JPH0430486A - Shg素子付固体レーザ素子の作製方法 - Google Patents

Shg素子付固体レーザ素子の作製方法

Info

Publication number
JPH0430486A
JPH0430486A JP13625990A JP13625990A JPH0430486A JP H0430486 A JPH0430486 A JP H0430486A JP 13625990 A JP13625990 A JP 13625990A JP 13625990 A JP13625990 A JP 13625990A JP H0430486 A JPH0430486 A JP H0430486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
shg
medium
state laser
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13625990A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideharu Ogami
秀晴 大上
Haruo Shiratori
治男 白鳥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP13625990A priority Critical patent/JPH0430486A/ja
Publication of JPH0430486A publication Critical patent/JPH0430486A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、KTP(KT!0PO4)の如きよりなる5
t−IG素子(第2次高調波発生素子)およびNd :
 YAG(NdドープYaAj2s012 )の如きよ
りなる固体レーザ素子の両者を光学的に反射損失のない
ように接着する方法に関するものである。
(従来の技術) KTPはNd : YAGの固体レーザ素子(発振波長
1064 rim )のSHG素子として大きな非線光
学定数をもち、レーザ損傷しきい値が高くしかも化学的
に安定であるため、理想的な結晶と考えられ多用されて
いる。
従来半導体レーザ励起固体レーザ発振器にSHG素子を
配置するには、−船釣には第6図に示すように半導体レ
ーザ1、集光レンズ2、固体レーザ素子3、SHG素子
6、出力鏡9の順に所定の間隔をおいて同軸上に配置し
、固体レーザ素子3の半導体レーザ励起側端面には半導
体レーザの波長に対しては反射防止効果を有し、固体レ
ーザおよびSH光(第2次高調波)の発振波長に対して
は高い反射効果をもつ誘電体光学薄膜4を、また反対側
端面、即ちSHG素子に対向する端面には固体レーザの
発振波長に対して反射防止効果を有する誘電体光学薄膜
5を施し、さらに、SHG素子6にはその両端面に固体
レーザの発振波長に対して反射防止効果を有する誘電体
光学薄膜7.8を施して形成されていた。しかし、この
場合において固体レーザ素子3のSHG素子側端面に施
される誘電体光学薄膜5には、例えば下記する第1表に
おいて、1.2および3で示されるような三層よりなる
膜構成を持ち、その分光光学特性が第7図に示されるよ
うなものが用いられ、また、SHG素子端面に施される
誘電体光学薄膜7.8には、例えば下記する第2表1.
2および3で示されるような三層よりなる膜構成をもち
、その分光光学特性が第8図で示されるようなものが用
いられている。
第 暦数  物 質 媒質  空 気 I   5lo2 2   A120s 基板  YAG 註:光学的膜厚nd 1表 屈折率  光学的膜厚 1.00 1.44    1.29 1.60    0.42 1.44    1.29 1.82 =λ/4を1とする 第 層数  物 質 媒質  空 気 I   SiO□ 2   AI!203 3S10゜ 基板  KTP 註:光学的膜厚nd 2表 屈折率  光学的膜厚 1.00 1.44    1.25 1.60    0.50 1.44    1.25 1.785 一λ/4を1とする (発明が解決すべき課題) しかし、近年この種のレーザ発振器の小型化が求められ
ており、小型化するために固体レーザ素子とSHG素子
とを一体化することができればレーザ発振器全体をコン
パクトにすることができるし、さらにこのように各素子
を一体化すれば、各素子が数剛程度の極めて小さいもの
であるだけに、レーザ発振器自体の組立、調整が容易に
なる利点も生ずる。
本発明は、上記したような着想に基づきなされたもので
あって、固体レーザ素子とSHG素子を光学的特性を損
なうことなく、熱接着により一体化する方法を提供する
ことを目的としたものである。
(課題を解決するための手段) 上記の目的を達成するための本発明は、固体レーザ媒質
の端面に施された誘電体光学薄膜と5t−IG媒質端面
に施された誘電体光学薄膜とを相互に密着させて、93
5℃以下の温度で熱処理することによって両者を相互に
熱接着することを特徴とするSHG素子付固体レーザ素
子の作成方法である。
本発明において各素子端面に施される誘電体光学薄膜は
その膜構成が同じで、且つその表面層が5ho2膜によ
って形成されており、両者を接着した状態で固体レーザ
媒質とSHG媒質との間に反射損失が起らないように設
計されたものである。
(作用〉 発明者等は上記したような観点から固体レーザ素子とS
HG素子との熱接着による一体化について検討を進めて
きた。
固体レーザ媒体にNd : YAGを用い、またSHG
媒体にKTPを使用するときはこれらの媒体の屈折率が
非常に近いために、その間に反射防止膜を設けることな
く固体レーザ媒体とSHG媒体をそのまま直接接着して
も反射損失は0.05%程度で光学的には問題はないこ
とが判かったが、実際に両者を接着した場合、その接合
強度が弱くて実用上問題があることが判明した。
またさらに、従来の固体レーザ素子およびSHG素子の
対向面に施されている誘電体光学薄膜の膜構成のままで
接着することも、光学的性能上は勿論のこと、接着操作
上においても両者の接着は極めて困難であった。
何となれば従来の誘電体光学薄膜を熱接着する場合にS
HG媒体を構成するKTPの結晶転移点の935℃付近
であるために、熱接着を施すための温度をこの温度以下
に抑える必要があるためである。
発明者等はこの点を考慮してさらに検討を進めた結果、
固体レーザ媒体とSHG媒体に施す誘電体光学薄膜の表
層部分を比較的熔融点の低く、且つアモルファスで表面
のなめらかなSiO2層層で構成し、このSiO2層を
相互に接着することによって、両媒体の一体化を行なう
ことに成功した。
またこの場合において、接着の目的のみであれば、膜構
成をSiO2単層とすることで十分目的を達することが
できるが、さらに反射防止効果を高めるためには次の手
法を用いる。
即ち、まず固体レーザ媒質を構成するNd : YAG
とSHG媒質を構成するKTPとに対する単層反射防止
膜の屈折率の算出を行なう。
単層反射防止膜の屈折率nARは光学的膜厚nd(nは
単層反射防止膜の屈折率、dは単層反射防止膜の物理的
膜厚)がλ/4(λはレーザ発振波長を1046 nm
 )の場合に、下記(1)式で与えられる。
nA*=J(nrrp  −nyAo  >−−(1)
但し、nxTpは波長1046 nmにおけるKTPの
屈折率1.785、nyAoは同波長におけるYAGの
屈折率1.82である。(1)式により、単層反射防止
膜の屈折率は1.80になる。
従って、Nd : YAG素子とにTP素子の対向面に
接着後の屈折率が1.80で、且つ相互に熱接着するこ
とが容易であるような誘電体光学薄膜を施せばよいこと
になる。
発明者等は先ず単層でこのような屈折率を持つ蒸着物質
について検討を加えた結果、このような蒸着物質にはz
ro2、HfO,2等があることが判がったか、柱状成
長をした膜であり、表面がなめらかでないなめ適当でな
いことが判かった。
そこで、発明者等は接着後において屈折率1.80の単
層膜と同等の効果を持つような三層構成膜を形成し、且
つ接着面が射熱接着性の5i02によって構成される二
層膜誘電体光学薄膜について’Thin−fi1m o
ptical filters 2nd edn、” 
 (H,A、Macle−od、 Br1stol A
dam旧1ger Ltd、 D、118−122.1
986>に記載の三層等価膜法を用いて検討を行なった
この方法は2種類の屈折率の異なる膜AおよびBを用い
て、A−B−A、またはB−A−Bの三層よりなる膜を
理論式から求めた適切な膜厚で形成し、AとBとの中間
的屈折率を有する三層膜を得るものである。
後に実施例1において述べる第3表1.2および3は、
上記の方法を利用して、接着後に各媒質の対向面間に形
成された三層誘電体光学薄膜の膜構成の一例を示したも
のである。この例においては、三層誘電体光学薄膜とし
てT i O2−S i O7−■io2からなるもの
を示したが、この他に例えばTazOs310゜−Ta
20s等を用いることもできる。
上記したレーザ媒質とSHG媒質問にSiO2単層誘電
体光学薄膜またはT i O2−S i 02−T i
 02型等の三層誘電体光学薄膜を形成させた一体止接
珊物を得るなめには、SiO2単層膜の場合には接着後
に両者間に形成されたSiO2層の光学的膜厚が光の干
渉によって位相変化を生じない厚さ、つまりλ/2とし
、その半分のλ/4宛の膜層をそれぞれ固体レーザ媒質
およびSHG媒質の対向する端面に蒸着する。
また三層膜の場合には膜構成層をSiO2層で半分に分
割した状態の誘電体光学薄膜をそれぞれSiO□面が接
着端面になるようにして面固体レーザ媒質とSHG媒質
の各対向端面に蒸着によって形成させる。
蒸着法は特に限定するものでないが、例えば電子ビーム
真空蒸着法などが用いられる。
次に上記した如く誘電体光学薄膜を形成した固体レーザ
媒質およびSHG媒質を、例えば過酸化水素とアンモニ
アと純水(1:1:10)の混合液等の親水化処理液に
浸漬するなどして、これらを親水化処理液、次いでその
5ho2層どうしを密着させた状態で加熱炉中に設置し
て、加熱処理を施すことによって相互に融着させればよ
い。
この際の加熱処理温度は850℃付近が適切である。ま
た加熱後は6時間はどかけて室温までゆっくりと冷却す
る。
本発明によるときは、レーザ発振器の組立に際し、固体
レーザ素子とSHG素子が極めて薄い誘電体光学膜を介
して一体化した状態で組立を行なうことができるので、
組立調整が容易になり、また装置がコンパクト化するほ
かに大きな効果として、固体レーザ素子とSHG素子と
の間におけるレーザの損失が従来のものに較べて小さく
なって、発振効率が向上する効果も得られるなど利点が
多いことが判かった。
(実施例) 次に本発明の実施例について述べる。
実施例1 固体レーザ媒質に両端面が光学研磨された直径3mm、
長さ5mmのNd : YAGを用い、またSHG媒質
には同じく両端面が光学研磨された直径3m、長さ3膿
のにTPを用いてその対向する端面に、両者を接着後下
記する第3表に示される膜構成を有し、且つ第1図に示
される分光光学特性を有するようなTiO2−8iO□
−Ti02型三層誘電体光学薄膜が形成されるように、
膜構成中のSiO2層で半分に分割した状態の誘電体光
学薄膜を電子ビーム蒸着法によって形成した。
なおTi07−8 i 02− T i 02膜の設計
は三層等価膜法によった。
次いでこのようにして誘電体光学薄膜を形成した固体レ
ーザ媒質とSHG @質を、過酸化水素とアンモニアと
純水を1:1:10の割合で混合した溶液中に浸漬して
親水化処理を施した後、両者をSiO□層形成層形密面
させた状態で加熱炉中に設置し、大気中で3時間で85
0℃まで加熱して同温度で3時間保持した後、6時間か
けて室温まで冷却することによって両者を一体化した。
第2図は本実施例によって一体化したSHG素子付固体
レーザ素子の接合部断面を模式的に示した図面であって
10はSHG素子、11および13は旧02層、12は
SiO2.14は固体レーザ素子である。また点線は接
着面を示す。
本発明によって得られなSHG素子付固体レーザ媒質に
おける接着強度を引っ張り試験によって測定したところ
、50kg/cm 2以上の値が得られた。
これは、レーザ発振器の組立、調整に充分に耐え得る接
着強度である。また、本発明によって一体化しなSHG
素子付固体レーザ素子にパワー密度1000W/cm2
のNd : YAGレーザを入射したところ、接着面に
入射レーザによるダメージは観察されなかった。
第3表 暦数  物質  屈折率  光学的膜厚媒質  にTP
    1.785 1   TiO22,050,38 2SiO21.44    0.24 3   To022.05    0.38基板  Y
AG    1.82 註:光学的膜厚nd =λ/4を1とする。
実施例2 実施例1と同様の寸法形状および材質を有するレーザ媒
質およびSHG媒質のそれぞれ光学的研磨を施した対向
端面に、電子ビーム蒸着法によって光学的膜厚λ/4の
5i02層を形成した。
ついでこの両者を実施例1と同様の手順で電気炉中で接
着して一体化しな。
下記する第4表は本実施例による接着後の誘電体光学薄
膜層の膜構成を示すしのであり、決な第3図はその分光
光学特性を示すものである。またさらに第4図は本実施
例によって得られたSHG素子付固体レーザ素子の接合
部断面を模式的に示す図面である。図において15はS
HG素子、16はSiO□層、17は固体レーザ素子で
あり、点線は接合面を示す。
本実施例によって得られたSHG素子付固体レーザ素子
の接着強度を引っ張り試験により測定したところ、50
kg/■2以上の値を示し、充分にレーザ発振器の組立
調整操作に耐えるものであった。
また実施例1と同様のレーザ光入射を行なったところ接
着面にダメージは観察されなかった。
第4表 層数  物質  屈折率  光学的膜厚媒質  KTP
    1.785 1  5i02  1.44    2.00基板  
YAG    2、O5 実施例3 実施例1および実施例2の本発明によるSHG素子付固
体レーザ素子の両端面に反射防止膜を施したものおよび
従来のそれぞれの端面に反射防止膜を施し所定の間隔を
隔てて配置した固体レーザ素子とSHG素子についての
透過率を測定した。
第5図aは本発明のもの、第5図すは従来のものについ
ての透過率測定状況を示す概念図であって、図において
18は固体レーザ素子、19は固体レーザ素子の端面に
施された反射防止膜、20はSHG素子、21はSHG
素子の端面に施された反射防止膜、22は本発明のll
G5付固体レーザ素子の接合面に形成された誘電体光学
薄膜を示し、また矢印はレーザ光の透過方向を示す。
この測定の結果、レーザ発振波長におる透過率の10回
測定の平均値は測定再現性±0.1において従来のもの
が99.7%、実施例1のものが99.9%、実施例2
のものが99.8%であり、本発明のものは従来のもの
よりも透過率が高いことが判かった。
このことは本発明による5t−IG素子付固体レーザ素
子を用いるとレーザ発振効率が高いことを意味する。
(発明の効果) 以上述べたように本発明により固体レーザ素子とSHG
素子を一体化して得られたSHG素子付固体レーザ素子
の接着強度は高く、レーザ発振器の組立調整に充分に耐
え得るものであり、これによってレーザ発振器のコンパ
クト化、組立調整が容易になるのに加えて、固体レーザ
素子とSHG素子との間におけるレーザ損失が、従来の
ものよりも小さくなって、レーザ発振効率を高めること
ができるなどその効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は第3表の誘電体光学薄膜の分光光学特性を示す
図、第2図は第3表の誘電体光学薄膜を施した本発明の
HGS素子付固体レーザ素子の模式的断面図、第3図は
第4表の誘電体光学薄膜の分光光学特性を示す図、第4
図は第4表の誘電体光学薄膜を施した本発明のHGS付
固体レーザ素子の模式的断面図、第5図aおよびbは透
過率測定概念図、第6図はHGS素子を配した従来の一
般的な半導体励起固体レーザ発振器における要素配置図
、第7図は従来のKTPの反射防止膜の分光光学特性を
示す図、第8図は従来のNd : YAGの反射防止膜
の分光光学特性を示す図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・集光レンズ、3.14
.17.18・・・固体レーザ素子、4・・・誘電体多
層膜、5.7.8.19.21・・・反射防止膜、6.
10.15.20・・。 SHG素子、9・・・出力鏡、12.16・・・sho
□膜、11.13・・・TlO2膜。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)固体レーザ媒質の端面に誘電体光学薄膜を施した
    固体レーザ素子とSHG媒質の端面に誘電体光学薄膜を
    施したSHG素子とを密着させ、935℃以下の温度で
    加熱処理することによって両者を相互に接着することを
    特徴とするSHG素子付固体レーザ素子の作製方法。
  2. (2)固体レーザ媒質がNd:YAGである請求項1記
    載のSHG素子付固体レーザの作製方法。
  3. (3)SHG媒質がKTPである請求項1記載のSHG
    素子付固体レーザの作製方法。
  4. (4)固体レーザ媒質とSHG媒質に施した誘電体光学
    薄膜の膜構成が等しく、且つその表面層がSiO_2膜
    により構成された請求項1記載のSHG素子付固体レー
    ザの作製方法。
  5. (5)固体レーザ媒質とSHG媒質に施した誘電体光学
    薄膜の膜構成が両者を相互に接着した状態で固体レーザ
    媒質とSHG媒質との間に反射損失がないように設計さ
    れた請求項1記載のSHG素子付固体レーザ素子の作製
    方法。
JP13625990A 1990-05-25 1990-05-25 Shg素子付固体レーザ素子の作製方法 Pending JPH0430486A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13625990A JPH0430486A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 Shg素子付固体レーザ素子の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13625990A JPH0430486A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 Shg素子付固体レーザ素子の作製方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0430486A true JPH0430486A (ja) 1992-02-03

Family

ID=15171005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13625990A Pending JPH0430486A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 Shg素子付固体レーザ素子の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0430486A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318757A (ja) * 1993-04-15 1994-11-15 Nec Corp 固体レーザ
JP2008016833A (ja) * 2006-06-06 2008-01-24 Topcon Corp 光学部材の接合方法及び光学部材一体構造及びレーザ発振装置
JPWO2011074215A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 パナソニック株式会社 波長変換レーザ光源、光学素子及び画像表示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318757A (ja) * 1993-04-15 1994-11-15 Nec Corp 固体レーザ
JP2008016833A (ja) * 2006-06-06 2008-01-24 Topcon Corp 光学部材の接合方法及び光学部材一体構造及びレーザ発振装置
JPWO2011074215A1 (ja) * 2009-12-14 2013-04-25 パナソニック株式会社 波長変換レーザ光源、光学素子及び画像表示装置
US8743917B2 (en) 2009-12-14 2014-06-03 Panasonic Corporation Wavelength conversion light source, optical element and image display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008018247A1 (fr) Élément polarisant à transmission, et plaque polarisante complexe utilisant l'élément
JP2574594B2 (ja) 光導波路素子とその製造方法
JPS5842003A (ja) 偏光板
JPH0430486A (ja) Shg素子付固体レーザ素子の作製方法
JP3153334B2 (ja) 紫外線照射装置の多層膜フィルタ
JPS59155976A (ja) ガスレ−ザ−とその製造方法
JP2000111702A (ja) 反射防止膜
JP2002311402A (ja) ファラデー回転子
JP2005506264A (ja) 光結合技術
US5581395A (en) Non-linear optical crystal element
JP2001080974A (ja) 複合基板材料およびその製造方法
JPH02247601A (ja) レーザ素子の反射防止膜
JPH07154012A (ja) 波長可変レーザ装置及びその作製方法
JPH04333834A (ja) 誘電体多層反射防止膜
JPH07221383A (ja) Ld励起第二高調波発生固体レーザ装置
JP2734934B2 (ja) 固体レーザ
JPH04256904A (ja) 偏光素子
JPH0268501A (ja) ソリッドエタロン
JPS6118933A (ja) 光波長変換器
JP2005504361A (ja) 非線形光学装置
USH1572H (en) Wavelength stabilizing laser mirror
JPH08310840A (ja) 反射防止膜
US20080160329A1 (en) Multilayer coating for quasi-phase-matching element
JPS6122328A (ja) 光双安定素子
JP2792306B2 (ja) 偏光分離素子