JP2000249983A - 光非相反素子の製造方法 - Google Patents
光非相反素子の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ファラデー回転子となるＢｉ系ガーネット厚
膜を、２枚の平板状の偏光子の間に重ね合わせ、接着剤
を用いて貼り合わせ、固定した積層体を、割れを生じる
ことなく切断し、挿入損失が小さい光非相反素子を得る
方法を提供すること。 【解決手段】 Ｂｉ系ガーネット厚膜からなるファラデ
ー回転子の両面に偏光子を配置して構成される光非相反
素子は、反りを１.５μｍ／ｍｍ以下に規定したＢｉ系
ガーネット厚膜を用い、硬化後における接着層の厚さ
０.１ｍｍ当たりの光透過率が８８％以上で、接着層の
熱膨張率が１００×１０−６／℃以下である接着剤を用
いて積層体を作製し、切断加工して得られる。
膜を、２枚の平板状の偏光子の間に重ね合わせ、接着剤
を用いて貼り合わせ、固定した積層体を、割れを生じる
ことなく切断し、挿入損失が小さい光非相反素子を得る
方法を提供すること。 【解決手段】 Ｂｉ系ガーネット厚膜からなるファラデ
ー回転子の両面に偏光子を配置して構成される光非相反
素子は、反りを１.５μｍ／ｍｍ以下に規定したＢｉ系
ガーネット厚膜を用い、硬化後における接着層の厚さ
０.１ｍｍ当たりの光透過率が８８％以上で、接着層の
熱膨張率が１００×１０−６／℃以下である接着剤を用
いて積層体を作製し、切断加工して得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば光通信シス
テムや光計測器に用いられ、光を一方向にのみ透過さ
せ、逆方向には遮断する光素子である光非相反素子の製
造方法に関する。
テムや光計測器に用いられ、光を一方向にのみ透過さ
せ、逆方向には遮断する光素子である光非相反素子の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光源からの出射光を、光学系を用いて伝
達しようとするとき、光学系中の光学素子の端面で反射
した光は、光源に戻ってくる。例えば、光通信において
は、レーザ光源から出射した光は、結合レンズによって
収束され、光ファイバの端面に集められる。光アイソレ
ータを用いない場合には、一部は光ファイバの端面で反
射されて、レーザ光源に戻る。レーザ光源に戻った光
は、一般に位相も偏光方向もレーザ光源の出射光とは異
なり、これによって、レーザ発振が乱され、出射光にノ
イズが生じたり、さらにはレーザ発振の停止に至る場合
もある。
達しようとするとき、光学系中の光学素子の端面で反射
した光は、光源に戻ってくる。例えば、光通信において
は、レーザ光源から出射した光は、結合レンズによって
収束され、光ファイバの端面に集められる。光アイソレ
ータを用いない場合には、一部は光ファイバの端面で反
射されて、レーザ光源に戻る。レーザ光源に戻った光
は、一般に位相も偏光方向もレーザ光源の出射光とは異
なり、これによって、レーザ発振が乱され、出射光にノ
イズが生じたり、さらにはレーザ発振の停止に至る場合
もある。
【０００３】このようなノイズを防ぐため、戻り光を遮
断する光非相反部品として、光アイソレータや光サーキ
ュレータ等の光非相反部品が使用される。これらの光非
相反部品は、ファラデー回転子と偏光材料からなる光非
相反素子と磁界印加手段を組み合わせて構成される。フ
ァラデー回転子を挟むようにして、ファラデー回転子の
両面に平板の偏光材料を接着し、その上で所要の形状寸
法に切断して、複数に分割する方法は、低コストの光相
反素子を得る上で有用である。光非相反素子には、戻り
光の遮断特性（アイソレーション）が高いこと、入射光
の透過損失（挿入損失）が小さいことが要求される。
断する光非相反部品として、光アイソレータや光サーキ
ュレータ等の光非相反部品が使用される。これらの光非
相反部品は、ファラデー回転子と偏光材料からなる光非
相反素子と磁界印加手段を組み合わせて構成される。フ
ァラデー回転子を挟むようにして、ファラデー回転子の
両面に平板の偏光材料を接着し、その上で所要の形状寸
法に切断して、複数に分割する方法は、低コストの光相
反素子を得る上で有用である。光非相反素子には、戻り
光の遮断特性（アイソレーション）が高いこと、入射光
の透過損失（挿入損失）が小さいことが要求される。
【０００４】ファラデー回転子には、Ｂｉ置換型希土類
ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜（以下、Ｂ
ｉ系ガーネット厚膜という）が多く用いられる。また、
偏光材料には、ガラス偏光子やルチル偏光子等が用いら
れる。
ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜（以下、Ｂ
ｉ系ガーネット厚膜という）が多く用いられる。また、
偏光材料には、ガラス偏光子やルチル偏光子等が用いら
れる。
【０００５】Ｂｉ系ガーネット厚膜は、液相エピタキシ
ャル成長法（以下、ＬＰＥ法という）によって作製され
る。ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３等を用いてフラックス成分と
し、Ｔｂ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ
２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３等を用いてガーネット成分として、
約９００〜１１００℃で溶解し、その溶液中に浸漬した
基板上にＢｉ系ガーネット厚膜が育成される。
ャル成長法（以下、ＬＰＥ法という）によって作製され
る。ＰｂＯ、Ｂｉ２Ｏ３等を用いてフラックス成分と
し、Ｔｂ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、Ａｌ
２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３等を用いてガーネット成分として、
約９００〜１１００℃で溶解し、その溶液中に浸漬した
基板上にＢｉ系ガーネット厚膜が育成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｂｉ系ガーネ
ット厚膜の熱膨張率は、基板に比べて、２０％程度大き
いため、常温に降温すると、Ｂｉ系ガーネット厚膜は、
凹状に歪み、大きな応力が残存することになる。そのた
め、基板を除去しても、Ｂｉ系ガーネット膜には大きな
反りを生じてしまう。
ット厚膜の熱膨張率は、基板に比べて、２０％程度大き
いため、常温に降温すると、Ｂｉ系ガーネット厚膜は、
凹状に歪み、大きな応力が残存することになる。そのた
め、基板を除去しても、Ｂｉ系ガーネット膜には大きな
反りを生じてしまう。
【０００７】このようなＢｉ系ガーネット厚膜をファラ
デー回転子として用い、偏光子と貼り合わせ、切断・分
割して、複数の光非相反素子を得る上で問題がある。大
きく反ったＢｉ系ガーネット膜を、２枚の平板状の偏光
子の間に重ね合わせ、接着剤を用いて貼り合わせて固定
した積層体では、中間のＢｉ系ガーネット厚膜に大きな
応力が蓄積される。さらに、この積層体から切断・分割
して複数の光非相反素子を取得するために、ワックスを
用いて固定する工程は、通常、昇温操作を必要とする。
温度を上げることにより、とくに積層体のＢｉ系ガーネ
ット厚膜には、往々にして割れが生じる。Ｂｉ系ガーネ
ット厚膜は、機械的に脆い上、偏光子として多く用いら
れるガラス偏光子との間の熱膨張率の差が大きいからで
ある。Ｂｉ系ガーネット厚膜の熱膨張率は、約１０×１
０−６／℃、ガラス偏光子の熱膨張率は、約６×１０
−６／℃である。
デー回転子として用い、偏光子と貼り合わせ、切断・分
割して、複数の光非相反素子を得る上で問題がある。大
きく反ったＢｉ系ガーネット膜を、２枚の平板状の偏光
子の間に重ね合わせ、接着剤を用いて貼り合わせて固定
した積層体では、中間のＢｉ系ガーネット厚膜に大きな
応力が蓄積される。さらに、この積層体から切断・分割
して複数の光非相反素子を取得するために、ワックスを
用いて固定する工程は、通常、昇温操作を必要とする。
温度を上げることにより、とくに積層体のＢｉ系ガーネ
ット厚膜には、往々にして割れが生じる。Ｂｉ系ガーネ
ット厚膜は、機械的に脆い上、偏光子として多く用いら
れるガラス偏光子との間の熱膨張率の差が大きいからで
ある。Ｂｉ系ガーネット厚膜の熱膨張率は、約１０×１
０−６／℃、ガラス偏光子の熱膨張率は、約６×１０
−６／℃である。
【０００８】本発明の目的は、ファラデー回転子となる
Ｂｉ系ガーネット厚膜を、２枚の平板状の偏光子の間に
重ね合わせ、接着剤を用いて貼り合わせ、固定した積層
体を、割れを生じることなく切断し、挿入損失が小さい
光非相反素子を得る方法を提供することである。
Ｂｉ系ガーネット厚膜を、２枚の平板状の偏光子の間に
重ね合わせ、接着剤を用いて貼り合わせ、固定した積層
体を、割れを生じることなく切断し、挿入損失が小さい
光非相反素子を得る方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、Ｂｉ系
ガーネット厚膜からなるファラデー回転子の両主面にそ
れぞれ偏光子を配置して構成される光非相反素子は、反
りを１.５μｍ／ｍｍ以下に規定したＢｉ系ガーネット
厚膜を用い、硬化後における接着層の厚さ０.１ｍｍ当
たりの光透過率が８８％以上を示し、かつ、接着層の熱
膨張率が、１００×１０−６／℃以下である接着剤を用
いて接着し、接着剤を硬化させた後に、Ｂｉ系ガーネッ
ト厚膜と偏光子が接着された積層体を、接着した面に垂
直に切断加工することによって得られる。
ガーネット厚膜からなるファラデー回転子の両主面にそ
れぞれ偏光子を配置して構成される光非相反素子は、反
りを１.５μｍ／ｍｍ以下に規定したＢｉ系ガーネット
厚膜を用い、硬化後における接着層の厚さ０.１ｍｍ当
たりの光透過率が８８％以上を示し、かつ、接着層の熱
膨張率が、１００×１０−６／℃以下である接着剤を用
いて接着し、接着剤を硬化させた後に、Ｂｉ系ガーネッ
ト厚膜と偏光子が接着された積層体を、接着した面に垂
直に切断加工することによって得られる。
【００１０】本発明において、接着層の光透過率（厚さ
０.１ｍｍ当り）を８８％以上としたのは、低い挿入損
失の非相反素子の挿入損失を得るためである。通常、挿
入損失が０.５ｄＢ以下の光アイソレータを作製するた
めには、光非相反素子部の挿入損失は、０.３ｄＢ以下
であれば十分である。本発明は、挿入損失の設定値を
０.２ｄＢ以下と規定して、さらに高性能化を図る。
０.１ｍｍ当り）を８８％以上としたのは、低い挿入損
失の非相反素子の挿入損失を得るためである。通常、挿
入損失が０.５ｄＢ以下の光アイソレータを作製するた
めには、光非相反素子部の挿入損失は、０.３ｄＢ以下
であれば十分である。本発明は、挿入損失の設定値を
０.２ｄＢ以下と規定して、さらに高性能化を図る。
【００１１】また、本発明において、Ｂｉ系ガーネット
厚膜の反りを１.５μｍ／ｍｍ以下としたのは、機械的
に脆い性質を有するＢｉ系ガーネット厚膜に誘起される
応力を低減し、Ｂｉ系ガーネット厚膜と偏光子を重ね合
わせ、接着して固定した積層体の切断加工時に、Ｂｉ系
ガーネット厚膜に割れを生じさせないためである。
厚膜の反りを１.５μｍ／ｍｍ以下としたのは、機械的
に脆い性質を有するＢｉ系ガーネット厚膜に誘起される
応力を低減し、Ｂｉ系ガーネット厚膜と偏光子を重ね合
わせ、接着して固定した積層体の切断加工時に、Ｂｉ系
ガーネット厚膜に割れを生じさせないためである。
【００１２】本発明において、硬化後の接着層の熱膨張
率が１００×１０−６／℃以下であるような接着剤を使
用することとしたのは、Ｂｉ系ガーネット厚膜に割れを
生じさせないためである。Ｂｉ系ガーネット厚膜と偏光
子を重ね合わせ、接着して固定した積層体の切断加工に
際しては、加熱昇温し、ワックスで固定する工程を必要
とする。硬化後の熱膨張率が小さい接着剤を使い、加
熱、冷却によってＢｉ系ガーネット厚膜に誘起される応
力を低減することができる。
率が１００×１０−６／℃以下であるような接着剤を使
用することとしたのは、Ｂｉ系ガーネット厚膜に割れを
生じさせないためである。Ｂｉ系ガーネット厚膜と偏光
子を重ね合わせ、接着して固定した積層体の切断加工に
際しては、加熱昇温し、ワックスで固定する工程を必要
とする。硬化後の熱膨張率が小さい接着剤を使い、加
熱、冷却によってＢｉ系ガーネット厚膜に誘起される応
力を低減することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００１４】（第１の実施の形態）まず、波長１.３１
μｍにおいてファラデー回転角（θＦ）が約４５ｄｅｇ
となるＴｂＢｉ系ガーネット厚膜（実際の厚さは約３０
０μｍとなる）、１対のガラス偏光子（商品名ポーラコ
ア）、およびアクリル系接着剤、エポキシ系接着剤を用
意した。ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜は、一辺が１０ｍｍ
の正方形をなしている。２枚で１対をなすガラス偏光子
は、厚さが５００μｍで、同様に一辺が１０ｍｍの正方
形をなし、これらを重ねると、互いの偏光面が４５ｄｅ
ｇとなるように成形されている。
μｍにおいてファラデー回転角（θＦ）が約４５ｄｅｇ
となるＴｂＢｉ系ガーネット厚膜（実際の厚さは約３０
０μｍとなる）、１対のガラス偏光子（商品名ポーラコ
ア）、およびアクリル系接着剤、エポキシ系接着剤を用
意した。ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜は、一辺が１０ｍｍ
の正方形をなしている。２枚で１対をなすガラス偏光子
は、厚さが５００μｍで、同様に一辺が１０ｍｍの正方
形をなし、これらを重ねると、互いの偏光面が４５ｄｅ
ｇとなるように成形されている。
【００１５】図１は、接着層の単位厚さ（０.１ｍｍ）
当たりの光透過率に対する、積層体の挿入損失を、波長
１.３１μｍにおいて測定した結果を示す図である。図
２は、２枚のガラス偏光子の間にＢｉ系ガーネット厚膜
を重ね合わせ、接着剤によって固定した積層体を示す図
である。ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１およびガラス偏光
子２，３には、反射を低減するように、予めＡＲコート
処理がなされてある。接着して作製した積層体を、昇温
し、またはＵＶ照射して、接着剤を硬化させた。接着層
４の厚さは、約２〜２０μｍであった。図１から、積層
体の挿入損失０.２ｄＢ以下は、接着層の厚さ０.１ｍｍ
当たりの光透過率が８８％以上を有する接着剤を用いる
ことによって得られることがわかる。この事実は、工業
上、有用である。
当たりの光透過率に対する、積層体の挿入損失を、波長
１.３１μｍにおいて測定した結果を示す図である。図
２は、２枚のガラス偏光子の間にＢｉ系ガーネット厚膜
を重ね合わせ、接着剤によって固定した積層体を示す図
である。ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１およびガラス偏光
子２，３には、反射を低減するように、予めＡＲコート
処理がなされてある。接着して作製した積層体を、昇温
し、またはＵＶ照射して、接着剤を硬化させた。接着層
４の厚さは、約２〜２０μｍであった。図１から、積層
体の挿入損失０.２ｄＢ以下は、接着層の厚さ０.１ｍｍ
当たりの光透過率が８８％以上を有する接着剤を用いる
ことによって得られることがわかる。この事実は、工業
上、有用である。
【００１６】（第２の実施の形態）第１の実施の形態と
同様にして、エポキシ系接着剤（接着層の厚さ０.１ｍ
ｍ当たりの光透過率９４％、硬化後の熱膨張率約８０×
１０−６／℃）を使用して、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜
１を２枚のガラス偏光子２、３の間に重ね合わせ、接着
し積層体を作製した。ついで、接着剤が硬化した後、積
層体をワックスを用いて固定し、ダイヤモンド製研削刃
によって、一辺が約０.９ｍｍの正方形に切断して、複
数の光非相反素子を作製した。
同様にして、エポキシ系接着剤（接着層の厚さ０.１ｍ
ｍ当たりの光透過率９４％、硬化後の熱膨張率約８０×
１０−６／℃）を使用して、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜
１を２枚のガラス偏光子２、３の間に重ね合わせ、接着
し積層体を作製した。ついで、接着剤が硬化した後、積
層体をワックスを用いて固定し、ダイヤモンド製研削刃
によって、一辺が約０.９ｍｍの正方形に切断して、複
数の光非相反素子を作製した。
【００１７】図３は、積層体を切断して取得した光非相
反素子のなかで、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜に生じた割
れ発生率と、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の反りとの関
係を示す図である。図４は、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜
１の反りを定義する図である。すなわち、本発明では、
ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の反りは、単位長さ（ｍ
ｍ）当りの最大凸部の高さ（μｍ）で示すものとする。
図５は、積層体が切断され、複数の非相反素子に分割さ
れた状態を示す図である。
反素子のなかで、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜に生じた割
れ発生率と、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の反りとの関
係を示す図である。図４は、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜
１の反りを定義する図である。すなわち、本発明では、
ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の反りは、単位長さ（ｍ
ｍ）当りの最大凸部の高さ（μｍ）で示すものとする。
図５は、積層体が切断され、複数の非相反素子に分割さ
れた状態を示す図である。
【００１８】図３によれば、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜
１の反りが、１.５μｍ／ｍｍ以下で、ＴｂＢｉ系ガー
ネット厚膜の１割れ発生率が著しく低い。したがって、
ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の割れ発生率を低くするに
は、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の反りを１.５μｍ／
ｍｍ以下とすることは、工業上、非常に有益となる。
１の反りが、１.５μｍ／ｍｍ以下で、ＴｂＢｉ系ガー
ネット厚膜の１割れ発生率が著しく低い。したがって、
ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の割れ発生率を低くするに
は、ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜１の反りを１.５μｍ／
ｍｍ以下とすることは、工業上、非常に有益となる。
【００１９】（第３の実施の形態）前記第１の実施の形
態および第２の実施の形態と同様にして、ＧｄＢｉ系ガ
ーネット厚膜（厚さ約３００μｍ、反り１.０μｍ／ｍ
ｍ）を、２枚のガラス偏光子の間に重ね合わせ、接着し
積層体を作製した。接着剤には、硬化後の０〜１５０℃
における接着層の熱膨張率が様々な値を示すアクリル系
接着剤、エポキシ系接着剤を用いた。ついで、前記と同
様に、積層体を切断して、複数の光非相反素子を作製し
た。
態および第２の実施の形態と同様にして、ＧｄＢｉ系ガ
ーネット厚膜（厚さ約３００μｍ、反り１.０μｍ／ｍ
ｍ）を、２枚のガラス偏光子の間に重ね合わせ、接着し
積層体を作製した。接着剤には、硬化後の０〜１５０℃
における接着層の熱膨張率が様々な値を示すアクリル系
接着剤、エポキシ系接着剤を用いた。ついで、前記と同
様に、積層体を切断して、複数の光非相反素子を作製し
た。
【００２０】図６は、積層体を切断して取得した光非相
反素子のなかで、ＧｄＢｉ系ガーネット厚膜に生じた割
れ発生率と、接着剤が硬化した後の、０〜１５０℃にお
ける接着層の熱膨張率の関係を示す図である。図６によ
れば、使用する接着剤が硬化した後の接着層の熱膨張率
が１００×１０−６／℃以下では、ＧｄＢｉ系ガーネッ
ト厚膜ガーネット層の割れ発生率が著しく低いことが判
る。したがって、ＧｄＢｉ系ガーネット厚膜ガーネット
層の割れ発生率を低くするには、硬化後の接着層の熱膨
張率が１００×１０−６／℃以下の接着剤を使用するこ
とは、工業上、有益である。
反素子のなかで、ＧｄＢｉ系ガーネット厚膜に生じた割
れ発生率と、接着剤が硬化した後の、０〜１５０℃にお
ける接着層の熱膨張率の関係を示す図である。図６によ
れば、使用する接着剤が硬化した後の接着層の熱膨張率
が１００×１０−６／℃以下では、ＧｄＢｉ系ガーネッ
ト厚膜ガーネット層の割れ発生率が著しく低いことが判
る。したがって、ＧｄＢｉ系ガーネット厚膜ガーネット
層の割れ発生率を低くするには、硬化後の接着層の熱膨
張率が１００×１０−６／℃以下の接着剤を使用するこ
とは、工業上、有益である。
【００２１】前記各実施の形態において示された中で、
本発明にもとづいて作製された光非相反素子を、Ｓｍ２
Ｃｏ１７系円筒形磁石内に設置して、光アイソレータを
作製した。その結果、波長１.３１μｍにおける特性
は、消光比が４０ｄＢ以上、挿入損が０.４ｄＢ以下で
あり、良好な特性を有する光アイソレータが構成される
ことが確認された。
本発明にもとづいて作製された光非相反素子を、Ｓｍ２
Ｃｏ１７系円筒形磁石内に設置して、光アイソレータを
作製した。その結果、波長１.３１μｍにおける特性
は、消光比が４０ｄＢ以上、挿入損が０.４ｄＢ以下で
あり、良好な特性を有する光アイソレータが構成される
ことが確認された。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ファラデー回転子となるＢｉ系ガーネット厚膜を、２枚
の平板状の偏光子の間に重ね合わせ、接着剤を用いて貼
り合わせて固定した積層体を、割れを生じることなく切
断し、挿入損失が小さい光非相反素子を得ることができ
る。
ファラデー回転子となるＢｉ系ガーネット厚膜を、２枚
の平板状の偏光子の間に重ね合わせ、接着剤を用いて貼
り合わせて固定した積層体を、割れを生じることなく切
断し、挿入損失が小さい光非相反素子を得ることができ
る。
【図１】接着層の光透過率に対する、積層体の挿入損失
を示す図。
を示す図。
【図２】接着剤によって固定した積層体を示す図。
【図３】割れ発生率とＴｂＢｉ系ガーネット厚膜の反り
の関係を示す図。
の関係を示す図。
【図４】反りを定義する図。
【図５】積層体が切断された状態を示す図。
【図６】割れ発生率と接着層の熱膨張率の関係をす図。
１ ＴｂＢｉ系ガーネット厚膜 ２，３ ガラス偏光子 ４ 接着層
Claims (4)
- 【請求項１】 ファラデー回転を呈する磁気光学ガーネ
ット厚膜、および該磁気光学ガーネット厚膜の両主面に
それぞれ偏光子を配置して構成される光非相反素子の製
造方法において、前記磁気光学ガーネット厚膜と前記偏
光子を、硬化後における接着層の厚さ０.１ｍｍ当た
り、８８％以上の光透過率を示す接着剤を用いて、接着
することを特徴とする光非相反素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記磁気光学ガーネット厚膜の反りは、
１.５μｍ／ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１
記載の光非相反素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記接着剤が硬化した後における前記接
着層の熱膨張率が、１００×１０−６／℃以下であるこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載の光非相反
素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記磁気光学ガーネット厚膜および前記
偏光子を接着した積層体を、前記接着剤を硬化させた後
に、前記接着した面に垂直に切断加工する工程を含むこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の光非相反素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5629599A JP2000249983A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 光非相反素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5629599A JP2000249983A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 光非相反素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000249983A true JP2000249983A (ja) | 2000-09-14 |
Family
ID=13023132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5629599A Pending JP2000249983A (ja) | 1999-03-04 | 1999-03-04 | 光非相反素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000249983A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-03-04 JP JP5629599A patent/JP2000249983A/ja active Pending
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