JPH0430486A - Shg素子付固体レーザ素子の作製方法 - Google Patents
Shg素子付固体レーザ素子の作製方法Info
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- JPH0430486A JPH0430486A JP13625990A JP13625990A JPH0430486A JP H0430486 A JPH0430486 A JP H0430486A JP 13625990 A JP13625990 A JP 13625990A JP 13625990 A JP13625990 A JP 13625990A JP H0430486 A JPH0430486 A JP H0430486A
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、KTP(KT!0PO4)の如きよりなる5
t−IG素子(第2次高調波発生素子)およびNd :
YAG(NdドープYaAj2s012 )の如きよ
りなる固体レーザ素子の両者を光学的に反射損失のない
ように接着する方法に関するものである。
t−IG素子(第2次高調波発生素子)およびNd :
YAG(NdドープYaAj2s012 )の如きよ
りなる固体レーザ素子の両者を光学的に反射損失のない
ように接着する方法に関するものである。
(従来の技術)
KTPはNd : YAGの固体レーザ素子(発振波長
1064 rim )のSHG素子として大きな非線光
学定数をもち、レーザ損傷しきい値が高くしかも化学的
に安定であるため、理想的な結晶と考えられ多用されて
いる。
1064 rim )のSHG素子として大きな非線光
学定数をもち、レーザ損傷しきい値が高くしかも化学的
に安定であるため、理想的な結晶と考えられ多用されて
いる。
従来半導体レーザ励起固体レーザ発振器にSHG素子を
配置するには、−船釣には第6図に示すように半導体レ
ーザ1、集光レンズ2、固体レーザ素子3、SHG素子
6、出力鏡9の順に所定の間隔をおいて同軸上に配置し
、固体レーザ素子3の半導体レーザ励起側端面には半導
体レーザの波長に対しては反射防止効果を有し、固体レ
ーザおよびSH光(第2次高調波)の発振波長に対して
は高い反射効果をもつ誘電体光学薄膜4を、また反対側
端面、即ちSHG素子に対向する端面には固体レーザの
発振波長に対して反射防止効果を有する誘電体光学薄膜
5を施し、さらに、SHG素子6にはその両端面に固体
レーザの発振波長に対して反射防止効果を有する誘電体
光学薄膜7.8を施して形成されていた。しかし、この
場合において固体レーザ素子3のSHG素子側端面に施
される誘電体光学薄膜5には、例えば下記する第1表に
おいて、1.2および3で示されるような三層よりなる
膜構成を持ち、その分光光学特性が第7図に示されるよ
うなものが用いられ、また、SHG素子端面に施される
誘電体光学薄膜7.8には、例えば下記する第2表1.
2および3で示されるような三層よりなる膜構成をもち
、その分光光学特性が第8図で示されるようなものが用
いられている。
配置するには、−船釣には第6図に示すように半導体レ
ーザ1、集光レンズ2、固体レーザ素子3、SHG素子
6、出力鏡9の順に所定の間隔をおいて同軸上に配置し
、固体レーザ素子3の半導体レーザ励起側端面には半導
体レーザの波長に対しては反射防止効果を有し、固体レ
ーザおよびSH光(第2次高調波)の発振波長に対して
は高い反射効果をもつ誘電体光学薄膜4を、また反対側
端面、即ちSHG素子に対向する端面には固体レーザの
発振波長に対して反射防止効果を有する誘電体光学薄膜
5を施し、さらに、SHG素子6にはその両端面に固体
レーザの発振波長に対して反射防止効果を有する誘電体
光学薄膜7.8を施して形成されていた。しかし、この
場合において固体レーザ素子3のSHG素子側端面に施
される誘電体光学薄膜5には、例えば下記する第1表に
おいて、1.2および3で示されるような三層よりなる
膜構成を持ち、その分光光学特性が第7図に示されるよ
うなものが用いられ、また、SHG素子端面に施される
誘電体光学薄膜7.8には、例えば下記する第2表1.
2および3で示されるような三層よりなる膜構成をもち
、その分光光学特性が第8図で示されるようなものが用
いられている。
第
暦数 物 質
媒質 空 気
I 5lo2
2 A120s
基板 YAG
註:光学的膜厚nd
1表
屈折率 光学的膜厚
1.00
1.44 1.29
1.60 0.42
1.44 1.29
1.82
=λ/4を1とする
第
層数 物 質
媒質 空 気
I SiO□
2 AI!203
3S10゜
基板 KTP
註:光学的膜厚nd
2表
屈折率 光学的膜厚
1.00
1.44 1.25
1.60 0.50
1.44 1.25
1.785
一λ/4を1とする
(発明が解決すべき課題)
しかし、近年この種のレーザ発振器の小型化が求められ
ており、小型化するために固体レーザ素子とSHG素子
とを一体化することができればレーザ発振器全体をコン
パクトにすることができるし、さらにこのように各素子
を一体化すれば、各素子が数剛程度の極めて小さいもの
であるだけに、レーザ発振器自体の組立、調整が容易に
なる利点も生ずる。
ており、小型化するために固体レーザ素子とSHG素子
とを一体化することができればレーザ発振器全体をコン
パクトにすることができるし、さらにこのように各素子
を一体化すれば、各素子が数剛程度の極めて小さいもの
であるだけに、レーザ発振器自体の組立、調整が容易に
なる利点も生ずる。
本発明は、上記したような着想に基づきなされたもので
あって、固体レーザ素子とSHG素子を光学的特性を損
なうことなく、熱接着により一体化する方法を提供する
ことを目的としたものである。
あって、固体レーザ素子とSHG素子を光学的特性を損
なうことなく、熱接着により一体化する方法を提供する
ことを目的としたものである。
(課題を解決するための手段)
上記の目的を達成するための本発明は、固体レーザ媒質
の端面に施された誘電体光学薄膜と5t−IG媒質端面
に施された誘電体光学薄膜とを相互に密着させて、93
5℃以下の温度で熱処理することによって両者を相互に
熱接着することを特徴とするSHG素子付固体レーザ素
子の作成方法である。
の端面に施された誘電体光学薄膜と5t−IG媒質端面
に施された誘電体光学薄膜とを相互に密着させて、93
5℃以下の温度で熱処理することによって両者を相互に
熱接着することを特徴とするSHG素子付固体レーザ素
子の作成方法である。
本発明において各素子端面に施される誘電体光学薄膜は
その膜構成が同じで、且つその表面層が5ho2膜によ
って形成されており、両者を接着した状態で固体レーザ
媒質とSHG媒質との間に反射損失が起らないように設
計されたものである。
その膜構成が同じで、且つその表面層が5ho2膜によ
って形成されており、両者を接着した状態で固体レーザ
媒質とSHG媒質との間に反射損失が起らないように設
計されたものである。
(作用〉
発明者等は上記したような観点から固体レーザ素子とS
HG素子との熱接着による一体化について検討を進めて
きた。
HG素子との熱接着による一体化について検討を進めて
きた。
固体レーザ媒体にNd : YAGを用い、またSHG
媒体にKTPを使用するときはこれらの媒体の屈折率が
非常に近いために、その間に反射防止膜を設けることな
く固体レーザ媒体とSHG媒体をそのまま直接接着して
も反射損失は0.05%程度で光学的には問題はないこ
とが判かったが、実際に両者を接着した場合、その接合
強度が弱くて実用上問題があることが判明した。
媒体にKTPを使用するときはこれらの媒体の屈折率が
非常に近いために、その間に反射防止膜を設けることな
く固体レーザ媒体とSHG媒体をそのまま直接接着して
も反射損失は0.05%程度で光学的には問題はないこ
とが判かったが、実際に両者を接着した場合、その接合
強度が弱くて実用上問題があることが判明した。
またさらに、従来の固体レーザ素子およびSHG素子の
対向面に施されている誘電体光学薄膜の膜構成のままで
接着することも、光学的性能上は勿論のこと、接着操作
上においても両者の接着は極めて困難であった。
対向面に施されている誘電体光学薄膜の膜構成のままで
接着することも、光学的性能上は勿論のこと、接着操作
上においても両者の接着は極めて困難であった。
何となれば従来の誘電体光学薄膜を熱接着する場合にS
HG媒体を構成するKTPの結晶転移点の935℃付近
であるために、熱接着を施すための温度をこの温度以下
に抑える必要があるためである。
HG媒体を構成するKTPの結晶転移点の935℃付近
であるために、熱接着を施すための温度をこの温度以下
に抑える必要があるためである。
発明者等はこの点を考慮してさらに検討を進めた結果、
固体レーザ媒体とSHG媒体に施す誘電体光学薄膜の表
層部分を比較的熔融点の低く、且つアモルファスで表面
のなめらかなSiO2層層で構成し、このSiO2層を
相互に接着することによって、両媒体の一体化を行なう
ことに成功した。
固体レーザ媒体とSHG媒体に施す誘電体光学薄膜の表
層部分を比較的熔融点の低く、且つアモルファスで表面
のなめらかなSiO2層層で構成し、このSiO2層を
相互に接着することによって、両媒体の一体化を行なう
ことに成功した。
またこの場合において、接着の目的のみであれば、膜構
成をSiO2単層とすることで十分目的を達することが
できるが、さらに反射防止効果を高めるためには次の手
法を用いる。
成をSiO2単層とすることで十分目的を達することが
できるが、さらに反射防止効果を高めるためには次の手
法を用いる。
即ち、まず固体レーザ媒質を構成するNd : YAG
とSHG媒質を構成するKTPとに対する単層反射防止
膜の屈折率の算出を行なう。
とSHG媒質を構成するKTPとに対する単層反射防止
膜の屈折率の算出を行なう。
単層反射防止膜の屈折率nARは光学的膜厚nd(nは
単層反射防止膜の屈折率、dは単層反射防止膜の物理的
膜厚)がλ/4(λはレーザ発振波長を1046 nm
)の場合に、下記(1)式で与えられる。
単層反射防止膜の屈折率、dは単層反射防止膜の物理的
膜厚)がλ/4(λはレーザ発振波長を1046 nm
)の場合に、下記(1)式で与えられる。
nA*=J(nrrp −nyAo >−−(1)
但し、nxTpは波長1046 nmにおけるKTPの
屈折率1.785、nyAoは同波長におけるYAGの
屈折率1.82である。(1)式により、単層反射防止
膜の屈折率は1.80になる。
但し、nxTpは波長1046 nmにおけるKTPの
屈折率1.785、nyAoは同波長におけるYAGの
屈折率1.82である。(1)式により、単層反射防止
膜の屈折率は1.80になる。
従って、Nd : YAG素子とにTP素子の対向面に
接着後の屈折率が1.80で、且つ相互に熱接着するこ
とが容易であるような誘電体光学薄膜を施せばよいこと
になる。
接着後の屈折率が1.80で、且つ相互に熱接着するこ
とが容易であるような誘電体光学薄膜を施せばよいこと
になる。
発明者等は先ず単層でこのような屈折率を持つ蒸着物質
について検討を加えた結果、このような蒸着物質にはz
ro2、HfO,2等があることが判がったか、柱状成
長をした膜であり、表面がなめらかでないなめ適当でな
いことが判かった。
について検討を加えた結果、このような蒸着物質にはz
ro2、HfO,2等があることが判がったか、柱状成
長をした膜であり、表面がなめらかでないなめ適当でな
いことが判かった。
そこで、発明者等は接着後において屈折率1.80の単
層膜と同等の効果を持つような三層構成膜を形成し、且
つ接着面が射熱接着性の5i02によって構成される二
層膜誘電体光学薄膜について’Thin−fi1m o
ptical filters 2nd edn、”
(H,A、Macle−od、 Br1stol A
dam旧1ger Ltd、 D、118−122.1
986>に記載の三層等価膜法を用いて検討を行なった
。
層膜と同等の効果を持つような三層構成膜を形成し、且
つ接着面が射熱接着性の5i02によって構成される二
層膜誘電体光学薄膜について’Thin−fi1m o
ptical filters 2nd edn、”
(H,A、Macle−od、 Br1stol A
dam旧1ger Ltd、 D、118−122.1
986>に記載の三層等価膜法を用いて検討を行なった
。
この方法は2種類の屈折率の異なる膜AおよびBを用い
て、A−B−A、またはB−A−Bの三層よりなる膜を
理論式から求めた適切な膜厚で形成し、AとBとの中間
的屈折率を有する三層膜を得るものである。
て、A−B−A、またはB−A−Bの三層よりなる膜を
理論式から求めた適切な膜厚で形成し、AとBとの中間
的屈折率を有する三層膜を得るものである。
後に実施例1において述べる第3表1.2および3は、
上記の方法を利用して、接着後に各媒質の対向面間に形
成された三層誘電体光学薄膜の膜構成の一例を示したも
のである。この例においては、三層誘電体光学薄膜とし
てT i O2−S i O7−■io2からなるもの
を示したが、この他に例えばTazOs310゜−Ta
20s等を用いることもできる。
上記の方法を利用して、接着後に各媒質の対向面間に形
成された三層誘電体光学薄膜の膜構成の一例を示したも
のである。この例においては、三層誘電体光学薄膜とし
てT i O2−S i O7−■io2からなるもの
を示したが、この他に例えばTazOs310゜−Ta
20s等を用いることもできる。
上記したレーザ媒質とSHG媒質問にSiO2単層誘電
体光学薄膜またはT i O2−S i 02−T i
02型等の三層誘電体光学薄膜を形成させた一体止接
珊物を得るなめには、SiO2単層膜の場合には接着後
に両者間に形成されたSiO2層の光学的膜厚が光の干
渉によって位相変化を生じない厚さ、つまりλ/2とし
、その半分のλ/4宛の膜層をそれぞれ固体レーザ媒質
およびSHG媒質の対向する端面に蒸着する。
体光学薄膜またはT i O2−S i 02−T i
02型等の三層誘電体光学薄膜を形成させた一体止接
珊物を得るなめには、SiO2単層膜の場合には接着後
に両者間に形成されたSiO2層の光学的膜厚が光の干
渉によって位相変化を生じない厚さ、つまりλ/2とし
、その半分のλ/4宛の膜層をそれぞれ固体レーザ媒質
およびSHG媒質の対向する端面に蒸着する。
また三層膜の場合には膜構成層をSiO2層で半分に分
割した状態の誘電体光学薄膜をそれぞれSiO□面が接
着端面になるようにして面固体レーザ媒質とSHG媒質
の各対向端面に蒸着によって形成させる。
割した状態の誘電体光学薄膜をそれぞれSiO□面が接
着端面になるようにして面固体レーザ媒質とSHG媒質
の各対向端面に蒸着によって形成させる。
蒸着法は特に限定するものでないが、例えば電子ビーム
真空蒸着法などが用いられる。
真空蒸着法などが用いられる。
次に上記した如く誘電体光学薄膜を形成した固体レーザ
媒質およびSHG媒質を、例えば過酸化水素とアンモニ
アと純水(1:1:10)の混合液等の親水化処理液に
浸漬するなどして、これらを親水化処理液、次いでその
5ho2層どうしを密着させた状態で加熱炉中に設置し
て、加熱処理を施すことによって相互に融着させればよ
い。
媒質およびSHG媒質を、例えば過酸化水素とアンモニ
アと純水(1:1:10)の混合液等の親水化処理液に
浸漬するなどして、これらを親水化処理液、次いでその
5ho2層どうしを密着させた状態で加熱炉中に設置し
て、加熱処理を施すことによって相互に融着させればよ
い。
この際の加熱処理温度は850℃付近が適切である。ま
た加熱後は6時間はどかけて室温までゆっくりと冷却す
る。
た加熱後は6時間はどかけて室温までゆっくりと冷却す
る。
本発明によるときは、レーザ発振器の組立に際し、固体
レーザ素子とSHG素子が極めて薄い誘電体光学膜を介
して一体化した状態で組立を行なうことができるので、
組立調整が容易になり、また装置がコンパクト化するほ
かに大きな効果として、固体レーザ素子とSHG素子と
の間におけるレーザの損失が従来のものに較べて小さく
なって、発振効率が向上する効果も得られるなど利点が
多いことが判かった。
レーザ素子とSHG素子が極めて薄い誘電体光学膜を介
して一体化した状態で組立を行なうことができるので、
組立調整が容易になり、また装置がコンパクト化するほ
かに大きな効果として、固体レーザ素子とSHG素子と
の間におけるレーザの損失が従来のものに較べて小さく
なって、発振効率が向上する効果も得られるなど利点が
多いことが判かった。
(実施例)
次に本発明の実施例について述べる。
実施例1
固体レーザ媒質に両端面が光学研磨された直径3mm、
長さ5mmのNd : YAGを用い、またSHG媒質
には同じく両端面が光学研磨された直径3m、長さ3膿
のにTPを用いてその対向する端面に、両者を接着後下
記する第3表に示される膜構成を有し、且つ第1図に示
される分光光学特性を有するようなTiO2−8iO□
−Ti02型三層誘電体光学薄膜が形成されるように、
膜構成中のSiO2層で半分に分割した状態の誘電体光
学薄膜を電子ビーム蒸着法によって形成した。
長さ5mmのNd : YAGを用い、またSHG媒質
には同じく両端面が光学研磨された直径3m、長さ3膿
のにTPを用いてその対向する端面に、両者を接着後下
記する第3表に示される膜構成を有し、且つ第1図に示
される分光光学特性を有するようなTiO2−8iO□
−Ti02型三層誘電体光学薄膜が形成されるように、
膜構成中のSiO2層で半分に分割した状態の誘電体光
学薄膜を電子ビーム蒸着法によって形成した。
なおTi07−8 i 02− T i 02膜の設計
は三層等価膜法によった。
は三層等価膜法によった。
次いでこのようにして誘電体光学薄膜を形成した固体レ
ーザ媒質とSHG @質を、過酸化水素とアンモニアと
純水を1:1:10の割合で混合した溶液中に浸漬して
親水化処理を施した後、両者をSiO□層形成層形密面
させた状態で加熱炉中に設置し、大気中で3時間で85
0℃まで加熱して同温度で3時間保持した後、6時間か
けて室温まで冷却することによって両者を一体化した。
ーザ媒質とSHG @質を、過酸化水素とアンモニアと
純水を1:1:10の割合で混合した溶液中に浸漬して
親水化処理を施した後、両者をSiO□層形成層形密面
させた状態で加熱炉中に設置し、大気中で3時間で85
0℃まで加熱して同温度で3時間保持した後、6時間か
けて室温まで冷却することによって両者を一体化した。
第2図は本実施例によって一体化したSHG素子付固体
レーザ素子の接合部断面を模式的に示した図面であって
10はSHG素子、11および13は旧02層、12は
SiO2.14は固体レーザ素子である。また点線は接
着面を示す。
レーザ素子の接合部断面を模式的に示した図面であって
10はSHG素子、11および13は旧02層、12は
SiO2.14は固体レーザ素子である。また点線は接
着面を示す。
本発明によって得られなSHG素子付固体レーザ媒質に
おける接着強度を引っ張り試験によって測定したところ
、50kg/cm 2以上の値が得られた。
おける接着強度を引っ張り試験によって測定したところ
、50kg/cm 2以上の値が得られた。
これは、レーザ発振器の組立、調整に充分に耐え得る接
着強度である。また、本発明によって一体化しなSHG
素子付固体レーザ素子にパワー密度1000W/cm2
のNd : YAGレーザを入射したところ、接着面に
入射レーザによるダメージは観察されなかった。
着強度である。また、本発明によって一体化しなSHG
素子付固体レーザ素子にパワー密度1000W/cm2
のNd : YAGレーザを入射したところ、接着面に
入射レーザによるダメージは観察されなかった。
第3表
暦数 物質 屈折率 光学的膜厚媒質 にTP
1.785 1 TiO22,050,38 2SiO21.44 0.24 3 To022.05 0.38基板 Y
AG 1.82 註:光学的膜厚nd =λ/4を1とする。
1.785 1 TiO22,050,38 2SiO21.44 0.24 3 To022.05 0.38基板 Y
AG 1.82 註:光学的膜厚nd =λ/4を1とする。
実施例2
実施例1と同様の寸法形状および材質を有するレーザ媒
質およびSHG媒質のそれぞれ光学的研磨を施した対向
端面に、電子ビーム蒸着法によって光学的膜厚λ/4の
5i02層を形成した。
質およびSHG媒質のそれぞれ光学的研磨を施した対向
端面に、電子ビーム蒸着法によって光学的膜厚λ/4の
5i02層を形成した。
ついでこの両者を実施例1と同様の手順で電気炉中で接
着して一体化しな。
着して一体化しな。
下記する第4表は本実施例による接着後の誘電体光学薄
膜層の膜構成を示すしのであり、決な第3図はその分光
光学特性を示すものである。またさらに第4図は本実施
例によって得られたSHG素子付固体レーザ素子の接合
部断面を模式的に示す図面である。図において15はS
HG素子、16はSiO□層、17は固体レーザ素子で
あり、点線は接合面を示す。
膜層の膜構成を示すしのであり、決な第3図はその分光
光学特性を示すものである。またさらに第4図は本実施
例によって得られたSHG素子付固体レーザ素子の接合
部断面を模式的に示す図面である。図において15はS
HG素子、16はSiO□層、17は固体レーザ素子で
あり、点線は接合面を示す。
本実施例によって得られたSHG素子付固体レーザ素子
の接着強度を引っ張り試験により測定したところ、50
kg/■2以上の値を示し、充分にレーザ発振器の組立
調整操作に耐えるものであった。
の接着強度を引っ張り試験により測定したところ、50
kg/■2以上の値を示し、充分にレーザ発振器の組立
調整操作に耐えるものであった。
また実施例1と同様のレーザ光入射を行なったところ接
着面にダメージは観察されなかった。
着面にダメージは観察されなかった。
第4表
層数 物質 屈折率 光学的膜厚媒質 KTP
1.785 1 5i02 1.44 2.00基板
YAG 2、O5 実施例3 実施例1および実施例2の本発明によるSHG素子付固
体レーザ素子の両端面に反射防止膜を施したものおよび
従来のそれぞれの端面に反射防止膜を施し所定の間隔を
隔てて配置した固体レーザ素子とSHG素子についての
透過率を測定した。
1.785 1 5i02 1.44 2.00基板
YAG 2、O5 実施例3 実施例1および実施例2の本発明によるSHG素子付固
体レーザ素子の両端面に反射防止膜を施したものおよび
従来のそれぞれの端面に反射防止膜を施し所定の間隔を
隔てて配置した固体レーザ素子とSHG素子についての
透過率を測定した。
第5図aは本発明のもの、第5図すは従来のものについ
ての透過率測定状況を示す概念図であって、図において
18は固体レーザ素子、19は固体レーザ素子の端面に
施された反射防止膜、20はSHG素子、21はSHG
素子の端面に施された反射防止膜、22は本発明のll
G5付固体レーザ素子の接合面に形成された誘電体光学
薄膜を示し、また矢印はレーザ光の透過方向を示す。
ての透過率測定状況を示す概念図であって、図において
18は固体レーザ素子、19は固体レーザ素子の端面に
施された反射防止膜、20はSHG素子、21はSHG
素子の端面に施された反射防止膜、22は本発明のll
G5付固体レーザ素子の接合面に形成された誘電体光学
薄膜を示し、また矢印はレーザ光の透過方向を示す。
この測定の結果、レーザ発振波長におる透過率の10回
測定の平均値は測定再現性±0.1において従来のもの
が99.7%、実施例1のものが99.9%、実施例2
のものが99.8%であり、本発明のものは従来のもの
よりも透過率が高いことが判かった。
測定の平均値は測定再現性±0.1において従来のもの
が99.7%、実施例1のものが99.9%、実施例2
のものが99.8%であり、本発明のものは従来のもの
よりも透過率が高いことが判かった。
このことは本発明による5t−IG素子付固体レーザ素
子を用いるとレーザ発振効率が高いことを意味する。
子を用いるとレーザ発振効率が高いことを意味する。
(発明の効果)
以上述べたように本発明により固体レーザ素子とSHG
素子を一体化して得られたSHG素子付固体レーザ素子
の接着強度は高く、レーザ発振器の組立調整に充分に耐
え得るものであり、これによってレーザ発振器のコンパ
クト化、組立調整が容易になるのに加えて、固体レーザ
素子とSHG素子との間におけるレーザ損失が、従来の
ものよりも小さくなって、レーザ発振効率を高めること
ができるなどその効果は大きい。
素子を一体化して得られたSHG素子付固体レーザ素子
の接着強度は高く、レーザ発振器の組立調整に充分に耐
え得るものであり、これによってレーザ発振器のコンパ
クト化、組立調整が容易になるのに加えて、固体レーザ
素子とSHG素子との間におけるレーザ損失が、従来の
ものよりも小さくなって、レーザ発振効率を高めること
ができるなどその効果は大きい。
第1図は第3表の誘電体光学薄膜の分光光学特性を示す
図、第2図は第3表の誘電体光学薄膜を施した本発明の
HGS素子付固体レーザ素子の模式的断面図、第3図は
第4表の誘電体光学薄膜の分光光学特性を示す図、第4
図は第4表の誘電体光学薄膜を施した本発明のHGS付
固体レーザ素子の模式的断面図、第5図aおよびbは透
過率測定概念図、第6図はHGS素子を配した従来の一
般的な半導体励起固体レーザ発振器における要素配置図
、第7図は従来のKTPの反射防止膜の分光光学特性を
示す図、第8図は従来のNd : YAGの反射防止膜
の分光光学特性を示す図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・集光レンズ、3.14
.17.18・・・固体レーザ素子、4・・・誘電体多
層膜、5.7.8.19.21・・・反射防止膜、6.
10.15.20・・。 SHG素子、9・・・出力鏡、12.16・・・sho
□膜、11.13・・・TlO2膜。
図、第2図は第3表の誘電体光学薄膜を施した本発明の
HGS素子付固体レーザ素子の模式的断面図、第3図は
第4表の誘電体光学薄膜の分光光学特性を示す図、第4
図は第4表の誘電体光学薄膜を施した本発明のHGS付
固体レーザ素子の模式的断面図、第5図aおよびbは透
過率測定概念図、第6図はHGS素子を配した従来の一
般的な半導体励起固体レーザ発振器における要素配置図
、第7図は従来のKTPの反射防止膜の分光光学特性を
示す図、第8図は従来のNd : YAGの反射防止膜
の分光光学特性を示す図である。 1・・・半導体レーザ、2・・・集光レンズ、3.14
.17.18・・・固体レーザ素子、4・・・誘電体多
層膜、5.7.8.19.21・・・反射防止膜、6.
10.15.20・・。 SHG素子、9・・・出力鏡、12.16・・・sho
□膜、11.13・・・TlO2膜。
Claims (5)
- (1)固体レーザ媒質の端面に誘電体光学薄膜を施した
固体レーザ素子とSHG媒質の端面に誘電体光学薄膜を
施したSHG素子とを密着させ、935℃以下の温度で
加熱処理することによって両者を相互に接着することを
特徴とするSHG素子付固体レーザ素子の作製方法。 - (2)固体レーザ媒質がNd:YAGである請求項1記
載のSHG素子付固体レーザの作製方法。 - (3)SHG媒質がKTPである請求項1記載のSHG
素子付固体レーザの作製方法。 - (4)固体レーザ媒質とSHG媒質に施した誘電体光学
薄膜の膜構成が等しく、且つその表面層がSiO_2膜
により構成された請求項1記載のSHG素子付固体レー
ザの作製方法。 - (5)固体レーザ媒質とSHG媒質に施した誘電体光学
薄膜の膜構成が両者を相互に接着した状態で固体レーザ
媒質とSHG媒質との間に反射損失がないように設計さ
れた請求項1記載のSHG素子付固体レーザ素子の作製
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13625990A JPH0430486A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | Shg素子付固体レーザ素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13625990A JPH0430486A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | Shg素子付固体レーザ素子の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0430486A true JPH0430486A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15171005
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13625990A Pending JPH0430486A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | Shg素子付固体レーザ素子の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0430486A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318757A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-15 | Nec Corp | 固体レーザ |
JP2008016833A (ja) * | 2006-06-06 | 2008-01-24 | Topcon Corp | 光学部材の接合方法及び光学部材一体構造及びレーザ発振装置 |
JPWO2011074215A1 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-04-25 | パナソニック株式会社 | 波長変換レーザ光源、光学素子及び画像表示装置 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13625990A patent/JPH0430486A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06318757A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-11-15 | Nec Corp | 固体レーザ |
JP2008016833A (ja) * | 2006-06-06 | 2008-01-24 | Topcon Corp | 光学部材の接合方法及び光学部材一体構造及びレーザ発振装置 |
JPWO2011074215A1 (ja) * | 2009-12-14 | 2013-04-25 | パナソニック株式会社 | 波長変換レーザ光源、光学素子及び画像表示装置 |
US8743917B2 (en) | 2009-12-14 | 2014-06-03 | Panasonic Corporation | Wavelength conversion light source, optical element and image display device |
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