JPH04291644A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPH04291644A JPH04291644A JP3056479A JP5647991A JPH04291644A JP H04291644 A JPH04291644 A JP H04291644A JP 3056479 A JP3056479 A JP 3056479A JP 5647991 A JP5647991 A JP 5647991A JP H04291644 A JPH04291644 A JP H04291644A
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- JP
- Japan
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- memory
- semiconductor memory
- auxiliary memory
- volatile auxiliary
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体記憶装置に関し、
とくに記憶装置の不揮発化に有効な技術に関するもので
ある。
とくに記憶装置の不揮発化に有効な技術に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体記憶装置は、特開昭６３−１
００５５５号公報に記載のように半導体メモリ自体に揮
発性メモリを使用しているため、不揮発化のために内蔵
の小型磁気ディスク装置にデータを退避していた。
００５５５号公報に記載のように半導体メモリ自体に揮
発性メモリを使用しているため、不揮発化のために内蔵
の小型磁気ディスク装置にデータを退避していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術は、装置の電
源遮断時、内蔵ディスク装置にデータを一度に退避する
必要があり、例えば半導体メモリの記憶容量が８０メガ
バイトの場合で約３．５分を要する。装置内にはこのデ
ータ退避動作期間中電源を供給するためのバッテリを内
蔵する必要があるが、半導体メモリの容量を大きくする
とバッテリ部の形状が大きくなるとともにディスク記録
装置を含め、装置全体を今までの外形寸法に収納できな
いという問題があった。また、電源投入時は内蔵ディス
ク装置から半導体メモリへデータを復元する必要があり
、このデータ復元動作中は装置内のデータは上位装置か
らアクセスできないという問題もあった。
源遮断時、内蔵ディスク装置にデータを一度に退避する
必要があり、例えば半導体メモリの記憶容量が８０メガ
バイトの場合で約３．５分を要する。装置内にはこのデ
ータ退避動作期間中電源を供給するためのバッテリを内
蔵する必要があるが、半導体メモリの容量を大きくする
とバッテリ部の形状が大きくなるとともにディスク記録
装置を含め、装置全体を今までの外形寸法に収納できな
いという問題があった。また、電源投入時は内蔵ディス
ク装置から半導体メモリへデータを復元する必要があり
、このデータ復元動作中は装置内のデータは上位装置か
らアクセスできないという問題もあった。
【０００４】本発明の目的は、大容量で、情報の不揮発
化と高速書き込みを実現した半導体記憶装置を提供する
ことである。
化と高速書き込みを実現した半導体記憶装置を提供する
ことである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、半導体メモリとして従来のＤＲＡＭに代えて電源遮
断後もデータを消失せず、再書替え可能なＥＥＰＲＯＭ
を使用し、高速に書き込み可能な補助メモリを設けたも
のである。
に、半導体メモリとして従来のＤＲＡＭに代えて電源遮
断後もデータを消失せず、再書替え可能なＥＥＰＲＯＭ
を使用し、高速に書き込み可能な補助メモリを設けたも
のである。
【０００６】
【作用】本発明によると、電源投入時、不揮発性半導体
メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）内にはデータがそのまま保持さ
れているので非常に短時間でデータアクセスが可能とな
る。該半導体記憶装置を立ち上げ後、上位装置からのデ
ータ読み取り指示は不揮発性半導体メモリから直接デー
タを読み取り回路によって読み取ることによって実行さ
れる。また、データの書き込み指示は一度補助メモリ内
にデータを書き込むことで該半導体記憶装置の動作は一
度終了し、該半導体記憶装置が上位装置から使用されて
いない状態で補助メモリから不揮発性半導体メモリへ消
去回路と書き込み回路によって書き込むことによって終
了する。上記によって、電源遮断時のデータ保持は不揮
発性半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）自体で行う。
メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）内にはデータがそのまま保持さ
れているので非常に短時間でデータアクセスが可能とな
る。該半導体記憶装置を立ち上げ後、上位装置からのデ
ータ読み取り指示は不揮発性半導体メモリから直接デー
タを読み取り回路によって読み取ることによって実行さ
れる。また、データの書き込み指示は一度補助メモリ内
にデータを書き込むことで該半導体記憶装置の動作は一
度終了し、該半導体記憶装置が上位装置から使用されて
いない状態で補助メモリから不揮発性半導体メモリへ消
去回路と書き込み回路によって書き込むことによって終
了する。上記によって、電源遮断時のデータ保持は不揮
発性半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）自体で行う。
【０００７】
【実施例】本発明では半導体メモリに不揮発性のＥＥＰ
ＲＯＭ（エレクトリカル・イレーザブル＆プログラマブ
ル・リード・オンリー・メモリー）を用いるが、ＥＥＰ
ＲＯＭは、単位書き込み動作に数十ｍｓもの比較的長い
時間を費やす必要がある。これに対して通常のＲＡＭで
は単位書き込み動作に数百ｎｓもあれば十分である。従
って、上記のようにＥＥＰＲＯＭの書き込み時間はマイ
クロコンピュータシステム等にとっては極めて長い時間
となるのである。そこで通常のＲＡＭを補助メモリに用
い、上位装置からの書き込みデータを一時的に格納し、
上位装置の書き込み動作の速度に対応するのである。
ＲＯＭ（エレクトリカル・イレーザブル＆プログラマブ
ル・リード・オンリー・メモリー）を用いるが、ＥＥＰ
ＲＯＭは、単位書き込み動作に数十ｍｓもの比較的長い
時間を費やす必要がある。これに対して通常のＲＡＭで
は単位書き込み動作に数百ｎｓもあれば十分である。従
って、上記のようにＥＥＰＲＯＭの書き込み時間はマイ
クロコンピュータシステム等にとっては極めて長い時間
となるのである。そこで通常のＲＡＭを補助メモリに用
い、上位装置からの書き込みデータを一時的に格納し、
上位装置の書き込み動作の速度に対応するのである。
【０００８】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説
明する。図１は半導体記憶装置１の概略機能ブロック図
である。半導体記憶装置１は、半導体記憶装置１の主メ
モリでありデータ不揮発性である半導体メモリ２と、上
位装置から転送された書き込みデータを半導体メモリ２
が格納する前に一時的に格納する補助メモリ７と、半導
体メモリ２もしくは補助メモリ７よりデータを読みだす
読み取り回路３と、半導体メモリ２へ書き込みデータを
書き込む書き込み回路４と、半導体記憶装置１内を制御
する制御回路５と、制御回路５の命令で半導体メモリ２
のデータを消去する消去回路６とで構成される。半導体
記憶装置１への電源が投入されると、装置内の各部に同
時に電源が供給され、電源供給を受けた制御回路５は各
部の診断を自動的に実行し、正常であれば上位装置に対
し準備完了状態とする。この状態で上位装置から読み取
り指示を受けると、指定されたアドレスのデータを読み
取り回路３を介して半導体メモリ２のデータを上位装置
へ送る。また、上位装置から書き込み指示を受けると、
データは高速に書き込み可能な補助メモリ７へ書き込み
、上位装置からの書き込み指示動作を終了する。こうし
て、上位装置からの指示待ち状態となるが、一定時間以
上過ぎても次の指示がない場合か、補助メモリ７の余り
エリアが一定値以下になると、補助メモリ７のデータを
半導体メモリ２へ書き込み回路４を介して書き込む。 この際必要ならば、予め前のデータを消去回路６によっ
て消去しておく。尚、読み取り指示されたデータが補助
メモリ７にある場合は、データは補助メモリ７から読み
だされる。
明する。図１は半導体記憶装置１の概略機能ブロック図
である。半導体記憶装置１は、半導体記憶装置１の主メ
モリでありデータ不揮発性である半導体メモリ２と、上
位装置から転送された書き込みデータを半導体メモリ２
が格納する前に一時的に格納する補助メモリ７と、半導
体メモリ２もしくは補助メモリ７よりデータを読みだす
読み取り回路３と、半導体メモリ２へ書き込みデータを
書き込む書き込み回路４と、半導体記憶装置１内を制御
する制御回路５と、制御回路５の命令で半導体メモリ２
のデータを消去する消去回路６とで構成される。半導体
記憶装置１への電源が投入されると、装置内の各部に同
時に電源が供給され、電源供給を受けた制御回路５は各
部の診断を自動的に実行し、正常であれば上位装置に対
し準備完了状態とする。この状態で上位装置から読み取
り指示を受けると、指定されたアドレスのデータを読み
取り回路３を介して半導体メモリ２のデータを上位装置
へ送る。また、上位装置から書き込み指示を受けると、
データは高速に書き込み可能な補助メモリ７へ書き込み
、上位装置からの書き込み指示動作を終了する。こうし
て、上位装置からの指示待ち状態となるが、一定時間以
上過ぎても次の指示がない場合か、補助メモリ７の余り
エリアが一定値以下になると、補助メモリ７のデータを
半導体メモリ２へ書き込み回路４を介して書き込む。 この際必要ならば、予め前のデータを消去回路６によっ
て消去しておく。尚、読み取り指示されたデータが補助
メモリ７にある場合は、データは補助メモリ７から読み
だされる。
【０００９】本発明によりデータ退避用の内蔵ディスク
装置およびバッテリが不要となるので、装置の外形寸法
を従来のものよりも小型化できる。また、ＥＥＰＲＯＭ
に書き込まれたデータは電源断となっても消えることは
なく、電源投入後短時間でアクセスできる。
装置およびバッテリが不要となるので、装置の外形寸法
を従来のものよりも小型化できる。また、ＥＥＰＲＯＭ
に書き込まれたデータは電源断となっても消えることは
なく、電源投入後短時間でアクセスできる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によって、アクセス時間を従来の
小型磁気ディスク装置の約８５ｍｓに比べ、約１００倍
早い約０．３５ｍｓにできる。
小型磁気ディスク装置の約８５ｍｓに比べ、約１００倍
早い約０．３５ｍｓにできる。
【図１】本発明の一実施例の半導体記憶装置の概略機能
ブロック図
ブロック図
１…半導体記憶装置
２…半導体メモリ
３…読み取り回路
４…書き込み回路
５…制御回路
６…消去回路
７…補助メモリ
Claims (1)
- 【請求項１】 上位からの命令によって装置内を制御
する手段と、データを保持する不揮発性半導体メモリと
、上位からの書込みデータを保持する揮発性補助メモリ
を持つ半導体記憶装置で、上記制御手段は、上位装置か
らの書込みデータを、前記揮発性補助メモリに一旦格納
し、前記揮発性補助メモリ内の未記憶な記憶エリアが予
め設定した値以下に達するか、もしくは一定時間上位装
置より前記半導体記憶装置に命令がなかった場合に、前
記揮発性補助メモリ内のデータを前記不揮発性半導体メ
モリに転送し、上位装置からの読出し命令があった場合
、前記揮発性補助メモリ内に目的のデータが存在する時
には当該揮発性補助メモリよりデータを転送し、前記揮
発性補助メモリに目的のデータがない場合は、上位装置
に前記不揮発性半導体メモリよりデータを転送すること
を特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056479A JPH04291644A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3056479A JPH04291644A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04291644A true JPH04291644A (ja) | 1992-10-15 |
Family
ID=13028234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3056479A Pending JPH04291644A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04291644A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6999349B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor nonvolatile storage device |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP3056479A patent/JPH04291644A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6999349B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor nonvolatile storage device |
| US7248503B2 (en) | 2003-02-21 | 2007-07-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor nonvolatile storage device |
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