JPH06332795A - 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法及びシステム - Google Patents
電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法及びシステムInfo
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- JPH06332795A JPH06332795A JP11615893A JP11615893A JPH06332795A JP H06332795 A JPH06332795 A JP H06332795A JP 11615893 A JP11615893 A JP 11615893A JP 11615893 A JP11615893 A JP 11615893A JP H06332795 A JPH06332795 A JP H06332795A
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
- G06F12/023—Free address space management
- G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
- G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気的消去可能な不揮発性メモリの偏った書
換をなくして劣化を防ぐと共に、予備電源装置や電圧監
視装置等の付加をなくして、完全にＦＡＴ，論理アドレ
スあるいは書換あるいは消去回数の保存を保証できるメ
モリの制御方法及びそのシステムを提供する。 【構成】 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法
であって、前記不揮発性メモリ（１０）を消去単位に複
数のブロックに分けて、各ブロックを管理する情報を記
憶する領域（１３）を同じブロック内に設ける。電気的
消去可能な不揮発性メモリを含むシステムにおいて、前
記不揮発性メモリ（１０）の消去単位に分割された各ブ
ロック内にあって、該ブロックを管理する管理情報を記
憶する記憶領域（１３）と、システム起動時に、前記各
ブロックに各々設けられた前記記憶領域内の情報を読み
込み、前記不揮発性メモリを管理するシステムの管理情
報を作成する管理情報作成手段（Ｓ３１，Ｓ３２）と、
作成された前記管理情報を記憶する揮発性メモリ（２
０）とを備える。
換をなくして劣化を防ぐと共に、予備電源装置や電圧監
視装置等の付加をなくして、完全にＦＡＴ，論理アドレ
スあるいは書換あるいは消去回数の保存を保証できるメ
モリの制御方法及びそのシステムを提供する。 【構成】 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法
であって、前記不揮発性メモリ（１０）を消去単位に複
数のブロックに分けて、各ブロックを管理する情報を記
憶する領域（１３）を同じブロック内に設ける。電気的
消去可能な不揮発性メモリを含むシステムにおいて、前
記不揮発性メモリ（１０）の消去単位に分割された各ブ
ロック内にあって、該ブロックを管理する管理情報を記
憶する記憶領域（１３）と、システム起動時に、前記各
ブロックに各々設けられた前記記憶領域内の情報を読み
込み、前記不揮発性メモリを管理するシステムの管理情
報を作成する管理情報作成手段（Ｓ３１，Ｓ３２）と、
作成された前記管理情報を記憶する揮発性メモリ（２
０）とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気的消去可能な不揮
発性メモリ、一般にフラッシュメモリあるいはＮＡＮＤ
型ＥＥＰＲＯＭと呼ばれるものを使用するシステムでの
メモリの制御方法及びそのシステムに関するものであ
る。以下、フラッシュメモリとＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ
を総称してフラッシュメモリとする。
発性メモリ、一般にフラッシュメモリあるいはＮＡＮＤ
型ＥＥＰＲＯＭと呼ばれるものを使用するシステムでの
メモリの制御方法及びそのシステムに関するものであ
る。以下、フラッシュメモリとＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭ
を総称してフラッシュメモリとする。
【０００２】
（従来技術１）現在のディスクオペレーティングシステ
ム（ＤＯＳ）では、ファイルのディスク上の位置、ある
いはその構造を示すファイルアロケーションテーブル
（以下、ＦＡＴ）への書き換え回数が、他のデータに比
べて圧倒的に多いため、フラッシュメモリシステムで磁
気ディスクを単純に置き換えると、ＦＡＴに割り当てら
れたフラッシュメモリのブロックが劣化し、システム全
体が不良となる。そこで、従来は、図１のシステムにお
いて、ＳＲＡＭをキャッシュメモリとして用いた。つま
り、コンピュータシステムからのアクセス要求の頻度が
高いデータをＳＲＡＭ上に置くことによって劣化を防い
だ。よってＦＡＴはＳＲＡＭ上にあることになる。
ム（ＤＯＳ）では、ファイルのディスク上の位置、ある
いはその構造を示すファイルアロケーションテーブル
（以下、ＦＡＴ）への書き換え回数が、他のデータに比
べて圧倒的に多いため、フラッシュメモリシステムで磁
気ディスクを単純に置き換えると、ＦＡＴに割り当てら
れたフラッシュメモリのブロックが劣化し、システム全
体が不良となる。そこで、従来は、図１のシステムにお
いて、ＳＲＡＭをキャッシュメモリとして用いた。つま
り、コンピュータシステムからのアクセス要求の頻度が
高いデータをＳＲＡＭ上に置くことによって劣化を防い
だ。よってＦＡＴはＳＲＡＭ上にあることになる。
【０００３】（従来技術２）また、フラッシュメモリシ
ステムで、磁気ディスクを単純に置き換えると、フラッ
シュメモリはオーバーライト不可であり、一度消去後書
き込む動作をする。しかも、消去時間が長い。よって、
予め、空き時間を利用して消去したブロックを用意して
おき、コンピュータシステムからデータ更新要求がある
と、上記消去済ブロックにデータを書き込み、アクセス
タイムを短縮している。しかし、上記制御方法では、コ
ンピュータシステムからの論理アドレスとフラッシュメ
モリアレイの物理アドレスが一致しないため、図１のＳ
ＲＡＭ上に論理アドレス対物理アドレス変換テーブルを
作成して、コンピュータシステムからのアクセス要求に
対して、このテーブルを参照している。
ステムで、磁気ディスクを単純に置き換えると、フラッ
シュメモリはオーバーライト不可であり、一度消去後書
き込む動作をする。しかも、消去時間が長い。よって、
予め、空き時間を利用して消去したブロックを用意して
おき、コンピュータシステムからデータ更新要求がある
と、上記消去済ブロックにデータを書き込み、アクセス
タイムを短縮している。しかし、上記制御方法では、コ
ンピュータシステムからの論理アドレスとフラッシュメ
モリアレイの物理アドレスが一致しないため、図１のＳ
ＲＡＭ上に論理アドレス対物理アドレス変換テーブルを
作成して、コンピュータシステムからのアクセス要求に
対して、このテーブルを参照している。
【０００４】（従来技術３）更に、フラッシュメモリシ
ステムの信頼性を向上する為に、各々のブロックの書換
あるいは消去回数を管理し、均等に使用する。このため
に、書換あるいは消去回数テーブルを図１のＳＲＡＭ上
に作成する。また、均等化のために、従来技術２と同様
に、論理アドレスと物理アドレスが一致しないため、そ
のテーブルをも図１のＳＲＡＭ上に作成する。
ステムの信頼性を向上する為に、各々のブロックの書換
あるいは消去回数を管理し、均等に使用する。このため
に、書換あるいは消去回数テーブルを図１のＳＲＡＭ上
に作成する。また、均等化のために、従来技術２と同様
に、論理アドレスと物理アドレスが一致しないため、そ
のテーブルをも図１のＳＲＡＭ上に作成する。
【０００５】以上のような従来のいずれの制御方法で
も、ＳＲＡＭ上にあるデータは保存される必要があるの
で、フラッシュメモリ上に書き込む必要があるが、シス
テムの電源ＯＦＦ時にＳＲＡＭ上のデータを退避する時
のみに書き込みを行うので、特定のブロックの劣化を避
けられた。
も、ＳＲＡＭ上にあるデータは保存される必要があるの
で、フラッシュメモリ上に書き込む必要があるが、シス
テムの電源ＯＦＦ時にＳＲＡＭ上のデータを退避する時
のみに書き込みを行うので、特定のブロックの劣化を避
けられた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のシステムは、電源がＯＦＦ（特に瞬断等で）されると
ＳＲＡＭ上のデータが消えてシステムの再起動が出来な
くなるため、ＳＲＡＭ上のデータの退避のための電圧監
視装置と予備電源装置とを必要とする。
のシステムは、電源がＯＦＦ（特に瞬断等で）されると
ＳＲＡＭ上のデータが消えてシステムの再起動が出来な
くなるため、ＳＲＡＭ上のデータの退避のための電圧監
視装置と予備電源装置とを必要とする。
【０００７】すなわち、図１に示すように、電圧監視装
置５０で電圧を監視して、電圧降下を検知するとシステ
ム電源７０からコンデンサあるいはバッテリーからなる
予備電源装置６０に切り換えて、揮発性メモリ（ＳＲＡ
Ｍ）２０のデータを不揮発性メモリ（フラッシュメモ
リ）１０に退避させてデータを保存し、再起動を可能と
する。また、予備電源装置の信頼性を上げるために、Ｓ
ＲＡＭとフラッシュメモリ間のデータを高速に転送する
ためにＤＭＡを用いる。尚、図１で、３０はメモリコン
トローラ、４０はダイレクトメモリアクセスコントロー
ラ（ＤＭＡＣ）である。
置５０で電圧を監視して、電圧降下を検知するとシステ
ム電源７０からコンデンサあるいはバッテリーからなる
予備電源装置６０に切り換えて、揮発性メモリ（ＳＲＡ
Ｍ）２０のデータを不揮発性メモリ（フラッシュメモ
リ）１０に退避させてデータを保存し、再起動を可能と
する。また、予備電源装置の信頼性を上げるために、Ｓ
ＲＡＭとフラッシュメモリ間のデータを高速に転送する
ためにＤＭＡを用いる。尚、図１で、３０はメモリコン
トローラ、４０はダイレクトメモリアクセスコントロー
ラ（ＤＭＡＣ）である。
【０００８】このように、上記図１に示すシステムで
は、予備電源装置や電圧監視装置によってシステムが大
型化するのみならず、予備電源装置の容量に問題があっ
て、データの保存が完全に保証されるわけではない。
は、予備電源装置や電圧監視装置によってシステムが大
型化するのみならず、予備電源装置の容量に問題があっ
て、データの保存が完全に保証されるわけではない。
【０００９】本発明は、前記従来の欠点を除去し、電気
的消去可能な不揮発性メモリの偏った書換をなくして劣
化を防ぐと共に、予備電源装置や電圧監視装置等の付加
をなくして、完全にＦＡＴ，論理アドレスあるいは書換
あるいは消去回数の保存を保証できるメモリの制御方法
及びそのシステムを提供する。
的消去可能な不揮発性メモリの偏った書換をなくして劣
化を防ぐと共に、予備電源装置や電圧監視装置等の付加
をなくして、完全にＦＡＴ，論理アドレスあるいは書換
あるいは消去回数の保存を保証できるメモリの制御方法
及びそのシステムを提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の制御方法は、電気的消去可能な不揮発性メ
モリの制御方法であって、前記不揮発性メモリを消去単
位に複数のブロックに分けて、各ブロックを管理する情
報を記憶する領域を同じブロック内に設けることを特徴
とする。
に、本発明の制御方法は、電気的消去可能な不揮発性メ
モリの制御方法であって、前記不揮発性メモリを消去単
位に複数のブロックに分けて、各ブロックを管理する情
報を記憶する領域を同じブロック内に設けることを特徴
とする。
【００１１】ここで、システム起動時に、前記ブロック
に各々設けられた前記領域内の情報を読み込み、前記不
揮発性メモリを管理するシステムの管理情報を作成す
る。また、前記ブロックへのデータの書き込みがある場
合に、一時にデータと前記管理情報との書き込みを行
う。また、前記ブロックへのデータの書き込みがある場
合に、データと前記管理情報との書き込みと同時に前記
システムの管理情報の更新を行う。また、前記ブロック
からのデータの読み出しがある場合に、前記システムの
管理情報を参照する。
に各々設けられた前記領域内の情報を読み込み、前記不
揮発性メモリを管理するシステムの管理情報を作成す
る。また、前記ブロックへのデータの書き込みがある場
合に、一時にデータと前記管理情報との書き込みを行
う。また、前記ブロックへのデータの書き込みがある場
合に、データと前記管理情報との書き込みと同時に前記
システムの管理情報の更新を行う。また、前記ブロック
からのデータの読み出しがある場合に、前記システムの
管理情報を参照する。
【００１２】また、本発明のシステムは、電気的消去可
能な不揮発性メモリを含むシステムにおいて、 前記不
揮発性メモリの消去単位に分割された各ブロック内にあ
って、該ブロックを管理する管理情報を記憶する記憶領
域と、システム起動時に、前記各ブロックに各々設けら
れた前記記憶領域内の情報を読み込み、前記不揮発性メ
モリを管理するシステムの管理情報を作成する管理情報
作成手段と、作成された前記管理情報を記憶する揮発性
メモリとを備えることを特徴とする。
能な不揮発性メモリを含むシステムにおいて、 前記不
揮発性メモリの消去単位に分割された各ブロック内にあ
って、該ブロックを管理する管理情報を記憶する記憶領
域と、システム起動時に、前記各ブロックに各々設けら
れた前記記憶領域内の情報を読み込み、前記不揮発性メ
モリを管理するシステムの管理情報を作成する管理情報
作成手段と、作成された前記管理情報を記憶する揮発性
メモリとを備えることを特徴とする。
【００１３】ここで、前記ブロックへのデータの書き込
みがある場合に、一時にデータと前記管理情報との書き
込みを行い、同時に前記システムの管理情報の更新を行
う書込制御手段を更に備える。また、前記ブロックから
のデータの読み出しがある場合に、前記システムの管理
情報を参照する読出制御手段を更に備える。
みがある場合に、一時にデータと前記管理情報との書き
込みを行い、同時に前記システムの管理情報の更新を行
う書込制御手段を更に備える。また、前記ブロックから
のデータの読み出しがある場合に、前記システムの管理
情報を参照する読出制御手段を更に備える。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面に従って、本発明の一実施例
を説明する。
を説明する。
【００１５】図２と図５は本実施例に係るフラッシュメ
モリ１０とＳＲＡＭ２０との内部構成の概略を示す図で
ある。尚、本実施例のシステム構成は、図１より不要と
なった電圧監視装置５０及び予備電源装置（コンデン
サ，バッテリー）６０を取り除いたものとなる。
モリ１０とＳＲＡＭ２０との内部構成の概略を示す図で
ある。尚、本実施例のシステム構成は、図１より不要と
なった電圧監視装置５０及び予備電源装置（コンデン
サ，バッテリー）６０を取り除いたものとなる。
【００１６】＜ＦＡＴの制御例＞フラッシュメモリ１０
は、図２の左側に示すように、消去されるブロック単位
（本例では４つのデータセクタを含む、各データセクタ
が１２ａ〜１２ｈで示されている）毎に、データセクタ
のファイルアロケーション値をそのブロック内に有す
る。尚、本例では、１つのブロック単位にファイルアロ
ケーション値を設けたが、データセクタがブロック単位
よりも大きい場合に、所定数のブロック毎に設けること
によっても従来より大幅に改善され、これも本発明の範
囲内である。
は、図２の左側に示すように、消去されるブロック単位
（本例では４つのデータセクタを含む、各データセクタ
が１２ａ〜１２ｈで示されている）毎に、データセクタ
のファイルアロケーション値をそのブロック内に有す
る。尚、本例では、１つのブロック単位にファイルアロ
ケーション値を設けたが、データセクタがブロック単位
よりも大きい場合に、所定数のブロック毎に設けること
によっても従来より大幅に改善され、これも本発明の範
囲内である。
【００１７】一方、ＳＲＡＭ２０には、ＦＡＴを有する
が、これらのテーブルは、フラッシュメモリ１０のファ
イルアロケーション値の内容からいつでも再生が可能で
あり、電源ＯＦＦ時の監視装置や予備電源を必要としな
い。
が、これらのテーブルは、フラッシュメモリ１０のファ
イルアロケーション値の内容からいつでも再生が可能で
あり、電源ＯＦＦ時の監視装置や予備電源を必要としな
い。
【００１８】図３はシステム起動時の本実施例によるメ
モリコントローラ３０の制御手順の概略を示すフローチ
ャートである。
モリコントローラ３０の制御手順の概略を示すフローチ
ャートである。
【００１９】システムが起動されると、ステップＳ３１
で、フラッシュメモリ１０の各ブロックのファイルアロ
ケーション値１３を読み込む。ステップＳ３２で読み込
んだ内容に基づいてＳＲＡＭ２０上にＦＡＴ２１を作成
する。
で、フラッシュメモリ１０の各ブロックのファイルアロ
ケーション値１３を読み込む。ステップＳ３２で読み込
んだ内容に基づいてＳＲＡＭ２０上にＦＡＴ２１を作成
する。
【００２０】次に、図４に従って、フラッシュメモリ１
０へのデータの書き込みを行う場合のメモリコントロー
ラ３０の制御手順の概略を説明する。
０へのデータの書き込みを行う場合のメモリコントロー
ラ３０の制御手順の概略を説明する。
【００２１】まず、ステップＳ４１で対応するデータセ
クタのあるブロックにデータとそのファイルアロケーシ
ョン値を書き込む（ＤＯＳでは、ファイルが連続してい
る場合、ファイルアロケーション値は、次のデータセク
タ番号である。また、ファイルの最後であれば、ファイ
ルの終了コードを示してある。）。ステップＳ４２で、
ＳＲＡＭ上のＦＡＴを前記ファイルアロケーション値で
更新する。
クタのあるブロックにデータとそのファイルアロケーシ
ョン値を書き込む（ＤＯＳでは、ファイルが連続してい
る場合、ファイルアロケーション値は、次のデータセク
タ番号である。また、ファイルの最後であれば、ファイ
ルの終了コードを示してある。）。ステップＳ４２で、
ＳＲＡＭ上のＦＡＴを前記ファイルアロケーション値で
更新する。
【００２２】ＦＡＴの読み込み要求は、ＳＲＡＭ上のＦ
ＡＴに対して行う。これらの実施方法によって、コンピ
ュータシステムからみて、あたかもＦＡＴが従来のフロ
ッピーディスク，ハードディスク装置のように存在する
ように見える。
ＡＴに対して行う。これらの実施方法によって、コンピ
ュータシステムからみて、あたかもＦＡＴが従来のフロ
ッピーディスク，ハードディスク装置のように存在する
ように見える。
【００２３】＜論理アドレスと書換回数との制御例＞論
理アドレス対物理アドレスの変換テーブルを有するシス
テムは、書換あるいは消去回数（以下、書換回数とす
る）テーブルによる均等なブロックの使用とは独立して
存在するが、ここでは両方を含めた実施例を示す。
理アドレス対物理アドレスの変換テーブルを有するシス
テムは、書換あるいは消去回数（以下、書換回数とす
る）テーブルによる均等なブロックの使用とは独立して
存在するが、ここでは両方を含めた実施例を示す。
【００２４】フラッシュメモリ１０は、図５の左側に示
すように、消去されるブロック単位毎に、論理アドレス
と書換回数をブロック内に有する。一方、ＳＲＡＭ２０
には、論理アドレス対物理アドレステーブルと書換回数
テーブルを有するが、これらのテーブルはフラッシュメ
モリ１０の論理アドレスと書換回数からいつでも再生可
能であり、電源ＯＦＦ時の監視装置や予備電源を必要と
しない。
すように、消去されるブロック単位毎に、論理アドレス
と書換回数をブロック内に有する。一方、ＳＲＡＭ２０
には、論理アドレス対物理アドレステーブルと書換回数
テーブルを有するが、これらのテーブルはフラッシュメ
モリ１０の論理アドレスと書換回数からいつでも再生可
能であり、電源ＯＦＦ時の監視装置や予備電源を必要と
しない。
【００２５】図６は、システム起動時の本実施例による
メモリコントローラ３０の制御手順の概略を示すフロー
チャートである。
メモリコントローラ３０の制御手順の概略を示すフロー
チャートである。
【００２６】システムが起動されると、ステップＳ６１
でフラッシュメモリ１０の各ブロックの相対アドレスと
書換回数１５を読み込む。ステップＳ６１で読み込んだ
内容に基づいてＳＲＡＭ２０上に論理アドレス対物理ア
ドレス変換テーブル（以下、変換テーブルとする）２２
と書換回数テーブル２３を作成する。
でフラッシュメモリ１０の各ブロックの相対アドレスと
書換回数１５を読み込む。ステップＳ６１で読み込んだ
内容に基づいてＳＲＡＭ２０上に論理アドレス対物理ア
ドレス変換テーブル（以下、変換テーブルとする）２２
と書換回数テーブル２３を作成する。
【００２７】次に、図７に従って、フラッシュメモリ１
０へのデータの書込みを行う場合のメモリコントローラ
３０の制御手順の概略を示すフローチャートを示す。
０へのデータの書込みを行う場合のメモリコントローラ
３０の制御手順の概略を示すフローチャートを示す。
【００２８】まず、書換回数テーブルより、消去済のブ
ロックの中から、書換回数の最も少ないブロックをステ
ップＳ７１で選択する。ステップＳ７２で書換回数を＋
１して、書換回数テーブル２３を更新する。ステップＳ
７３で、コンピュータシステム８０からの要求アドレス
を論理アドレスとし、選択されたブロックにこの論理ア
ドレスと書換回数のデータを書き込む。ステップＳ７４
で、ＳＲＡＭ２０上の論理アドレス対物理アドレステー
ブル２２を更新する。ステップＳ７５でデータが新規書
込みか更新かを判断し、更新の場合はステップＳ７６で
古いデータのブロックを消去し、その書換回数のみ書き
込んでおく。
ロックの中から、書換回数の最も少ないブロックをステ
ップＳ７１で選択する。ステップＳ７２で書換回数を＋
１して、書換回数テーブル２３を更新する。ステップＳ
７３で、コンピュータシステム８０からの要求アドレス
を論理アドレスとし、選択されたブロックにこの論理ア
ドレスと書換回数のデータを書き込む。ステップＳ７４
で、ＳＲＡＭ２０上の論理アドレス対物理アドレステー
ブル２２を更新する。ステップＳ７５でデータが新規書
込みか更新かを判断し、更新の場合はステップＳ７６で
古いデータのブロックを消去し、その書換回数のみ書き
込んでおく。
【００２９】次に、図８に従って、フラッシュメモリ１
０内のブロックの書換回数の平均化と、メモリコントロ
ーラ３０の空き時間に行う制御手順の概略を示すフロー
チャートを示す。
０内のブロックの書換回数の平均化と、メモリコントロ
ーラ３０の空き時間に行う制御手順の概略を示すフロー
チャートを示す。
【００３０】まず、書換回数のバラツキがあるかを判断
し、ある場合は、書換回数の多いブロックのデータを少
ないブロックに移動する。そして、更にバラツキを判別
し、すべてのブロックが均等になるようにする。
し、ある場合は、書換回数の多いブロックのデータを少
ないブロックに移動する。そして、更にバラツキを判別
し、すべてのブロックが均等になるようにする。
【００３１】
【発明の効果】本発明により、電気的消去可能な不揮発
性メモリ装置内の予備電源装置や電圧監視装置等の付加
をなくして、完全にＦＡＴ，論理アドレスあるいは書換
回数の保存を保証できるメモリの制御方法及びそのシス
テムを提供できる。
性メモリ装置内の予備電源装置や電圧監視装置等の付加
をなくして、完全にＦＡＴ，論理アドレスあるいは書換
回数の保存を保証できるメモリの制御方法及びそのシス
テムを提供できる。
【図１】従来のフラッシュメモリを使用するシステムの
構成例を示すブロック図である。
構成例を示すブロック図である。
【図２】本実施例のフラッシュメモリ及びＳＲＡＭの構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】図２のシステムの起動時の制御手順の一例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図４】図２のシステムのデータ書換時の制御手順の一
例を示すフローチャートである。
例を示すフローチャートである。
【図５】他の実施例のフラッシュメモリ及びＳＲＡＭの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図６】図５のシステムの起動時の制御手順の一例を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図７】図５のシステムのデータ書換時の制御手順の一
例を示すフローチャートである。
例を示すフローチャートである。
【図８】本実施例のシステムの空き時間の制御手順の一
例を示すフローチャートである。
例を示すフローチャートである。
Claims (8)
- 【請求項１】 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御
方法であって、 前記不揮発性メモリを消去単位に複数のブロックに分け
て、 各ブロックを管理する情報を記憶する領域を同じブロッ
ク内に設けることを特徴とする制御方法。 - 【請求項２】 システム起動時に、前記ブロックに各々
設けられた前記領域内の情報を読み込み、前記不揮発性
メモリを管理するシステムの管理情報を作成することを
特徴とする請求項１記載の制御方法。 - 【請求項３】 前記ブロックへのデータの書き込みがあ
る場合に、一時にデータと前記管理情報との書き込みを
行うことを特徴とする請求項１記載の制御方法。 - 【請求項４】 前記ブロックへのデータの書き込みがあ
る場合に、データと前記管理情報との書き込みと同時に
前記システムの管理情報の更新を行うことを特徴とする
請求項３記載の制御方法。 - 【請求項５】 前記ブロックからのデータの読み出しが
ある場合に、前記システムの管理情報を参照することを
特徴とする請求項２記載の制御方法。 - 【請求項６】 電気的消去可能な不揮発性メモリを含む
システムにおいて、 前記不揮発性メモリの消去単位に分割された各ブロック
内にあって、該ブロックを管理する管理情報を記憶する
記憶領域と、 システム起動時に、前記各ブロックに各々設けられた前
記記憶領域内の情報を読み込み、前記不揮発性メモリを
管理するシステムの管理情報を作成する管理情報作成手
段と、 作成された前記管理情報を記憶する揮発性メモリとを備
えることを特徴とするシステム。 - 【請求項７】 前記ブロックへのデータの書き込みがあ
る場合に、一時にデータと前記管理情報との書き込みを
行い、同時に前記システムの管理情報の更新を行う書込
制御手段を更に備えることを特徴とする請求項６記載の
システム。 - 【請求項８】 前記ブロックからのデータの読み出しが
ある場合に、前記システムの管理情報を参照する読出制
御手段を更に備えることを特徴とする請求項６または７
記載のシステム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11615893A JPH06332795A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法及びシステム |
| KR94010822A KR970010238B1 (en) | 1993-05-18 | 1994-05-17 | Electrically erasable nonvolatile memory controlling method and system therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11615893A JPH06332795A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法及びシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06332795A true JPH06332795A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14680216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11615893A Pending JPH06332795A (ja) | 1993-05-18 | 1993-05-18 | 電気的消去可能な不揮発性メモリの制御方法及びシステム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06332795A (ja) |
| KR (1) | KR970010238B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0997199A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Canon Inc | フラッシュｒｏｍ管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置 |
| JPH11512544A (ja) * | 1995-09-13 | 1999-10-26 | レクサー・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 半導体不揮発性大容量記憶メモリ内の自動摩耗レベリングによるシステム・データ制御の方法およびアーキテクチャ |
| US6195217B1 (en) * | 1995-03-06 | 2001-02-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Hard disk equipped with a memory for storing file allocation table (FAT) information |
| KR100445134B1 (ko) * | 2002-01-31 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 안정화기능을 구비한 호스트 기기 및 그 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007011872A (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Toshiba Corp | メモリカードとその制御方法 |
-
1993
- 1993-05-18 JP JP11615893A patent/JPH06332795A/ja active Pending
-
1994
- 1994-05-17 KR KR94010822A patent/KR970010238B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6195217B1 (en) * | 1995-03-06 | 2001-02-27 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Hard disk equipped with a memory for storing file allocation table (FAT) information |
| JPH11512544A (ja) * | 1995-09-13 | 1999-10-26 | レクサー・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 半導体不揮発性大容量記憶メモリ内の自動摩耗レベリングによるシステム・データ制御の方法およびアーキテクチャ |
| JPH0997199A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-08 | Canon Inc | フラッシュｒｏｍ管理方法及び装置及びコンピュータ制御装置 |
| KR100445134B1 (ko) * | 2002-01-31 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리 안정화기능을 구비한 호스트 기기 및 그 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940026970A (ko) | 1994-12-10 |
| KR970010238B1 (en) | 1997-06-23 |
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