JPH0429310A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0429310A JPH0429310A JP2134537A JP13453790A JPH0429310A JP H0429310 A JPH0429310 A JP H0429310A JP 2134537 A JP2134537 A JP 2134537A JP 13453790 A JP13453790 A JP 13453790A JP H0429310 A JPH0429310 A JP H0429310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- exposure
- section
- foreign matter
- sequencer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縮小投影型の露光装置に関する。
第３図は従来の露光装置の一例を示すブロック図である
。従来、この種の縮小投影型の露光装置は、例えば、同
図に示すように、レチクルに光を透過してウェーハに前
記レチクルのパターンを露光する光学系を含む露光機構
部１６と、ウェーハの投影すべき位置にウェーハを位置
決めするウェーハアライメント部１５と、ウェーハを搭
載し、ウェーハを移動させるステージ部１４と、レチク
ルのパターンを位置決めするレチクルアライ、メント部
１３と、レチクルを搬送し、レチクルを所定の位置に位
置決めするとともにレチクルに異物があるか否かを検査
する搬送部１１及び異物検査部１２と、これら各部を制
御する制御部６〜１ｏ及びプログラマフルのシーケンサ
５ａ〜５ｅと、これらシーケンサを指令制御し、パスラ
イン１９で接続するマイクロコンピュータ４とで構成さ
れている。
。従来、この種の縮小投影型の露光装置は、例えば、同
図に示すように、レチクルに光を透過してウェーハに前
記レチクルのパターンを露光する光学系を含む露光機構
部１６と、ウェーハの投影すべき位置にウェーハを位置
決めするウェーハアライメント部１５と、ウェーハを搭
載し、ウェーハを移動させるステージ部１４と、レチク
ルのパターンを位置決めするレチクルアライ、メント部
１３と、レチクルを搬送し、レチクルを所定の位置に位
置決めするとともにレチクルに異物があるか否かを検査
する搬送部１１及び異物検査部１２と、これら各部を制
御する制御部６〜１ｏ及びプログラマフルのシーケンサ
５ａ〜５ｅと、これらシーケンサを指令制御し、パスラ
イン１９で接続するマイクロコンピュータ４とで構成さ
れている。
第４図は第３図の露光装置の動作を説明するための流れ
図、第５図は第３図の露光装置のレチクルの搬送経路を
説明するためのブロック図である。
図、第５図は第３図の露光装置のレチクルの搬送経路を
説明するためのブロック図である。
次に、この露光装置の動作を説明する。まず、第４図の
くレチクル交換パラメータ設定）で、レチクルを選定し
、第５図に示すように、搬送部１１によりレチクル２３
をケースに入れた状態で収納部２２から搬送し、異物検
査部１２に収納し、位置決めする０次に、第４図のくレ
チクル異物検査）で、第５図の異物検査部１２でレチク
ル２３に異物が付着しているか否かを検査する。次に、
第４図の（合格か？）でＹｅｓなら、（レチクル搬送）
で、第５図のレチクル２３を搬送部１１により、異物検
査部１２から搬送し、露光装置本体１７のレチクルのス
テージに位置決めする。次に、第４図のくレチクルアラ
イメント）で、パターンの目合せを行ない、（露光）で
ウェーハにレチクルのパターンを露光する。また、前述
の（合格か？）で、ＮＯなら、ケースにレチクルを収納
し、第４図のくレチクル洗浄）で、洗浄装置に送り、洗
浄し、再び、第５図に示す収納部２２に収納する。
くレチクル交換パラメータ設定）で、レチクルを選定し
、第５図に示すように、搬送部１１によりレチクル２３
をケースに入れた状態で収納部２２から搬送し、異物検
査部１２に収納し、位置決めする０次に、第４図のくレ
チクル異物検査）で、第５図の異物検査部１２でレチク
ル２３に異物が付着しているか否かを検査する。次に、
第４図の（合格か？）でＹｅｓなら、（レチクル搬送）
で、第５図のレチクル２３を搬送部１１により、異物検
査部１２から搬送し、露光装置本体１７のレチクルのス
テージに位置決めする。次に、第４図のくレチクルアラ
イメント）で、パターンの目合せを行ない、（露光）で
ウェーハにレチクルのパターンを露光する。また、前述
の（合格か？）で、ＮＯなら、ケースにレチクルを収納
し、第４図のくレチクル洗浄）で、洗浄装置に送り、洗
浄し、再び、第５図に示す収納部２２に収納する。
次に、露光が終了したら、（レチクル交換を行なうか？
）で、他のパターンをもつレチクルで露光する必要があ
るときは、Ｙｅｓで、レチクル２３は、第５図に示すよ
うに、露光装置本体１７より引出され、搬送部１１より
露光装置本体１７がら収納部２２に送られ、収納される
。そして、再び、第４図のくレチクル交換パラメータ設
定）で、レチクルを指定し、収納部２２より取り出し、
前述と同様に露光を行なう。また、前述の（レチクル交
換を行なうか？）で、Ｎｏであれば、（再度露光するか
？）の判断で、ＮＯであれば露光を終了するか、Ｙｅｓ
なら、もう−度、同じレチクルで露光するかを指令する
。そして、終了なら、搬送部１１によりレチクル２３は
収納部２２に収納する。もし、同一のレチクルで再処理
であれば、露光を行なう。
）で、他のパターンをもつレチクルで露光する必要があ
るときは、Ｙｅｓで、レチクル２３は、第５図に示すよ
うに、露光装置本体１７より引出され、搬送部１１より
露光装置本体１７がら収納部２２に送られ、収納される
。そして、再び、第４図のくレチクル交換パラメータ設
定）で、レチクルを指定し、収納部２２より取り出し、
前述と同様に露光を行なう。また、前述の（レチクル交
換を行なうか？）で、Ｎｏであれば、（再度露光するか
？）の判断で、ＮＯであれば露光を終了するか、Ｙｅｓ
なら、もう−度、同じレチクルで露光するかを指令する
。そして、終了なら、搬送部１１によりレチクル２３は
収納部２２に収納する。もし、同一のレチクルで再処理
であれば、露光を行なう。
このように、露光装置の各部は、それぞれの制御系とシ
ーケンサにより、レチクルの選定、異物検査、レチクル
の露光装置本体への挿入、アライメント及び露光という
シーケンジャンルに動作制御されていた６ 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の露光装置では、各部を動作させる制御部
及びシーケンサが、レチクルの選定から露光までの動作
がシーケンシャルに動作するので、露光前のレチクル異
物検査及び判定での不良レチクルの交換等の動作が装置
の稼働時間を多くを占める。例えば、レチクルの洗浄時
間を含めると、稼働可能時間の実に３０％になるという
。このことは、露光装置の実際に露光する稼働率を低下
させるという問題がある。
ーケンサにより、レチクルの選定、異物検査、レチクル
の露光装置本体への挿入、アライメント及び露光という
シーケンジャンルに動作制御されていた６ 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の露光装置では、各部を動作させる制御部
及びシーケンサが、レチクルの選定から露光までの動作
がシーケンシャルに動作するので、露光前のレチクル異
物検査及び判定での不良レチクルの交換等の動作が装置
の稼働時間を多くを占める。例えば、レチクルの洗浄時
間を含めると、稼働可能時間の実に３０％になるという
。このことは、露光装置の実際に露光する稼働率を低下
させるという問題がある。
本発明の目的は、かかる問題を解消する露光装置のレチ
クル貰物検査システムを提供することである。
クル貰物検査システムを提供することである。
本発明の露光装置は、レチクルに光を透過してウェーハ
に前記レチクルのパターンを露光する光学系を含む露光
機構部と、前記レチクルを搬送するレチクル搬送部と、
前記レチクルに異物が付着しているか否かを検査するレ
チクル異物検査部と、これらを制御するシーケンサ及び
制御部と、装置全体を指令制復するマイクロコンピュー
タとを有する露光装置において、前記レチクル搬送部と
前記レチクル異物検査部をそれぞれ独立して動作制御す
るシーケンサと、このシーケンサに動作条件を入力する
入力部とを備え、前記露光機構部の露光動作と並列に前
記レチクル搬送部と前記レチクル異物検査部とを動作す
ることを特徴としている。
に前記レチクルのパターンを露光する光学系を含む露光
機構部と、前記レチクルを搬送するレチクル搬送部と、
前記レチクルに異物が付着しているか否かを検査するレ
チクル異物検査部と、これらを制御するシーケンサ及び
制御部と、装置全体を指令制復するマイクロコンピュー
タとを有する露光装置において、前記レチクル搬送部と
前記レチクル異物検査部をそれぞれ独立して動作制御す
るシーケンサと、このシーケンサに動作条件を入力する
入力部とを備え、前記露光機構部の露光動作と並列に前
記レチクル搬送部と前記レチクル異物検査部とを動作す
ることを特徴としている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す露光装置のブロック図
である。この露光装置は、レチクルの搬送部１１及び異
物検査部１２を動作制御する制御部６にそれぞれに動作
シーケンスを指示する独立のシーケンサ１８及び３と、
マイクロコンビュータ４より露光処理動作情報を受けて
レチクルの異物検査部１２のシーケンサ３にインターフ
ェース２を介して露光動作と並行して動作を指令する入
力部である端末機１とを設けたことである。それ以外は
従来と同じである。
である。この露光装置は、レチクルの搬送部１１及び異
物検査部１２を動作制御する制御部６にそれぞれに動作
シーケンスを指示する独立のシーケンサ１８及び３と、
マイクロコンビュータ４より露光処理動作情報を受けて
レチクルの異物検査部１２のシーケンサ３にインターフ
ェース２を介して露光動作と並行して動作を指令する入
力部である端末機１とを設けたことである。それ以外は
従来と同じである。
次に、この露光装置の動作を説明する。第２図は第１図
の露光装置の動作を説明するための流れ図である。まず
、第２図のその１に示す（レチクル交換パラメータ設定
）で、露光機構部にセットすべきレチクルのスロット番
号、名称、異物検査条件及びレチクルアライメント条件
の全てを入力する。次に、（レチクル異物検査）で、設
定された異物検査条件、例えば、検査範囲、合否判定基
準に基すき異物検査する。次に、（合格か？）で、Ｙｅ
ｓなら、（レチクル搬送）で、異物検査部より露光機構
部にレチクルを搬送し、露光機横部にセットする。
の露光装置の動作を説明するための流れ図である。まず
、第２図のその１に示す（レチクル交換パラメータ設定
）で、露光機構部にセットすべきレチクルのスロット番
号、名称、異物検査条件及びレチクルアライメント条件
の全てを入力する。次に、（レチクル異物検査）で、設
定された異物検査条件、例えば、検査範囲、合否判定基
準に基すき異物検査する。次に、（合格か？）で、Ｙｅ
ｓなら、（レチクル搬送）で、異物検査部より露光機構
部にレチクルを搬送し、露光機横部にセットする。
次に、（レチクルアライメント）で、レチクルの位置合
せを行なう。次に、（露光条件設定）で、露光時間及び
フォーカスを設定する。次に、（レチクルの予約？）で
、露光処理中に次に使用するレチクルの異物検査の並列
処理を行なうか否かを選択させる。もし、ここでＹｅｓ
ならば、予約されたレチクルの異物検査を行なう、また
、ＹｅｓでもＮｏでも、次に、（ウェーハアライメント
）でウェーハとレチクルの目合せを行なう。次に、（露
光）で、ステップアンドリピート露光を行なう。
せを行なう。次に、（露光条件設定）で、露光時間及び
フォーカスを設定する。次に、（レチクルの予約？）で
、露光処理中に次に使用するレチクルの異物検査の並列
処理を行なうか否かを選択させる。もし、ここでＹｅｓ
ならば、予約されたレチクルの異物検査を行なう、また
、ＹｅｓでもＮｏでも、次に、（ウェーハアライメント
）でウェーハとレチクルの目合せを行なう。次に、（露
光）で、ステップアンドリピート露光を行なう。
次に、第２図のその２に示す（全ウェーハ処理したか？
）で、Ｙｅｓなら、次に、（同じレチクルで再露光する
か？）で、ＮＯで、しかも（レチクル交換するか？）で
、ＮＯなら、露光を終了する。
）で、Ｙｅｓなら、次に、（同じレチクルで再露光する
か？）で、ＮＯで、しかも（レチクル交換するか？）で
、ＮＯなら、露光を終了する。
また、前述に戻り、第２図のその１に示す（合格か？）
でＮＯなら、（レチクルをケースに収納）で、異物検査
で不合格になったレチクルは、ケースに収納される。次
に、（レチクル洗浄）で露光装置外にある洗浄装置でレ
チクルを洗浄する。次に、（レチクル予約で不合格のレ
チクルか？）で、ＮＯであれば、そのまま、収納部に棚
入れされる。
でＮＯなら、（レチクルをケースに収納）で、異物検査
で不合格になったレチクルは、ケースに収納される。次
に、（レチクル洗浄）で露光装置外にある洗浄装置でレ
チクルを洗浄する。次に、（レチクル予約で不合格のレ
チクルか？）で、ＮＯであれば、そのまま、収納部に棚
入れされる。
また、Ｙｅｓなら、レチクルは異物検査部に送られる。
次に、（異物検査パラメータ設定）で、端末機にレチク
ル名、検査範囲、判定方法を入力する。
ル名、検査範囲、判定方法を入力する。
この工程動作は、露光中に、異物検査が不合格になった
レチクルを再度検査を行なうことである。
レチクルを再度検査を行なうことである。
次に、（異物検査）で異物検査を行なう。次に、（合格
か？）で、Ｙｅｓなら、（！！物検査部で待機）で、レ
チクルを異物検査部で待機せておく。
か？）で、Ｙｅｓなら、（！！物検査部で待機）で、レ
チクルを異物検査部で待機せておく。
また、Ｎｏであれば、（レチクル洗浄）で再度洗浄する
。次に、第２図のその２の（レチクル交換するかつ）の
判定がＹｅｓであれば、（予約したレチクルを交換する
か？）で、Ｎｏであれば、予約したレチクルか否かを再
調査する。このことは、露光装置では、異物検査しない
レチクルを絶対に使用しないためのインターロックであ
る。また、Ｙｅｓなら、（レチクル交換パラメータ設定
）で、前述の第２図その１の（レチクル交換パラメータ
設定）と同じパラメータを設定する。
。次に、第２図のその２の（レチクル交換するかつ）の
判定がＹｅｓであれば、（予約したレチクルを交換する
か？）で、Ｎｏであれば、予約したレチクルか否かを再
調査する。このことは、露光装置では、異物検査しない
レチクルを絶対に使用しないためのインターロックであ
る。また、Ｙｅｓなら、（レチクル交換パラメータ設定
）で、前述の第２図その１の（レチクル交換パラメータ
設定）と同じパラメータを設定する。
次に、（露光機構部内に使用済みのレチクルがあるか？
）で、Ｙｅｓなら（使用済みレチクルをケースに収納）
で、露光機構部より使用済みのレチクルを取出し、ケー
スに収納する０次に、第２図のその１に示す（レチクル
搬送）で、前述の異物検査部で待機しているレチクルを
搬送し、露光機構部に搬送し、セットする。
）で、Ｙｅｓなら（使用済みレチクルをケースに収納）
で、露光機構部より使用済みのレチクルを取出し、ケー
スに収納する０次に、第２図のその１に示す（レチクル
搬送）で、前述の異物検査部で待機しているレチクルを
搬送し、露光機構部に搬送し、セットする。
一方、第２図のその２で、（同じレチクルで再露光する
か？）でＹｅｓなら、（露光条件設定）より再度露光す
る。また、（全ウェーハ処理したか？）で、Ｎｏなら、
（ウェーハアライメント）より、再度露光する。
か？）でＹｅｓなら、（露光条件設定）より再度露光す
る。また、（全ウェーハ処理したか？）で、Ｎｏなら、
（ウェーハアライメント）より、再度露光する。
このように、露光機構部でウェーハにパターンを露光し
ている間でも、レチクルの搬送部及び異物検査部を独立
して動作し得るので、従来のレチクルの交換に要した時
間が半分以下となり、実際の露光する稼働時間を増加す
ることが出来た。
ている間でも、レチクルの搬送部及び異物検査部を独立
して動作し得るので、従来のレチクルの交換に要した時
間が半分以下となり、実際の露光する稼働時間を増加す
ることが出来た。
また、この実施例は一台の露光装置での実施例で説明し
たが、例えば、ホストコンピュータを備え、複数のこの
露光装置を制御することが出来ることは、明きらかであ
る。
たが、例えば、ホストコンピュータを備え、複数のこの
露光装置を制御することが出来ることは、明きらかであ
る。
以上説明したように本発明は、レチクルの搬送部及び異
物検査部を動作制御するプログラマブルなシーケンサと
、このシーケンサを指令する入力部とを設けることによ
って、露光中にレチクルの搬送及び異物検査を行なえる
ので、露光の占る時間を多くとれ、実質稼働率の高い露
光装置が得られるという効果がある。
物検査部を動作制御するプログラマブルなシーケンサと
、このシーケンサを指令する入力部とを設けることによ
って、露光中にレチクルの搬送及び異物検査を行なえる
ので、露光の占る時間を多くとれ、実質稼働率の高い露
光装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す露光装置のブロック図
、第２図は第１図の露光装置の動作を説明するための流
れ図、第３図は従来の露光装置の一例を示すブロック図
、第４図は第３図の露光装置の動作を説明するための流
れ図、第５図は第３図の露光装置のレチクルの搬送経路
を説明するためのブロック図である。 １・−・端末機、２・・・インターフェース、３．５ａ
、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、１８ ・・・シーケンサ、
６．７．８．９．１０・・・制御部、１１・・・搬送部
、１２・・・異物検査部、１３・・・レチクルアライメ
ント部、１４・・−ステージ部、１５・・・ウェーハア
ライメント部、１６−・・露光機構部、１７・・・露光
装置本体、１９・・・パスライン、２２・・・レチクル
、２３・・−収納部。
、第２図は第１図の露光装置の動作を説明するための流
れ図、第３図は従来の露光装置の一例を示すブロック図
、第４図は第３図の露光装置の動作を説明するための流
れ図、第５図は第３図の露光装置のレチクルの搬送経路
を説明するためのブロック図である。 １・−・端末機、２・・・インターフェース、３．５ａ
、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、１８ ・・・シーケンサ、
６．７．８．９．１０・・・制御部、１１・・・搬送部
、１２・・・異物検査部、１３・・・レチクルアライメ
ント部、１４・・−ステージ部、１５・・・ウェーハア
ライメント部、１６−・・露光機構部、１７・・・露光
装置本体、１９・・・パスライン、２２・・・レチクル
、２３・・−収納部。
Claims (1)
- レチクルに光を透過してウェーハに前記レチクルのパ
ターンを露光する光学系を含む露光機構部と、前記レチ
クルを搬送するレチクル搬送部と、前記レチクルに異物
が付着しているか否かを検査するレチクル異物検査部と
、これらを制御するシーケンサ及び制御部と、装置全体
を指令制御するマイクロコンピュータとを有する露光装
置において、前記レチクル搬送部と前記レチクル異物検
査部をそれぞれ独立して動作制御するシーケンサと、こ
のシーケンサに動作条件を入力する入力部とを備え、前
記露光機構部の露光動作と並列に前記レチクル搬送部と
前記レチクル異物検査部とを動作することを特徴とする
露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134537A JPH0429310A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2134537A JPH0429310A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429310A true JPH0429310A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15130634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2134537A Pending JPH0429310A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013094554A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | シャープ株式会社 | 露光システム、露光システムの制御装置、および露光システムの制御方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214020A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の露光装置 |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP2134537A patent/JPH0429310A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214020A (ja) * | 1988-02-22 | 1989-08-28 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の露光装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013094554A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | シャープ株式会社 | 露光システム、露光システムの制御装置、および露光システムの制御方法 |
| CN103999192A (zh) * | 2011-12-20 | 2014-08-20 | 夏普株式会社 | 曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法 |
| JPWO2013094554A1 (ja) * | 2011-12-20 | 2015-04-27 | シャープ株式会社 | 露光システム、露光システムの制御装置、および露光システムの制御方法 |
| CN103999192B (zh) * | 2011-12-20 | 2017-03-08 | 夏普株式会社 | 曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005340848A (ja) | 機械におけるタスクを計画する方法、機械を制御する方法、管理機械用制御システム、リソグラフィ機器、リソグラフィ処理セル、及びコンピュータ・プログラム | |
| JP3237854B2 (ja) | 処理ステーションの管理装置 | |
| JP4983724B2 (ja) | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体 | |
| JP2000164481A (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| US20020176060A1 (en) | Semiconductor exposure apparatus and method of driving the same | |
| JPH0429310A (ja) | 露光装置 | |
| JP2869826B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| US6320402B1 (en) | Parallel inspection of semiconductor wafers by a plurality of different inspection stations to maximize throughput | |
| US7326505B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
| JPS62179116A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03293712A (ja) | 半導体ウェーハの処理装置 | |
| JP4489547B2 (ja) | フォトマスクの搬送方法、露光方法及び露光処理システム、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPS60182727A (ja) | 自動ウエハ処理装置 | |
| JPS6242526A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JP3706955B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH118186A (ja) | レクチルの搬送方法および搬送装置 | |
| JP3327234B2 (ja) | デバイス製造支援装置、デバイス製造システム、及びデバイス製造方法 | |
| JP3235625B2 (ja) | 試料搬送装置 | |
| JPH0346317A (ja) | ウエハ露光装置およびウエハ多重露光方法 | |
| JP3818620B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH1098086A (ja) | 半導体製造装置および露光制御方法 | |
| JPS6225417A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000323392A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3013359B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| JP2002057087A (ja) | 露光装置 |