JP4489547B2 - フォトマスクの搬送方法、露光方法及び露光処理システム、並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスクの搬送方法、露光方法及び露光処理システム、並びに半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
本実施の形態では、本発明に係るフォトマスクの搬送方法、露光方法、露光処理システム、半導体装置の製造方法についてまとめて説明する。
ここで、上記式でS=2とすると、サイクルタイムをロットのプロセス時間RPTで規格化したCT/PRTで示されるX-factorと、占有率(Tool Utilization)には、図8(a)に示すような関係が見られる。図8(a)からは、横軸にとった占有率(Tool Utilization )が90%のときには、ロット単位でのプロセス時間で規格化したサイクルタイムは、40%の改善効果があることが分かる。
上記実施の形態では、レチクルの平均再検査時間分、前倒しにしてレチクルだけを、先に露光装置に搬送しておく構成であったが、レチクル検査は露光装置内で高速で行うが、再検査に関しては、露光装置から外部に出して、例えば、露光装置が配置されているフォトリソグラフィー工程エリア外の再検査エリアに搬送して、再検査エリア内に設けた再検査室で行う場合を示した。
10a 露光装置
11 スキャナ本体
12 レチクルバッファ
13 レチクル検査装置
14 レチクル再検査装置
20 レジスト塗布現像装置
20a レジスト塗布装置
20b 現像装置
21 ポート
22 ウエハ搬送容器
23 ウエハストッカー
30 レチクル搬送手段
30a 軌道
30b 自動搬送装置
31 レチクル搬送容器
31a レチクルポッド
32 レチクルストッカー
34 自動搬送装置
34a RGV
40 レチクル割り付け搬送制御手段
40a コンピュータサーバー
50 ウエハ割り付け搬送制御手段
50a コンピュータサーバー
60 ウエハ・レチクル割り付け搬送制御手段
60a コンピュータサーバー
100 フォトリソグラフィー工程エリア
110 レチクルストッカー
120 天井軌道走行型搬送車
130 天井軌道走行型搬送車
200 再検査エリア
210 レチクルストッカー
220 クリーンベンチレーション
230 再検査室
A 露光処理システム
E1 露光光源
E2 フライアイレンズ
E3 アパーチャ
E4 コンデンサレンズ
E5 コンデンサレンズ
E6 ミラー
E7 投影レンズ
E8 マスク位置制御手段
E9 ミラー
E11 試料台
E12 Zステージ
E13 XYステージ
E14 主制御系
E15 駆動手段
E16 駆動手段
E17 ミラー
E18 レーザ測長機
Est ステージ
Lp 露光光
PE ペリクル
RET マスク
W 半導体ウエハ
Claims (13)
- フォトマスクを使用して半導体ウエハのレジスト上に露光処理を施す露光処理ステップへの前記フォトマスクの搬送方法であって、
前記露光処理ステップでは、搬送されてきた前記フォトマスクの検査が行われ、前記検査の結果に基づき必要に応じて再検査が行われ、前記再検査を経て使用可能と判断されたフォトマスクを用いて前記露光処理が行われ、
前記露光処理ステップへの前記フォトマスクの搬送を、前記フォトマスクの再検査に必要な時間分先行して、前記露光処理ステップへの前記半導体ウエハの到着前に終了させることを特徴とするフォトマスクの搬送方法。 - 請求項1記載のフォトマスクの搬送方法において、
前記フォトマスクの前記露光処理ステップへの搬送は、前記露光処理の開始より前で、少なくとも前記フォトマスクの再検査に要する平均再検査時間より以前に終了させることを特徴とするフォトマスクの搬送方法。 - 請求項1記載のフォトマスクの搬送方法において、
前記フォトマスクの前記露光処理ステップへの搬送は、前記露光処理の開始より前で、前記露光処理ステップにおける前記半導体ウエハの露光処理に要する平均露光処理時間と、前記露光処理ステップに搬送されてきたフォトマスクを前記露光処理ステップに一時待機させる待機可能フォトマスク数との積で示される時間以内に終了させることを特徴とするフォトマスクの搬送方法。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載のフォトマスクの搬送方法において、
前記再検査を経て使用可能と判断された前記フォトマスクには、前記再検査において、前記フォトマスクの使用不適当な状態を、適正化処理により使用可能な状態にしたフォトマスクが含まれることを特徴とするフォトマスクの搬送方法。 - 請求項4記載のフォトマスクの搬送方法において、
前記適正化処理により使用可能な状態にしたフォトマスクとは、異物の付着により使用不適当な状態の前記フォトマスクが、前記適正化処理としての異物除去処理で前記異物が除去されて使用可能な状態にされたフォトマスクであることを特徴とするフォトマスクの搬送方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のフォトマスクの搬送方法において、
前記露光処理ステップは、前記レジストへの前記フォトマスクを用いた露光を行う露光装置で行われ、
前記露光装置は、前記半導体ウエハへの前記レジストの塗布を行う塗布装置と、露光後の前記レジストの現像を行う現像装置とで、クラスターツール化されていることを特徴とするフォトマスクの搬送方法。 - ウエハストッカーに保管されている半導体ウエハとレチクルストッカーに保管されているレチクルとを露光エリアに搬送して、前記レチクルを使用して半導体ウエハ上のレジストに露光処理を施す方法であって、
前記露光エリアでは、搬送されてきた前記レチクルの検査が行われ、前記検査の結果に基づき必要に応じて再検査が行われ、前記再検査を経て使用可能と判断されたレチクルを用いて前記露光処理が行われ、
前記露光エリアへの前記レチクルの搬送を、前記レチクルの再検査に必要な時間分だけ前記半導体ウエハの搬送に先行して行うことを特徴とする露光方法。 - フォトマスクを用いて半導体ウエハのレジスト上に露光処理を行う露光処理システムであって、
前記露光処理を行う露光処理手段と、
前記露光処理手段へ搬送された前記フォトマスクの検査を行い、前記検査の結果に基づき必要に応じて前記フォトマスクの再検査を実施する検査手段と、
前記露光処理手段への前記半導体ウエハの割り付け及び搬送を制御するウエハ割り付け搬送制御手段と、
前記露光処理手段への前記フォトマスクの割り付け及び搬送を制御するフォトマスク割り付け搬送制御手段とを有し、
前記フォトマスク割り付け搬送制御手段により、前記露光処理手段への前記フォトマスクの搬送が、前記フォトマスクの再検査に必要な時間分先行して、前記露光処理手段への前記半導体ウエハの到着前に終了させられ、
前記露光処理手段では前記再検査を経て使用可能と判断されたフォトマスクを用いて、前記半導体ウエハの前記レジスト上に露光処理が行われることを特徴とする露光処理システム。 - 請求項8記載の露光処理システムにおいて、
前記露光処理手段での前記半導体ウエハの露光処理開始より前で少なくとも前記フォトマスクの再検査に要する平均再検査時間と、
前記露光処理手段での前記半導体ウエハの露光処理に要する平均露光処理時間に前記露光処理手段に搬送されてきたフォトマスクを前記露光処理手段に一時待機させる待機可能フォトマスク数とを乗じて算出される時間とで規定されるフォトマスク適正搬送時間範囲内で、
前記フォトマスクの前記露光処理手段への搬送が、前記フォトマスク割り付け搬送制御手段を用いて行われることを特徴とする露光処理システム。 - 請求項9記載の露光処理システムにおいて、
前記フォトマスク適正時間範囲内で、前記露光処理手段へ搬送されてきた前記フォトマスクは再検査が行われて、前記フォトマスクが使用可能と判断されることを特徴とする露光処理システム。 - 請求項9記載の露光処理システムにおいて、
前記フォトマスク適正時間範囲内で、前記露光手段へ搬送されてきた前記フォトマスクの検査後の再検査後における使用の適否が適と判断できない場合には、前記半導体ウエハ割り付け搬送手段により前記露光処理手段への前記半導体ウエハの搬送を取り止めることを特徴とする露光処理システム。 - 半導体ウエハにフォトマスクを用いて所望のパターンを形成するフォトリソグラフィー工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記フォトリソグラフィー工程では、前記フォトリソグラフィー工程を構成する露光処理ステップへの前記フォトマスクの搬送を、前記フォトマスクの再検査に必要な時間分先行して、露光処理ステップへの前記半導体ウエハの到着前に終了させ、
前記露光処理ステップへ搬送された前記フォトマスクの使用可能性が、前記露光処理ステップでの再検査で適と判断された後に、前記半導体ウエハを前記露光処理ステップへ搬送して、前記露光処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記使用可能性が前記再検査で適と判断される前記フォトマスクは、前記再検査で、異物の付着により使用不適当な状態の前記フォトマスクが、前記適正化処理としての異物除去処理で前記異物が除去されて使用可能な状態にされたフォトマスクであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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