zh) | 2013-12-19 | 2019-02-19 | 3M创新有限公司 | 多层复合材料制品 |
| EP3102587B1 (en) | 2014-02-07 | 2018-07-04 | Knauf Insulation, LLC | Uncured articles with improved shelf-life |
| GB201408909D0 (en) | 2014-05-20 | 2014-07-02 | Knauf Insulation Ltd | Binders |
| CN105367598B (zh) * | 2014-08-07 | 2019-12-06 | 浙江开化合成材料有限公司 | 一种制备乙烯基烷氧基硅烷的新工艺 |
| GB201517867D0 (en) | 2015-10-09 | 2015-11-25 | Knauf Insulation Ltd | Wood particle boards |
| GB201610063D0 (en) | 2016-06-09 | 2016-07-27 | Knauf Insulation Ltd | Binders |
| GB201701569D0 (en) | 2017-01-31 | 2017-03-15 | Knauf Insulation Ltd | Improved binder compositions and uses thereof |
| CN108059640A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-22 | 荆州市江汉精细化工有限公司 | 一种乙烯基三（2-甲氧乙氧基）硅烷偶联剂的制备方法 |
| GB201804908D0 (en) | 2018-03-27 | 2018-05-09 | Knauf Insulation Ltd | Binder compositions and uses thereof |
| GB201804907D0 (en) | 2018-03-27 | 2018-05-09 | Knauf Insulation Ltd | Composite products |
| DE102018210886A1 (de) * | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Alkylalkoxysilanen |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024947A (ja) * | 1972-02-09 | 1975-03-17 | ||
| JPS61172887A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-04 | ユニオン・カーバイド・コーポレーシヨン | ビニル‐トリ‐（三級置換）アルコキシシランを製造する方法 |
| JPS63146890A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-06-18 | ユニオン・カーバイド・コーポレーシヨン | エポキシオルガノアルコキシシラン類の製造方法 |
| JPS6483089A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-28 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Production of vinylsilanes |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2637738A (en) * | 1949-09-17 | 1953-05-05 | Union Carbide & Carbon Corp | Reaction of silanes with aliphatic unsaturated compounds |
| BE553159A (ja) * | 1955-12-05 | |||
| US3153662A (en) * | 1960-09-14 | 1964-10-20 | Union Carbide Corp | Addition process employing nitrile solvents and basic catalysts |
| NL132148C (ja) * | 1963-12-18 | |||
| US3666782A (en) * | 1970-09-30 | 1972-05-30 | Union Carbide Corp | Process for producing vinylchlorosilanes |
| DE2131742C3 (de) * | 1971-06-25 | 1974-11-14 | Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung von Alkenylsilanen |
| BE789152A (ja) * | 1971-09-22 | 1973-01-15 | Ceskoslovenska Akademie Ved | |
| GB1380306A (en) * | 1972-02-15 | 1975-01-15 | Union Carbide Corp | Production of chlorosilanes |
| US4089882A (en) * | 1974-03-22 | 1978-05-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of preparing fluoroalkyl-containing organosilanes |
| DE2804204A1 (de) * | 1978-02-01 | 1979-08-02 | Bayer Ag | Verfahren zur addition von dialkylhalogenhydrogensilanen an ungesaettigte kohlenwasserstoffverbindungen |
| JPS574995A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-11 | Chisso Corp | Preparation of vinylalkoxysilane |
| US4668812A (en) * | 1985-12-31 | 1987-05-26 | Union Carbide Corporation | Process for the preparation of olefinic silanes and siloxanes |
| US4730074A (en) * | 1986-12-31 | 1988-03-08 | Union Carbide Corporation | Vapor phase alcoholysis of aminosilanes and carbamatosilanes |
| US4727173A (en) * | 1987-03-31 | 1988-02-23 | Union Carbide Corporation | Process for producing trialkoxysilanes from the reaction of silicon metal and alcohol |
| US4898961A (en) * | 1989-07-17 | 1990-02-06 | Dow Corning Corporation | Method for preparing alkenylsilanes |
-
1990
- 1990-09-26 US US07/588,161 patent/US5041595A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-24 BR BR919104097A patent/BR9104097A/pt not_active IP Right Cessation
- 1991-09-25 DE DE69130599T patent/DE69130599T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-25 AT AT91116324T patent/ATE174337T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-09-25 CA CA002052209A patent/CA2052209C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-25 JP JP3271909A patent/JP2720938B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-25 EP EP91116324A patent/EP0477894B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024947A (ja) * | 1972-02-09 | 1975-03-17 | ||
| JPS61172887A (ja) * | 1985-01-24 | 1986-08-04 | ユニオン・カーバイド・コーポレーシヨン | ビニル‐トリ‐（三級置換）アルコキシシランを製造する方法 |
| JPS63146890A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-06-18 | ユニオン・カーバイド・コーポレーシヨン | エポキシオルガノアルコキシシラン類の製造方法 |
| JPS6483089A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-28 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Production of vinylsilanes |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008149228A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ヒドロシリル化触媒及びヒドロシリル化触媒組成物 |
| JP2012107011A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Wacker Chemie Ag | アルコキシ置換された１，２−ビス−シリル−エタンの製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69130599T2 (de) | 1999-05-06 |
| BR9104097A (pt) | 1992-06-02 |
| US5041595A (en) | 1991-08-20 |
| EP0477894A1 (en) | 1992-04-01 |
| JP2720938B2 (ja) | 1998-03-04 |
| CA2052209C (en) | 1996-06-18 |
| EP0477894B1 (en) | 1998-12-09 |
| ATE174337T1 (de) | 1998-12-15 |
| DE69130599D1 (de) | 1999-01-21 |
| CA2052209A1 (en) | 1992-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2720938B2 (ja) | ビニルアルコキシシランの製造方法 | |
| KR100651094B1 (ko) | 고 수율 히드로실화 방법 | |
| US8420844B2 (en) | Hydrosilylation process for gaseous unsaturated hydrocarbons | |
| US20050020845A1 (en) | Process of producing alkoxysilanes | |
| US20110282088A1 (en) | Process for preparing bis- and tris(silylorgano)amines | |
| US6166238A (en) | High purity organofunctional alkyldialkoxysilanes | |
| JPH06234777A (ja) | ジシクロアルキル置換シランの製造方法 | |
| US5103034A (en) | Process for preparing alkoxysilanes | |
| JP4560053B2 (ja) | フルオロアルキル基を有するケイ素化合物をヒドロシリル化により製造する規定の方法 | |
| JPH08291181A (ja) | 不飽和アルコールを促進剤とするヒドロシリル化法 | |
| JPS61172887A (ja) | ビニル‐トリ‐（三級置換）アルコキシシランを製造する方法 | |
| US6489500B2 (en) | Continuous transesterification process for alkoxyorganosilicon compounds | |
| WO2009111095A1 (en) | Process for the preparation of haloalkylalkoxysilancs and haloalkylhalosilanes | |
| JPH0925281A (ja) | エン−イン不飽和化合物を促進剤とするヒドロシリル化法 | |
| EP2221310B1 (en) | Promoted hydrosilation reactions | |
| US6414176B2 (en) | Preparation of vinylsilanes | |
| US6872845B2 (en) | Process for making haloorganoalkoxysilanes | |
| KR101133865B1 (ko) | 할로유기알콕시실란의 제조 방법 | |
| JPH11500131A (ja) | 有機シランの製造方法 | |
| WO2024126692A1 (en) | Peracid promoters in the iridium-catalyzed hydrosilylation synthesis of haloalkylorganosilanes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |