JPH05158815A - 記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 稼働効率を落とさずに、バックアップ用の不
揮発性記憶部の容量を少なくし、電源オン時にデータを
リストアする際の待ち時間を短くする。 【構成】 半導体メモリ部１２０に揮発性半導体メモリ
１２０Ａと不揮発性半導体メモリ１２０Ｂを設け、運用
中にホスト側が新規に登録すべきデータを出力する際、
予定更新頻度に関連した属性情報も出力するようにし、
入出力制御部１４０は、属性情報が予定更新頻度の大き
いことを示すとき、揮発性半導体メモリ１２０Ａに追加
記憶させ、属性情報が予定更新頻度の小さいことを示す
とき、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂに追加記憶させ
る。電源オフ時は、揮発性半導体メモリ１２０Ａのデー
タだけ不揮発性記憶部１６０にバックアップさせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は記憶媒体にアクセス速度
の高い半導体メモリを有し、ホストによりデータのアク
セスを受ける記憶装置に係わり、特にホストコンピュー
タの外部記憶装置などとして用いられて、電源オフ時に
もデータが消えないようにした記憶装置に関する。

【０００２】コンピュータシステムを構成する記憶装置
としては、システムの稼働効率が直接影響することから
できるだけアクセス速度の高い記憶媒体を用いるのが望
ましい。けれども、外部記憶装置には、大容量であるこ
とが要求されたり、不揮発性であることが要求されたり
することから、一般に、アクセス速度の遅い磁気ディス
クや磁気テープが使用されている。この際、アクセス速
度の改善を図るため、ホストと外部記憶装置の間に小容
量のキャッシュメモリを介装し、ホストが外部記憶装置
に一度アクセスしたデータはキャッシュメモリにも複写
しておき、次に、同一データが必要な場合、キャッシュ
メモリにアクセスすれば済むようにして、ホストの稼働
効率を向上させる手法が開発されている（特開平１−３
０３５４７号公報参照）。

【０００３】また、比較的大規模で使用頻度の低いデー
タは磁気ディスクや磁気テープ等に格納するが、比較的
小規模で使用頻度の高いデータはアクセス速度の高い半
導体メモリに格納して、ホストの稼働効率を向上させる
手法も開発されている（特開平３−４８３２１号公報参
照）。ところで、近年は、半導体メモリの記憶容量も飛
躍的に増大してきており、１チップで４Ｍビットや１６
Ｍビットを有するものも普通に使用されており、６４Ｍ
ビット級のチップの登場も間近に迫っている。このた
め、比較的大容量の外部記憶装置も半導体メモリで構築
することが可能となってきている。

【０００４】但し、従来の外部記憶装置の主流であった
磁気ディスクや磁気テープの場合、電源がオフしてもデ
ータは消えないが、アクセス速度の高い半導体メモリは
揮発なので、電源をオフすると、メモリ内容が消えてし
まう。高速アクセス可能なキャッシュメモリは電源オフ
でデータの消える半導体メモリで構成されるので、特開
平３−４８３２１号公報記載の記憶装置の如く、ホスト
との間に高速キャシュメモリを介在させる場合は、次
に、電源がオンされたあと、ホストが外部記憶装置にア
クセスしたデータを、再度、キャッシュメモリに複写す
ることになる。特開平３−４８３２１号公報記載の記憶
装置では、特に電源オフ時の対策を考慮していないの
で、記憶媒体の１つが半導体メモリの場合、無停止電源
化したシステムでないと利用できないことになる。これ
らのことから、アクセス速度の高い半導体メモリを記憶
媒体とし、かつ、電源のオフ時にもデータの保存を行え
る外部記憶装置等を構築するには、電源オフ時にも何ら
かの手法でデータが消えないようにする必要がある。本
発明はかかる要請に応えるべくなされたもので、半導体
メモリを用いた記憶装置における電源オフ時のデータの
不揮発化機構を改良するものである。

【０００５】

【従来の技術】コンピュータシステムでは記憶装置のア
クセス速度がシステムの稼働効率にとって重要であり、
近年の大容量化、低コスト化の促進によりアクセス速度
の高い半導体メモリを外部記憶装置として使用する例も
増えてきている。ところが、ランダムアクセス用の半導
体メモリは、電源のオフとともにデータが消えてしまう
ので、ホスト側が電源のオン・オフに関わらず常に半導
体メモリに格納されたデータを利用できるようにするた
めには、電源オフ時に何らかの手法でデータを保存でき
るようにする必要がある。

【０００６】電源オフ時の対応をするデータ不揮発化機
構を備えた従来の半導体記憶装置の全体構成を図６に示
す。１０は半導体記憶装置、１２は記憶媒体としてアク
セス速度の高い揮発性半導体メモリを有する半導体メモ
リ部、１４はホストコンピュータ（上位処理装置）との
間でデータの入出力制御を行う入出力制御部、１６は電
源オフ時に半導体メモリのデータを退避させるめの不揮
発性記憶部であり、磁気ディスク、磁気テープ等のアク
セス速度の遅い不揮発性記憶媒体を有している。１８は
半導体メモリ部１２と不揮発性記憶部１６との間でデー
タの転送制御を行う転送制御部、２０は電源のオン・オ
フ操作を行う電源スイッチ、２２は電源スイッチの電源
オン・オフ操作に従い装置各部に対する電源オン・オフ
制御を行ったり、転送制御部１８に対し半導体メモリ部
１２と不揮発性記憶部１６の間のデータの転送指令を与
えたりする。３０はホストコンピュータであり、半導体
記憶装置１０からデータを読み出して編集したあと、更
新記憶させたり、新たなデータを追加記憶させたりす
る。なお、ここでは、データはデータセット名で区別可
能な一定の大きさを持つデータセット単位で取り扱うも
のとする。

【０００７】装置の電源がオン状態のとき、各データは
半導体メモリ部１２に格納されており、データセット毎
の先頭アドレス及び末尾アドレスがデータセット名と対
応付けされて入出力制御部１４内のメモリ管理テーブル
で管理されている。ホストコンピュータ３０が或るデー
タセットを読み出したい場合、入出力制御部１４にＩ／
Ｏリード指令とデータセット名を与える。入出力制御部
１４はＩ／Ｏリード指令を受けたとき、同時に入力した
データセット名がメモリ管理テーブル内に存在すれば、
半導体メモリ部１２から読み出し、ホストコンピュータ
３０へ出力する。ホストコンピュータがデータを編集し
たのち、半導体記憶装置１０に更新記憶させたい場合、
Ｉ／Ｏライト指令とデータセット名を与え、編集後のデ
ータを出力する。

【０００８】入出力制御部１４はＩ／Ｏライト指令を受
けると、同時に入力したデータセット名がメモリ管理テ
ーブルに存在すれば、更新登録と判断し、半導体メモリ
部１２に記憶されていた同一データセット名に係るデー
タの格納領域にホストコンピュータ３０から送られたデ
ータを書き込み更新を行う。また、ホストコンピュータ
３０で新たに作成したデータを新規に半導体記憶装置１
０に記憶させたい場合、Ｉ／Ｏライト指令と新規のデー
タセット名を与え、新規のデータを出力する。入出力制
御部１４はＩ／Ｏライト指令を受けると、同時に入力し
たデータセット名がメモリ管理テーブルに存在しなけれ
ば、新規登録と判断し、半導体メモリ部１２の空き領域
内に、ホストコンピュータ３０から送られたデータを書
き込み追加記憶させ、この際、新規なデータセットの先
頭アドレス及び末尾アドレスをデータセット名と対応付
けしてメモリ管理テーブルに追加登録する。

【０００９】このように、電源がオン状態とされた運用
中は、ホストコンピュータ３０は入出力制御部１４を介
してアクセス速度の高い半導体メモリ部１２との間でデ
ータの読み出し、更新、新規登録等の処理を行うことが
でき、高い稼働効率を得ることができる。運用が終わ
り、電源スイッチ２０がオフされると、監視部２２は転
送制御部１８にデータ退避指令を与え、転送制御部１８
は半導体メモリ部１２の全領域のデータを不揮発性記憶
部１６に退避させてデータのバックアップを行い、ま
た、入出力制御部１４内のメモリ管理テーブルの内容も
不揮発性記憶部１６にバックアップさせる。続いて、監
視部２２は半導体記憶装置１０の各部の電源オフ制御を
行い、電源を落とさせる。この際、半導体メモリ部１２
に格納されていたデータが消えることになり、入出力制
御部１４内のメモリ管理テーブルの内容も消えることに
なる。

【００１０】その後、再び運用を開始したいとき、電源
スイッチ２０で電源オン操作をすると、監視部２２は半
導体記憶装置１０の各部に対し電源オン制御を行い、電
源を立ち上げさせたあと、転送制御部１８にデータのリ
ストア指令を与え、転送制御部１８は電源オフ時に半導
体メモリ部１２からバックアップした全データを不揮発
性記憶部１６から半導体メモリ部１２にリストアし、入
出力制御部１４からバックアップしたメモリ管理テーブ
ルの内容を入出力制御部１４にリストアさせる。この結
果、ホストコンピュータ３０は、前回までに更新或いは
追加記憶させたデータに対し、引き続き、前述と同様に
して、半導体メモリ部１２を対象に高速アクセスするこ
とが可能となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体記憶装置１０では、ホストコンピュータ
３０の運用形態に関わらず、電源オフ時に半導体メモリ
部１２の全領域のデータを不揮発性記憶部１６にバック
アップさせるため、該不揮発性記憶部１６は半導体メモ
リ部の記憶容量に相当する記憶容量を有している必要が
あり、半導体メモリ部１２を大容量化すれば、それに応
じて不揮発性記憶部１６も大容量化しなければならない
という問題があった。また、電源オフ時に半導体メモリ
部１２の全領域のデータを不揮発性記憶部１６にバック
アップしたり、電源オン時に不揮発性記憶部１６から当
該データを半導体メモリ部１２にリストアしたりするた
めには、不揮発性記憶部１６のアクセス速度が遅いこと
からかなり時間が掛かるので、特に電源をオン操作した
あと、運用を開始できるようになるまで待ち時間が必要
となり、半導体メモリ部１２を大容量化すれば、それに
応じて電源オン操作後、運用を開始できるまでの待ち時
間も長くなってしまう問題があった。

【００１２】前述した特開平１−３０３５４７号公報記
載の記憶装置は、キャシュメモリを揮発性キャッシュメ
モリと不揮発性キャッシュメモリから構築し、使用頻度
の高いデータは不揮発性キャッシュメモリに置き、電源
がオフしたあともデータが保存されるようにしている
が、不揮発性キャシュメモリは揮発性キャッシュメモリ
に比してアクセス速度が遅いので、電源オン直後に不揮
発性メモリに存在するデータをアクセスする際、高い処
理速度が得られず、また、不揮発性キャシュメモリに存
在しないデータでホストの必要なデータは、電源オン
後、アクセス速度の極めて遅い外部記憶装置から個別に
読み出す構成なので、半導体メモリに全データを格納し
ておき、運用中、常に、高いアクセス速度か得られるよ
うにした記憶装置とは本質的に異なる。

【００１３】以上から本発明の目的は、運用中の稼働効
率を落とすことなく、データのバックアップを行う不揮
発性記憶部の容量が少なくて済み、電源オン時にデータ
のリストアを行う時間が短くて済む記憶装置を提供する
ことである。また、本発明の他の目的は、ホストによる
データの使用状況の変化に関わらず、高い稼働効率の得
られる記憶装置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。１００は半導体記憶装置であり、１２０は記
憶媒体としてアクセス速度の高い揮発性半導体メモリ１
２０Ａと揮発性半導体メモリよりは少しアクセス速度の
遅い不揮発性半導体メモリ１２０Ｂを有する半導体メモ
リ部、１４０はホストコンピュータとの間で入出力制御
を行う入出力制御部、１６０は記憶媒体として磁気ディ
スク等を有する不揮発性記憶部、１８０は電源オフ時に
揮発性半導体メモリ１２０Ａから不揮発性記憶部１６０
にデータを退避し、データのバックアップしたり、電源
オン時に不揮発性記憶部１６０から揮発性半導体メモリ
１２０Ａにデータをリストアしたりする転送制御部であ
る。３００は半導体記憶装置１０に対しデータのアクセ
スをするホストコンピュータである。

【００１５】

【作用】半導体記憶装置１００の電源がオン状態となっ
ている運用中に、ホストコンピュータ３００が半導体メ
モリ部１２０に記憶すべき新規のデータを出力する際、
予定使用頻度に関連した属性情報も合わせて出力する。
入出力制御部１４０は属性情報の示す予定更新頻度が大
きいときデータを揮発性半導体メモリ１２０Ａに追加記
憶させ、予定更新頻度が小さいときデータを不揮発性半
導体メモリ１２０Ｂに追加記憶させる。ホストコンピュ
ータ３００が半導体記憶装置１００のデータを読み出す
とき、入出力制御部１２０が半導体メモリ部１２０の中
から該当するデータを読み出しホストコンピュータ３０
０に出力し、該ホストコンピュータ３００がデータを更
新して半導体記憶装置１００に書き込むとき、入出力制
御部１２０は半導体メモリ部１２０のデータを更新させ
る。

【００１６】電源オフ時、転送制御部１８は半導体メモ
リ部１２０の内、揮発性半導体メモリ１２０Ａのデータ
を不揮発性記憶部１６０に退避させ、データのバックア
ップを行い、電源オン時、不揮発性記憶部１６０に退避
させたデータを揮発性半導体メモリ１２０Ａにリストア
させる。不揮発性半導体メモリ部１２０Ｂのデータは電
源オフ中も保存される。これにより、電源オフ時に不揮
発性半導体メモリ１２０Ｂに格納されていたデータはバ
ックアップする必要がなくなり、揮発性半導体メモリ１
２０Ａに格納されたデータだけバックアップすれば済む
ので、不揮発性記憶部１６０に要する記憶容量は半導体
メモリ部１２０の全体に相当する記憶容量よりも遙かに
小さくすることができ、電源オン時に不揮発性記憶部１
６０から揮発性半導体メモリ１２０Ａへデータをリスト
アするのに要する時間も短くて済む。また、アクセス速
度の高い揮発性半導体メモリ１２０Ａに、ホストコンピ
ュータ３００で更新頻度が高いと予定されるデータが記
憶されるので、運用中のホストコンピュータ３００の稼
働効率はほとんど低下せず、半導体記憶装置１００の持
つアクセス速度の高さを損なわない。

【００１７】半導体記憶装置にデータ移動制御部を設
け、運用中、半導体メモリ部に格納されたデータの更新
頻度を求め、揮発性半導体メモリのデータの内、更新頻
度の小さいものは不揮発性半導体メモリへ移動させ、不
揮発性半導体メモリのデータの内、更新頻度の大きいも
のは揮発性半導体メモリへ移動させる。これにより、ホ
ストの運用形態によってデータの更新頻度が予定更新頻
度から変化しても、実際に更新頻度が大きいデータを揮
発性半導体メモリに格納させておくことができ、ホスト
コンピュータの運用形態の変化に関わらず、常に、高い
稼働効率を確保するこができる。

【００１８】半導体メモリ部に揮発性半導体メモリと不
揮発性半導体メモリを設けておくとともに、運用中、前
記半導体メモリ部に格納されたデータの更新頻度を求
め、揮発性半導体メモリのデータの内、更新頻度の小さ
いものは不揮発性半導体メモリへ移動させ、不揮発性半
導体メモリのデータの内、更新頻度の大きいものは揮発
性半導体メモリへ移動させるデータ移動制御部を設け、
電源オフ時のデータのバックアップは前記揮発性半導体
メモリに対して行う。これにより、データバックアップ
用の不揮発性記憶部に必要な容量を少なくし、電源オン
時にデータをリストアする間の待ち時間も短くできるの
は勿論のこと、新規データが揮発性半導体メモリと不揮
発性半導体メモリのいずれに追加記憶されたとしても、
その後のデータの使用状況に応じて、実際に更新頻度が
高いデータを揮発性半導体メモリに格納させておくこと
ができ、ホストコンピュータの運用形態の変化に関わら
ず、常に、高い稼働効率を確保するこができる。

【００１９】データ移動制御部に揮発性半導体メモリと
不揮発性半導体メモリの空き容量を求める手段を設け、
移動予定先の半導体メモリの空き容量に余裕がある場合
に限り、データの移動を行う。これにより、データの移
動で揮発性半導体メモリまたは不揮発性半導体メモリが
容量不足になるのを回避できる。

【００２０】

【実施例】図２は本発明の実施例構成図であり、図１と
同一部分には同一符号を付している。１００はホストコ
ンピュータと接続された半導体記憶装置であり、１２０
は記憶媒体としてアクセス速度の高い揮発性半導体メモ
リ１２０Ａと揮発性半導体メモリよりは少しアクセス速
度の遅い不揮発性半導体メモリ１２０Ｂを有する半導体
メモリ部、１４０はホストコンピュータとの間でデータ
の入出力制御を行う入出力制御部、１６０はデータバッ
クアップ用の不揮発性記憶部であり、磁気ディスク、磁
気テープ等のアクセス速度の遅い記憶媒体を有してい
る。１８０は電源オフ時に揮発性半導体メモリ１２０Ａ
から不揮発性記憶部１６０にデータを退避させたり、電
源オン時に不揮発性記憶部１６０から揮発性半導体メモ
リ１２０Ａにデータをリストアしたりする転送制御部、
２０は電源のオン・オフ操作を行う電源スイッチ、２２
０は電源スイッチの電源オン・オフ操作に従い装置各部
に対する電源オン・オフ制御を行ったり、転送制御部１
８０に対し半導体メモリ部１２０の揮発性半導体メモリ
１２０Ａと不揮発性記憶部１６０の間のデータの転送指
令を与えたりする。２４はデータ移動制御部であり、所
定条件を満たしたときに、揮発性半導体メモリ１２０Ａ
と不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの間でデータの移動を
行う。

【００２１】揮発性半導体メモリ１２０ＡはＳＲＡＭま
たはＤＲＡＭで構成されており、データの書き込みと読
み出しの両者が可能である。また、不揮発性半導体メモ
リ１２０Ｂは例えばフラッシュ形ＥＥＰＲＯＭで構成さ
れており、ＳＲＡＭやＤＲＡＭと同様にデータの書き込
みと読み出しが可能である。入出力制御部１２０とデー
タ移動制御部２４は、揮発性半導体メモリ１２０Ａをド
ライブＡ、不揮発性半導体メモリ１２０ＢをドライブＢ
として区別するものとする。３００はホストコンピュー
タであり、半導体記憶装置１００からデータを読み出し
て編集したあと、更新記憶させたり、新たなデータを追
加記憶させたりする。なお、ここでは、データはデータ
セット名で区別可能な一定の大きさを持つデータセット
単位で取り扱うものとする。ホストコンピュータ３００
は新規なデータを半導体記憶装置１００に出力する際、
オペレータの指定等による予定更新頻度に関連する属性
情報も合わせて出力するようになっている。この属性情
報は、予定更新頻度自体であってもよく、また、予定更
新頻度と対応付けの可能なデータの種類であってもよ
く、或いは、単純に、ドライブＡ（予定更新頻度大）ま
たはドライブＢ（予定更新頻度小）という具合にデータ
を格納するドライブ名であってもよい。予定更新頻度
は、単位時間当たりの更新回数で表される。

【００２２】入出力制御部１４０は、半導体メモリ部１
２０のどこにどのデータが格納されているかを示すメモ
リ管理テーブル１４１を有している（図３参照）。デー
タの管理は、ドライブ別及びデータセット別に、データ
セット名、ドライブＡまたはＢでの先頭アドレス及び末
尾アドレスでなされる。そして、半導体メモリ部１２０
に記憶されているデータにつき、ホストコンピュータ３
００からデータセット名とともに読み出し指令を受ける
と、メモリ管理テーブル１４１を参照して、該当するデ
ータを半導体メモリ部１２０から読み出し、ホストコン
ピュータ３００へ出力する。そして、当該データがホス
トコンピュータ３００で編集されたのち、更新するため
に書き込み指令とともに再入力されると、同時に入力さ
れたデータセット名をもとにデータ管理テーブル１４１
を参照して、半導体メモリ部１２０のもとのデータと置
き換え更新記憶させる。

【００２３】また、ホストコンピュータ３００から新規
データが書き込み指令とともに入力されると、同時に入
力された属性情報が予定更新頻度が大であることを示す
か小であることを示すか判定するとともに、予定更新頻
度が大きい場合、揮発性半導体メモリ１２０Ａに新規デ
ータを追加記憶させ、予定更新頻度が小さい場合、不揮
発性半導体メモリ１２０Ｂに新規データを追加記憶させ
る。そして、メモリ管理テーブル１４１の該当ドライブ
に、追加記憶させた新規データに関するデータセット
名、先頭アドレス及び末尾アドレスを追加登録する。ま
た、入出力制御部１４０は新規データを追加記憶させた
とき、追加記憶させた新規データに関するドライブ名、
データセット名、先頭アドレス及び末尾アドレスをデー
タ移動制御部２４に通知し、編集後のデータを更新記憶
させたとき、当該データのデータセット名をデータ移動
制御部２４に通知する。

【００２４】データ移動制御部２４は、半導体メモリ部
１２０のどこにどのデータが格納されているかの情報
と，データ別の更新回数、揮発性半導体メモリ１２０Ａ
と不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの空き容量、タイマデ
ータを含むメモリ管理テーブル２４１（図４参照）、及
び、所定の単位時間の経過を計時するタイマ２４２を有
している。このデータ移動制御部２４は、入出力制御部
１４０から追加記憶させた新規データに関するドライブ
名、データセット名、先頭アドレス及び末尾アドレスが
通知されると、メモリ管理テーブル２４１の該当するド
ライブ側に、データセット名、先頭アドレス及び末尾ア
ドレスを追加登録し、また、揮発性半導体メモリ１２０
Ａと不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの空き容量を計算し
直してメモリ管理テーブル２４１に登録する。また、更
新記憶させたデータのデータセット名の通知を受ける
と、メモリ管理テーブル２４１の同一データセット名の
更新回数を＋１する。

【００２５】そして、定期的に（タイマ２４２が単位時
間計時する毎に）、半導体メモリ部１２０の各データ別
に、更新頻度＝単位時間当たりの更新回数と、揮発性半
導体メモリ１２０Ａと不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの
各メモリの空き容量から、揮発性半導体メモリ１２０Ａ
の或るデータの更新頻度が小のとき、不揮発性半導体メ
モリ１２０Ｂ側、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの或る
データの更新頻度が大のとき、揮発性半導体メモリ１２
０Ａ側を格納すべき半導体メモリとし、該格納すべき半
導体メモリに十分な空き容量があれば、揮発性半導体メ
モリ１２０Ａと不揮発性半導体メモリ１２０Ｂとの間で
データの移動を行わせる（移動先の半導体メモリにデー
タを複写し、移動元の半導体モリのデータを削除す
る）。そして、移動結果をメモリ管理テーブル２４１に
登録するとともに（移動先のドライブ側にデータセット
名、先頭アドレスと末尾アドレス、更新回数を複写し、
移動元のドライブ側は削除する）、入出力制御部１４０
にも通知する。また、移動後のメモリ空き容量を計算し
直し、結果をメモリ管理テーブル２４１に登録する。デ
ータ移動制御部２４から通知を受けた入出力制御部１４
０は、メモリ管理テーブル１４１の内容が半導体メモリ
部１２０のデータ格納状況と一致するように書き換え
る。

【００２６】このように、更新頻度の大きさとメモリ空
き容量から半導体メモリ部１２０のデータを移動するに
際し、２値論理でデータの移動を実行するか否か判断す
ることも可能であるが、本実施例ではファジィ推論を用
いて判断するようにしている。すなわち、図５に示す如
く、更新頻度小をファジィ変数UPDA、更新頻度大をファ
ジィ変数UPDB、揮発性半導体メモリ１２０Ａの空き容量
が余裕十分をファジィ変数CAPA、不揮発性半導体メモリ
１２０Ｂの空き容量が余裕十分をファジィ変数CAPB、揮
発性半導体メモリ１２０Ａから不揮発性半導体メモリ１
２０Ｂへデータを移動するをファジィ変数DRVB、不揮発
性半導体メモリ１２０Ｂから揮発性半導体メモリ１２０
Ａへデータを移動するをファジィ変数DRVAとして、各
々、経験則等から定めた所定のメンバーシップ関数で定
義しておく。

【００２７】揮発性半導体メモリ１２０Ａに格納された
或るデータにつき、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂに移
動すると結論する推論規則は、当該データの更新頻度ｘ
_a 、不揮発半導体メモリ１２０Ｂの空き容量ｙ_b 、デー
タの動きをｚとして、 if ｘ_a ＝UPDA and ｙ_b ＝CAPB then ｚ＝DRVB （１） となる。（１）の意味は、「ドライブＡのデータの更新
頻度が小さく（データをドライブＢへ移動すべきであ
り）、ドライブＢの空き容量が十分余裕があるならば、
当該データをドライブＢに移動する。」である。また、
不揮発性半導体メモリ１２０Ｂに格納された或るデータ
につき、揮発性半導体メモリ１２０Ａに移動すると結論
する推論規則は、当該データの更新頻度ｘ_b 、揮発半導
体メモリ１２０Ａの空き容量ｙ_a 、データの動きをｚと
して、 if ｘ_b ＝UPDB and ｙ_a ＝CAPA then ｚ＝DRVA （２） となる。（２）の意味は、「ドライブＢのデータの更新
頻度が大きく（データをドライブＡへ移動すべきであ
り）、ドライブＡの空き容量が十分余裕があるならば、
当該データをドライブＡに移動する。」である。

【００２８】例えば、揮発性半導体メモリ１２０Ａに格
納された或るデータの更新頻度ｘ_a 、不揮発性半導体メ
モリ１２０Ｂの空き容量ｙ_b について、図５（１）に示
す如く、更新頻度ｘ_a におけるファジィ変数UPDAのグレ
ードがｐ₁ 、空き容量ｙ_b におけるファジィ変数CAPBの
グレードがｐ₂ のとき、ｐ₁ とｐ₂ の内、小さい方をｐ
とし、ファジィ変数DRVBに当てはめ、グレードｑを求め
る。このｑがデータを不揮発性半導体メモリ１２０Ｂへ
移動する度合いを示す。ｑが0.5 以上であれば、当該デ
ータの移動を実行するという結論が得られる。若し、ｑ
が0.5 より小さければ、移動を実行しない。また、不揮
発性半導体メモリ１２０Ｂに格納された或るデータの更
新頻度ｘ_b 、揮発性半導体メモリ１２０Ａの空き容量ｙ
_a について、図５（２）に示す如く、更新頻度ｘ_b にお
けるファジィ変数UPDBのグレードがｒ₁ 、空き容量ｙ_a
におけるファジィ変数CAPAのグレードがｒ₂ のとき、ｒ
₁ とｒ₂ の内、小さい方をｒとし、ファジィ変数DRVAに
当てはめ、グレードｓを求める。このｓがデータを揮発
性半導体メモリ１２０Ａへ移動する度合いを示す。ｓが
0.5 以上であれば、当該データの移動を実行するという
結論が得られる。若し、ｓが0.5 より小さければ、移動
を実行しない。

【００２９】次に、本実施例の全体的な動作を説明す
る。半導体記憶装置１００の電源がオン状態のとき、各
データは揮発性半導体メモリ１２０Ａと不揮発性半導体
メモリ１２０Ｂに格納されており、ドライブＡとＢの別
に、データセット毎の先頭アドレス及び末尾アドレスが
データセット名と対応付けされて入出力制御部１４内に
設けたメモリ管理テーブル１４１とデータ移動制御部２
４内に設けたメモリ管理テーブル２４１で管理されてい
る。ホストコンピュータ３００が或るデータセットを半
導体記憶装置１００から読み出したい場合、入出力制御
部１４０にＩ／Ｏリード指令とデータセット名を与え
る。入出力制御部１４０はＩ／Ｏリード指令を受けたと
き、同時に入力したデータセット名がメモリ管理テーブ
ル１４１内に存在すれば、半導体メモリ部１２０から読
み出し、ホストコンピュータ３００へ出力する。ホスト
コンピュータ３００がデータを編集したのち、半導体記
憶装置１００に更新記憶させたい場合、入出力制御部１
４０にＩ／Ｏライト指令とデータセット名を与え、編集
後のデータを出力する。

【００３０】入出力制御部１４０はＩ／Ｏライト指令を
受けると、同時に入力したデータセット名がメモリ管理
テーブル１４１に存在すれば、更新登録と判断し、半導
体メモリ部１２０に記憶されていた同一データセット名
に係るデータの格納領域にホストコンピュータ３００か
ら送られたデータを書き込み更新を行う。この際、入出
力制御部１４０は、更新したデータのデータセット名を
データ移動制御部２４に通知する。該通知を受けたデー
タ移動制御部２４はメモリ管理テーブル２４１の該当す
るデータセット名の更新回数を＋１する。

【００３１】また、ホストコンピュータ３００で新たに
作成したデータを新規に半導体記憶装置１００に記憶さ
せる場合、Ｉ／Ｏライト指令とともに、オペレータの指
示等による予定更新頻度に関連した情報を含む属性情報
と新規のデータセット名を与え、新規のデータを出力す
る。入出力制御部１４０はＩ／Ｏライト指令を受ける
と、同時に入力したデータセット名がメモリ管理テーブ
ルに存在しなければ、新規登録と判断し、属性情報が予
定更新頻度自体であれば、所定の閾値と比較して予定更
新頻度の大小判定を行い、大のとき揮発性半導体メモリ
１２０Ａ、小のとき不揮発性半導体メモリ１２０Ｂを追
加記憶すべきメモリと決定する。なお、属性情報が予定
更新頻度に対応付け可能なデータの種類であれば、内部
に設けた変換テーブル（図示せず）を参照してデータの
種類を予定更新頻度に変換したのち、大小判定を行う。
また、属性情報がドライブ名のときは、Ａのとき揮発性
半導体メモリ１２０Ａ、Ｂのとき不揮発性半導体メモリ
１２０Ｂが追加記憶すべきメモリと決定する。

【００３２】そして、決定した半導体メモリに新規デー
タを追加記憶させ、かつ、メモリ管理テーブル１４１の
追加記憶したドライブ側に、データセット名、先頭アド
レスと末尾アドレスを追加登録するとともに、追加記憶
したデータのドライブ名、データセット名、先頭アドレ
スと末尾アドレスをデータ移動制御部２４に通知する。
通知を受けたデータ移動制御部２４は、メモリ管理テー
ブル２４１の該当するドライブ側に、データセット名、
先頭アドレスと末尾アドレスを追加記憶し、更新回数は
０とする（更新回数を１としてもよい）。そして、デー
タ移動制御部２４は、今回、追加記憶された側のドライ
ブのメモリ空き容量を計算し直し、メモリ管理テーブル
２４１に登録する。

【００３３】以上がホストコンピュータ３００と半導体
記憶装置１００の間のデータアクセスの説明であり、予
定更新頻度の大きなデータはアクセス速度の高い揮発性
半導体メモリ１２０Ａに格納され、予定更新頻度の小さ
なデータは揮発性半導体メモリ１２０Ａよりアクセス速
度がやや遅い不揮発性半導体メモリ１２０Ｂに格納され
る。運用中の実際の更新頻度が予定更新頻度と変わらな
いとすると、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂにデータが
格納されても該データの更新頻度が小さいため、ホスト
コンピュータ３００の全体的な稼働効率はほとんど低下
しない。しかしながら、ホストコンピュータ３００の運
用形態が変わり、データの使用状況が当初予定していた
更新頻度から変わることがある。この対策として、運用
中、データ移動制御部２４のタイマ２４２が所定の単位
時間の経過を計時する毎に、メモリ管理テーブル２４１
の内容を参照して、半導体メモリ部１２０のデータを実
際の更新頻度に適した側の半導体メモリへ移動させる。

【００３４】具体的には、タイマ２４２が単位時間計時
してタイムアップすると、まず、揮発性半導体メモリ１
２０Ａの各データにつき、更新頻度が小となっているか
判断し、小となっているデータがあるときは、データを
移動すべきなので、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂに空
き容量の余裕が十分あるか判断し、十分あれば、当該デ
ータを揮発性半導体メモリ１２０Ａから不揮発性半導体
メモリ１２０Ｂに移動し（不揮発性半導体メモリ１２０
Ｂにデータを複写し、揮発性半導体メモリ１２０Ａのデ
ータを削除する）、移動結果に従い、メモリ管理テーブ
ル２４１の内容を書き換え、かつ、書き換えた内容を入
出力制御部１４０に通知し、メモリ管理テーブル１４１
も書き換えさせる。次いで、データ移動後の各揮発性半
導体メモリ１２０Ａと不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの
空き容量を計算し直し、メモリ管理テーブル２４１に登
録する。同様の処理を揮発性半導体メモリ１２０Ａの各
データにつき行う。なお、更新頻度が小となっているも
のが存在しても、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂに空き
容量の余裕が十分ないときは、データの移動はしない。
揮発性半導体メモリ１２０Ａから不揮発性半導体メモリ
１２０Ｂへのデータの移動処理は、前述した如く、図５
（１）のファジィ推論で実行するが、通常の２値論理で
も実行できる。

【００３５】次に、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの各
データにつき、更新頻度が大となっているか判断し、大
となっているデータがあるときは、データを移動すべき
なので、揮発性半導体メモリ１２０Ａに空き容量の余裕
が十分あるか判断し、十分あれば、当該データを不揮発
性半導体メモリ１２０Ｂから揮発性半導体メモリ１２０
Ａに移動し（揮発性半導体メモリ１２０Ａにデータを複
写し、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂのデータを削除す
る）、移動結果に従い、メモリ管理テーブル２４１の内
容を書き換え、かつ、書き換えた内容を入出力制御部１
４０に通知し、メモリ管理テーブル１４１も書き換えさ
せる。次いで、データ移動後の各揮発性半導体メモリ１
２０Ａと不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの空き容量を計
算し直し、メモリ管理テーブル２４１に登録する。同様
の処理を不揮発性半導体メモリ１２０Ｂの各データにつ
き行う。

【００３６】なお、更新頻度が大となっているものが存
在しても、揮発性半導体メモリ１２０Ａに空き容量の余
裕が十分ないときは、データの移動はしない。不揮発性
半導体メモリ１２０Ｂから不揮発性半導体メモリ１２０
Ａへのデータの移動処理も、前述した如く、図５（２）
のファジィ推論で実行するが、通常の２値論理でも実行
できる。以上の処理を終えたあと、データ移動制御部２
４はタイマ２４２をセットし、計時を開始させ、メモリ
管理テーブル２４１の全データセットの更新回数を０と
する。その後、タイマ２４２が再びタイムアップすれ
ば、同様の処理を行う。なお、ホストコンピュータ３０
０による半導体記憶装置１００へのアクセスをデータ移
動制御部２４によるデータ移動処理よりも優先させてお
き、タイマ２４２がタイムアップしても、入出力制御部
１４０がビジー状態にあれば、ノットビジー状態になる
まで待つようにすることで、ホストコンピュータ３００
の処理を妨げないようにできる。

【００３７】このように、運用中のデータ使用状況に応
じて、実際のデータの更新頻度が変わっても、常に、更
新頻度の大きいデータを揮発性半導体メモリ１２０Ａに
格納させ、更新頻度の小さいデータを不揮発性半導体メ
モリ１２０Ｂに格納させておくことができるので、ホス
トコンピュータ３００の運用形態の変化に関わらず、高
い稼働効率を確保できる。運用中、タイマ２４２のタイ
マデータは、常時、メモリ管理テーブル２４１内にも書
き込まれるようになっている。

【００３８】運用が終わり、電源スイッチ２０がオフさ
れると、監視部２２０は転送制御部１８０にデータ退避
指令を与え、転送制御部１８０は半導体メモリ部１２０
の内、揮発性半導体メモリ１２０Ａの全領域のデータを
不揮発性記憶部１６０に退避させてデータのバックアッ
プを行い、また、入出力制御部１４０内のメモリ管理テ
ーブル１４１の内容と、データ移動制御部２４のメモリ
管理テーブル２４１の内容も不揮発性記憶部１６０に退
避させる。続いて、監視部２２０は半導体記憶装置１０
０の各部の電源オフ制御を行い、電源を落とさせる。こ
の際、半導体メモリ部１２０の内、揮発性半導体メモリ
１２０Ａに格納されていたデータは消えるが、不揮発性
半導体メモリ１２０Ｂに格納されていたデータは消えず
に保存される。また、入出力制御部１４０内のメモリ管
理テーブル１４１の内容と、データ移動制御部２４１の
メモリ管理テーブル２４１の内容も消える。このよう
に、電源オフ時、揮発性半導体メモリ１２０Ａのデータ
だけ不揮発性記憶部１６０に退避すればよいので、該不
揮発性記憶部１６０の記憶容量は、不揮発性半導体メモ
リ１２０Ｂの記憶容量に相当する分だけでよく、半導体
メモリ部１２０の全体のデータを退避させる場合に比べ
て、遙かに容量が少なくて済む。

【００３９】その後、再び運用を開始するため電源スイ
ッチ２０で電源オン操作がされると、監視部２２０は半
導体記憶装置１００の各部に対し電源オン制御を行い、
電源を立ち上げさせたあと、転送制御部１８０にデータ
のリストア指令を与え、転送制御部１８０は電源オフ時
に半導体メモリ部１２０の揮発性半導体メモリ１２０Ａ
から退避させた全データを不揮発性記憶部１６０から揮
発性半導体メモリ１２０Ａにリストアさせ、入出力制御
部１４０から退避させたメモリ管理テーブルの内容を入
出力制御部１４０にリストアさせ、データ移動制御部２
４から退避させたメモリ管理テーブルの内容をデータ移
動部１４０にリストアさせる。この際、不揮発性記憶部
１６０から不揮発性半導体メモリ１２０Ｂにリストアは
しなくてもよいので、半導体メモリ部１２０の全体のデ
ータをリストアさせる場合に比べて、遙かに待ち時間が
短くて済む。データ移動制御部２４は、メモリ管理テー
ブル２４１のタイマデータをタイマ２４２にプリセット
して、計時動作を再開する。これらの結果、ホストコン
ピュータ３００は、データのリストアが終われば、直ち
に、前回までに更新或いは追加記憶させたデータに対
し、前述と同様にして、半導体メモリ部１２０を対象に
高速アクセスすることが可能となる。

【００４０】本実施例によれば、予定更新頻度が大きか
ったり、運用中に更新頻度が大きくなったデータをアク
セス速度の高い揮発性半導体メモリ１２０Ａに格納し、
予定更新頻度が小さかったり、運用中に更新頻度が小さ
くなったデータをアクセス速度のやや遅い不揮発性半導
体メモリ１２０Ｂに格納し、電源オフ時には揮発性半導
体メモリ１２０Ａのデータだけ不揮発性記憶部１６０に
バックアップし、電源オン時には不揮発性記憶部１６０
にバックアップしたデータを揮発性半導体メモリ１２０
Ａにリストアするようにしたので、不揮発性半導体メモ
リ１２０Ｂの記憶容量に相当する分だけ、不揮発性記憶
部１６０に要する記憶容量は少なくて済み、また、電源
オン時にデータをリストアする際の待ち時間も、不揮発
性半導体メモリ１２０Ｂの記憶容量に相当する分だけ短
くて済む。しかも、不揮発性半導体メモリ１２０Ｂには
更新頻度の小さいデータが格納されるので、不揮発性半
導体メモリ１２０Ｂを用いたことによるホストコンピュ
ータ３００の稼働効率の低下は殆ど生じない。また、運
用中の更新頻度に応じて、データを最適な半導体メモリ
に移動する際、移動先の半導体メモリに空き容量の余裕
がないときは、移動しないようにしたので、半導体メモ
リが容量不足に陥ることもない。

【００４１】なお、上記した実施例では、単位時間当た
りの更新回数を更新頻度としたが、最新の所定回数分の
更新時刻の差分の平均を更新頻度としてもよく、また、
使用頻度の一例としてデータの更新頻度を用い、該更新
頻度の大小により、格納すべき半導体メモリを決めた
が、ホストコンピュータが単位時間当たりに書き込み、
読み出しを行った回数から定めた使用頻度の大小や、最
新の所定回数分の書き込み、読み出しを行った時刻の差
分の平均から定めた使用頻度の大小から格納すべき半導
体メモリを決めるようにしてもよい。また、新規データ
を半導体メモリ部１２０に追加記憶する際、半導体メモ
リの空き容量も考慮し、例えば、予定更新頻度が大で揮
発性半導体メモリに格納すべきであっても、該揮発性半
導体メモリに空き容量が少ないときは不揮発性半導体メ
モリに新規データを格納するようにしたり、逆に、予定
更新頻度が小で不揮発性半導体メモリに格納すべきであ
っても、該不揮発性半導体メモリに空き容量が少ないと
きは揮発性半導体メモリに新規データを格納するように
してもよい。

【００４２】更に、データの移動を行う際、更新頻度
（使用頻度）とメモリ空き容量からデータ移動の実行を
するか否かの結論を出すようにしたが、更新頻度（使用
頻度）だけから結論を出すようにしてもよい。また、揮
発性半導体メモリと不揮発性半導体メモリの容量は、全
データ量と、予定される更新頻度の大きいデータと小さ
いデータの割合等に応じて、適宜、定めればよい。以
上、本発明を実施例、変形例、応用例により説明した
が、本発明は請求の範囲に記載した本発明の主旨に従い
種々の変形が可能であり、本発明はこれらを排除するも
のではない。

【００４３】

【発明の効果】以上、本発明によれば、半導体メモリ部
に揮発性半導体メモリと不揮発性半導体メモリを設けて
おくとともに、運用中にホスト側が前記半導体メモリ部
に記憶させる新規なデータを出力するとき、該新規なデ
ータの予定使用頻度に関連した属性情報も合わせて出力
するようにし、該属性情報が予定使用頻度の大きいこと
を示すとき、前記揮発性半導体メモリに新規データを格
納させ、当該属性情報が予定使用頻度の小さいことを示
すとき、前記不揮発性半導体メモリに新規データを追加
記憶させる新規データ格納制御手段を設け、電源オフ時
のデータのバックアップは前記揮発性半導体メモリに対
して行うように構成したから、不揮発性半導体メモリの
記憶容量に相当する分だけ、バックアップ用の不揮発性
記憶部に要する記憶容量は少なくて済み、また、電源オ
ン時にデータをリストアする際の待ち時間も、不揮発性
半導体メモリの記憶容量に相当する分だけ、短くて済
む。しかも、不揮発性半導体メモリには更新頻度の小さ
いデータが格納されるので、不揮発性半導体メモリを用
いたことによるホストの稼働効率の低下は殆ど生じな
い。

【００４４】また、半導体記憶装置にデータ移動制御手
段を設け、運用中、前記半導体メモリ部に格納されたデ
ータの使用頻度を求め、揮発性半導体メモリのデータの
内、使用頻度の小さいものは不揮発性半導体メモリへ移
動させ、不揮発性半導体メモリのデータの内、使用頻度
の大きいものは揮発性半導体メモリへ移動させるように
構成したから、ホストの運用形態によってデータの使用
頻度が予定使用頻度から変化しても、実際の使用頻度が
高いデータを揮発性半導体メモリに格納させておくこと
ができ、ホスト側の運用形態の変化に関わらず、常に、
高い稼働効率を確保するこができる。

【００４５】また、半導体メモリ部に揮発性半導体メモ
リと不揮発性半導体メモリを設けておくとともに、運用
中、前記半導体メモリ部に格納されたデータの使用頻度
を求め、揮発性半導体メモリのデータの内、使用頻度の
小さいものは不揮発性半導体メモリへ移動させ、不揮発
性半導体メモリのデータの内、使用頻度の大きいものは
揮発性半導体メモリへ移動させるデータ移動制御手段を
設け、電源オフ時のデータのバックアップは前記揮発性
半導体メモリに対して行うように構成したから、データ
バックアップ用の不揮発性記憶部に必要な容量を少なく
し、電源オン時にデータをリストアする間の待ち時間も
短くできるのは勿論のこと、新規データが揮発性半導体
メモリと不揮発性半導体メモリのいずれに追加記憶され
たとしても、その後のデータの使用状況に応じて、実際
の使用頻度が高いデータを揮発性半導体メモリに格納さ
せておくことができ、ホスト側の運用形態の変化に関わ
らず、常に、高い稼働効率を確保するこができる。

【００４６】更に、データ移動制御手段に揮発性半導体
メモリと不揮発性半導体メモリの空き容量を求める手段
を設け、移動予定先の半導体メモリの空き容量に余裕が
ある場合に限り、データの移動を行うように構成したか
ら、データの移動で揮発性半導体メモリまたは不揮発性
半導体メモリが容量不足になるのを回避できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理説明図である。

【図２】本発明の実施例構成図である。

【図３】入出力制御部のメモリ管理テーブルの説明図で
ある。

【図４】データ移動制御部のメモリ管理テーブルの説明
図である。

【図５】ファジィ推論によるデータ移動制御処理の説明
図である。

【図６】従来の半導体記憶装置の構成図である。

【符号の説明】 ２４ データ移動制御部 １００ 半導体記憶装置 １２０ 半導体メモリ部 １２０Ａ 揮発性半導体メモリ部 １２０Ｂ 不揮発性半導体メモリ部 １４０ 入出力制御部 １６０ 不揮発性記憶部 １８０ 転送制御部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホスト（３００）によりデータのアクセ
   スを受ける半導体メモリ部（１２０）と、電源オフ時に
   半導体メモリ部のデータが退避される所定の不揮発性記
   憶部（１６０）を備えた記憶装置において、 前記半導体メモリ部に揮発性半導体メモリ（１２０Ａ）
   と不揮発性半導体メモリ（１２０Ｂ）を設けておくとと
   もに、 運用中にホスト側が前記半導体メモリ部に記憶させる新
   規なデータを出力するとき、該新規なデータの予定使用
   頻度に関連した属性情報も合わせて出力するようにし、 該属性情報が予定使用頻度の大きいことを示すとき、前
   記揮発性半導体メモリに新規データを追加記憶させ、当
   該属性情報が予定使用頻度の小さいことを示すとき、前
   記不揮発性半導体メモリに新規データを追加記憶させる
   新規データ格納制御手段（１４０）を設け、 電源オフ時のデータのバックアップは前記揮発性半導体
   メモリに対して行うようにしたこと、 を特徴とする記憶装置。
2. 【請求項２】 運用中、前記半導体メモリ部（１２０）
   に格納されたデータの使用頻度を求め、揮発性半導体メ
   モリ（１２０Ａ）のデータの内、使用頻度の小さいもの
   は不揮発性半導体メモリ（１２０Ｂ）へ移動させ、不揮
   発性半導体メモリのデータの内、使用頻度の大きいもの
   は揮発性半導体メモリへ移動させるデータ移動制御手段
   （２４）を設けたこと、 を特徴とする請求項１記載の記憶装置。
3. 【請求項３】 前記データ移動制御手段（２４）は、前
   記揮発性半導体メモリ（１２０Ａ）と前記不揮発性半導
   体メモリ（１２０Ｂ）の空き容量を求める手段を含み、
   移動予定先の半導体メモリの空き容量に余裕がある場合
   に限り、データの移動を行うようにしたこと、を特徴と
   する請求項２記載の記憶装置。
4. 【請求項４】 ホスト（３００）によりデータのアクセ
   スを受ける半導体メモリ部（１２０）と、電源オフ時に
   半導体メモリ部のデータが退避される所定の不揮発性記
   憶部（１６０）を備えた記憶装置において、 前記半導体メモリ部に揮発性半導体メモリ（１２０Ａ）
   と不揮発性半導体メモリ（１２０Ｂ）を設けておくとと
   もに、 運用中、前記半導体メモリ部に格納されたデータの使用
   頻度を求め、揮発性半導体メモリのデータの内、使用頻
   度の小さいものは不揮発性半導体メモリへ移動させ、不
   揮発性半導体メモリのデータの内、使用頻度の大きいも
   のは揮発性半導体メモリへ移動させるデータ移動制御手
   段（２４）を設け、 電源オフ時のデータのバックアップは前記揮発性半導体
   メモリに対して行うようにしたこと、 を特徴とする記憶装置。
5. 【請求項５】 前記データ移動制御手段（２４）は、前
   記揮発性半導体メモリ（１２０Ａ）と前記不揮発性半導
   体メモリ（１２０Ｂ）の空き容量を求める手段を含み、
   移動予定先の半導体メモリの空き容量に余裕がある場合
   に限り、データの移動を行うようにしたこと、を特徴と
   する請求項５記載の記憶装置。