JP2001033732A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JP2001033732A JP2001033732A JP20152999A JP20152999A JP2001033732A JP 2001033732 A JP2001033732 A JP 2001033732A JP 20152999 A JP20152999 A JP 20152999A JP 20152999 A JP20152999 A JP 20152999A JP 2001033732 A JP2001033732 A JP 2001033732A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 偏光素子とファラデー回転子を使用した
光アイソレータにおいて、該偏光素子としてα−ＢａＢ
2Ｏ4単結晶を使用したことを特徴とする光アイソレー
タ。 【効果】 本発明の光アイソレータは、偏光素子にα−
ＢＢＯを使用しており、このα−ＢＢＯは、育成が容易
な単結晶であり、現在主流の偏光ガラスやルチル単結晶
を使用するよりも安価に偏光素子を作成することが可能
である。また、α−ＢＢＯは、ＵＶ領域の透過性にも優
れており、素子同士の接着にＵＶ硬化型の接着剤が使用
可能である。このため、接合時の作業性及び接合精度が
向上し、高性能なアイソレータを再現性良く製造するこ
とが可能となる。
光アイソレータにおいて、該偏光素子としてα−ＢａＢ
2Ｏ4単結晶を使用したことを特徴とする光アイソレー
タ。 【効果】 本発明の光アイソレータは、偏光素子にα−
ＢＢＯを使用しており、このα−ＢＢＯは、育成が容易
な単結晶であり、現在主流の偏光ガラスやルチル単結晶
を使用するよりも安価に偏光素子を作成することが可能
である。また、α−ＢＢＯは、ＵＶ領域の透過性にも優
れており、素子同士の接着にＵＶ硬化型の接着剤が使用
可能である。このため、接合時の作業性及び接合精度が
向上し、高性能なアイソレータを再現性良く製造するこ
とが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、安価に、かつ再現
性良く製造することが可能で、しかも高性能な光アイソ
レータに関する。
性良く製造することが可能で、しかも高性能な光アイソ
レータに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
情報通信量の増加に伴い、基幹通信網のみならず通常の
通信回線やＣＡＴＶ等の有線放送等の光ケーブル化が進
んでいる。これら支線回線における情報量は基幹回線よ
りも少なく、光ケーブル化に伴う投資の回収が容易では
ない。従って、光ケーブル化に伴う費用を低減するべく
努力がなされている。
情報通信量の増加に伴い、基幹通信網のみならず通常の
通信回線やＣＡＴＶ等の有線放送等の光ケーブル化が進
んでいる。これら支線回線における情報量は基幹回線よ
りも少なく、光ケーブル化に伴う投資の回収が容易では
ない。従って、光ケーブル化に伴う費用を低減するべく
努力がなされている。
【０００３】光アイソレータは、レーザー発信器から送
り出された光が再びレーザー発信器に戻るのを防ぐため
に用いられるが、これについても低コスト化が要求され
ている。
り出された光が再びレーザー発信器に戻るのを防ぐため
に用いられるが、これについても低コスト化が要求され
ている。
【０００４】光アイソレータは、偏光素子とファラデー
回転子で構成される。例えば、最も簡単な構成の光アイ
ソレータでは、偏光素子／ファラデー回転子／偏光素子
の順に配置された構成となる。従来、偏光素子として
は、銀粒子を分散させた偏光ガラスやルチル単結晶が広
く使用されている。しかし、偏光ガラスは、非常に高価
な材料であるし、ルチルも大型の単結晶を得ることが困
難であり、決して安価な偏光素子材料とは言えない。ル
チルと同様の単結晶材料として、ＹＶＯ4についても研
究がなされていたが、結晶育成が困難なことから実用化
に至っていないのが現状である。このため、光アイソレ
ータの製造費用の大半を偏光素子が占める状態にあり、
光アイソレータの低価格化への大きな阻害要因となって
いる。
回転子で構成される。例えば、最も簡単な構成の光アイ
ソレータでは、偏光素子／ファラデー回転子／偏光素子
の順に配置された構成となる。従来、偏光素子として
は、銀粒子を分散させた偏光ガラスやルチル単結晶が広
く使用されている。しかし、偏光ガラスは、非常に高価
な材料であるし、ルチルも大型の単結晶を得ることが困
難であり、決して安価な偏光素子材料とは言えない。ル
チルと同様の単結晶材料として、ＹＶＯ4についても研
究がなされていたが、結晶育成が困難なことから実用化
に至っていないのが現状である。このため、光アイソレ
ータの製造費用の大半を偏光素子が占める状態にあり、
光アイソレータの低価格化への大きな阻害要因となって
いる。
【０００５】上記のような問題を解決する手段として、
偏光素子にβ−ＢａＢ2Ｏ4単結晶を用いることが提案さ
れた（特開平１０−２０２４７号公報）。しかし、β−
ＢａＢ2Ｏ4は、ルチル単結晶やＹＶＯ4よりも量産性に
優れるものの、結晶育成中にクラックが生じ易いことか
ら充分な大型化が困難であることと、光学的非線形性を
有することから大光量のレーザーモジュールに組み込む
と設計通りのアイソレーション特性が得られないと言っ
た問題があり、大光量レーザーモジュールでの使用には
適さない。このため、低光量でのレーザーモジュール向
けの用途に限定されていた。
偏光素子にβ−ＢａＢ2Ｏ4単結晶を用いることが提案さ
れた（特開平１０−２０２４７号公報）。しかし、β−
ＢａＢ2Ｏ4は、ルチル単結晶やＹＶＯ4よりも量産性に
優れるものの、結晶育成中にクラックが生じ易いことか
ら充分な大型化が困難であることと、光学的非線形性を
有することから大光量のレーザーモジュールに組み込む
と設計通りのアイソレーション特性が得られないと言っ
た問題があり、大光量レーザーモジュールでの使用には
適さない。このため、低光量でのレーザーモジュール向
けの用途に限定されていた。
【０００６】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、安価にかつ再現性良く製造でき、大光量の
レーザーモジュールに組み込むこともできて、高性能な
光アイソレータを提供することを目的とする。
れたもので、安価にかつ再現性良く製造でき、大光量の
レーザーモジュールに組み込むこともできて、高性能な
光アイソレータを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、偏光素子にα−ＢａＢ2Ｏ4単結晶を使用した場合、
偏光ガラスやルチル単結晶よりも安価に光アイソレータ
を構成することができる上、α−ＢａＢ2Ｏ4単結晶は、
非線形性を示さず、かつ、紫外線（ＵＶ）領域での光透
過性にも優れ、このため大光量のレーザーモジュールや
光アンプに搭載可能な光アイソレータを製造することが
でき、また、光学素子の接合に紫外線（ＵＶ）硬化型接
着剤を使用することができて、作業性の向上及び接合精
度の向上が達成されることを見出し、本発明をなすに至
ったものである。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、偏光素子にα−ＢａＢ2Ｏ4単結晶を使用した場合、
偏光ガラスやルチル単結晶よりも安価に光アイソレータ
を構成することができる上、α−ＢａＢ2Ｏ4単結晶は、
非線形性を示さず、かつ、紫外線（ＵＶ）領域での光透
過性にも優れ、このため大光量のレーザーモジュールや
光アンプに搭載可能な光アイソレータを製造することが
でき、また、光学素子の接合に紫外線（ＵＶ）硬化型接
着剤を使用することができて、作業性の向上及び接合精
度の向上が達成されることを見出し、本発明をなすに至
ったものである。
【０００８】従って、本発明は、偏光素子とファラデー
回転子を使用した光アイソレータにおいて、該偏光素子
としてα−ＢａＢ2Ｏ4単結晶を使用したことを特徴とす
る光アイソレータ、及び、偏光素子とファラデー回転子
を光学面同士で接合する際に使用する接着剤が紫外線硬
化型接着剤であることを特徴とする上記光アイソレータ
を提供する。
回転子を使用した光アイソレータにおいて、該偏光素子
としてα−ＢａＢ2Ｏ4単結晶を使用したことを特徴とす
る光アイソレータ、及び、偏光素子とファラデー回転子
を光学面同士で接合する際に使用する接着剤が紫外線硬
化型接着剤であることを特徴とする上記光アイソレータ
を提供する。
【０００９】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の光アイソレータは、偏光素子とファラデー回転
子とを備えたものであり、この場合、本発明では、偏光
素子としてα−ＢａＢ2Ｏ4単結晶（α−ＢＢＯ）を使用
することに特徴がある。ＢＢＯは、高温相のα−ＢＢＯ
と低温相のβ−ＢＢＯがあり、β−ＢＢＯについては、
電気光学効果や非線形光学効果などの特異な特徴を有す
るため、光変調器やＵＶレーザー発信器などの材料とし
て広く研究されている。この結晶は、前述のように非線
形光学効果を有することから強い光を照射すると２次高
調波が発生するため、大光量用アイソレータとしては不
都合である。
本発明の光アイソレータは、偏光素子とファラデー回転
子とを備えたものであり、この場合、本発明では、偏光
素子としてα−ＢａＢ2Ｏ4単結晶（α−ＢＢＯ）を使用
することに特徴がある。ＢＢＯは、高温相のα−ＢＢＯ
と低温相のβ−ＢＢＯがあり、β−ＢＢＯについては、
電気光学効果や非線形光学効果などの特異な特徴を有す
るため、光変調器やＵＶレーザー発信器などの材料とし
て広く研究されている。この結晶は、前述のように非線
形光学効果を有することから強い光を照射すると２次高
調波が発生するため、大光量用アイソレータとしては不
都合である。
【００１０】一方、高温相であるα−ＢＢＯは、電気光
学効果や非線形光学効果を示さない。また、波長λ＝１
８９〜３５００ｎｍの範囲で良好な透過率を示す。特
に、ＵＶ域の透過性は、ルチルやＹＶＯ4よりも優れた
ものである（ルチルの透過域は、λ＞４２０ｎｍ、ＹＶ
Ｏ4の透過域は、λ＞４００ｎｍ）。
学効果や非線形光学効果を示さない。また、波長λ＝１
８９〜３５００ｎｍの範囲で良好な透過率を示す。特
に、ＵＶ域の透過性は、ルチルやＹＶＯ4よりも優れた
ものである（ルチルの透過域は、λ＞４２０ｎｍ、ＹＶ
Ｏ4の透過域は、λ＞４００ｎｍ）。
【００１１】単結晶製造の面では、α−ＢＢＯは、比較
的容易に良質な大型単結晶を得ることができる。その製
造方法は、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法が適用で
き、ＦＺ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ ｚｏｎｅ）法やＴＳＳＧ
（Ｔｏｐ ｓｅｅｄｅｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｇｒｏｗ
ｔｈ）法よりも量産性に優れる。一方、β−ＢＢＯは、
ＣＺ法でも結晶育成が可能ではあるが、より光学的に優
れた結晶を得るためには、ＴＳＳＧ法の方が適してい
る。この方法は、ＣＺ法よりも育成速度に劣り、量産に
は不利である。
的容易に良質な大型単結晶を得ることができる。その製
造方法は、ＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法が適用で
き、ＦＺ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ ｚｏｎｅ）法やＴＳＳＧ
（Ｔｏｐ ｓｅｅｄｅｄ ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｇｒｏｗ
ｔｈ）法よりも量産性に優れる。一方、β−ＢＢＯは、
ＣＺ法でも結晶育成が可能ではあるが、より光学的に優
れた結晶を得るためには、ＴＳＳＧ法の方が適してい
る。この方法は、ＣＺ法よりも育成速度に劣り、量産に
は不利である。
【００１２】従って、α−ＢＢＯの特徴を他の単結晶と
比較してまとめると、表１のようになる。
比較してまとめると、表１のようになる。
【００１３】
【表１】
【００１４】以上のように、α−ＢＢＯは、従来使用さ
れていた偏光素子材料よりも安価に製造できる上にＵＶ
透過性にも優れた特徴を持つ。
れていた偏光素子材料よりも安価に製造できる上にＵＶ
透過性にも優れた特徴を持つ。
【００１５】本発明において、光アイソレータは、偏光
素子とファラデー回転子を備えたものであれば、いずれ
の態様のものであってもよい。また、ファラデー回転子
も公知のものを使用することができ、光アイソレータの
組み立ても公知の方法を採用し得るが、α−ＢＢＯの特
徴を生かして、よりコストパフォーマンスの優れたアイ
ソレータを製造する方法として、次の方法が有効であ
る。即ち、光学素子同士を接着剤で接合することによっ
て、組み立て工程の簡略化及び光学素子をマウントする
ための部材点数の削減を図ることである。例えば、α−
ＢＢＯとファラデー回転子又はα−ＢＢＯ同士を接着剤
で接着すると良い。予めサイズの大きな光学材料を接着
一体化し、これを所望のサイズに切断することで、多数
の一体型の光学素子を切り出せば更に量産性を向上させ
ることができる。図１は、これを示したもので、比較的
大きなサイズのα−ＢＢＯからなる２枚の偏光素子１，
１間に例えばＢｉ置換ガーネット膜からなるファラデー
回転子２を介在し、これらの間を接着剤３，３で接着し
て得た一体型光学素子４を所用の大きさに切断して光学
素子チップ５を得、これを円筒磁石６内に入れて光アイ
ソレータ７を得ることができる。
素子とファラデー回転子を備えたものであれば、いずれ
の態様のものであってもよい。また、ファラデー回転子
も公知のものを使用することができ、光アイソレータの
組み立ても公知の方法を採用し得るが、α−ＢＢＯの特
徴を生かして、よりコストパフォーマンスの優れたアイ
ソレータを製造する方法として、次の方法が有効であ
る。即ち、光学素子同士を接着剤で接合することによっ
て、組み立て工程の簡略化及び光学素子をマウントする
ための部材点数の削減を図ることである。例えば、α−
ＢＢＯとファラデー回転子又はα−ＢＢＯ同士を接着剤
で接着すると良い。予めサイズの大きな光学材料を接着
一体化し、これを所望のサイズに切断することで、多数
の一体型の光学素子を切り出せば更に量産性を向上させ
ることができる。図１は、これを示したもので、比較的
大きなサイズのα−ＢＢＯからなる２枚の偏光素子１，
１間に例えばＢｉ置換ガーネット膜からなるファラデー
回転子２を介在し、これらの間を接着剤３，３で接着し
て得た一体型光学素子４を所用の大きさに切断して光学
素子チップ５を得、これを円筒磁石６内に入れて光アイ
ソレータ７を得ることができる。
【００１６】この場合、従来の偏光ガラスやルチルでは
紫外線域の透過率が悪く、ＵＶ硬化型接着剤を使用する
ことができなかった。そのため、上記のような目的で使
用される接着剤は、熱硬化型接着剤を使用することが多
く、この場合、加熱降温時に素子及び接着剤の熱膨張率
の違いから素子がずれて接合されたり接着工程に時間を
要するといった問題があった。
紫外線域の透過率が悪く、ＵＶ硬化型接着剤を使用する
ことができなかった。そのため、上記のような目的で使
用される接着剤は、熱硬化型接着剤を使用することが多
く、この場合、加熱降温時に素子及び接着剤の熱膨張率
の違いから素子がずれて接合されたり接着工程に時間を
要するといった問題があった。
【００１７】一方、α−ＢＢＯは、他の偏光材料と異な
り紫外線域の透過率に優れており、ＵＶ硬化型の接着剤
を使用することができる。このため、接着精度の向上、
つまり光学特性のバラツキを小さくでき、更に、作業時
間の短縮が可能となる。
り紫外線域の透過率に優れており、ＵＶ硬化型の接着剤
を使用することができる。このため、接着精度の向上、
つまり光学特性のバラツキを小さくでき、更に、作業時
間の短縮が可能となる。
【００１８】従って、α−ＢＢＯを偏光素子材料として
使用した本発明の光アイソレータは、α−ＢＢＯ自体が
量産性に優れる上にＵＶ硬化型接着剤が適用できるの
で、低コストでかつ高精度な光アイソレータが得られ
る。
使用した本発明の光アイソレータは、α−ＢＢＯ自体が
量産性に優れる上にＵＶ硬化型接着剤が適用できるの
で、低コストでかつ高精度な光アイソレータが得られ
る。
【００１９】ここで、ＵＶ硬化型の接着剤としては、シ
リコーン系、エポキシ系、アクリル系などが使用でき
る。
リコーン系、エポキシ系、アクリル系などが使用でき
る。
【００２０】
【実施例】以下、実施例及び比較例を示し、本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限される
ものではない。
【００２１】［実施例］ ○光学素子 実施例に使用する光学素子は、偏光素子としてα−ＢＢ
Ｏ、ファラデー回転子としてビスマス置換鉄ガーネット
を使用した。α−ＢＢＯの製造には、ＣＺ法を採用し、
引き上げ方向はｃ軸方向とした。得られた結晶は、直径
５０ｍｍ、長さ４０ｍｍであり、一般に製造されている
他の複屈折結晶（ルチル、ＹＶＯ4）よりも充分に大き
なサイズであった。
Ｏ、ファラデー回転子としてビスマス置換鉄ガーネット
を使用した。α−ＢＢＯの製造には、ＣＺ法を採用し、
引き上げ方向はｃ軸方向とした。得られた結晶は、直径
５０ｍｍ、長さ４０ｍｍであり、一般に製造されている
他の複屈折結晶（ルチル、ＹＶＯ4）よりも充分に大き
なサイズであった。
【００２２】○構成 光アイソレータの構成としては、偏光素子／ファラデー
回転子／偏光素子の構成を採用した（なお、本発明はこ
の構成に限定されるものではない）。
回転子／偏光素子の構成を採用した（なお、本発明はこ
の構成に限定されるものではない）。
【００２３】実施例で使用した光アイソレータの構成を
図２に示す。この場合、図示していないが、α−ＢＢＯ
偏光素子１のファラデー回転子（Ｂｉ置換ガーネット
膜）２と向き合う面には、対接着反射防止コートを、そ
の反対の面には対空気反射防止コートを施した。また、
ファラデー回転子２の両面には、対接着反射防止コート
を施した。なお、図２には、光入射方向、偏波方向、偏
光軸を矢印で示す。
図２に示す。この場合、図示していないが、α−ＢＢＯ
偏光素子１のファラデー回転子（Ｂｉ置換ガーネット
膜）２と向き合う面には、対接着反射防止コートを、そ
の反対の面には対空気反射防止コートを施した。また、
ファラデー回転子２の両面には、対接着反射防止コート
を施した。なお、図２には、光入射方向、偏波方向、偏
光軸を矢印で示す。
【００２４】これらの素子は、図１に示したように、接
着剤を介して光学面同士を接合した後に所定のサイズに
切断し、円筒磁石の中にセットした。
着剤を介して光学面同士を接合した後に所定のサイズに
切断し、円筒磁石の中にセットした。
【００２５】なお、ここで使用した接着剤は、ＵＶ硬化
型シリコーン樹脂である。接着時には、治具により光学
素子の光軸調整を行いながら１２０Ｗ／ｃｍ2のメタル
ハライドランプ光源により約１分間のＵＶ照射を行い、
接着剤を硬化させた。
型シリコーン樹脂である。接着時には、治具により光学
素子の光軸調整を行いながら１２０Ｗ／ｃｍ2のメタル
ハライドランプ光源により約１分間のＵＶ照射を行い、
接着剤を硬化させた。
【００２６】○光学特性 得られたアイソレータの両端にレンズを介して順方向透
過量が最大になるように調芯を行い、測定サンプルとし
た。光学系の概略を図３に示す。図３において、８は光
ファイバ、９はレンズであり、Ｌは光路を示す。このサ
ンプルに逆方向から光を入射し、消光比を測定した。な
お、測定光は、波長λ＝１．４７μｍ、２００ｍＷの高
出力タイプを使用し、高出力光においても使用可能かど
うかを確認した。結果を表に２まとめた。
過量が最大になるように調芯を行い、測定サンプルとし
た。光学系の概略を図３に示す。図３において、８は光
ファイバ、９はレンズであり、Ｌは光路を示す。このサ
ンプルに逆方向から光を入射し、消光比を測定した。な
お、測定光は、波長λ＝１．４７μｍ、２００ｍＷの高
出力タイプを使用し、高出力光においても使用可能かど
うかを確認した。結果を表に２まとめた。
【００２７】
【表２】 消光比平均値＝４２．５ｄＢ、σ＝１．３７ｄＢ
【００２８】［比較例］ ○光学素子 偏光素子として市販のルチル単結晶、ファラデー回転子
としてビスマス置換鉄ガーネットを使用した。 ○構成 光学素子の配置及び形状は、実施例と同等の構成とし
た。
としてビスマス置換鉄ガーネットを使用した。 ○構成 光学素子の配置及び形状は、実施例と同等の構成とし
た。
【００２９】光学素子同士を接合するための接着剤は、
熱硬化型のシリコーン樹脂を使用した。接着時には、治
具により光学素子の光軸調整を行いながらオーブン内で
１５０℃、６時間加熱し、接着剤を硬化した。
熱硬化型のシリコーン樹脂を使用した。接着時には、治
具により光学素子の光軸調整を行いながらオーブン内で
１５０℃、６時間加熱し、接着剤を硬化した。
【００３０】なお、実施例と同様にＵＶ硬化型接着剤に
よる接合を試みたが、接着剤は、充分に硬化しなかっ
た。 ○光学特性 実施例と同等の測定を行った。結果を表３にまとめる。
よる接合を試みたが、接着剤は、充分に硬化しなかっ
た。 ○光学特性 実施例と同等の測定を行った。結果を表３にまとめる。
【００３１】
【表３】 平均値＝３９．３ｄＢ、σ＝３．５３ｄＢ
【００３２】以上の結果から認められるように、実施例
では、消光比平均値＝４２．５ｄＢ、σ＝１．３７ｄＢ
であるのに対して、比較例では、消光比平均値＝３９．
３ｄＢ、σ＝３．５３ｄＢであった。消光比のロット間
バラツキは、比較例がσ＝３．５３に対して実施例がσ
＝１．３７であり、２．５倍以上のバラツキ低減となっ
ている。
では、消光比平均値＝４２．５ｄＢ、σ＝１．３７ｄＢ
であるのに対して、比較例では、消光比平均値＝３９．
３ｄＢ、σ＝３．５３ｄＢであった。消光比のロット間
バラツキは、比較例がσ＝３．５３に対して実施例がσ
＝１．３７であり、２．５倍以上のバラツキ低減となっ
ている。
【００３３】このような消光比のバラツキ低減の効果
は、光学素子同士を接合する際に、本発明では、ＵＶ硬
化による低温処理であるのに対して、比較例では、加熱
による接着剤硬化処理を行っており、この際の素子及び
接着剤や治具の熱膨張が接着精度を悪化させているもの
と考えられる。また、消光比の値自体も、大光量光であ
るにも拘らず実施例の方が優れていることが確認でき
た。このことは、本発明のアイソレータが大光量用途に
も適していることを示す。
は、光学素子同士を接合する際に、本発明では、ＵＶ硬
化による低温処理であるのに対して、比較例では、加熱
による接着剤硬化処理を行っており、この際の素子及び
接着剤や治具の熱膨張が接着精度を悪化させているもの
と考えられる。また、消光比の値自体も、大光量光であ
るにも拘らず実施例の方が優れていることが確認でき
た。このことは、本発明のアイソレータが大光量用途に
も適していることを示す。
【００３４】更に、実施例では接着剤の硬化処理に係わ
る時間は１分程度であるのに対して、比較例では６時間
を要しており、製造工程における時間短縮に大きな貢献
を果たすことが確認できた。
る時間は１分程度であるのに対して、比較例では６時間
を要しており、製造工程における時間短縮に大きな貢献
を果たすことが確認できた。
【００３５】
【発明の効果】本発明の光アイソレータは、偏光素子に
α−ＢＢＯを使用しており、このα−ＢＢＯは、育成が
容易な単結晶であり、現在主流の偏光ガラスやルチル単
結晶を使用するよりも安価に偏光素子を作成することが
可能である。また、α−ＢＢＯは、ＵＶ領域の透過性に
も優れており、素子同士の接着にＵＶ硬化型の接着剤が
使用可能である。このため、接合時の作業性及び接合精
度が向上し、高性能なアイソレータを再現性良く製造す
ることが可能となる。
α−ＢＢＯを使用しており、このα−ＢＢＯは、育成が
容易な単結晶であり、現在主流の偏光ガラスやルチル単
結晶を使用するよりも安価に偏光素子を作成することが
可能である。また、α−ＢＢＯは、ＵＶ領域の透過性に
も優れており、素子同士の接着にＵＶ硬化型の接着剤が
使用可能である。このため、接合時の作業性及び接合精
度が向上し、高性能なアイソレータを再現性良く製造す
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光アイソレータの製造法の一例を説明
するもので、（Ａ）は一体型光学素子、（Ｂ）は光学素
子チップと円筒磁石、（Ｃ）は光アイソレータのそれぞ
れ斜視図である。
するもので、（Ａ）は一体型光学素子、（Ｂ）は光学素
子チップと円筒磁石、（Ｃ）は光アイソレータのそれぞ
れ斜視図である。
【図２】実施例に用いた光学素子の斜視図である。
【図３】実施例における光アイソレータの測定系の説明
図である。
図である。
【符号の説明】 １ 偏光素子 ２ ファラデー回転子 ３ 接着剤 ４ 一体型光学素子 ５ 光学素子チップ ６ 円筒磁石 ７ 光アイソレータ
Claims (2)
- 【請求項１】 偏光素子とファラデー回転子を使用した
光アイソレータにおいて、該偏光素子としてα−ＢａＢ
2Ｏ4単結晶を使用したことを特徴とする光アイソレー
タ。 - 【請求項２】 偏光素子とファラデー回転子を光学面同
士で接合する際に使用する接着剤が紫外線硬化型接着剤
であることを特徴とする請求項１記載の光アイソレー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20152999A JP2001033732A (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20152999A JP2001033732A (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | 光アイソレータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001033732A true JP2001033732A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16442565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20152999A Pending JP2001033732A (ja) | 1999-07-15 | 1999-07-15 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001033732A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215491A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高出力レーザー用ファラデー回転子 |
| CN103311793A (zh) * | 2013-06-09 | 2013-09-18 | 中国科学院半导体研究所 | 基于bbo晶体的非线性倍频器 |
| US9991471B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic device |
| JP2019515354A (ja) * | 2016-05-06 | 2019-06-06 | セルオプティック、インコーポレイテッドＣｅｌｌｏｐｔｉｃ， Ｉｎｃ． | 顕微鏡法及び他の応用例で使用するための複屈折レンズ干渉計 |
-
1999
- 1999-07-15 JP JP20152999A patent/JP2001033732A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215491A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高出力レーザー用ファラデー回転子 |
| JP4600660B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2010-12-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 高出力レーザー用ファラデー回転子 |
| CN103311793A (zh) * | 2013-06-09 | 2013-09-18 | 中国科学院半导体研究所 | 基于bbo晶体的非线性倍频器 |
| US9991471B2 (en) | 2014-12-26 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic device |
| JP2019515354A (ja) * | 2016-05-06 | 2019-06-06 | セルオプティック、インコーポレイテッドＣｅｌｌｏｐｔｉｃ， Ｉｎｃ． | 顕微鏡法及び他の応用例で使用するための複屈折レンズ干渉計 |
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