JP2007211328A - 隣接した光学部品の接着法 - Google Patents

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Abstract

【課題】シリカガラス微小球列を代表とする、隣接した光学部品同士を接着する手法を確立する。
【解決手段】局所的レーザー化学気相成長法を、光学部品としてのシリカガラス微小球20同士の僅かな空間で誘起させることにより、隣接したシリカガラス微小球同士を、シリカガラス膜等の光学部品と同一もしくは類似の材料、あるいは同一もしくは類似の屈折率の材料で接着することが可能となる。前記局所的レーザー化学気相成長法には400nm以下の波長域を含む光照射を利用することが望ましい。
【選択図】図1

Description

本発明は、隣接した光学部品の接着法に係り、とくに化学気相成長(chemical vapor
deposition;CVD)を利用した隣接した光学部品の接着法に関する。
シリカガラス微小球とその整列構造は、光回路やセンサー等、先端的光デバイス製作に有用である。しかし、微小球列に光を伝送させる場合、ウィスパリング・ギャラリー・モード(Wispering Gallery Mode)に代表されるように、微小球同士の接触が重要であり、振動等により隙間が形成されては安定な光伝送は実現できない。そこで最近、基板にV字溝を予め形成し、そこに微小球を整列させることにより、ウィスパリング・ギャラリー・モードを介した光遅延回路が実現している。しかし現状では、いずれの手法においても、微小球同士の接着がされていないため、使用には制限がありそれが実用化への障害となり得る。
従来の方法では困難とされてきた、微小球列を代表とする隣接した光学部品同士を接着することを可能にする、光学部品の接着法の確立を課題とする。
本発明は、上記の点に鑑み、微小球列等の隣接した光学部品を相互に確実に接着可能な接着法を提供することを目的とする。
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の態様に係る隣接した光学部品の接着法は、材料を光学部品同士の間隙に化学気相成長させることを特徴としている。
本発明の第2の態様に係る隣接した光学部品の接着法は、光学部品と同一もしくは類似の材料、あるいは同一もしくは類似の屈折率の材料を、前記光学部品同士の間隙に化学気相成長させることを特徴としている。
本発明の第3の態様に係る隣接した光学部品の接着法は、Si−O−Si結合を含む化合物に、400nm以下の波長域を含む光を照射し、前記化合物から放出される気体を利用して、光学部品同士の間隙に酸化ケイ素膜を形成することを特徴としている。
本発明の第4の態様に係る隣接した光学部品の接着法は、Si−O−Si結合を含む化合物上に、隣接した光学部品を配置し、400nm以下の波長域を含む光を照射して、Si−O−Si結合を含む化合物上に前記光学部品を接合するとともに、前記化合物から放出される気体を利用して、前記光学部品同士の間隙に酸化ケイ素膜を形成することを特徴としている。
本発明の第5の態様に係る隣接した光学部品の接着法は、Si−O−Si結合を含む化合物と、形成膜の屈折率を変化させるための元素を含む材料とに、400nm以下の波長域を含む光を同時に又は個別に照射し、前記化合物及び材料から放出される気体を利用して、光学部品同士の間隙に屈折率を変化させるための元素を含む酸化ケイ素膜を形成することを特徴としている。
本発明の第6の態様に係る隣接した光学部品の接着法は、Si−O−Si結合を含む化合物上に、隣接した光学部品を配置し、前記化合物と、形成膜の屈折率を変化させるための元素を含む材料とに、400nm以下の波長域を含む光を同時に又は個別に照射して、前記化合物上に前記光学部品を接合するとともに、前記化合物及び材料から放出される気体を利用して、前記光学部品同士の間隙に屈折率を変化させるための元素を含む酸化ケイ素膜を形成することを特徴としている。
前記第3又は4の態様において、前記化合物及び前記光学部品が減圧した容器内に設置されているとよい。
前記第5又は6の態様において、前記化合物、前記材料及び前記光学部品が減圧した容器内に設置されているとよい。
本発明によれば、従来困難とされてきた微小球列を代表とする隣接した光学部品同士を、任意の材料(特に好ましくは光学部品と同一もしくは類似の材料、あるいは同一もしくは類似の屈折率の材料)を前記光学部品同士の間隙に化学気相成長させることで接着することを可能にする光学部品の接着法が確立でき、光デバイス製作の基盤技術として利用可能である等、フォトニクスにおいて必要不可欠な技術となる。また本発明は、これら光工学の分野にとどまらず、今後マイクロ・ナノマシーニング技術を利用して発展するデバイス製作の分野に多大に利用可能である。
以下、本発明を実施するための最良の形態として、隣接した光学部品の接着法の実施の形態を図面に従って説明する。
図1は本発明に係る隣接した光学部品の接着法の実施の形態1を示す。この図において、真空容器1内は真空排気手段により実質的に真空状態に減圧されており、この内部にSi−O−Si結合を含む化合物としてのシリコーンゴム10及びシリコーンゴム10上に互いに隣接するように配列された光学部品としての多数のシリカガラス微小球20が収容されている。ここで、光学部品とは、光の透過、屈折又は反射機能の少なくともいずれかを有するものであり、シリカガラス微小球20は光を透過させる材質である。また、ここで、「隣接」とは、微小球が相互に接触していることに限定されず、相互に近接している状態も含むものとする。
前記真空容器1には外部より400nm以下(紫外線及びそれよりやや長い波長)の波長域を含む光をシリコーンゴム10及びシリカガラス微小球20に照射するために、MgF入射窓2が設けられている。前記400nm以下の波長域を含む光をシリコーンゴム10及びシリカガラス微小球20に照射する露光光源としては例えばFレーザーが使用でき、Fレーザー使用の場合、波長157nmのレーザー光がシリコーンゴム10及びシリカガラス微小球20に照射されることになる。なお、400nm以下の波長域を含まない光照射では、シリコーンゴム10からの低分子量シリコーンガスの放出が不十分であり好ましくない。
前記真空容器1にはさらに不活性ガスの導入手段としてのガス導入パイプ3が貫通し、真空容器1内にHe等の不活性ガスを導入可能となっている。
上記構成を用いた隣接した光学部品としてのシリカガラス微小球同士の接着は以下のようにして行う。
真空容器1内のシリコーンゴム10上にシリカガラス微小球20を整列配置した状態で、真空容器1内を排気して真空近くまで減圧し、真空容器1に付属しているMgF入射窓2を通してシリカガラス微小球20の上方より400nm以下の波長域を含む光を露光光源よりシリコーンゴム10及びシリカガラス微小球20に向けて照射(露光)する。光照射中、微量の不活性ガスをガス導入パイプ3からシリカガラス微小球20の表面に吹き付け、シリカガラス微小球間隙部分でのみ化学気相成長が起こるようにする。その結果、まずシリカガラス微小球20とシリコーンゴム10との界面でシリカガラスへの光化学改質に伴う接合が起こり、シリカガラス微小球20とシリコーンゴム10とが固定される。さらに、減圧下でのシリコーンゴム10への波長400nm以下の光照射により、低分子量シリコーンガスが放出され、そのシリコーンガスと残留酸素ガスとが照射光により光分解されると同時に、前記照射光により表面励起されたシリカガラス微小球20の間隙部分で化学気相成長が起こり、シリカガラス微小球同士をシリカガラス(酸化ケイ素)膜によって接着する。
この実施の形態1によれば、次の通りの効果を得ることができる。
(1) Si−O−Si結合を含む化合物としてのシリコーンゴム10上に、隣接した光学部品としてのシリカガラス微小球20を整列配置し、それらに波長400nm以下の光を照射して、シリコーンゴム10上に各シリカガラス微小球20を接合するとともに、シリコーンゴム10から放出される低分子量シリコーンガスを利用して、シリカガラス微小球同士の間隙に化学気相成長による酸化ケイ素膜を形成して隣接シリカガラス微小球同士の接着が可能である。つまり、従来困難とされてきた微小光学部品同士の接着が可能となる。
(2) この場合、光学部品としてのシリカガラス微小球20に対して、化学気相成長による酸化ケイ素膜はシリカガラス微小球20と同一もしくは類似の材料(組成の大部分が同じ材料)に相当し、所要の光透過率を有するから、ウィスパリング・ギャラリー・モードに代表されるような、微小球同士の接触が重要な光デバイス製作に適用可能になる等、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。
図2は本発明の実施の形態2であって、Si−O−Si結合を含む化合物としてのシリコーンゴム10とは別に、形成膜(シリカガラス微小球同士を接着する膜)の屈折率を変化させるための元素(例えばフッ素)を含む材料(例えばフッ素樹脂)30を真空容器1内に配置する。その他の構成は図1の実施の形態1と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
上記構成を用いた隣接した光学部品としてのシリカガラス微小球同士の接着は以下のようにして行う。
真空容器1内のシリコーンゴム10上にシリカガラス微小球20を整列配置した状態で、真空容器1内を排気して真空近くまで減圧し、真空容器1に付属しているMgF入射窓2を通してシリカガラス微小球20の上方より400nm以下の波長域を含む光を露光光源よりシリコーンゴム10、材料30及びシリカガラス微小球20に向けて照射(露光)する。光照射中、微量の不活性ガスをガス導入パイプ3からシリカガラス微小球20の表面に吹き付け、シリカガラス微小球間隙部分でのみ化学気相成長が起こるようにする。その結果、まずシリカガラス微小球20とシリコーンゴム10との界面でシリカガラスへの光化学改質に伴う接合が起こり、シリカガラス微小球20とシリコーンゴム10とが固定される。さらに、減圧下でのシリコーンゴム10への波長400nm以下の光照射により、低分子量シリコーンガスが放出され、そのシリコーンガスと残留酸素ガスとが照射光により光分解されると同時に、前記照射光により表面励起されたシリカガラス微小球20の間隙部分で化学気相成長が起こるが、このとき形成膜の屈折率を変化させる元素を含むガスが材料30から放出されているため、シリカガラス微小球20の間隙部分で化学気相成長する形成膜は前記屈折率を変化させる元素を含有したシリカガラス(酸化ケイ素)膜となる。
なお、材料30への光照射はシリコーンゴム10への光照射と同時でもよいし、別々に光照射してもよく、例えば材料30への光照射を先に行うようにすることもできる。
この実施の形態2によれば、実施の形態1の効果に加えて次の通りの効果を得ることができる。
(1) Si−O−Si結合を含む化合物としてのシリコーンゴム10上に、隣接した光学部品としてのシリカガラス微小球20を配置し、シリコーンゴム10と、形成膜の屈折率を変化させるための元素(例えばフッ素)を含む材料(例えばフッ素樹脂)30とに、波長400nm以下の光を同時に又は個別に照射して、シリコーンゴム10上に各シリカガラス微小球20を接合するとともに、シリコーンゴム10及び材料30から放出される気体を利用して、シリカガラス微小球同士の間隙に屈折率を変化させるための元素を含む酸化ケイ素膜を形成可能である。
(2) この結果、微小光学部品同士を所要屈折率の形成膜で接着でき、多様な光デバイス製作に適用可能となる。
なお、実施の形態1及び実施の形態2は光学部品としてのシリカガラス微小球と同一又は類似の材料である酸化ケイ素膜を化学気相成長させた例であるが、光学部品と材料の組成は異なっても屈折率が同一もしくは類似(近似)の材料を、前記光学部品同士の間隙に化学気相成長させるようにしてもよい。
また、実施の形態1,2において、真空近くまで減圧された真空容器を使用する代わりに、大気中において光学部品と同一もしくは類似の材料、あるいは同一もしくは類似の屈折率の材料を、前記光学部品同士の間隙に化学気相成長させることも可能である。但し、形成膜の材料を含む物質と光学部品との距離が近接していること(例えば1mm以下)が必要で、配置の自由度は無くなる。真空容器を用いた方が形成膜の質は良好となる。
以下、本発明の隣接した光学部品の接着法を実施例1で詳述する。
図1は、実施例1の概略を示している。光学部品としての直径2.5μmのシリカガラス製微小球20を分散させたアルコール溶液を、厚さ2mmのシリコーンゴム10(Si−O−Si結合を含む化合物の例)上に置かれたシリカガラス製細丸棒に沿って滴下し、アルコールの蒸発に伴う自己整列効果によりシリコーンゴム10上にシリカガラス微小球20を整列させた。
その後、試料を真空容器1としてのステンレス製容器内に保持し、真空排気手段としての油回転ポンプにより0.2Torrまで真空排気した。そしてFレーザー(波長157nm)を、容器に付属しているMgF入射窓2を通して、シリカガラス微小球上方より照射した。レーザー照射条件は、フルエンス(エネルギー密度)が約10mJ/cm(アブレーションしきい値以下)、パルス繰り返し周波数10Hz、照射時間5分であった。
シリコーンゴム10及びシリカガラス微小球20へのFレーザー光の照射中、微量の不活性ガス(Heガス)をシリカガラス微小球表面に吹きつけ、微小球間隙部分でのみレーザー化学気相成長が起こるようにした。
その結果、まずシリカガラス微小球20とシリコーンゴム10との界面でシリカガラスへの光化学改質に伴う接合が起こり、微小球20とシリコーンゴム10とが固定された。さらに、減圧下でのシリコーンゴム10へのFレーザー光照射により、低分子量シリコーンガスが放出され、そのシリコーンガスと残留酸素ガスとがFレーザー光分解されると同時に、Fレーザー光により表面励起されたシリカガラス微小球20の間隙部分で化学気相成長が起こり、シリカガラス微小球同士をシリカガラス(酸化ケイ素)膜によって接着できることが判明した。
図3は本発明によりSiO微小球(シリカ微小球)同士をSiO膜で接着した実例の拡大写真図である。微小球同士が確実に化学気相成長による形成膜で接着されていることがわかる。
以上本発明の実施の形態及び実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
本発明に係る隣接した光学部品の接着法の実施の形態1及び実施例1を示す概略構成図である。 本発明の実施の形態2を示す概略構成図である。 本発明によりSiO微小球(シリカ微小球)をSiO膜で接着した実例の拡大写真図である。
符号の説明
1 真空容器
2 入射窓
3 ガス導入パイプ
10 シリコーンゴム
20 シリカガラス微小球
30 材料

Claims (8)

  1. 材料を光学部品同士の間隙に化学気相成長させることを特徴とする隣接した光学部品の接着法。
  2. 光学部品と同一もしくは類似の材料、あるいは同一もしくは類似の屈折率の材料を、前記光学部品同士の間隙に化学気相成長させることを特徴とする隣接した光学部品の接着法。
  3. Si−O−Si結合を含む化合物に、400nm以下の波長域を含む光を照射し、前記化合物から放出される気体を利用して、光学部品同士の間隙に酸化ケイ素膜を形成することを特徴とする隣接した光学部品の接着法。
  4. Si−O−Si結合を含む化合物上に、隣接した光学部品を配置し、400nm以下の波長域を含む光を照射して、Si−O−Si結合を含む化合物上に前記光学部品を接合するとともに、前記化合物から放出される気体を利用して、前記光学部品同士の間隙に酸化ケイ素膜を形成することを特徴とする隣接した光学部品の接着法。
  5. Si−O−Si結合を含む化合物と、形成膜の屈折率を変化させるための元素を含む材料とに、400nm以下の波長域を含む光を同時に又は個別に照射し、前記化合物及び材料から放出される気体を利用して、光学部品同士の間隙に屈折率を変化させるための元素を含む酸化ケイ素膜を形成することを特徴とする隣接した光学部品の接着法。
  6. Si−O−Si結合を含む化合物上に、隣接した光学部品を配置し、前記化合物と、形成膜の屈折率を変化させるための元素を含む材料とに、400nm以下の波長域を含む光を同時に又は個別に照射して、前記化合物上に前記光学部品を接合するとともに、前記化合物及び材料から放出される気体を利用して、前記光学部品同士の間隙に屈折率を変化させるための元素を含む酸化ケイ素膜を形成することを特徴とする隣接した光学部品の接着法。
  7. 前記化合物及び前記光学部品が減圧した容器内に設置されている請求項3又は4記載の隣接した光学部品の接着法。
  8. 前記化合物、前記材料及び前記光学部品が減圧した容器内に設置されている請求項5又は6記載の隣接した光学部品の接着法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011202050A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence Si−O−Si結合を含む化合物を用いた硬質超撥水性材料の作製法及び硬質超撥水性素子
JP2011213590A (ja) * 2011-07-11 2011-10-27 Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence Si−O−Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法及びデバイス
JP2017155182A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム表面の光硬質化方法およびシリコーンゴム成型体

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10142711B2 (en) 2015-04-14 2018-11-27 International Business Machines Corporation Low-crosstalk electro-optical Mach-Zehnder switch

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62217633A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Fujitsu Ltd 平板接着方法
JPH11305338A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型スクリーン
JP2000035617A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Sony Corp 透明微小球体配置シートとこれを用いる透明微小球体配置層を有する透過型スクリーンの製造方法
JP2005506264A (ja) * 2001-10-03 2005-03-03 キネティック リミテッド 光結合技術
JP2005206873A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62217633A (ja) * 1986-03-19 1987-09-25 Fujitsu Ltd 平板接着方法
JPH11305338A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型スクリーン
JP2000035617A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Sony Corp 透明微小球体配置シートとこれを用いる透明微小球体配置層を有する透過型スクリーンの製造方法
JP2005506264A (ja) * 2001-10-03 2005-03-03 キネティック リミテッド 光結合技術
JP2005206873A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency 光照射によるフッ素添加酸化ケイ素膜の形成法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011202050A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence Si−O−Si結合を含む化合物を用いた硬質超撥水性材料の作製法及び硬質超撥水性素子
JP2011213590A (ja) * 2011-07-11 2011-10-27 Technical Research & Development Institute Ministry Of Defence Si−O−Si結合を含む化合物を用いた光化学接合法及びデバイス
JP2017155182A (ja) * 2016-03-04 2017-09-07 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム表面の光硬質化方法およびシリコーンゴム成型体
WO2017150074A1 (ja) * 2016-03-04 2017-09-08 信越化学工業株式会社 シリコーンゴム表面の光硬質化方法およびシリコーンゴム成型体

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