CN103999192B - 曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法 - Google Patents

曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103999192B
CN103999192B CN201280062403.8A CN201280062403A CN103999192B CN 103999192 B CN103999192 B CN 103999192B CN 201280062403 A CN201280062403 A CN 201280062403A CN 103999192 B CN103999192 B CN 103999192B
Authority
CN
China
Prior art keywords
exposure
mentioned
mask
aforesaid substrate
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201280062403.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103999192A (zh
Inventor
大畑公孝
木村忠信
大河原直人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN103999192A publication Critical patent/CN103999192A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103999192B publication Critical patent/CN103999192B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供使掩模更换时的掩模选择有效率、能进行短时间的掩模更换的曝光系统。曝光系统(1)具备:曝光装置(10),其通过掩模对基板照射光;以及控制部(30),其控制曝光装置(10)。控制部(30)从曝光装置(10)实时地接收表示掩模存在于曝光装置(10)内的哪个位置的位置信息,基于位置信息选择在接下来处理的基板的曝光中使用的掩模。

Description

曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法
技术领域
本发明涉及用于对基板进行曝光处理的曝光系统、以及该曝光系统的控制装置和控制方法。
背景技术
现有的与曝光系统有关的技术例如在特开2001-291756号公报(专利文献1)中公开。在特开2001-291756号公报(专利文献1)中公开了如下曝光系统:在用和与已经进行曝光处理的基板对应的掩模相同的掩模进行曝光处理的基板搭载于基板运送机器人的情况下,对用相同的掩模处理的基板优先进行曝光处理,使掩模的更换次数减少。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2001-291756号公报
发明内容
发明要解决的问题
在曝光系统中,有时在一片基板的曝光处理结束后指示更换为与接下来应曝光处理的基板对应的掩模。在特开2001-291756号公报(专利文献1)记载的曝光系统中,即使在收到这样的更换指示的情况下,也是优先处理不更换掩模就能进行曝光处理的基板。因此,有期望的基板的曝光处理延迟、生产率反而下降的问题。
另外,在曝光系统中,为了确保对基板曝光的质量,需要定期地清洗掩模。在特开2001-291756号公报(专利文献1)记载的曝光系统中,优先处理不更换掩模就能进行曝光处理的基板,由此,不进行需要的掩模的清洗,有可能使用在曝光处理时升华物原样附着的掩模进行曝光处理。其结果是,有基板的曝光质量降低的问题。
本发明是鉴于上述的问题而完成的,其主要目的是提供使掩模更换时的掩模选择有效率、能以更短时间进行掩模更换的曝光系统。另外,本发明的其他目的是提供能进行定期的掩模清洗、能确保基板的曝光质量的曝光系统。另外,本发明的另一其他目的是提供避免在曝光处理中继续使用发生异常的掩模、确保基板的曝光质量的曝光系统。
用于解决问题的方案
本发明的曝光系统具备:曝光装置,其对基板照射光;多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及控制部,其控制上述曝光装置和上述多个掩模。上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从曝光装置接收表示曝光装置内的掩模的位置的位置信息,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于位置信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。在此,从曝光装置或者曝光系统所包含的其他装置向控制部传递信息的时间并不特别受到限定。例如,可以实时地向控制部传递信息,或者可以仅在改变装置的状态时向控制部传递信息。
在上述曝光系统中,优选曝光装置具有头部,掩模为了对基板曝光而安装到头部,掩模的位置信息包含:正在向头部安装的掩模的位置;已经安装到头部的掩模的位置;以及正在从头部脱离的掩模的位置。
在上述曝光系统中,优选控制部优先选择正在向头部安装的掩模作为在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
在上述曝光系统中,优选控制部不选择正在从头部脱离的掩模作为在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
在上述曝光系统中,优选曝光装置具有:在曝光装置内暂时保管掩模的缓冲器;以及次使用曝光掩模缓冲器,接下来安装于头部的掩模在次使用曝光掩模缓冲器中等待,位置信息包含:停留于缓冲器中的掩模的位置;以及停留于次使用曝光掩模缓冲器中的掩模的位置。
在上述曝光系统中,优选位置信息包含正在送入到曝光装置中的掩模的位置。
本发明的其他方面的曝光系统具备:对基板照射光的曝光装置;用于对上述基板的曝光处理的多个掩模;清洗掩模的掩模清洗装置;以及控制曝光装置和上述多个掩模的控制部,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光。控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从掩模清洗装置接收掩模清洗装置清洗掩模的清洗日期和时刻,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于清洗日期和时刻从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
在上述曝光系统中,优选控制部不选择从清洗日期和时刻到当前时刻为规定时间以上的掩模作为在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
本发明的又一方面的曝光系统具备:曝光装置,其对基板照射光;多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及控制部,其控制曝光装置和上述多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光。控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从曝光装置接收为了基板的曝光处理而使用掩模的处理次数,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于处理次数从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
在上述曝光系统中,优选控制部不选择处理次数为规定次数以上的掩模作为在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
本发明的又一方面的曝光系统具备:曝光装置,其对基板照射光;多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及控制部,其控制曝光装置和上述多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光。控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从曝光装置接收表示用于当前基板的曝光的掩模发生异常的异常信息,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于异常信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
在上述曝光系统中,优选控制部不选择发生异常的掩模作为在接下来曝光的基板的曝光中使用的掩模。
发明效果
根据本发明的曝光系统,能使掩模更换时的掩模选择有效率,所以能以更短时间进行掩模更换。另外,能定期地清洗掩模,所以能确保基板的曝光质量。另外,能在以后的曝光处理中更换发生异常的掩模,所以能确保基板的曝光质量。
附图说明
图1是示出曝光装置的构成概略的示意图。
图2是从侧面观察曝光装置的内部的一部分的示意图。
图3是示出在曝光装置内曝光的基板和掩模的关系的示意图。
图4是示出用于对基板的曝光处理的掩模的概略构成的示意图。
图5是示出通过使用本实施方式的曝光系统的曝光处理得到的对象的机型和表示每种机型的曝光处理条件的处方、以及用于每个处方的掩模的关系的示意图。
图6是示出本实施方式的曝光系统的构成概略的框图。
图7是示出在用于曝光处理的掩模的选择之前的预处理的一例的流程图。
图8是示出掩模的选择方法的一例的流程图。
图9是示出曝光装置内的掩模的位置信息的图。
图10是示出基于曝光装置内的掩模的位置信息选择掩模的子程序的一例的流程图。
图11是示出基于曝光处理中的掩模的报警的发生的掩模的选择的流程图。
图12是示出在曝光处理中能再次使用“不可使用”状态的掩模的处理的流程图。
具体实施方式
下面,基于附图说明本发明的实施方式。此外,在下面的附图中,对相同或者相当的部分标注相同的附图标记,其说明将不再重复。
图1是示出曝光装置10的构成概略的示意图。曝光装置10是对液晶面板用的玻璃基板或者半导体基板等曝光对象的基板照射光的装置。曝光装置10具有在曝光处理时搭载基板的载物台11和盒搭载部12。盒搭载部12形成有多个口13、13。口13是为了载置收纳有曝光对象的基板的盒而设置的、曝光装置10内的盒的放置场所。曝光装置10形成有送出送入部14。作为基板进入的盒子的盒经由送出送入部14被送入到曝光装置10内,且经由送出送入部14从曝光装置10被送出。
曝光装置10还具有:缓冲器16,其收纳多个用于将图案转印到基板的掩模或者中间掩模等底版(下面仅称为掩模);以及使在接下来曝光处理中使用的掩模等待的次使用掩模缓冲器17。基板的曝光处理所需的掩模在被送入到曝光装置10内后,在设于曝光装置10内的缓冲器16中暂时保管。掩模由未图示的掩模运送装置适当地从缓冲器16取出,被运送到次使用掩模缓冲器17。掩模还利用掩模运送装置安装到头部用于对基板曝光。
图2是从侧面观察曝光装置10的内部的一部分的示意图。从载置于图1所示的口13的盒中取出的基板2搭载于载物台11,掩模20在基板2的上方与基板2相对地配置。曝光装置10具有头部18,用于基板2的曝光处理的掩模20安装于头部18。从未图示的照明光线系统通过掩模20对基板2照射光,由此进行基板2的曝光处理。
图3是示出在曝光装置10内曝光的基板2和掩模20的关系的示意图。图3中图示出俯视的一片基板2,示出包括多个掩模20的掩模组相对于基板2的排列。各个掩模20由图2所示的头部18保持。头部18具有与掩模20的周缘部卡合的框状的形状,设置成不妨碍从未图示的照明光线系统经由掩模20照射到基板2的光路。
图3中所示的两箭头表示掩模20相对于基板2的相对移动的方向。搭载在载物台11上的基板2和安装于头部18的掩模20中的至少任一方在两箭头所示的图中的左右方向移动,由此基板2和掩模20在两箭头的方向相对移动。在与该相对移动的方向正交的方向,多个掩模20排成两列。在与基板2和掩模20的相对移动的方向正交的方向相邻的两个掩模以经由这两个掩模20照射到基板2的光的照射区域部分重叠的方式配置。多个掩模20以能对基板2的整个面曝光的方式配置。
图4是示出用于基板2的曝光处理的掩模20的概略构成的示意图。如图4所示,在一片掩模20中描画有4个描画图案21、22、23、24。选择4个描画图案21、22、23、24中适合用于处理对象的基板2的曝光处理的任一个描画图案,经由该选择的描画图案对基板2照射光,由此进行基板2的曝光处理。
在基板2是液晶面板用的基板的情况下,例如在某掩模20(称为掩模A)中,能将描画图案21形成为40吋TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶体管)基板用的描画图案,将描画图案22形成为40吋CF(Color Filter:彩色滤光片)基板用的描画图案,将描画图案23形成为60吋TFT基板用的描画图案,将描画图案24形成为60吋CF基板用的描画图案。另外,在不同的另外的掩模20(称为掩模B)中,能将描画图案21形成为40吋TFT基板用的描画图案,将描画图案22形成为40吋CF基板用的描画图案,将描画图案23形成为55吋TFT基板用的描画图案,将描画图案24形成为55吋CF基板用的描画图案。在掩模20中描画的描画图案数量并不被限定,可以是任意的数量。
掩模A和掩模B这两者被描画40吋TFT基板用的描画图案和40吋CF基板用的描画图案。这样,有时对多个掩模20(即掩模A和掩模B这两者)描画相同的描画图案。在该情况下,例如在对40吋TFT基板进行曝光处理时,能使用掩模A和掩模B这两者,所以需要使用或选定任一掩模。下面详细说明的本实施方式的曝光系统是用于在从多个能应用的掩模选定实际用于曝光处理的掩模时考虑到掩模更换的效率和曝光处理的质量而使得能选定最佳的掩模的系统。另外,本实施方式的曝光系统考虑到在曝光处理中的曝光掩模的损伤发生等大大影响质量的麻烦发生,能选定最佳的掩模。
图5是示出通过使用本实施方式的曝光系统的曝光处理得到的对象的机型、表示每种机型的曝光处理条件的处方、以及用于每种处方的掩模20的关系的示意图。在本实施方式中,假设曝光处理的基板2是液晶面板用的基板。图5所示的机型是表示使用曝光处理的基板2制作的液晶显示装置的种类。图5所示的处方是表示对基板2进行曝光处理的条件。根据机型决定所使用的处方。按照对应的处方对基板2进行曝光处理,由此提供期望的机型。
与识别编号(机型编号)是40吋的机型对应的处方是识别编号(处方ID)001的处方。能用于按照处方ID是001的处方的基板2的曝光处理的掩模20存在掩模A、掩模B以及掩模C这三个。与机型编号是60吋的机型对应的处方是处方ID002的处方。能用于按照处方ID是002的处方的基板2的曝光处理的掩模20存在掩模D、掩模A这两个。这样,针对一个处方能使用多个掩模,由此上述的掩模的选定是重要的。
掩模A形成有与用于40吋的机型的ID001的处方和用于60吋的机型的ID002的处方这两者对应的描画图案。因此,在例如使用掩模A进行用于40吋的机型的曝光处理后接下来进行用于60吋的机型的曝光处理的情况下,机型被变更,但是有可能掩模的更换是不必要的。本实施方式的曝光系统在假设这样的可能性的基础上,能选定与机型一致的最佳的掩模20。
图6是示出本实施方式的曝光系统1的构成概略的框图。曝光系统1具备上述的曝光装置10和控制曝光装置10的控制部30。曝光系统1还具备数据登录终端31。使用曝光系统1进行曝光处理的操作者使用数据登录终端31,在任意的时间事先登录机型编号、处方ID,保持于控制部30。由此,将哪个掩模20用于哪个机型事先登录于控制部30。
曝光系统1还具备掩模ID读取装置32。各个掩模20具有与描画于掩模20的描画图案对应的固有的识别编号(掩模ID)。掩模ID读取装置32在任意的时间读取掩模20的掩模ID,将读取的掩模ID保存于控制部30。
曝光系统1还具备掩模清洗装置33。掩模清洗装置33将异物附着的掩模20、或者在对基板2进行曝光处理时升华物附着的掩模20等被污染的掩模20清洗,恢复清洁的状态。掩模清洗装置33将清洗掩模20的清洗日期和时刻保存于控制部30。由此,控制部30对哪个掩模20什么时候清洗进行管理。
曝光系统1还具备用于运送收纳有基板2的盒的运送装置36。运送装置36接收来自控制部30的指令,将基板2送入到曝光装置10,还从曝光装置10送出基板2。运送装置36将在曝光装置10内的口13中是否存在盒的情况保存于控制部30。
曝光装置10接收来自控制部30的指令,对基板2进行照射最佳的描画图案的光的曝光处理。另外,曝光装置10将曝光装置10内的掩模20的位置信息、表示在曝光装置10中用于当前基板2的曝光的掩模20发生异常的异常信息保存于控制部30。由此,控制部30对各个掩模20当前在曝光装置10内处于何种状态进行管理。关于掩模20的位置信息和异常信息的详情将后述。
另外,曝光装置10将掩模20被送入到曝光装置10以后的、掩模20在曝光装置10内停留的停留时间保存于控制部30。而且,曝光装置10将使用掩模20进行了曝光处理的处理次数保存于控制部30。与掩模20的曝光装置10内的停留时间对应,异物附着于掩模20、掩模20被污染的可能性变高。依赖于基板2的处理次数,升华物附着于掩模20、掩模20被污染的可能性变高。控制部30基于掩模20的停留时间和处理次数对是否需要掩模20的清洗进行管理。
曝光系统1还具备处理指示终端37。使用曝光系统1进行曝光处理的操作者使用处理指示终端37,在任意的时间输入应进行曝光处理的机型编号,保存于控制部30。控制部30基于该处理指示,将位于曝光装置10内的多个掩模20中可用于接下来的曝光处理的掩模20选定为适合处理掩模。
对使用具备以上构成的曝光系统1的基板2的曝光处理时的最佳的掩模20的选择进行说明。图7是示出在用于曝光处理的掩模20的选择之前的预处理的一例的流程图。
参照图7,在选择用于基板2的曝光处理的掩模20之前,如步骤(S11)所示,利用掩模ID读取装置32读入掩模ID。另外,如步骤(S12)所示,按照参照图5说明的机型和处方的关系登录机型编号和处方ID的关系。而且,如步骤(S13)所示,按照参照图5说明的处方和掩模的关系登录掩模ID和处方ID的关系。在这样完成前准备的状态下进行用于曝光处理的最佳的掩模20的选择。此外,步骤(S11)~(S13)所示的各处理不是必须按图7所示的顺序进行,可以按任意的顺序进行。
图8是示出掩模20的选择方法的一例的流程图。首先,在步骤(S21)中进行机型编号的取得。机型编号可以通过操作者使用处理指示终端37输入接下来曝光处理的机型编号而取得。或者,机型编号可以通过基于从被送入到曝光装置10的口13中的盒的识别编号把握的、处理对象的基板2的种类所涉及的信息检索机型编号而取得。
接下来,在步骤(S22)中进行处方ID的取得。如参照图5说明的那样,如果取得机型编号,则能取得与机型编号对应的处方ID。
接下来,在步骤(S23)中进行曝光装置10内的适合处理掩模的取得。在此,所谓适合处理掩模是指:存在于曝光装置10内的多个掩模20中为了接下来曝光处理的基板的曝光处理而可选择的掩模20。如参照图5说明的那样,形成有与一个处方ID对应的描画图案的掩模20可存在多个。在步骤(S23)中,存在于曝光装置10内的掩模20、且形成有与在前面的步骤(S22)中取得的处方ID对应的描画图案的掩模20的全部被设定为适合处理掩模。在此,即使是形成有与在步骤(S22)中取得的处方ID对应的描画图案的掩模20,设为后述的不可使用状态的掩模20也不被设定为适合处理掩模。
接下来,在步骤(S24)中,在步骤(S23)中设定的适合处理掩模中掩模位置的识别信息是“2”“4”“5”或者“6”的掩模20重新被设定为适合处理掩模。位于其他的位置的掩模20从适合处理掩模中被排除,不被选择为在接下来处理的基板2的曝光中使用的掩模20。
图9是示出曝光装置10内的掩模20的位置信息的图。利用图9所示的“0”~“6”的识别编号识别各掩模的管理状态、即掩模20存在于曝光装置10内的哪个位置。如图9所示,在表示曝光装置10内的掩模20的位置的识别编号是“0”时,表示掩模20位于曝光装置10之外。在表示掩模20的位置的识别编号是“1”时,表示掩模20是送入到曝光装置10的途中。在表示掩模20的位置的识别编号是“2”时,表示掩模20位于曝光装置10内的缓冲器16。
在表示掩模20的位置的识别编号是“3”时,表示掩模20从曝光装置10的头部18脱离的途中。在表示掩模20的位置的识别编号是“4”时,表示掩模20位于曝光装置10内的次使用掩模缓冲器17。在表示掩模20的位置的识别编号是“5”时,表示掩模20向曝光装置10的头部18安装的途中。在表示掩模20的位置的识别编号是“6”时,表示掩模20已经安装到曝光装置10的头部18,如图2所示,表示是安装到头部18的状态。
返回图8,在步骤(S24)中,存在于曝光装置10内的缓冲器16或者次使用掩模缓冲器17的掩模20、或者是正在安装到头部18或者已经安装的掩模20被设定为适合处理掩模。处于曝光装置10外的掩模20、正在送入到曝光装置10的掩模20、以及正在从头部18脱离的掩模20从适合处理掩模被排除。
在此,正在从头部18脱离的掩模20不被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。这表示如下:操作者由于任何意图想要从头部18拆卸的掩模20不在接下来的曝光处理中被使用。操作者作出拆卸掩模20的指示是考虑到如下:需要进行掩模20的清洗的情况、或者发生任何的麻烦的情况。通过以不选择不是适合用于曝光的状态的掩模20的方式控制曝光系统1,能避免基板2的曝光质量下降。
接下来,在步骤(S25)中,在步骤(S24)中设定的适合处理掩模中清洗日期和时刻在一定期间内的掩模20重新被设定为适合处理掩模。如上所述,掩模20的清洗日期和时刻从掩模清洗装置33被输入到控制部30。控制部30比较当前时刻和掩模20的清洗日期和时刻,基于清洗日期和时刻判断各个掩模20是否是适合处理掩模。从清洗日期和时刻到当前时刻为规定时间以上的掩模20不被选择为用于接下曝光处理的基板2的曝光的掩模20。
接下来,在步骤(S26)中,在步骤(S25)中设定的适合处理掩模中处理次数为一定次数内的掩模20重新被设定为适合处理掩模。如上所述,掩模20的处理次数从曝光装置10被输入到控制部30。控制部30把握掩模20的处理次数,基于处理次数判断各个掩模20是否是适合处理掩模。处理次数为规定次数以上的掩模20不被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。
在步骤(S23)~(S26)中限定了被选择为适合处理掩模的掩模20的条件后,在步骤(S27)中,判断是否存在适合处理掩模。如果判断为不存在适合处理掩模,则可在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20在曝光装置10内不存在,所以进入步骤(S30),进行错误处理。在该情况下,掩模20的选择中止,通知操作者适合处理掩模在曝光装置10内不存在。当新的掩模20被送入到曝光装置10内时,再次进行图8所示的掩模20的选择。
如果判断为存在适合处理掩模,则接下来在步骤(S28)中,判断是否存在多个适合处理掩模。如果判断为不存在多个适合处理掩模,则该适合处理掩模被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。如果判断为存在多个适合处理掩模,则进入步骤(S29),按照掩模20的位置信息,选择在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。
图10是示出基于曝光装置10内的掩模20的位置信息选择掩模20的子程序的一例的流程图。在图8所示的步骤(S28)中判断为适合处理掩模在曝光装置10内存在多个的情况下,开始图10所示的子程序。即,首先在步骤(S41)中,判断表示掩模20的位置的识别编号是“5”的掩模20是否存在至少一个。
在此,如参照图3说明的那样,为了对一片基板2进行曝光处理而使用多片掩模20,但是在步骤(S41)中,判断这些多片掩模20是否包含掩模位置信息是“5”的掩模20。即,如果多片掩模20中一片掩模20的位置信息是“5”,则判断为“是”,如果多片掩模20的全部的位置信息不是“5”,则判断为“否”。在判断为包含掩模位置信息是“5”的掩模20的情况下,该多片掩模20被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。
使掩模位置信息是“5”的掩模20、即正在向头部18安装的掩模20最优先的理由是:使操作者意图安装到头部18的掩模20优先。例如假设如下情况:操作者按照接下来的接下来曝光处理的机型选择掩模20,操作者作出指示以提前开始掩模20的安装。当忽略这样的操作者的判断,曝光系统1选择掩模20时,生产率反而下降,所以不期望。因此,在对基板2进行曝光处理的多片掩模20包含掩模位置信息是“5”的掩模20的情况下,使该多片掩模20最优先,由此能按照操作者的意图更换掩模20,能提高生产率。
在步骤(S41)中判断为不包含掩模位置信息是“5”的掩模20的情况下,进入步骤(S42),判断多片掩模20的全部是否是掩模位置信息“6”。在判断为多片掩模20的全部是掩模位置信息“6”的情况下,该多片掩模20被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。如果使用已经安装到头部18的掩模20,则能不更换掩模20就开始曝光处理,所以能避免由于掩模20的更换引起的损失的发生。
在步骤(S42)中判断为多片掩模20的全部不是掩模位置信息“6”的情况下,进入步骤(S43),判断多片掩模20的全部是否是掩模位置信息“4”。在判断为多片掩模20的全部是掩模位置信息“4”的情况下,该多片掩模20被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。通过由次使用掩模缓冲器17选择等待状态的掩模20,能比收纳于缓冲器16的掩模20更快地更换掩模20,所以能以更短时间更换掩模20。
在步骤(S43)中判断为多片掩模20的全部不是掩模位置信息“4”的情况下,进入步骤(S44),判断是否存在多个适合处理掩模。如果判断为不存在多个适合处理掩模,则该适合处理掩模被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。如果判断为存在多个适合处理掩模,则进入步骤(S45),任意的掩模20可被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。在该情况下,位于缓冲器16中的掩模20中的任意掩模20被选择为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。然后,在步骤(S46)中,在步骤(S41)~(S45)的任一个中所选择的掩模20被设定为适合处理掩模。
这样,可选择用于接下来的基板2的曝光处理的掩模20,进行掩模20的更换准备。通过预先选择、事先准备在基板2的曝光处理中接下来的基板2的曝光处理用的掩模20,能缩短掩模20的更换所需的时间。在位于缓冲器16的掩模20被选择的情况下,使所选择的掩模20事先移动到次使用掩模缓冲器17,再次确认次使用掩模缓冲器17中是否是正确的掩模20,事先准备掩模20的更换。
如上所述,按照图8和图10所示的流程选择用于下一个曝光处理的掩模20,从而不是等价或者随机地而是进行有意义的权衡,可从多个掩模20选择最佳的掩模20。能在把握曝光装置10内的掩模20的位置信息的同时选择更容易安装的掩模20,所以能使掩模20的选择更有效率,能进行更短时间的掩模20的更换。
另外,基于掩模ID读取装置32和掩模清洗装置33等位于曝光装置10的周边的其他的装置中的掩模20的处理状况选择掩模20,由此能避免被异物、升华物污染的状态的掩模20用于曝光处理。因此,能确保基板2的曝光质量,所以能提高曝光系统1的成品率。
当按照图8所示的流程选择适合处理掩模时,使用所选择的适合处理掩模进行曝光处理。在该曝光处理中,例如在基板2和载物台11的间隔从规定值大大偏离的情况下,另外,例如在掩模20和基板2的间隔从规定值大大偏离的情况等下,有可能用于当前基板2的曝光的掩模20损伤等,掩模20发生异常。曝光系统1从曝光装置10接收表示掩模20发生异常的异常信息,基于异常信息选择在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。
图11是示出基于曝光处理中的掩模20的报警发生的掩模20的选择的流程图。如图11所示,当开始曝光处理时,首先在步骤(S51)中进行曝光处理。如参照图2说明的那样,通过掩模20对基板2照射光,由此进行基板2的曝光处理。当基板2的曝光处理结束时,接着在步骤(S52)中,判断在曝光处理中是否发生掩模20的报警。
如果在步骤(S52)中没有发生报警,则曝光处理直接结束。如果在步骤(S52)中发生报警,则进入步骤(S53),曝光系统报告操作者发生了掩模20的报警。接下来在步骤(S54)中,在该曝光处理中将安装到头部18的掩模20设为“不可使用”状态。设定为“不可使用”状态的掩模20在“不可使用”状态被解除之前不被用于以后的曝光处理。控制部30不选择发生异常的掩模20作为在接下来曝光处理的基板2的曝光中使用的掩模20。
图12是示出能将“不可使用”状态的掩模20再次用于曝光处理的处理的流程图。对于在曝光处理中设为“不可使用”状态的掩模,为了解除“不可使用”状态,使其能在再次曝光处理中使用,首先在图12所示的步骤(S61)中,将“不可使用”状态的掩模20从曝光装置10送出到曝光装置10外。接下来在步骤(S62)中,检查被送出的掩模20,判断在曝光处理中能否使用掩模20。例如在掩模20损伤大而不能修复的情况等下,判断为不能在曝光处理中使用掩模20时,图12所示的流程直接结束,该掩模20被丢弃。
当在步骤(S62)中判断为能在曝光处理中使用掩模20的情况下,进入步骤(S63),掩模20被送入到掩模清洗装置33,在掩模清洗装置33中被清洗。接下来在步骤(S64)中,掩模20的“不可使用”状态被解除,掩模20再次设为“可使用”状态。而且,在步骤(S65)中,通知操作者掩模20的异常的报警被解除。然后在任意的机会,掩模20被送入到曝光装置10,当按照图8所示的流程设定为适合处理掩模时,则在曝光处理中使用。
此外,图12所示的流程与其他的流程没有关系,能在任意的时间进行。即,可以与从曝光装置10送出掩模20的任意的时间一致地进行图12所示的流程。但是,当“不可使用”状态的掩模20位于曝光装置10内时,在曝光处理中可使用的掩模20的选择分支减少。因此,期望在曝光处理时设为“不可使用”状态的掩模20例如在从曝光装置10送出掩模20时被送出等迅速地从曝光装置10被送出。
如上所述对本发明的实施方式进行了说明,但是此次公开的实施方式在所有的方面是例示,应认为并不是限制性的。本发明的范围不是由上述的说明示出,而是由权利要求书示出,意图包含与权利要求书等同的意义和范围内的所有的变更。
工业上的可利用性
本发明的曝光系统可特别有利地应用于在基板投入后以短时间开始曝光的系统、例如用于对光取向膜材料照射紫外线的曝光系统。
附图标记说明
1 曝光系统、2 基板、10 曝光装置、11 载物台、12 盒搭载部、13 口、14 送出送入部、16 缓冲器、17 次使用掩模缓冲器、18 头部、20 掩模、21,22,23,24 描画图案、30 控制部、31 数据登录终端、32 掩模ID读取装置、33 掩模清洗装置、36 运送装置、37 处理指示终端。

Claims (20)

1.一种曝光系统,其具备:
曝光装置,其对基板照射光;
多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及
控制部,其控制上述曝光装置和上述多个掩模,
上述曝光系统的特征在于,
上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,
从上述曝光装置接收表示上述曝光装置内的上述掩模的位置的位置信息,
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述位置信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
2.根据权利要求1所述的曝光系统,其特征在于,上述曝光装置具有头部,上述掩模为了对上述基板曝光而安装到上述头部,
上述位置信息包含:正在向上述头部安装的上述掩模的位置;已安装到上述头部的上述掩模的位置;以及正在从上述头部脱离的上述掩模的位置。
3.根据权利要求2所述的曝光系统,其特征在于,上述控制部优先选择正在向上述头部安装的上述掩模作为在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
4.根据权利要求2所述的曝光系统,其特征在于,上述控制部不选择正在从上述头部脱离的上述掩模作为在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
5.根据权利要求2所述的曝光系统,其特征在于,上述曝光装置具有:在上述曝光装置内暂时保管上述掩模的缓冲器;以及使接下来安装于上述头部的上述掩模等待的次使用曝光掩模缓冲器,
上述位置信息包含:停留于上述缓冲器中的上述掩模的位置;以及停留于上述次使用曝光掩模缓冲器中的上述掩模的位置。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的曝光系统,其特征在于,上述位置信息包含正在送入到上述曝光装置中的上述掩模的位置。
7.一种曝光系统的控制装置,其特征在于,
上述曝光系统具备对基板照射光的曝光装置以及用于对上述基板的曝光处理的多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从上述曝光装置接收表示上述曝光装置内的上述掩模的位置的位置信息,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述位置信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
8.一种曝光系统的控制方法,其特征在于,
上述曝光系统具备对基板照射光的曝光装置以及用于对上述基板的曝光处理的多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述曝光系统的控制方法包含:
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模的步骤;
从上述曝光装置接收表示上述曝光装置内的上述掩模的位置的位置信息的步骤;以及
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述位置信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模的步骤。
9.一种曝光系统,具备:
曝光装置,其对基板照射光;
多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;
掩模清洗装置,其清洗上述掩模;以及
控制部,其控制上述曝光装置和上述多个掩模,
上述曝光系统的特征在于,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,
从上述掩模清洗装置接收上述掩模清洗装置清洗上述掩模的清洗日期和时刻,
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述清洗日期和时刻从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
10.根据权利要求9所述的曝光系统,其特征在于,上述控制部不选择从上述清洗日期和时刻到当前时刻为规定时间以上的上述掩模作为在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
11.一种曝光系统的控制装置,其特征在于,
上述曝光系统具备:曝光装置,其对基板照射光;多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及掩模清洗装置,其清洗上述掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从上述掩模清洗装置接收上述掩模清洗装置清洗上述掩模的清洗日期和时刻,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述清洗日期和时刻从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
12.一种曝光系统的控制方法,其特征在于,
上述曝光系统具备:曝光装置,其对基板照射光;多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及掩模清洗装置,其清洗上述掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述曝光系统的控制方法包含:
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模的步骤;
从上述掩模清洗装置接收上述掩模清洗装置清洗上述掩模的清洗日期和时刻的步骤;以及
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述清洗日期和时刻从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模的步骤。
13.一种曝光系统,具备:
曝光装置,其对基板照射光;
多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及
控制部,其控制上述曝光装置和上述多个掩模,
上述曝光系统的特征在于,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,
从上述曝光装置接收为了上述基板的曝光处理而使用上述掩模的处理次数,
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述处理次数从上述适合处理掩模选择接下来处理的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
14.根据权利要求13所述的曝光系统,其特征在于,上述控制部不选择上述处理次数为规定次数以上的上述掩模作为在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
15.一种曝光系统的控制装置,其特征在于,
上述曝光系统具备对基板照射光的曝光装置以及用于对上述基板的曝光处理的多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从上述曝光装置接收为了上述基板的曝光处理而使用上述掩模的处理次数,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述处理次数从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
16.一种曝光系统的控制方法,其特征在于,
上述曝光系统具备对基板照射光的曝光装置以及用于对上述基板的曝光处理的多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述曝光系统的控制方法包含:
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模的步骤;
从上述曝光装置接收为了上述基板的曝光处理而使用上述掩模的处理次数的步骤;以及
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述处理次数从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模的步骤。
17.一种曝光系统,具备:
曝光装置,其对基板照射光;
多个掩模,其用于对上述基板的曝光处理;以及
控制部,其控制上述曝光装置和上述多个掩模,
上述曝光系统的特征在于,
上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述控制部根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,
从上述曝光装置接收表示当前上述基板的曝光中使用的上述掩模发生异常的异常信息,
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述异常信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
18.根据权利要求17所述的曝光系统,其特征在于,上述控制部不选择发生异常的上述掩模作为在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
19.一种曝光系统的控制装置,其特征在于,
上述曝光系统具备对基板照射光的曝光装置以及用于对上述基板的曝光处理的多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模,从上述曝光装置接收表示当前上述基板的曝光中使用的上述掩模发生异常的异常信息,在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述异常信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模。
20.一种曝光系统的控制方法,其特征在于,
上述曝光系统具备对基板照射光的曝光装置以及用于对上述基板的曝光处理的多个掩模,上述曝光装置通过上述多个掩模中的至少1个掩模对上述基板照射光,
上述曝光系统的控制方法包含:
根据使用上述基板制作的装置的种类,从处于上述曝光装置内的上述多个掩模选定为了进行接下来的曝光处理所能使用的适合处理掩模的步骤;
从上述曝光装置接收表示当前上述基板的曝光中使用的上述掩模发生异常的异常信息的步骤;以及
在判断为存在多个上述适合处理掩模时,基于上述异常信息从上述适合处理掩模选择在接下来曝光的上述基板的曝光中使用的上述掩模的步骤。
CN201280062403.8A 2011-12-20 2012-12-17 曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法 Expired - Fee Related CN103999192B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-278185 2011-12-20
JP2011278185 2011-12-20
PCT/JP2012/082640 WO2013094554A1 (ja) 2011-12-20 2012-12-17 露光システム、露光システムの制御装置、および露光システムの制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103999192A CN103999192A (zh) 2014-08-20
CN103999192B true CN103999192B (zh) 2017-03-08

Family

ID=48668444

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280062403.8A Expired - Fee Related CN103999192B (zh) 2011-12-20 2012-12-17 曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5766818B2 (zh)
CN (1) CN103999192B (zh)
WO (1) WO2013094554A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10583608B2 (en) 2015-02-09 2020-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Lithography apparatus, control method therefor, and method of manufacturing article

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429310A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Nec Yamagata Ltd 露光装置
CN1930520A (zh) * 2004-03-09 2007-03-14 Hoya株式会社 掩模制作支援方法、掩模版提供方法、掩模版供取系统
CN101140422A (zh) * 2007-08-20 2008-03-12 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的掩模对准标记及对准方法
JP2011047972A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Canon Inc 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2011053586A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Ushio Inc 露光装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4714180B2 (ja) * 2007-05-01 2011-06-29 株式会社東芝 フォトマスク管理方法、フォトマスク洗浄可能回数生成方法、及びフォトマスク管理システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429310A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Nec Yamagata Ltd 露光装置
CN1930520A (zh) * 2004-03-09 2007-03-14 Hoya株式会社 掩模制作支援方法、掩模版提供方法、掩模版供取系统
CN101140422A (zh) * 2007-08-20 2008-03-12 上海微电子装备有限公司 用于光刻装置的掩模对准标记及对准方法
JP2011047972A (ja) * 2009-08-25 2011-03-10 Canon Inc 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP2011053586A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Ushio Inc 露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013094554A1 (ja) 2013-06-27
JPWO2013094554A1 (ja) 2015-04-27
CN103999192A (zh) 2014-08-20
JP5766818B2 (ja) 2015-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1201585C (zh) 图像监视的设备、方法和处理程序
CN101617274B (zh) 曝光方法、曝光装置、聚光图案形成组件、掩膜以及元件制造方法
DE602004030247D1 (de) Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementherstellung
CN1862381A (zh) 化学品源的管理系统与方法
US12076974B2 (en) Method for identifying a relief precursor for producing a relief structure
ATE462991T1 (de) Belichtungsapparat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
CN109562902A (zh) 基板处理装置及基板处理方法
CN103999192B (zh) 曝光系统、曝光系统的控制装置以及曝光系统的控制方法
JP4444743B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US8710997B2 (en) Method and device for the detection of defects or correction of defects in machines
CN113557102A (zh) 金属机加工设备中的喷嘴状态或类型的识别
CN103869631A (zh) 曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法
TWI261726B (en) Acceptable defect positioning and manufacturing method for large-scaled photomask blanks
KR20190106754A (ko) 마이크로리소그래피용 기계를 작동하기 위한 방법
JP5355261B2 (ja) プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置の露光光形成方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN102555464A (zh) 记录装置
EP3324238B1 (en) Exposure apparatus and method
JP5428120B2 (ja) カラーフィルタ製造管理システム
JP2012242576A (ja) フォトマスク及び露光装置
JP2006129713A (ja) 培地入りシャーレ及びその製造管理方法
KR101638342B1 (ko) 복수의 노광엔진을 포함하는 마스크리스 노광장치
KR20200095189A (ko) 마스크리스 리소그래피 시스템 및 방법
CN1757095A (zh) 联机连接设定方法与装置以及基板处理装置与基板处理系统
WO2024057362A1 (ja) 遠隔操作案内装置および遠隔操作案内方法
CN113823581B (zh) 半导体工艺生产线派货方法、存储介质以及半导体设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170308