JP2005506264A - 光結合技術 - Google Patents

Abstract

２つの光学コンポーネントの対向した表面のうち少なくとも一方にガラス失透温度Ｔｃｌよりも実質的に低いガラス転移温度Ｔｇをもつ結合用ガラスの薄い層（厚さは好ましくは１００ミクロン以下）を設け、これら表面の間に１又は複数の被膜だけを設けた状態でこれら表面を合わせ、組立て状態のコンポーネントを圧力下において、ＴｇとＴｃｌとの間に位置し、ガラスを軟化させてコンポーネントを互いに結合するのに十分に高い温度Ｔｂまで加熱することにより上記対向した表面を接合する。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、屈折率整合ガラス被膜により互いに結合された光学コンポーネントに関する。本出願人の同時係属英国特許出願第ＧＢ０１２３７４０．３号明細書及びＧＢ０１２３７４２．９号明細書は特に、屈折率整合ガラス被膜を用いてコンポーネントを互いに結合する非線形光デバイスに関し、本出願人の同時係属英国特許出願第ＧＢ０１２３７４４．５号明細書は、屈折率整合ガラス被膜から製造された反射防止層の提供に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、低光損失インタフェースを備えた互いに結合された多コンポーネント光デバイスの製作を容易にする。光学的接触状態にあるべきフェース相互間におけるギャップ又は空間の存在は、例えば接合されるべき表面中の欠陥のような源又は表面のところの汚染の存在、特に粒子汚染の存在に起因して生じる場合があり、かかる存在により、とりわけ反射（屈折率不整合のため）及び散乱に起因する光損失が生じる。
【０００３】
複合光デバイス内の光インタフェースに起因する光損失を回避する多くの試行及び試験済みの技術が開発されたが、かかる技術としては、ダイレクトインタフェース、即ち、表面が直接的な光学及び機械的接触状態にあるインタフェースの提供、コンポーネント相互間への接着剤層の配置及び可能な場合には拡散結合が挙げられる。
直接的にインタフェースを取るには、コンポーネントの表面の非常に正確な物理的作製が必要であると共に極めて高い基準の清浄さが必要である。この理由で、この技術は実際に用いられたが実施困難であり、可能ならば避けるのが最善である。
【０００４】
例えば接着剤のような材料の中間層でコンポーネントを接合することは、光損失を減少又は無くし、したがってデバイス効率を向上させるのに役立つ場合がある。例えば、顕微鏡スライダを取り付けたりレンズコンポーネントを接合するために長年にわたり、従来型シリカ系光学ガラスの屈折率に非常に類似した屈折率のカナダバルサムが接着剤として用いられた。多くの最新型光学コンポーネントは、従来型ガラス、例えば半導体電気光学デバイス及びガラスよりも非常に大きな屈折率の材料で作られており、これは一般に、例えば赤外領域で用いられるコンポーネントで生じる。従来型接着剤組成物の屈折率は、これらの非常に増大した屈折率に整合できず、したがって、インタフェースのところの反射が再び増大するので、直接的にインタフェースを取ろうとすることが必要な場合が多かった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
数種類の窓材料では、２つのガラス層が、圧力及び熱の条件下でプラスチック層により接合され、難燃性ガラスは、２つのガラス層相互間にサンドイッチされた硼素含有層を有している。しかしながら、この場合も又、この技術は、各光学コンポーネントと中間層との間にギャップ又は空間無く接合部を得ることができるかどうかにかかっており、この種の結合は、光学性能が重要ではない構造、例えば、建物及び車のフロントガラス用の窓に用いられる傾向がある。接着剤又は他の結合材料の各中間層は、２つのインタフェースをもたらし、接合が不良と言っていいほどのものであれば、光学性能が２つの直接結合されたコンポーネントの光学性能を上回って劣化する場合さえある。
【０００６】
多くの用途では、中間結合層を用いる場合、かかる層に極めて小さいだけでなく、正確に制御できる厚さを持たせることができることが望ましい。これは、当該技術分野において従来用いられている接着剤又は他の中間材料を用いても特に容易ではない。
上述の拡散結合方式は、多くの実際的問題に起因して実現するに困難である。個々の層は、非常に研磨されて光学的にフラットでなければならず、層の表面は、粒子汚染が無いものでなければならない。１μｍという小さな粒子の結果として直径が１ｍｍのボイドが層相互間に生じる場合のあることが観察された（D.Bollmann et al, Jpn J Appl Phys, vol 35, pp 3807-3809 ）。かかるボイドは、多くの層のスタック上に相当堆積する場合のある光損失の源である。層を拡散結合するのに必要な温度及び圧力も又、材料の光学的性質を劣化させる場合がある（D.Zheng et al, J Electrochem Soc, vol 144, no 4, pp 1439-1441 ）。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、別の光学コンポーネントに結合されるべき少なくとも１つの光学コンポーネントは、ガラス状材料の薄い層で被覆される。ガラス相からメルト相又は結晶相への変化に対応したガラス失透温度Ｔｃに加え、多くのガラスは、ガラス相が保持されるが、幾分性質が異なった状態になる少なくとも１つのガラス転移温度Ｔｇを有する。特に、ガラスを温度Ｔｇまで加熱してこれよりも高い温度のガラス相を得ることは（読者は、相変化が他の条件を必要とし、特に相変化には相当な時間がかかる場合のあることは理解されよう）、かなり軟質又は移動性の高い相を提供できる。
【０００８】
ガラス相転移は、示差熱分析法により検出でき、かかる示差熱分析法では、熱を制御された速度でサンプルに供給し、サンプルの温度を時間の経過につれてプロットする。示差熱分析中、温度は当初全体的に直線状のプロットを辿り、相転移は、直線性からの偏差によって指示される。特に、ガラス転移温度Ｔｇは、一般に屈折点の形態をしたプロット中の不連続点により識別できる。これ以上の転移点がこれよりも高い温度で識別でき、これらのうちの少なくとも１つは、失透温度に相当する場合がある。後者は、サンプルを冷却することにより逆測定を行った際、対応関係にある屈折点が存在せず、又は少なくとも同一の温度では生じないので識別できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、以下のサイクルを用いる材料Ｇｅ₁₅Ａｓ₁₅Ｓｅ₂₉Ｔｅ₄₁についての示差熱分析プロットを示している。
１． １．０分間２０．００℃に保持する。
２． １０．００℃／分で２０．００℃から４５０．００℃まで加熱する。
３． １０．０分間４５０．００℃に保持する。
４． １０．００℃／分で４５０．００℃から２０．００℃まで冷却する。
１２０℃及び２４０℃のところでの曲線の上方部分上の２つの変曲点はそれぞれ、第１及び第２のガラス（ガラス／ガラス）転移温度Ｔｇ１，Ｔｇ２である。２９０℃及び３８０℃のところにおけるより急峻な移行部Ｔｃ１，Ｔｃ２は、結晶相と関連した移行部であり、これら温度のうち低い方Ｔｃ１は、その点では材料がガラス相の状態でいるのをやめるので失透温度であろう。図１では、曲線は冷却時に同じ道筋を辿らず、Ｔｇ１，Ｔｇ２に相当するガラス／ガラス転移点（逆）を示さず、開始点まで戻らないことが観察される。かくして、この材料の熱処理は、材料の性質の目立った変化と関連しがちであり、これら変化は、多くの因子（例えば、時間、温度、加熱速度、雰囲気）に依存する場合があり、したがってどのような変化であっても高信頼度で再現するのが困難と言っていい。
本明細書で用いる「第１のガラス転移温度」という用語は、周囲よりも高い最も低いガラス転移温度を意味している。
【００１０】
図２は、以下のサイクルを用いる材料Ｇｅ₁₅Ａｓ₁₅Ｓｅ₁₇Ｔｅ₅₃についての示差熱分析プロットを示している。
１． １．０分間２０．００℃に保持する。
２． １０．００℃／分で２０．００℃から４４０．００℃まで加熱する。
３． １０．００℃／分で４４０．００℃から８０．００℃まで冷却する。
４． ２０．０分間８０．００℃に保持する。
５． １０．００℃／分で８０．００℃から４４０．００℃まで加熱する。
６． １０．００℃／分で４４０．００℃から８０．００℃まで冷却する。
７． ２０．０分間８０．００℃に保持する。
８． １０．００℃／分で８０．００℃から４４０．００℃まで加熱する。
９． １０．００℃／分で４４０．００℃から２０．００℃まで冷却する。
１０．６０．０分間２０．００℃に保持する。
【００１１】
図１と比較すると、このプロットは、１４５℃及び２６０℃のところでの第１及び第２のガラス（ガラス／ガラス）転移温度Ｔｇ１及びＴｇ２並びに３３０℃のところの単一の失透温度Ｔｃ１を含む比較的単純なトレース又は軌跡である。冷却時、同じ曲線を辿らないが、２７０℃及び１６０℃のところに逆ガラス転移点Ｔｇ１及びＴｇ２が示されている。このトレースは、３３０℃への加熱を伴う３つのサイクルにわたって測定により立証されるように再現可能である。
【００１２】
図３は、以下のサイクルを用いる材料Ｇｅ₁₉Ａｓ₁₁Ｓｅ₁₇Ｔｅ₅₃の示差熱分析プロットを示している。
１． １．０分間２０．００℃に保持する。
２． １０．００℃／分で２０．００℃から５００．００℃まで加熱する。
３． １０．０分間５００．００℃に保持する。
４． １０．００℃／分で５００．００℃から２０．００℃まで加熱する。
５． ６０．０分間２０．００℃に保持する。
このプロットは、図２のプロットよりも一段と単純であり、１７０℃のところにちょうど単一のガラス／ガラス転移温度Ｔｇを示しているが、４７０℃を越える温度まで失透点が無いことを示している。Ｔｇと調査した中で最も高い温度との間には大きな温度間隔がある。
【００１３】
本発明は、２つの光学コンポーネントの対向した表面を接合する方法であって、少なくとも一方の前記表面にガラス失透温度Ｔｃｌよりも実質的に低いガラス転移温度Ｔｇをもつ結合用ガラスの薄い層を設ける工程と、前記表面相互間に１又は複数の被膜だけを設けた状態で前記表面を互いに合わせて集成体を形成する工程と、集成体を圧力下において、ＴｇとＴｃｌとの間に位置し、ガラスを軟化させてコンポーネントを互いに結合するのに十分に高い温度Ｔｂまで加熱する工程とを有していることを特徴とする方法を提供する。
【００１４】
Ｔｂ及び結合用ガラス材料の選択を含む接合の実施条件は好ましくは、互いに結合されるコンポーネント又はこれらの表面を破壊し又は歪めることにより、或いはこれらコンポーネントに非可逆性相変化を生じさせることによりこれらコンポーネントのうちの何れかに望ましくない変化が無いように選択される。大抵の場合、コンポーネントが結合プロセスにより実質的に全く影響を受けないこと、或いは少なくとも結合プロセスの実施後、たとえ或る形態の変化がその間に生じたとしても、コンポーネントが開始コンポーネントに実質的に一致することが理想である。しかしながら、Ｔｂが望ましい変化、例えば一方のコンポーネントの材料中に非可逆的相変化を引き起こして改変されるが望ましい性質を持つコンポーネントを生じさせるよう選択される場合があることが計画される。
【００１５】
結合の実施条件は好ましくは、結合表面相互間からのガラスのはみ出しが実質的に無いようにすると共に（或いは）１又は複数の薄い層の厚さが実質的に一定のままであるよう選択される。
接合用ガラスが周囲温度よりも高い複数のガラス転移温度を示す場合、Ｔｂは好ましくは、第１のガラス転移温度と第２のガラス転移温度との間に位置するよう選択される。
【００１６】
好ましくは、結合用ガラスは、結合サイクルを可逆的に受け、サイクルの終わりにおけるその性質がサイクルの開始時における性質に実質的に等しいものであるよう選択される。図１のガラスは、この基準に合わず、したがって好ましい材料ではない。図２及び図３のガラスは、この基準に一致する好ましい材料である。
【００１７】
好ましくは、結合用ガラスは、失透温度に達する前では１つのガラス転移温度を有するに過ぎず、したがって図３のガラスは図２のガラスよりもより好ましい。
好ましくは、ガラス転移温度（第１のガラス転移温度）と別のガラス転移温度であれ失透温度であれ何れにせよ任意他の転移温度との間には少なくとも５０℃、より好ましくは少なくとも１００℃、更により好ましくは少なくとも１５０℃の間隔がある。この基準では、図３のガラスはこの場合も又、図２のガラスよりも好ましい。ただし、両方とも、これよりも広い基準には適合している。
【００１８】
結合用ガラスの屈折率は好ましくは、接合されるべき２つのコンポーネントの屈折率（即ち、接合されるべき表面を提供する材料の屈折率）にほぼ等しい。理想的には、接合用ガラスは、接合されるべき材料の２つの屈折率（これらは、互いに等しくても等しくなくてもよい）の積の平方根に実質的に等しい値Ｒｇを有する。これは、接合ガラス層とのインタフェースのところでの望ましくない反射を減少させる。かくして、接合用ガラスの屈折率は好ましくは、Ｒｇの２０％以内（即ちＲｇ±２０％）、より好ましくは１５％以内、より好ましくは１０％以内、最も好ましくは５％以内である。
【００１９】
このガラスは、無機ガラス、例えばカルコゲナイドガラス又は非晶質硫化砒素である。Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ系を基材とする赤外線透過性カルコゲナイドガラスは、屈折率がｎ＝３．００〜３．４５の範囲を備えるよう作製されている。これらガラスは又、ＲＦスパッタリング法を用いて首尾良くシリコン（ｎ＝３．４３）及びＧａＡｓ（ｎ＝３．２８）基材上にコーティングされ、層厚さは０．１ミクロン〜３ミクロン以上である。
接合用ガラスは、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ及びＴｅを含むのがよく、好ましいガラスの一範囲は、一般式Ｇｅ_(x-a)Ａｓ_aＳｅ_(100-x-b)Ｔｅ_bを有し、この一般式において２５＜ｘ≦５５（好ましくは２５＜ｘ≦４０）、１０≦ａ≦２５、４０＜ｂ≦７０及び（１００−ｘ−ｂ）＞０（これについては、本出願人の同時係属英国特許出願第ＧＢ０１２３７４３．７号明細書を参照されたい）。図１及〜図３のガラスは、この公式に合致しており、かかるガラスの屈折率は一般に、２．１ミクロンにおいて３．０〜３．５、９．３ミクロンではこれよりも僅かに小さな値である。
【００２０】
上記公式において、ｂは好ましくは少なくとも４１である。上記公式に合致するガラスの中には、本発明の目的上良好な又は非常に良好な熱特性を示すものがある。さらに、調査した組成物の中には、ガリウム砒素の屈折率、特に３０≦ｘ≦４０、１０≦ａ≦２５、５０＜ｂ≦７０及び（１００−ｘ−ｂ）＞０の範囲の屈折率を有するものがあり、これら範囲内での組成物の中にはシリコンの屈折率にほぼ等しいものもある。例えば、組成物Ｇｅ₁₅Ａｓ₂₅Ｓｅ₁₄Ｔｅ₄₆、Ｇｅ₂₀Ａｓ₂₀Ｓｅ₁₄Ｔｅ₄₆、Ｇｅ₁₅Ａｓ₁₅Ｓｅ₅Ｔｅ₆₅及び図２の組成物はそれぞれ良好な熱特性から非常に良好な熱特性を有し、それぞれ、２．１ミクロンのところにおいて３．２６７、３．２００、３．２４６、３．４４７の屈折率を有する。
【００２１】
半導体デバイス用のセラミックパッケージを密封するためにガラス状材料、特にカルコゲナイドガラスを用いることが米国特許第４，９５４，８７４号明細書（発明者：ミウラ）に開示されているが、光学的特徴については何ら言及されていない。より適切には、かかる材料を用いて簡単な光学的構造中に低光損失結合部を形成することが別の文献で示されており、これについては例えば、米国特許第４，０７２，７８２号明細書（発明の名称：ホプキンス、クラマー及びホフマン）及びホプキンス（Hopkins ）他著，「ジェイ・アプライド・フィジックス（J Appl Phys.）」，第４９巻，３１３３〜３１３９ページ（１９７８年発行）を参照されたい。
【００２２】
米国特許第４，０７２，７８２号は、腐食又は水に敏感な赤外線窓材料、例えばセレン化亜鉛を例えば硫化亜鉛のより頑丈な外側窓で保護した場合の問題を取り扱っている。この目的のため、かかる米国特許明細書は、Ａｓ−Ｓ−Ｓｅガラスにより提供される２つの窓相互間に結合部を用いることを示唆しており、結合部は、主としてガラス材料でできた薄い別々に介在して設けられたウェーハから作られる。具体的に記載されているように、結合は、２つの透明な窓材料片相互間でガラスの２０ミル（５００ミクロン）厚さのウェーハを真空熱圧することによって実施され、かかる窓材料片は各々、真空蒸発法により１０ミクロンのＡｓ−Ｓ−Ｓｅガラス層で被覆されている。プロセスは、約２時間かかり、その結果、ガラスの大部分が絞り出されて後に２〜５ミクロンの「比較的一様な」中間層が残る。
【００２３】
中間ガラスの薄い皮膜を正確な所要厚さで被着させることができるが、厚さにおけるこの正確さは、次に中間材料の大部分が接合されるべき窓相互間から押し出されるような方法では破壊され又は大幅に減少すると考えられる。さらに、米国特許第４，０７２，７８２号で特定された窓材料は、形態が多結晶である。かかる米国特許明細書において計画された窓の用途のためには、これら検討事項はどれも重要なものではない。それにもかかわらず、多くの他の光学的構造は、一般に単結晶基材を含むと共に（或いは）中間ガラス層の厚さ及び一様性において正確な制御を必要とし、本発明は、接合されるべき基材が実質的に単結晶である構造の生成を容易にすることができる。
【００２４】
対比して言えば、本発明の実施形態は、接合されるべき２つの光学コンポーネントのうち少なくとも一方の表面上に被着されたガラス転移点Ｔｇが比較的低いガラス、好ましくは無機ガラスの薄い層を用い、同種のガラスの介在が無く、或いは全く必要とせず、しかもコンポーネントを接合したとき、ガラスの実質的なはみ出しが無い。これにより、コンポーネントを非常に正確且つ制御可能な間隔で接合することができる。
【００２５】
接合されるべき表面のうち一方又は両方に被着された被膜の厚さは、少なくとも一部が表面の特性及びこれらの作製方法により定められることになる。高度の光学的精度を持つ幾つかの表面（表面品質及び表面形態−最も一般的には接合されるべき表面が光学的にフラットであるが、他の形状の表面も本発明の範囲に属する）を作製することは極めて困難であり、又はかかる条件は光学的清浄さを保証できないようなものである。かかる条件下においては、しかしながら生じた表面欠陥が結合用ガラスによって効果的に包囲され、基材表面の密に隣り合った領域の光散乱又は分離に過度に貢献しないようにするためには幾分厚い層が必要な場合がある。
【００２６】
好ましくは、一方又は両方の表面上の被膜の厚さは、１００ミクロン未満である。一般に、この厚さは、０．１〜２０ミクロン、より好ましくは１〜１０ミクロン、最も好ましくは５ミクロン以下である。結合されたデバイス中のガラスの最大厚さは、好ましくは２０ミクロン、より好ましくは１０ミクロン、更により好ましくは６ミクロン、最も好ましくは４ミクロン以下である。しかしながら、これよりも大きな厚さの層は、すぐ前に述べた理由で提供可能である。
【００２７】
接合用ガラスの１又は複数の層を任意の標準方法、例えばＲＦスパッタリング、フラッシュ蒸発、溶剤蒸発又はスピンコーティングにより被着できる。
好ましくは、結合工程は、制御された雰囲気下で実施される。これは、増大した又は減少した圧力、或いは真空に近い圧力を伴う場合があり、雰囲気は、不活性であっても活性であってもよい。
【００２８】
第１の特徴の方法は、２つのコンポーネント相互間に強固で光損失の低い結合部を形成することができる。材料及び条件の適切な選択により、結合中、ガラスが何れかの表面上の粒子汚染を包み込んで散乱損失の影響を最小限に抑えるよう結合部を構成でき、しかもかかる結合部は又、表面窪み中に流れ込むのに十分軟らかくなることができ、かくしてこの技術は本来的に研磨するのが困難な結晶材料、例えばＺｎＧｅＰ₂への結合に特に有用になる。
「光学コンポーネント」という用語は、ガラス転移温度が低いガラスが被着されるべき表面を提供する単純な一体形基材だけでなく、かかる表面を提供するより複雑なコンポーネントをも意味するようになっている。
【００２９】
接合されるコンポーネントの表面は、平らであってもよく、平らでなくてもよく、例えば一寸法（１次元）又は両寸法（２次元）方向において湾曲していてもよいが、明らかに、かかるコンポーネント表面は形状が実質的に相補している必要がある。コンポーネントは、積層状態であるのがよく、例えば光学材料の平らな又は湾曲した側部の平行なシートであるのがよい。変形例として、コンポーネントは、非積層状態のもの、即ち平行な主要表面を備えていないもの、例えば一方に平らな表面を備え又は平らな表面を備えていないレンズであってもよい。
【００３０】
コンポーネントは、受動式光学コンポーネント、例えば光学的放射損傷に耐性のある層、又はレンズ、プリズム、ミラー又は振幅回折格子、或いはブルースター窓又は反射防止膜を備えた窓であってよく、或いは、能動式光学コンポーネント、例えば、電気光学コンポーネント、例えば光源（例えば、ＬＥＤ又はレーザダイオード）、検出器（例えば、フォトダイオード）、非線形又はレイジング材料から成るコンポーネント、例えばパラメトリックデバイスであってもよい。
【００３１】
コンポーネントの材料はとりわけ例えば、ＺｎＧｅＰ₂、シリコン、ガリウム砒素、ゲルマニウム又はニオブ酸リチウムであるのがよい。或る実施形態では、コンポーネントは、スペクトルの赤外線部分で使用されるようになっており又はそのように用いられるのが適している。ただし、本発明は、スペクトルの可視及び（又は）近ＵＶ部分にも使用されるコンポーネントにも及ぶ。結合用ガラスは、意図した用途のスペクトルの部分において透過性であるよう選択される。
【００３２】
２つの受動式コンポーネント又は２つの能動式コンポーネント、例えば、光カプラ又はアイソレータ中のエミッタ及び検出器、又は受動式コンポーネントと能動式コンポーネントを互いに結合することができる。
とりわけ、本発明の実施形態では、レンズが半導体ＬＥＤ又はフォトダイオードに接合され、保護窓が非線形光学層に接合される。
このように接合された多数の隣り合う対を持つコンポーネントのスタックは、適当に被覆が施されたコンポーネントをスタック集成体内に配置し、集成体全体に熱及び圧力を加えることにより同時に形成できる。変形例として、スタックは、接合部を一度に１つ形成することにより又は任意の中間プロセスにより順次形成できる。
【００３３】
本発明の別の特徴は、読者が参照する特許請求の範囲及び本発明の実施形態の以下の詳細な説明を読むと明らかになろう。
１．レンズ付き半導体電気光学コンポーネント
ゲルマニウムレンズを赤外線半導体ガスセンサ装置、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）又は検出器に結合してデバイス性能を向上させるコンパクトで安価な方法を提供することが知られている。検出器の場合、見かけのサイズが増大し、高屈折率材料で作られたＬＥＤの場合、これは外部効率を向上させる際及びエミッションプロフィールを付形する際に非常に顕著な利点がある。
【００３４】
現在行われている結合は、レンズをグルーで半導体デバイスに接着することによって達成されるが、この技術は、グルー厚さ又は空隙が０．２ミクロン未満であることが必要であり、かくして表面平坦度（λ／１０よりも良好な表面平坦度）、表面プロフィール及び清浄さの厳密な制御が必要なので信頼性が低く且つ非常に困難であることが判明した。インタフェースロスを最小限に抑え、大量生産に適した半導体デバイスへのレンズの結合技術が必要であり、本発明は、顕著な技術的進歩をもたらすものと考えられる。以下の本発明の実施形態では、光学コンポーネントを半導体電気光デバイスに結合する低融点（＜２００℃）赤外線透過性ガラスの使用法が説明される。
【００３５】
ゲルマニウム凸レンズ及びＧａＡｓＬＥＤの対向していると見込まれる平らな表面を「表面被膜」の項目で説明されているようなＲＦスパッタリングにより厚さ約５ミクロンのＧｅ₁₅Ａｓ₁₅Ｓｅ₁₇Ｔｅ₅₃のガラスの層で被覆する。次に、これらを所望の整列状態で合わせ、集成体に制御された圧力及び温度サイクルを施して強固な低光損失結合部を形成する。サイクル中の最高温度は、２００℃未満であり、サイクルは、ガスが粒子汚染物を包み込んで散乱損失の影響を最小限に抑えるよう設計されている。
レンズに代えて光学格子又は他の干渉デバイス、例えばフレネルレンズを用いてもよい。
【００３６】
２．保護光学コンポーネント
光学結晶の光損傷しきい特性を向上させる技術が説明されている。これについては、例えば、１９９７年１０月に発行された米国特許第５，６８０，４１２号明細書（発明者：デマリア等；発明の名称：Apparatus for improving the optical intensity induced damage limit of optical quality crystals）を参照されたい。これら方法では光学的に透明な材料の厚い片（数ｍｍ）を非被覆状態の光学結晶の端面に取り付ける。通常、バルク光学結晶よりも光損傷及び熱特性が向上していて、場合によっては、次に行われる誘電体被膜が得られるよう向上した表面仕上げを提供する材料が選択される。
【００３７】
材料に関する主要な要件は、材料／結晶インタフェースのところでの反射損失を最小限に抑えるためにバルク光学結晶の屈折率と類似した屈折率を持つことにある。かかる選択の一例は、中赤外領域中における向上した非線形光学結晶を生じさせるためにＧａＡｓ（ｎ＝３．３）をＺｎＧｅＰ₂結晶（ｎ＝３．１）に取り付けることである。今日まで実際に行われた取付け技術は、直接的な光学的接触を利用している。これには、バルク結晶の注意深い表面前処理（それ自体困難な場合がある）と端面材料の注意深い表面前処理の両方が必要である。必要ならば、次に、取り付けられた材料をいったん定位置で接触させると、これに標準の誘電体被膜法を用いて反射防止膜を施すのがよい。
取付け材料は、平らな層、例えばディスク又はブルースターカットプリズムの形態を取るのがよく、これによりＡＲ膜は一段と不要になる。
【００３８】
ＧａＡｓ（ｎ＝３．３）の保護単層の主要フェース及びＺｎＧｅＰ₂結晶（ｎ＝３．１）の主要フェースの各々をＧｅ−Ａｓ−Ｓｅ−Ｔｅ系の低軟化点ガラスの薄い層で被覆し、炭素及び結晶を被覆表面と接触状態で集成し、炭素又は結晶の何れの機械的又は光学的性質に影響を及ぼすことなく熱及び圧力を加えて集成体を互いに結合する。結合された集成体は、中赤外領域中での改良された非線形光学結晶として有用である。
【００３９】
大開口位相（Large Aperture Phase）リターデーションプレート
位相リターデーションプレート又は波長板は、レーザ又は他の光ビームの偏光状態を変えるために一般に用いられている。これらは、或る特定の結晶光学材料又はポリマーフィルムの複屈折という性質を利用しており、四分の一又は二分の一波長のリターデーションをもたらす０次（１次）又は多次プレートとして供給される場合が多い。多次プレートは、四分の一又は二分の一波長厚さの何れかの奇数整数倍をもたらす厚さを持つ単一の複屈折プレートから作られている。
【００４０】
０次波長板は、光軸が相互に直交して配置された２つの複屈折プレートから作られ、これらプレートは、正確に四分の一又は二分の一波長厚さが互いに異なっている。これら厚い２枚のプレートが用いられる理由は、大抵の複屈折結晶の二分の一波長厚さの四分の一は薄すぎて単一プレートから０次波長板を安定的に製作することができないからである。多次プレートと比較して、０次プレートは、向上した受光角、バンド幅及び動作温度範囲をもたらすが、製造はより複雑である。というのは、２枚のプレートを取り付ける必要があるからである。さらに、２つの追加の光学表面が存在することにより、反射損失が増大する。
【００４１】
現在、０次波長板を製作するには、２枚のプレートを光学的に接触させ又はこれらプレートをこれらプレート相互間に空隙を設けた状態で締付けリング内に設け、或いはこれらプレートを光学的に透明なセメントで互いに接着している。各技術はこれと関連した欠点がある。結晶石英及びマイカは、可視及び近赤外線領域について複屈折材料として一般に用いられているが、中から遠赤外線領域に用いられるのに適した複屈折材料の選択は非常に制限される。
【００４２】
サファイアは、中赤外線領域（２〜５．５ミクロン）で一般に用いられている。遠赤外線領域（６〜１２ミクロン）についてはＣｄＳを用いることができるが、これは、空隙法で用いられる必要がある。というのは、利用できる適当な光学セメントが無く、光学的接触が困難だからである。ＣｄＳの比較的高い接触率（５ミクロンでｎ＝２．２）は、４つのインタフェースから高いフレネル反射損失を生じさせ、その結果非被覆状態の０次波長板について全体で５５％の透過率となる。さらに、後者が原因となって、望ましくないエタロン効果が生じる場合がある。
【００４３】
本発明の方法の利用により、単一の複屈折プレート又は２枚の複屈折プレートの何れかを用いる０次波長板を提供することが可能になる。
図４は、２枚の複屈折プレート１，２の各々の表面をそれぞれガラス層３，４で被覆し（図４ａ）、次に圧力及び熱を加えることによりプレートを互いに結合する（図４ｂ）ことによって０次波長板を形成する方法を概略的に示している。結果的に得られたガラス層５の厚さは、重要ではないが、プレート表面上の粒子汚染物を包み込むのに十分であるべきである。その屈折率は、上述の基準に従ってプレート１，２の屈折率を整合させるよう選択されたものであることが必要である。ガラスの熱的性質並びに結合温度及び圧力は、プレート１，２の性質を考慮に入れて選択されることが必要となろう。ガラス被膜を被着させるのに用いられる方法は、上述の方法のうち任意のものであってよく、接合されるべきコンポーネントの一方にのみ施された被膜を用いることが可能であるが、これは好ましくはない。
【００４４】
図４の構成例では、依然として４つの光学的インタフェースがあり、２枚のプレートを提供することが必要であり、これらプレートは結合製品内で正確に差し向けられるようにすることが必要である。
図５は、本発明の利用により達成できる０次波長板の変形形態を示している。この場合、図４のプレート１に代えて非複屈折基材６を用い（図５ａ）、基材６とプレート２の結合（図５ｂ）後、プレート２を所望の四分の一又は二分の一波長の光学的厚さの層７まで研磨する（図５ｃ）。好ましくは、基材６の屈折率は、プレート２の屈折率に厳密に整合するよう選択され、ガラスの屈折率は上述したように基材６及びプレート２の屈折率の積の平方根にほぼ等しいことが必要である。
【００４５】
この設計は、必要とされるコストのかかる材料処理量を減少させるだけでなく、２枚のプレートの相互の向きについての要件を緩和する。
図４及び図５に示す集成体では、複屈折プレートは、屈折率が２．２のＣｄＳのものであるのがよく、この場合、結合に適したガラスは、三硫化砒素である。後者は、市販されていて容易に手に入り、これは約２１０℃という低い軟化温度を有し（したがって、結合は２５０℃以下で起こり得る）、良好な光学的透明度及び２．４という屈折率を有している。図５では、この場合非複屈折基材６は、セレン化亜鉛（屈折率が２．４）のものである。
【００４６】
このように０次波長板を作製することにより、これら波長板は、機械的に頑丈に作製可能であると共に大きな開口を有する。空隙が無く、締付けリングが不要である。図５の構成では、基材の厚さは任意所望のものであってよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】ガラス相転移を示す例示の示差熱分析プロットを示すグラフ図である。
【図２】ガラス相転移を示す例示の示差熱分析プロットを示すグラフ図である。
【図３】ガラス相転移を示す例示の示差熱分析プロットを示すグラフ図である。
【図４】本発明の方法を用いて製造された０次波長板の構成例を示す図である。
【図５】本発明の方法を用いて製造された０次波長板の構成例を示す図である。

Claims (47)

1. ２つの光学コンポーネントの対向した表面を接合する方法であって、少なくとも一方の前記表面にガラス失透温度Ｔｃｌよりも実質的に低いガラス転移温度Ｔｇをもつ結合用ガラスの薄い層を設ける工程と、前記表面相互間に１又は複数の被膜だけを設けた状態で前記表面を互いに合わせて集成体を形成する工程と、集成体を圧力下において、ＴｇとＴｃｌとの間に位置し、ガラスを軟化させてコンポーネントを互いに結合するのに十分に高い温度Ｔｂまで加熱する工程とを有していることを特徴とする方法。
2. 一方又は両方の表面上の結合用ガラス層の厚さは、１００ミクロン以下であることを特徴とする請求項１記載の方法。
3. 接合は、結合された表面相互間からのガラスの実質的なはみ出しが無いような条件下で行われることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
4. 接合は、１又は複数の薄い層の厚さが実質的に不変のままであるような条件下で行われることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
5. 結合用ガラスは、周囲温度よりも高い複数のガラス転移温度を示し、Ｔｂは、第１のガラス転移温度と第２のガラス転移温度との間に位置するよう選択されることを特徴とする請求項１、２又は３記載の方法。
6. 結合用ガラスは、失透温度に達する前はガラス転移温度を１つだけ持つことを特徴とする請求項１〜４のうち何れか一に記載の方法。
7. 結合用ガラスは、無機ガラスであることを特徴とする請求項１〜６のうち何れか一に記載の方法。
8. 結合用ガラスは、カルコゲナイドガラスであることを特徴とする請求項６記載の方法。
9. 結合用ガラスは、Ｇｅ、Ａｓ、Ｔｅ及びＳｅを含むことを特徴とする請求項７記載の方法。
10. 結合用ガラスの一般式は、Ｇｅ_(x-a)Ａｓ_aＳｅ_(100-x-b)Ｔｅ_b、２５＜ｘ≦４０；１０≦ａ≦２５；４０＜ｂ≦７０及び（１００−ｘ−ｂ）＞０であることを特徴とする請求項９記載の方法。
11. 結合用ガラスは、非晶質硫化砒素であることを特徴とする請求項７記載の方法。
12. 少なくとも１つの基材が、ＺｎＧｅＰ₂、ＧａＡｓ、Ｓｉ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ及びニオブ酸リチウムから選択された材料から成ることを特徴とする請求項８〜１１のうち何れか一に記載の方法。
13. 結合用ガラスは、結合サイクルを可逆的に受けるよう選択されていることを特徴とする請求項１〜１２のうち何れか一に記載の方法。
14. 結合用ガラスは、第１のガラス転移温度と、別のガラス転移温度であるにせよ失透温度であるにせよ何れにせよ、次の第１のガラス転移温度よりも高い転移温度との間に少なくとも５０℃の間隔があるように選択されていることを特徴とする請求項１〜１３のうち何れか一に記載の方法。
15. 結合用ガラスは、０．８Ｒｇ〜１．２Ｒｇの範囲内にある屈折率を持つよう選択されており、Ｒｇは、接合されるべき２つのコンポーネントの屈折率の積の平方根であることを特徴とする請求項１〜１４のうち何れか一に記載の方法。
16. 基材は、実質的に単結晶であることを特徴とする請求項１〜１５のうち何れか一に記載の方法。
17. 一方又は両方の表面上の結合用ガラス層の厚さは、０．１〜２０ミクロンであることを特徴とする請求項１〜１６のうち何れか一に記載の方法。
18. 結合デバイス中のガラスの厚さは、２０ミクロン以下であることを特徴とする請求項１〜１７のうち何れか一に記載の方法。
19. 結合用ガラスの層又は各層は、ＲＦスパッタリング、フラッシュ蒸発、溶剤蒸発及びスピンコーティングから選択された方法により被着されることを特徴とする請求項１〜１８のうち何れか一に記載の方法。
20. 結合工程は、制御された雰囲気下で実施されることを特徴とする請求項１〜１９のうち何れか一に記載の方法。
21. 前記表面は、平らであることを特徴とする請求項１〜２０のうち何れか一に記載の方法。
22. 前記表面は、平らではなく、形状が相補していることを特徴とする請求項１〜２０のうち何れか一に記載の方法。
23. 少なくとも一方の前記コンポーネントは、光学的放射損傷に強い層、レンズ、プリズム、ミラー、振幅回折格子、ブルースター窓及び反射防止膜付きの窓から選択されることを特徴とする請求項１〜２２のうち何れか一に記載の方法。
24. 少なくとも一方の前記コンポーネントは、電気光学コンポーネント、非線形材料から成るコンポーネント及びレイジング材料から成るコンポーネントから選択されることを特徴とする請求項１〜２３のうち何れか一に記載の方法。
25. 少なくとも一方の前記コンポーネントは、半導体材料から成ることを特徴とする請求項１〜２４のうち何れか一に記載の方法。
26. 前記半導体材料は、ＺｎＧｅＰ₂、シリコン、ガリウム砒素及びゲルマニウムから選択されることを特徴とする請求項２５記載の方法。
27. 少なくとも一方の前記コンポーネントは、ニオブ酸リチウムから成ることを特徴とする請求項１〜２６のうち何れか一に記載の方法。
28. 一方の前記コンポーネントは、レンズであり、他方の前記コンポーネントは、半導体ＬＥＤ又はフォトダイオードであることを特徴とする請求項１〜２７のうち何れか一に記載の方法。
29. 一方の前記コンポーネントは、光学的損傷を生じやすく、他方の前記コンポーネントは、かかる損傷を比較的受けないことを特徴とする請求項１〜２８のうち何れか一に記載の方法。
30. 適当に被覆が施された前記コンポーネントのスタックを形成し、これに熱及び圧力を加えて全てのコンポーネントを同時に互いに接合することを特徴とする請求項１〜２９のうち何れか一に記載の方法。
31. 少なくとも一方の前記コンポーネントは、複屈折材料のプレートから成ることを特徴とする請求項１〜２２のうち何れか一に記載の方法。
32. 他方の前記コンポーネントは、複屈折材料のプレートから成ることを特徴とする請求項３１記載の方法。
33. 他方の前記コンポーネントは、非複屈折材料の基材から成ることを特徴とする請求項３１記載の方法。
34. 前記コンポーネントを互いに結合した後、複屈折材料の前記プレートの厚さを減少させる工程を更に有していることを特徴とする請求項３３記載の方法。
35. 請求項１〜２９のうち何れか一に記載の方法を繰り返すことにより前記２つのコンポーネントのうちの一方の表面に別のコンポーネントを接合する工程を更に有していることを特徴とする請求項１〜３４のうち何れか一に記載の方法。
36. 結合用ガラスの前記層は、前記コンポーネントの両方に設けられることを特徴とする請求項１〜３５のうち何れか一に記載の方法。
37. 前記光学コンポーネントの外側フェースは、誘電体被膜又は反射防止膜を備えていることを特徴とする請求項１〜３６のうち何れか一に記載の方法。
38. 光学ガラスの層により互いに接合された２つの複屈折プレートコンポーネントから成る０次波長板の形態をした光デバイス。
39. 光学ガラスの層により非複屈折基材コンポーネントに結合された単一の複屈折プレートコンポーネントから成る０次波長板の形態をした光デバイス。
40. 光学ガラスの層によりレンズ、格子又は干渉コンポーネントに結合された半導体電気光学コンポーネントから成る光デバイス。
41. 光学ガラスの層により、保護光学コンポーネントに結合された光学コンポーネントから成る光デバイス。
42. 光学ガラスは、無機材料のものであることを特徴とする請求項３８〜４１のうち何れか一に記載の光デバイス。
43. 無機材料は、カルコゲナイドガラス又は三硫化砒素であることを特徴とする請求項４２記載の光デバイス。
44. 前記コンポーネント及び光学ガラスは、赤外領域の少なくとも一部において透過性であることを特徴とする請求項３８〜４３のうち何れか一に記載の光デバイス。
45. ２つのコンポーネント及び光学ガラスは、中又は遠赤外領域の少なくとも一部において透過性であることを特徴とする請求項４４記載の光デバイス。
46. 光学ガラスは、２つのコンポーネントに厳密に屈折率整合されていることを特徴とする請求項３８〜４５のうち何れか一に記載の光デバイス。
47. 請求項１及び実質的に請求項１〜４６のうち何れか一に記載の２つの光学コンポーネントの隣り合う表面を接合する方法。

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