JPH04302593A - 光検知・表示駆動装置 - Google Patents
光検知・表示駆動装置Info
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 71
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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Abstract
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Description
とくに入力信号の検出(入力)と画素データの表示(出
力)のいずれも可能であって、ポーリングサイクル期間
中の任意の時点で起る光入射を示し、入出力機能いずれ
にもセル当たりのアドレスにもデータラインにも最低限
の数しか使わず、しかもその回路構成として利得が提供
出来る装置である。
イのような現行の検出・表示装置には大抵百万個以上の
画像要素(いわゆる画素)が含まれ、各画素には一般に
要素の配列指定または要素とその配列指定との双方を含
んでいる。各セルが検出要素と表示駆動要素との機能の
双方の役割を果たせる場合をここで取り扱う。
、この検出部分にはよく吟味された回路機構と入射光に
応じて変化する電流電圧特性を有する感光性要素とが備
えられている。光検出セルの一般論や新規な光検出セル
に関する特定の議論としては同時に出願されたハック(
Hack)等の米国特許出願を参照されたい。また各セ
ルは、大方の場合離散的な表示部分を備え、通常そこに
はたとえば薄膜トランジスタ(TFT)とかダイオード
とかの制御手段を伴っていて能動表示マトリクスの画素
の状態を制御している。能動表示マトリクスおよびこの
マトリクスの個々の画素の制御に関する一般論は、本出
願にも参考として組み入れられている米国電気電子学会
論文集(IEEE Spectrum)「超大型LC
D現像機の製作(Manufacturing Hu
rdles Challenge Large−L
CD Developers),1989年9月の3
6頁ないし40頁を参照されたい。検出および表示部分
の一体化の例としては、データが表示パネルを介して入
力されるようになっているトガシ(Togashi)等
の1987年4月7日の米国特許第4,655,552
号を参照されたい。
とえば或る検出装置では、光がセルに入射すると同時に
ポーリング(光入射が有ったことを確認する動作)をす
ることが必要であり、また別の検出装置ではそれぞれの
セルに3個以上の独立した内部結線が必要であり、利得
提供可能の回路機構とその他の装置との間に互換性が無
いと云ったことが有り、それらの詳細についてはハック
等の前述の同時出願に述べてある。
別な問題も在る。たとえば一体化すれば内部結線の必要
数、回路寸法、回路の複雑さなどは増えるのに機能は反
って低下する。これと絡んでくるのがセンサ部分と表示
部分との一体化の程度を制限するセンサ回路機構をやめ
て配線から検出部分を独立させたいと云う要求である。 しかも検出部分と表示部分との部品の性質が違うため、
両者の製造は、混成集積回路化やその他の込み入った製
造技術の一方かまたは両方ともが必要である違う製法や
共用出来ない製法であったりする。
る角度から検討しつぎに纏めて詳述する。
部品とを接続する金属配線を最低の数に絞った検出・表
示装置を提供出来るようにすることが強く望まれるとし
てその実現に努めた過程の産物である。本発明によって
機械的・電気的故障率も減るので装置の稼働率も向上す
る。このように本発明は、セル当たり必要な内部接続配
線が2個だけで済む新しい検出・表示装置を提供するこ
とである。
セルの水平方向の列と典型的にそれぞれ結び付いた列ア
ドレス配線と行データ配線とが在る。これら2配線はと
もにアレイ内のどのセルにも個々にポーリングしたりア
ドレスしたりすることが出来る。本発明の他の目的は、
各列アドレス配線の設計にあたり同時に二つの用途に使
えるようにすることである。第1にこの配線の役割は、
センサと表示装置の回路をセル列の各セルと結び付け入
射光情報がこの列から読み込めるようにすること、第2
にこの配線の役割は、すぐ前の列のセルの各センサ回路
をこれらのセルのセンサ回路が光を検知出来る状態にリ
セットすることである。
サ回路機構にも印加されたら、入射光の検出が出来なく
なってしまうことは明らかである。たとえば電圧や電流
の過渡状態がセンサ回路で生成されるかもしれず、これ
は許容できない程長く設定を行うものであり、そのよう
な条件でのセンサ出力には意味が無い。また検出・表示
装置部分を適当なタイミングが観測できなければ、この
表示装置の駆動にあたって検出部分の光入射データとし
て正しく解釈出来ない。しかし、検出・表示駆動装置部
分の間隔を過大に採れば不必要に大きく複雑な形状の回
路になってしまうし、検出・表示駆動装置部分の間隔を
一時的に大きく離しておくにしても検出に遅れが出たり
表示がちらついたり等の現象が生じる。したがって本発
明の他の目的は、検出・表示装置部分の間隔を最小限度
に抑え、しかも表示駆動電位が検出回路に印加されても
異常の発生を防ぐに足る電気絶縁性を有する一体化した
検出・表示駆動装置を提供することである。さらに本発
明の他の目的は、検出・表示駆動を短い時間枠内で動作
可能にし、かつ必要な検出・表示駆動機能の分離の維持
を可能とするタイミング体系を有する一体化した検出・
表示駆動装置を提供することである。
た光をセル自体のポーリングのタイミングとは独立に検
出出来るようにすることが強く望まれるとしてその実現
に努めた過程の産物である。こうして本発明の他の目的
は、ポーリングサイクル期間中の任意の時刻に入射光を
検知出来る、検出・表示組み合わせ装置において使用可
能な新規な光検出回路を提供することである。このよう
な目的に関連しているのが、本発明ではセル毎の一義的
な照明光情報が事後の処理の為に独立に保存されている
という態様である。
の形で製作出来れば、とくに当該装置がアモルファスシ
リコンで形成されれば、大規模集積化と本発明による大
型の光検出・表示駆動装置のアレイの生産が図れ、しか
もアモルファスシリコン処理工程で使われる簡易にして
廉価かつ低温度の製造技術の利用が可能になるからきわ
めて望ましいことは明らかである。したがって、本発明
の更に他の目的は、ここに開示した回路機構を、当業者
周知のアモルファスシリコン処理技法でアモルファスシ
リコンでモノリシック的に形成することである。
表示駆動機能の一方でも両者であっても単色検出・表示
装置の可能性を大いに強める。かくして本発明の更に他
の目的であるカラー検出装置は、特定の光検出回路の感
光性要素上に1個以上のカラーフィルタを形成、沈積も
しくは配置して得られる。このようなカラー検出装置で
はたとえば異なる光源等の差異を識別するような用途が
在るかもしれない。
が標準的な能動マトリクスLCDと互換性があると云う
ことである。さらに本出願で開示した検出・表示装置に
、本発明の表示装置制御の考え方で表示装置にカラーフ
ィルタ装置を結合して提供することはカラー表示の制御
と云うさらに他の本発明の目的を構成することになる。
や制約を取り払うため、とくに入力端末、出力端末、前
記入出力端末を交互接続する導体要素、多重状態検出装
置、前記検出装置の初期設定状態を設定するための手段
、前記検出装置に接続してその初期設定状態を入射する
電磁輻射またはイオン流輻射に応じて変化させる手段、
前記導電性要素と前記検出装置とに接続して前記導電性
要素の導電率を前記検出装置の状態の関数として補正す
る手段、前記入出力端末に接続された表示駆動要素を備
えた組合せ型センサ・表示駆動装置を提供するものであ
る。本発明をさらに分りやすくするため以下図を用いて
詳細に説明する。
と関連して取り扱われる型のセンサ・表示駆動装置を有
する2次元アレイを図示する。
表示駆動回路の詳細な模式図を図示する。
例に関する別のセンサ・表示駆動回路の実施例の模式部
分図を図示する。
・表示駆動回路の詳細な模式図を図示する。
例に関する別のセンサ・表示駆動回路の実施例の模式部
分図を図示する。
の一つ以上の実施例にしたがい各種配線の相互間とクロ
ック信号に関するタイミングおよび状態を図示する。
駆動アレイ4であって、アドレス手段6、復号/駆動手
段8、複数のセル10、格子状のパターンとを含み、こ
のパターンのうち水平方向の導電性配線すなわち内部結
線はあとでA1 、A2 、・・・An 、An+1
、・・・と呼ぶ列アドレス配線に、垂直方向の導電性配
線すなわち内部結線はあとでD1 、D2 、・・・D
s 、・・・と呼ぶ行データ配線になる。この様なアレ
イ4では各セル10は個々にアドレス出来なければなら
ない。この個別的にアドレスする方法は便利なので図示
の格子状のパターンの交互接続配線により容易に実施さ
れる。この個別的にアドレスする方法では、アレイ4は
セル10のポーリングサイクル期間中の任意の時刻に生
じるセル毎の光入射を検出する機能を持つことになる。 さらにこのようなアレイ4は、たとえば能動マトリクス
LCD(図示せず)の様な表示装置をセル毎に駆動する
ことが可能である。アレイ4の要素のそれぞれがセンサ
装置であり、同時に表示駆動装置として働くセル10の
二重機能に焦点を当てて、より詳細な説明をここで行う
ことにする。
次元アレイ4に纏めているのは、第1の列アドレス配線
An と第2列アドレス配線An+1 と少なくとも1
個の行データ配線Ds である。2次元アレイ4の典型
的セル10は図2に図示されそこでは同じ参照数字はど
の図においても本発明での同じ要素を表している。
10は3個の領域に分割されている。第1はフォトセン
サ回路領域12、第2は導電領域14、第3は表示駆動
領域15である。図2の実施例のフォトセンサ回路領域
12は、多重状態の(離散的または連続的な)光電検出
手段16と2個の制御手段としてのトランジスタ18と
26とから構成されている。多重状態光電検出手段16
(または単に光電検出手段16)は、広い範囲にわたる
前記種類のセンサの一つであって、少なくとも2個の状
態からなり、オン(ON)とオフ(OFF)とがその状
態の一例である。たとえば光電検出手段16は、ハック
等の同時出願特許(代理人事件整理番号D/89224
)「オフセットゲートで制御されるギャップセル薄膜素
子をフォトセンサとして利用する方法(Method
of Using OffsetGated
Gap−Cell Thin Film Dev
iceAsA Photosensor)」記載の形
式のセンサであって本出願の参考として含まれている。 このオン(ON)状態は、光電検出手段16が導通状態
または電流発生状態のどちらかに在る状態である。さら
に光電検出手段16とトランジスタ18とは後述のフォ
トダイオード12’のような単一の光起電力素子で置き
換えることも出来る。
れるあらゆるトランジスタ同様、別に注釈がなければ、
制御端末すなわちゲート電極と、電流通路ないし前記制
御端末で制御され第1および第2チャンネル電極にそれ
ぞれ接続された第1端および第2端を有する電流通路す
なわちチャンネルを含む形式のトランジスタである。一
般にこの種トランジスタは、電界効果トランジスタ(F
ET)系統に属するが本出願で述べたのと同一または類
似の効果の他の形式のトランジスタ素子を使用してもよ
い。このアレイがアモルファスシリコンから作られた場
合には、この種のトランジスタは、一般にはNチャンネ
ルトランジスタであるが、多結晶シリコン基板装置のよ
うな変形例では必要に応じてNチャンネルでもPチャン
ネルでも使うことが出来る。
極と第1のチャンネル電極とが列アドレス配線An+1
に接続されている。第2チャンネル電極は第1結節点
20に接続されている。光電検出手段16の接続態様は
、その一方の端末が列アドレス配線An+1 に接続さ
れ第2端末の側は第1結節点20に接続されている。ト
ランジスタ26のゲートは結節点20に接続され、その
第1チャンネル電極は第2結節点24に接続され、第2
チャンネル電極は第3の結節点28に接続されている。
にはコンデンサ22が含まれ、その一方の端末は列アド
レス配線An に、第2の端末は第2結節点24に接続
されている。導通領域14にはまたトランジスタ30が
含まれ、その一方のチャンネル電極は結節点28に接続
されている。トランジスタ30のゲートは結節点24に
接続され、他方このチャンネル電極の他端は列アドレス
配線An に接続されている。第3のトランジスタ32
の第1チャンネル電極はやはり結節点28に接続され、
ゲートは列アドレス配線An に、第2チャンネル電極
は行データ配線Ds にそれぞれ接続されている。
5にはトランジスタ40が含まれ、そのゲートは列アド
レス配線An に、一方のチャンネル電極は行データ配
線Ds に、他方のチャンネル電極は能動マトリクス液
晶表示装置(LCD)の画素の一部を形成する電極にそ
れぞれ接続されている。この種の能動マトリクスLCD
には、とくに液晶材料を挟む2枚のガラス板が含まれて
いて、それぞれに電極が取り付けられている。ガラス板
間の液晶材料は、電極間で誘電体として作動するから、
それぞれの画素毎に分離したコンデンサ42が形成され
ていることになる。トランジスタ40はスイッチとして
動作し、行データ配線に与えられた電圧を1フレーム(
フレームリフレシュ信号の時間間隔)の間だけ画素のキ
ャパシタンスに保存し、それ以外の時にはデータ配線と
当該画素とをいつも絶縁している。図2図示の実施例の
場合には、コンデンサ42の一方の板電極はトランジス
タ40の一方のチャンネル電極と接続されており、コン
デンサ42の別の板電極には適当な電位たとえば表面ガ
ラス板電位Vfpが与えられている。
い領域に亘って配列したものが、アモルファスシリコン
技術による比較的簡単かつ廉価な処理工程で製造できる
のであり、セル10のすべてのこの種の要素をモノリシ
ックな製法で同一材料から製造する。さらにアモルファ
スシリコン技法でこの種要素および内部結線とを大型で
廉価なサブストレートたとえばガラス上に生成すること
も可能である。こうして本発明の回路は、アモルファス
シリコンから製造すればガラス板を用いて直接LCDの
表面に形成することができる。しかし、セル10の要素
全部または相当な部分を単結晶または多結晶のシリコン
またはゲルマニウム等から製造して表示装置と回路機構
とを当業者周知の適当な手段で結合すれば同等の結果が
得られしかも特定の設計目的も達成できる。
ル10の作動サイクルは二つのモードに分割される。第
1のモードは検出モードであり、第2のモードは表示駆
動モードである。これらのモードは制御回路(図示せず
)で制御される。この制御回路は、アドレス手段6と復
号/駆動手段8とのインターフェイスの役目をしており
クロック信号(同じく図示せず)で同期化されている。
6(図1)の役割の一つは、順序を追ってアレイ中の各
列アドレス配線を一定の電圧レベルにまで立ち上げるこ
とである。たとえば或る時刻の列アドレス配線をまず配
線A1 から出発して逐次A2 、A3 などと立ち上
げる。 列アドレス配線は、立ち上げられてあらかじめ設定され
た時間だけ高電圧に保持され、ついで低電圧に復帰する
。適当な時間経過後、つぎの列アドレス配線の電圧が立
ち上げられてあらかじめ設定された時間だけ高電圧に保
持される。これらの処理手順は図6に図示されており、
(a)ではAn あり(b)ではAn+1 である。た
だし、このモードでは行データ配線の方はどれも低電位
に保持されている。
線と行データ配線との間に在り、フォトセンサ回路領域
12からの検出状態情報でスイッチングされるスイッチ
ング可能な電流通路として作動する。とくに光がセル1
0に入射すると、列アドレス配線の関連配線An が高
電圧に立ち上げられ、電流が当該列アドレス配線An
と関連行データ配線Ds との間を通過できるようにな
る。けれども光がセル10に入射しなければ、列アドレ
ス配線An と行データ配線Ds 間の電流通過は遮ら
れる。こうして電流が、復号/駆動手段8の役割を一部
担っているデータアドレス配線Dsをどう流れるのか吟
味することで、光がセル10に入射したかどうかを検証
することができる。
関数として取り扱えるようになるためには、帯電がアド
レス配線によって設定され、アドレス配線はまたフォト
センサ回路領域12への光入射の関数として保持または
解除される。この帯電の設定は、これから以後はセル1
0の「初期設定」として参照することとする。本実施例
について云えば、セル10はトランジスタ26のゲート
チャンネルキャパシタンスの帯電によって初期化される
ことになる。上述のように、各セル10は2個の列アド
レス配線An とAn+1 とに接続されている。今ま
で述べてきたことから、単一の列アドレス配線だけが一
定の時刻に高電圧になる。これによってセルの一義的な
識別が可能となる。云い換えれば検出モードで各画素の
照明光状態の一義的な識別が出来るようになる。セルと
関連した列アドレス配線が同じセルのすぐ上の配線であ
るのが普通であり、それが図2では、セル10と列アド
レス配線An とのことある。しかし、本発明によると
各列アドレス配線は、当該配線のすぐ上のセルを初期化
する働きもする。つまりセル10は、配線An+1 へ
の電圧の印加で初期化される。
ンネルとが同一電位であり、列アドレス配線An+1
の電圧に比して低電圧であると仮定する。つぎに、それ
ぞれの列アドレス配線に電圧を循環的に印加し、接地に
対して正の電圧たとえば10ボルト以上を列アドレス配
線An+1 に印加すると仮定する。つまり、列アドレ
ス配線An+1 は高電圧であると仮定する。ついで高
電圧がトランジスタ18のゲートに印加される。トラン
ジスタ18の第2チャンネル電極はこうしてゲートに較
べて低電圧になり、トランジスタ18のチャンネルを導
通にする(つまりトランジスタ18は「オン(ON)状
態」に移る)。この動作は、トランジスタ18の第1チ
ャンネル電極を、ひいてはトランジスタ26のゲートを
、第2チャンネル電極を介して高電圧の列アドレス配線
An+1 に接続する。そのためトランジスタ26のゲ
ート対チャンネルキャパシタンスは、列アドレス配線A
n+1 の高電圧近くまで帯電される。列アドレス配線
An+1 が低電圧状態に復帰すると、トランジスタ1
8のチャンネルは導通を止め(つまりトランジスタ18
はオフ状態に転じ)チャンネル電極間の接続は断たれる
。こうして効果的にトランジスタ26のゲートはチャン
ネルとの間の高電圧から絶縁されてこのセルを初期化す
る。
の立ち上げを続ければ、列アドレス配線An に到達す
る。検出モードと表示駆動モードといずれの場合も、当
該配線の電圧の立ち上げによってこのセル10のその配
線への下側からの接続が「可能」になる。検出モードで
は、特定セル10を下側接続可能にする効果は、セルが
初期化されて接続可能状態になっている時間内に光がセ
ル10の光電検出手段16に入射しているかどうかで決
まる。
射したと仮定する。光入射の結果は光電検出手段16の
特性によるが、説明の都合上、入射光は手段16を導電
性にすると仮定する。その結果トランジスタ26のゲー
トの高電圧と配線An+1 の低電圧の間に電流の通路
が生じる。トランジスタ26のゲートとチャンネルの間
に畜えられた電荷は放電されゲートと第1および第2チ
ャンネル電極とはほぼ同じ電圧となる。このことはトラ
ンジスタ26のチャンネルが事実上非導電性になったこ
とを意味する。キャパシタンス22の役割は、列アドレ
ス配線An をトランジスタ30のゲートと弱結合する
ことである。こうすればAn が高電圧状態になると同
じくトランジスタ30のゲートもコンデンサ22による
容量結合のため同じ高電圧状態になる。トランジスタ2
6は、実質的に結節点24と28との間の開路であるか
ら(トランジスタ固有の漏洩電流はある程度あるが)ト
ランジスタ30のゲートと行データ配線Ds の低電圧
(または接地電圧)との間に直流通路は無い。この結果
、トランジスタ30のゲートと第1チャンネル電極との
間に充分な高電位差が与えられ、そのためこのチャンネ
ルを導電性にすることが出来る。トランジスタ32のチ
ャンネル(詳細は後述)は、そのゲートが列アドレス配
線An の高電圧になり、その第1チャンネルが行デー
タ配線Ds の低電圧になるのでやはり導電性になる。 したがって、電流通路は列アドレス配線An と行デー
タ配線Ds との間に設けられる。この時点で行データ
配線Ds のポーリングは、所定の時間内(マイクロ秒
程度が典型的)に電流(マイクロアンペア程度が典型的
)が流れることを示し、適切な回路機構(図示せず)を
用いれば充分な光がセル10に入射したことを示すもの
として解釈されることになる。
ド時間内に、つまり回路の初期設定と列アドレス配線A
n の電圧立ち上げとの間に入射しなければ、トランジ
スタ26のゲートチャンネル間電位差は高電圧のままで
ある。トランジスタ26のチャンネルはそのとき導通に
なっている。このことはトランジスタ30のゲートと第
1チャンネル電極を近似的に同じ低電圧に置くから、ト
ランジスタ30のチャンネルは非導通になる。そこで列
アドレス配線An と行データ配線Ds の間にのみ許
されていた有効電流通路が、直流電流はキャパシタンス
22を通過出来ないため阻止されてしまう。この時点で
行データ配線Ds のポーリングは、きわめて低い電流
が流れることを示し、適切な回路機構(図示せず)を用
いればセル10に充分な光が入射しなかったものとして
解釈されることになる。
ルの動作は実質的に前記と変らないが以下の点で異なる
。光電検出手段16とトランジスタ18とが単一の光起
電力素子すなわちフォトダイオード12’で置き換えら
れており、列アドレス配線An+1 が高電圧ならば順
方向バイアスが掛かるように接続されている。この場合
には、トランジスタ26のゲートチャンネル間キャパシ
タンスの電荷は前述したと同様になる。列アドレス配線
An+1 が低電圧に復帰すると、トランジスタ26の
ゲートは絶縁されて元の電荷は漏洩し、トランジスタの
ゲートチャンネル間のキャパシタンスは帯電のままにと
どまる。光がフォトダイオードに入射すると、電子正孔
対が生起して光電流が流れトランジスタ26のゲートチ
ャンネルキャパシタンスを放電させる。光電流は入射光
強度に比例する。こうしてセル10のポーリングは前記
同様照明光状態の情報を与えることになる。
電流が阻止されていても)であっても漏洩電流がある程
度あるのが前述のようなセルに使用したトランジスタの
特性である。この問題は二つの見地から重要である。第
1にこのことはコンデンサ22のキャパシタンスを選択
する際に念頭に置かなければならない点である。トラン
ジスタ30のゲートとチャンネルとの間の電位差(トラ
ンジスタ26の漏洩電流のために)の放電が早すぎない
ように、コンデンサ22のキャパシタンスが充分大きく
なければならない。しかし、トランジスタ26がオン(
ON)状態のときは早く放電してしまうように充分小さ
くなければならない。第2に漏洩電流は、セルがポーリ
ングされていない時は行データ配線Ds の状態に影響
しないよう遮られなければならない。非常に沢山のセル
が他にもあって行データ配線Ds を共有していること
と、行データ配線Ds で検知されることになっている
電流がマイクロアンペアの程度であることから、データ
配線Ds に収集される漏洩電流は検知する目的の有効
データに対して過剰になるおそれがある。トランジスタ
32は、列アドレス配線An が高電圧状態に在る時以
外いつも非導通であるが、検出モードでセル10がポー
リングされている時以外はセル10を行データ配線Ds
から絶縁している。(後で述べるようにトランジスタ
32は表示制御モードではすこし違う役割を演ずる。)
った参照数字で同様の要素を参照している。図示されて
いるのは本発明の別の実施例である。図4のセル10’
が前述のセル10と異なる点は、ゲートと一方のチャン
ネル電極とが電気的に列アドレス配線An に接続され
、しかも第2のチャンネル電極が結節点24に電気的に
接続されているトランジスタ34でコンデンサ22が置
換されていることだけである。トランジスタ34の役割
の一つは、コンデンサ22−−の役割と同じく列アドレ
ス配線An をトランジスタ30のゲートと弱結合する
ことである。しかし、この変更の機能面での違いは、セ
ル10’への入力に対する応答をもっと線形にしようと
云うことである。つまり図2の実施例はデジタル応答に
より好適であり、それは充分な光がセンサ16に入射す
れば一定の電流がアドレス配線An とデータ配線Ds
との間に流れるからである(アナログ応答も所望なら
得られるが)。しかし、図4の実施例では一定のアナロ
グ応答、云い換えればアドレス配線An とデータ配線
Ds との間の電流が入射光のレベルの関数として変化
するようなグレースケール分解能を得るのにより好適で
ある。
トチャンネル間キャパシタンスの帯電は前述の通りであ
る。さらに光がセンサ16に入射した時の本実施例の動
作も前述の通りである。事実、図4の実施例の動作は光
がセンサ16に入射しなかった場合でも前述の通りであ
って、異なるのは図2の実施例でのコンデンサ22が直
流を阻止するのに反してトランジスタ34は直流電流の
通過を許すので、この実施例では、トランジスタ30の
チャンネルを通る動的電流通路を制限しなければならな
いと云う設計上の考慮が必要になる点である。トランジ
スタ26は、トランジスタ30のゲートチャンネル間の
電位差を制御するのに用いられる。この制御を遂行する
ため、トランジスタ26と34との電流搬送容量を慎重
に決める必要がある。本質的に、列アドレス配線An
が高電圧に立ち上げられるとトランジスタ34はオン(
ON)状態に移行する。こうして列アドレス配線An
は結節点24を高電圧にしようとする。しかし、光がセ
ンサ16に入射しなければトランジスタ26のゲートチ
ャンネル間電位は高くなり電流がそのチャンネルを通っ
て流れるようになる。こうして結節点24を高電圧に引
き上げようとする(トランジスタ34を介して)列アド
レス配線An に抗して、行データ配線Ds は(トラ
ンジスタ26と32を介して)結節点24を低電圧へ引
き下げようとする傾向をもつ。トランジスタ34と26
とのそれぞれのアスペクトレシオを適当に選択すれば、
これらトランジスタの電流容量は決定されて、トランジ
スタ34を通る電流は照明光が当たらなければ行データ
配線Ds の検知の限界値以下に成るが、照明光が当た
れば結節点24を列アドレス配線An と同じ高電圧に
まで立ち上げるよう充分な大きさになる。さらにトラン
ジスタ26の電流容量がトランジスタ34の電流容量よ
り遥かに大きくしてあれば、データ配線Ds により結
節点24の電圧を引き上げることは、アドレス配線An
により結節点24の電圧を引き上げることより勝り、
したがって回路は結節点24を低電圧の状態に設定され
る。このような場合には、トランジスタ30のゲートチ
ャンネル間電位差はそのオン移行の限界値以下となって
電流は列アドレス配線An と行データ配線Ds 間に
流れず、光がセンサ16に入射しない場合の所望結果と
同じになる。
のゲートに弱結合するという、コンデンサ22とトラン
ジスタ34の役割は、図5図示の抵抗34’のように抵
抗も使うことにより果たすことが出来る。図5の装置の
動作は、トランジスタ34に関する前述のそれとほとん
ど同じである。こちらの実施例の場合、前記同様各種素
子の電流容量のことを配慮する必要がある。
うにセル10’を用いて行われる。トランジスタ26の
ゲートチャンネル間の電位差は、センサ16に入射する
光量で制御される。つまりセンサ16の入射光量が多け
れば多いほどトランジスタ26のゲートチャンネル間の
最終電位差は低くなる。さらに放電レベルがトランジス
タ26のチャンネルを流れる電流の量を制御する。こう
した機能はトランジスタ34の働きで行われるものであ
ってトランジスタ26のチャンネルに電流を通すことが
出来、このことはコンデンサ22による電流の阻止と対
照的なことである。その結果トランジスタ30のゲート
と結節点28と接続するチャンネル電極との間の電位差
が制御される。最後に入射光量によってトランジスタ3
0のチャンネルを流れる電流が制御される。この時点で
データ配線Ds のポーリングは、センサ16の入射光
量で確定された電流の値を得ることになる。
る。各列アドレス配線は、それぞれあらかじめ決められ
た時間内は高電圧に保たれており、この時間とは、二つ
の前述モードにさらに第3の放電モードを加えたモード
にしたがって分割された時間である。コンデンサ42は
、セル10の検出直前に帯電しているので、このコンデ
ンサを放電しておくことが必要であって、そうすれば電
流に対する配線Ds の測定に影響しないで済む。この
仕事は、トランジスタ40を導通にすればよく、配線D
s の方は低電圧に抑えるかさもなければ接地する。つ
いでコンデンサ42をトランジスタ40のチャンネルを
介して放電させる。図6を参照するとこの状況は(a)
と(c)の領域100に表されている。領域102では
検出モードでの配線An の状態が表され、他方、領域
104では配線An に対する表示駆動モードが表され
ている。この期間中、データ配線Ds は復号/駆動手
段8によって適当な電圧に駆動されており、この電圧が
トランジスタ40を介してコンデンサ42に転送されA
n が低電圧になってもコンデンサ42は所望の電圧に
留るようにしてある。
表している。表示駆動モードでの配線Ds の駆動電圧
は充分高いので(たとえば10ボルト以上)、セルの初
期設定とポーリングとの間でフォトセンサ回路領域12
と電流導通領域14の両方またはどちらか一方の結節点
とキャパシタンスとを帯電でき、そこで生じる過渡状態
は反対に回路の状態に影響を与える筈である。こうして
トランジスタ32は、セル10の初期設定時とポーリン
グ時との間に、フォトセンサ回路領域12と電流導通領
域14とを配線Ds から絶縁するように設定される。 初期設定時とポーリング時との間の時間は、列アドレス
配線An が低電圧である時に対応する(但し行データ
配線Ds が低電圧に保持されている時、センサモード
に予定されている時間100は別にして)ので、トラン
ジスタ32がフォトセンサ回路領域12と電流導通領域
14とを配線Ds の状態から絶縁している時間とはA
n が低電圧になっている時間である。こうしてトラン
ジスタ32のゲートが配線An に接続される。行デー
タ配線Ds は時間100の間中は表示駆動モードとし
て帯電されないから、トランジスタ32はフォトセンサ
回路領域12と電流導通領域14とを絶縁が必要な全期
間に亘って絶縁する。
ングに無関係な検出・表示装置であって、セル当たりの
所要内部結線は2個のみである。このことは各アドレス
配線の下にセルのセンサ・表示回路を設置し、そして各
アドレス配線の上でセルの各センサ回路をリセットする
ようにセルを構成すれば達成できる。この構造を採用し
た結果、検出・表示部分間での物理的分離は最小限で済
み、しかも電気的絶縁は充分に維持されるから、検出回
路機構に表示駆動電位が出力されることによる有害な作
用を防ぐことが出来、その上短い時間内に検出と表示駆
動とのどちらに対しても時間を適切に割り振ることが出
来る。
フォトセンサ回路領域12と電流導通領域14に関して
述べたTFTについての説明や作動と同様である。こう
してTFT40がアモルファスシリコンで形成できるだ
けでなく、セル10の全体も(但しLCDは除いて)大
面積形式で比較的簡単かつ廉価なアモルファスシリコン
技法を利用した処理工程を用いてモノリシックに形成す
ることが出来る。けれども前述したように、セル10の
全要素の内の相当部分または全体を単結晶または多結晶
シリコン、ゲルマニウム等で製造しても同等の結果が得
られるし、なお特殊な設計のものも実現出来る。
は、本発明の構造を変えたり大幅に違う形の実施例や応
用を本発明の思想と適用範囲とを逸脱せずに考えること
が出来る。たとえば、カラーフィルタで本発明のセンサ
個々、センサアレイの一部さもなければセンサアレイの
全体を覆うことによって特定の波長の光を選択的に感知
することは可能である。たとえば、画素に青色フィルタ
を掛ければこの画素は赤色光の入射に対して比較的感度
が鈍くなる。この性質はカラー画像をデジタル化したり
、多重ペンシステムの使用に際して異なる「色の」光ペ
ンの間の区別をつけたり、あるいはその他の色の区別を
することが重要な役割を演じる場合に役に立つ。さらに
センサ自体の特性でスペクトルの可視域外の電磁輻射ま
たは電離放射線が入射したときでも検出することが出来
る。たとえば、センサにはX線放射、赤外線放射、中性
子入射などの検出に適した種類もある。さらに特定のフ
ィルタを用いると可視域外の電磁スペクトルの特定の部
分だけを検出できるようにも出来る。カラー表示装置と
してはやはりLCDの画素にカラーフィルタを選択的に
載せれば本発明が適用出来る。
タ40に制御電位を選択させて表示素子に接続しこの制
御電位に表示素子の光学特性を調整させるよう利用する
ものがある。こうしてたとえばエレクトロルミネセンス
素子、LED等のような別種の表示装置もLCDの代り
に用いることが出来る。
形要素をTFTの代りに使ってもよい。さらに状況によ
っては、検出装置をどのセルにも配置するのでなくたと
えば一つおきに配置する方が望ましい場合もある。
べて可能なものであり本発明の意図する範囲に属する。 これらの各種具体例は実現に移された実施例によってお
り、本開示に基づく当業者の一技術範囲に属する。この
ようにここで行った開示と記述は例示的なものであり、
いかなる意味でも本記述の内容は本発明に制限を課する
ものではない。
て取り扱われる型のセンサ・表示駆動装置を有する2次
元アレイを図示する。
回路の詳細な模式図を図示する。
る別のセンサ・表示駆動回路の実施例の部分的模式図を
図示する。
動回路の詳細な模式図を図示する。
る別のセンサ・表示駆動回路の実施例の部分的模式図を
図示する。
上の実施例にしたがい各種配線の相互間でのおよびクロ
ック信号に関するタイミングおよび状態を図示する。
8 復号/駆動手段、 10,10’ セル、1
2 フォトセンサ回路領域、12’フォトダイオード
、14導電領域、15 表示駆動領域、16 光電
検出手段、18,26,30,32,34,40 ト
ランジスタ、20,24,28 結節点、22,42
コンデンサ、34’抵抗
Claims (1)
- 【請求項1】 輻射線の入射に応じた利得を伴って検
出状態情報を提供することの出来る画像検出のための手
段であって、印加された初期設定信号で初期化され、か
つ印加された動作可能信号で動作可能とされる画像検出
手段と、印加された駆動信号に応じて表示を駆動する手
段であって、印加された動作可能信号によって動作可能
とされる表示駆動手段と、前記画像検出手段と前記表示
駆動手段とに動作可能信号を提供する第1内部結線手段
と、前記画像検出手段に初期設定信号を提供する第2内
部結線手段と、前記画像検出手段から前記検出状態情報
を受信して前記表示駆動手段に駆動信号を提供する第3
の内部結線手段とを備えるセンサ・表示駆動装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country | Link |
---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000324 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 9 |
|
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