JP4019306B2 - Eepromへの記録方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、EEPROMへの記録方法に係る。特に書き込み回数に仕様上の回数の制限があるというEEPROMの性質を考慮した点に特徴の有るEEPROMへの記録方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
EEPROM(Erectrically Erazable and Programmable Read Only Memory)は電気的に消去と書き込みが可能な読み取り専用記憶素子である。特別な消去装置が不要であり、システムに組み込んだまま消去、再書き込みができる。プログラムの格納の他に、システムのBIOSやブートストラップコードを格納するだけでなく、ユーザーの環境ごとに異なるような設定項目のデータを格納するためにも用いられる。
【0003】
さらに、軽量小型であり、ハードディスクの様な機構部分を持たず振動に強い特性を生かして、運動する装置であって特に軽量小型を要求される航空機等のデータ格納にも用いられる。
その記録方法として以下の方法が有る。
(1)通常のメモリ(RAM)と同様に、EEPROMの物理的メモリ空間に各変数を割り当てて、データを格納する。
(2)EEPROMの物理的メモリ空間を複数の記憶領域に分け、ヘッダー情報に基づき記憶領域を選択し、データを格納する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述のEEPROMへの記録方法の場合、
(1)では、EEPROMの物理的メモリ空間の一部領域しか利用できない。
(2)では、EEPROMの物理的メモリ空間の全領域を利用することができるが、EEPROMの書き込み回数の仕様上の制限回数まであとどのくらいの余裕があるかが分からず、書き込み制限回数を超えて書き込んだ結果、データを失う恐れが有る。
【0005】
本発明は以上に述べた問題点に鑑み案出されたもので、従来のEEPROMへの記録方法にかわって、EEPROMの書き込み回数制限を越えることなく書き込みを行い、EEPROMの物理的メモリ空間を有効に使いきることの出来るEEPROMへの記録方法を提供しようとする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るメモリへの書き込みをする最大書き込み回数をNmaxと定めたEEPROMへの記録方法は、EEPROMの物理メモリ空間を書き込みが同時に行える単位である複数のエリアに予め区分し、前記エリア内のメモリに書き込みを行った際に該エリアへの書き込み回数Nを特定する書き込み回数情報を該エリア内の第一の特定番地のメモリに同時に書き込み、前記エリア内のメモリに書き込みを行う際に該エリア内の前記第一の特定番地の前記書き込み回数情報から得られる前記書き込み回数NがNmax以上である場合には未だ書き込みが行われていない他の前記エリア内のメモリに書き込みをし、前記エリアの第三の特定番地に該エリアに書き込みを行った最新の日付を特定する日付情報を書き込み、その日付情報を用いて過去と同頻度で書き込みをおこなった場合にすべてのエリアの前記書き込み回数Nが最大書き込み回数Nmax以上になりうる日付を予測するものとした。上記本発明の構成により、前記エリアの第三の特定番地から最新の日付情報を得て、その日付情報を用いて過去と同頻度で書き込みをおこなった場合にすべてのエリアの前記書き込み回数Nが最大書き込み回数Nmaxに近づくかNmaxを越える日付を予測するので、EEPROMが使用不能になる日付が概略判断できる。
また、前記エリアのメモリ空間と同一又は小さいメモリ空間を有する仮想メモリ空間であるページを定義し、各々の前記ページには前記エリアが割り付けられており、前記ページへのデータの書き込みが発生した際に前記ページに割り付けられた前記エリア内のメモリに書き込みを行うものとした。
また、一つのページが該ページへのデータを書き込んだ最新のエリアと一対一に関連づけられている管理テーブルを用意し、前記ページへのデータの書き込みが発生した際に前記管理テーブルを参照して該ページに関連づけられた前記エリア内のメモリに書き込みを行うものとした。
前記エリアの第二の特定番地に該エリアが割り付けられたページを識別するページ識別コードを書き込むものとした。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施形態を、図面を参照して説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略する。
【0013】
本発明の実施形態に係るEEPROMへの記録方法を説明する。図1は、本発明の実施形態の概念図である。
【0014】
最初に、本発明の実施形態に係るEEPROMへの記録方法を実施する装置を説明する。図4は、本発明の実施形態を実施する装置の概念図である。
装置1は、CPU2とプログラム3とRAM4とEEPROM5とI/O6とを備える。
CPU2は、プログラム3に従って計測を行い、計測データをRAM4に一時保管した後、EEPROM5へ記録する。
プログラム3は、計測とデータ保存の手順をあらわしたソフトウェアである。プログラム3は、データ計測ルーチンとデータ格納ルーチンとを有する。
RAM4は、計測をしたデータを一時保管するランダムアクセスメモリである。
EEPROM5は、計測したデータを保管する電気的書き換え可能なリードオンリーメモリーである。
I/O6は、センサ7とつながり、所望の計測データを取り込む。
【0015】
図1は、本発明の実施形態のメモリ空間図である。
メモリ空間には、ページ空間100とデータ記録空間300と管理テーブル200とを備える。
ページ空間100は仮想のメモリ空間であり、プログラム3のデータ計測ルーチンはこのページ空間100に対して書き込み、読み込みを行う。ページ空間100は、複数のページ101,102・・をもち、個々のページ101,102・・は一意の識別コードを持つ。ここでは、説明の便宜のために、識別コードをページ1、ページ2、・・・・とする。各ページ101,102・・は、計測の都合に適合したデータ数を格納できるだけの空間を有する。
データ計測ルーチンが、特定のページ101,102・・に対して書き込み命令または読み込み命令を行うと、データ格納ルーチンが管理テーブル200により参照されたデータ記録空間200へ書き込みまたは読み込みを行う。
【0016】
データ記録空間300は、EEPROM5の物理メモリー空間に設けられる。データ記録空間300は、複数のエリア310,320・・で構成される。ここで、エリア310,320・・とは、EEPROM5の物理メモリ空間に書き込みが同時に行える単位である。エリアは、EEPROM5の物理メモリ空間を同時に書き込みが行える最小単位でもよいし、最小単位の複数の組み合わせでもよい。各エリア310,320・・は一意の識別コードを持つ。ここでは、説明の便宜のために、エリア0、エリア1、・・・とする。
各々エリア310,320・・は、一つの管理領域とデータ領域とを備える。
管理領域は、後述するEEPROM5への記録方法を実施するための管理データを保存する領域であり、ページ番号を保存する領域311(以下、ページ番号領域311と呼ぶ。)と書き込み回数を保存する領域312(以下、書き込み回数領域312という。)と日付情報を保存する領域313(以下、日付領域313という。)とを有する。
データ領域314・・は、計測されたデータを格納するメモリー領域である。
【0017】
ページ番号領域311は、そのエリア310に割り付けられたページ番号を格納するメモリ空間である(第二の特定番地の領域に相当する)。初期値はNULLであって、所定の手続きでそのエリアが特定のページに割り付けられた時に、その直後に行われるエリア内のメモリへの書き込み処理ルーチンの中で、割り付けられたページ番号を書き込まれる。
書き込み回数領域312は、そのエリア内のメモリに書き込み処理が発生した回数を格納するメモリ空間である(第一の特定番地の領域に相当する)。初期値はNULLであって、そのエリア内のメモリ番地に書き込み処理が発生した際に、その書き込み処理ルーチンの中で、例えば、書き込み回数領域に格納されたコードをインクリメントして書き込みを行われる。
日付領域313は、そのエリア内のメモリ番地に書き込み処理が発生した最新の日の日付を格納する空間である(第三の特定番地の領域に相当する)。初期値はNULLであって、書き込み回数領域に書き込みが発生した同一書き込み処理ルーチン内で、CPUの内部タイマーのもつ日付を書き込まれる。
ここで、NULLはシステムが定める特定のコードであり、例えば、「FFFF」である。
【0018】
管理テーブル200は、RAM4のメモリ空間に置かれる。場合によっては、前述のEEPROM5の物理メモリー空間に設けてもよい。
管理テーブル200は、各ページ101,102・・に割り付けられたエリア310,320・・を参照するためのルックアップテーブルである。例えば、特定のRAM番地を先頭にして、ページの識別コードの昇順に、各ページに割り付けられたエリアの識別コードが並べられる。
各ページには、所定の手続きでエリアが割り付けられる。
【0019】
次に、本発明の実施形態に係るEEPROMへの記録方法を実施するメモリ格納ルーチンを説明する。図3は、本発明の実施形態のフローチャート図である。図2は、本発明の実施形態のメモリの状態の遷移図である。
メモリ格納ルーチンは、書き込みルーチンS10と読み込みルーチンS20とメモリフル日付予測ルーチンS30とを有する。
【0020】
書き込みルーチンS10をフローに従って、説明する。
仮想メモリ空間8の中の希望のページへの書き込み命令が発生すると、書き込みルーチンS10が起動する。以下、説明の便宜のためにページ2に書き込み命令が発生したとして説明する。
<S11:ページ指定>
書き込みを要求されたページのコードである「ページ2」を確認する。
<S12:エリア検索>
管理テーブル200を参照し、「ページ2」を割り付けられているエリアを確認する。例えば、「ページ2」には、「エリア1」が割り付けられている。
<S13:エリア書き込み>
「エリア1」のデータ領域にデータを書き込む。
<S14:書き込み回数をインクリメント>
「エリア1」の書き込み回数領域に格納されている数に1を加算した値を新たな数として、書き込み回数領域に格納する。
【0021】
<S15:Nmaxか?>書き込み回数領域に書き込んだ数がNmaxに達したか否かを確認する。達していなかったら、書き込みルーチンを終了する。ここで、Nmaxは、EEPROMの仕様上の書き込み保証回数を基に定められる数であり、例えば、書き込み保証回数=10万回に対して、Nmax=5万回である。達していたら、次へ進む。
<S16:新たなエリアを割当>所定の手続きに従い、「ページ2」に今だ割当られたことのないエリアを割り当てる。例えば、「エリア43」を割り当てる。「エリア43」のページ番号領域と書き込み回数領域に格納されたコードがNULLとなっている。「エリア43」のページ番号領域に「ページ2」を書き込み、書き込み回数領域に「1」を書き込み、日付領域にタイマーの日付を書き込む。
<S17:新たなエリアへデータ転送>エリアのデータ領域に格納されている全てのデータを新たなエリアのデータ領域に転送する。
<S18:管理テーブルを更新>管理テーブル100のページのエリア番号の格納されるエリア番号を新たなエリア番号に変更する。例えば、「ページ2のエリア番号」にエリア番号「エリア43」を格納する。
【0022】
次に、読み込みルーチンS20をフローに従って、説明する。
仮想メモリ空間8の中の希望のページの読み取り命令が発生すると、読み込みルーチンS20が起動する。以下、説明の便宜のためにページ2に書き込み命令が発生したとして説明する。
<S21:ページ指定>
読み込みを要求されたページのコードである「ページ2」を確認する。
<S22:エリア検索>
管理テーブル200を参照し、「ページ2」を割り付けられているエリアを確認する。例えば、「ページ2」には、「エリア43」が割り付けられていたとして、以下の説明をする。
<S23:エリア読み取り>
割り付けられたエリアからデータを読み取る。例えば、「エリア43」でデータ領域から所望のデータを読み込む。
【0023】
次に、メモリ寿命予想ルーチンS30をフローに従って、説明する。
<S31:使用済エリアの数を確認>
総エリアのうち、書き込み回数に格納された数がNmaxに達しているエリアの数と残りのエリアの数を確認する。
<S32:最新日付を確認>
総エリアの日付の格納された日付の内、最も新しい日付と最も古い日付を確認する。
<S33:寿命予測>
残りのエリアの数と日付とから、すべてのエリアの書き込み回数がNmaxとなる日付を外挿法により予測する。
【0024】
上述の実施形態のEEPROMへの記録方法を用いれば、EEPROMへの書き込み回数が許容回数を超えることなく、EEPROMの全メモリ空間領域を有効に利用して、EEPROMにデータを保存できる。
また、計測ルーチンが仮想メモリ空間であるページに書き込み又は読み出しをすると、物理メモリ空間であるメモリ格納ルーチンに書き込み又は読み出しをすることができ、計測ルーチンを設計、改造しやすくなる。
また、ページとエリアの関連を予め記録した管理テーブルを用いるので、メモリ格納ルーチンが高速に書き込み、読み出しをすることができる。
また、エリアの特定番地に割り付けられたページのコードが記録してあるので、計測システム立ち上げ時にこのデータをたどることで、管理テーブルを生成することができ、管理テーブルを保存するためにバックアップされた揮発型メモリを用意する必要がない。
また、書き込みをした日付をエリアに書き込んでいるので、エリアを使い切る日付を簡単に予測できる。
【0025】
本発明は以上に述べた実施形態に限られるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の変更が可能である。
管理テーブルがRAMにあるとして説明したらこれに限定されず、EEPROMにおいてもよい。
【0026】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のメモリへの書き込みをする最大書き込み回数をNmaxと定めたEEPROMは、その構成により、以下の効果を有する。
書き込み回数NがNmaxを越えてエリア内のメモリに書き込みをすることがなく、書き込み回数NがNmaxを越えてない他のエリアのメモリに次々に書き込みをすることが出来る。
また、ページに割り付けられた一つのエリアの物理メモリ空間または複数のエリアの内の最新のエリアの物理メモリ空間へデータを書き込むことで、そのページへの書き込みが発生したデータを保存することが出来る。
また、管理テーブルを参照してページに関連づけられた最新のエリアを即座に見つけて、そのエリアにデータを書き込むことができる。
また、ページ識別コードと第一の特定番地から得られる書き込み回数Nからページに関連づけられた最新のエリアを見つけて、そのエリアにデータを書き込むことができる。
また、EEPROMが使用不能になる日付が概略判断できる。
従って、EEPROMの書き込み回数制限を越えることなく書き込みを行い、EEPROMの物理的メモリ空間を有効に使いきることの出来るEEPROMへの記録方法を提供できる。
【0027】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態のメモリ空間図である。
【図2】本発明の実施形態のメモリの状態の遷移図である。
【図3】本発明の実施形態のフローチャート図である。
【図4】本発明の実施形態を実施する装置の概念図である。
【符号の説明】
1 計測装置
2 CPU
3 プログラム
4 RAM
5 EEPROM
6 I/O
7 センサ
100 ページ空間
101 ページ1
102 ページ2
103 ページ3
104 ページ4
200 管理テーブル
201 ページ1のエリア番号の格納空間
202 ページ2のエリア番号の格納空間
203 ページ3のエリア番号の格納空間
204 ページ4のエリア番号の格納空間
300 データ記録空間
310 エリア0
311 ページ番号領域
312 書き込み回数領域
313 日付領域
314〜 データの格納空間
320 エリア1
330 エリア2
340 エリア3
350 エリア43

Claims (4)

  1. メモリへの書き込みをする最大書き込み回数をNmaxと定めたEEPROMへの記録方法であって、EEPROMの物理メモリ空間を書き込みが同時に行える単位である複数のエリアに予め区分し、前記エリア内のメモリに書き込みを行った際に該エリアへの書き込み回数Nを特定する書き込み回数情報を該エリア内の第一の特定番地のメモリに同時に書き込み、前記エリア内のメモリに書き込みを行う際に該エリア内の前記第一の特定番地の前記書き込み回数情報から得られる前記書き込み回数NがNmax以上である場合には未だ書き込みが行われていない他の前記エリア内のメモリに書き込みをし、
    前記エリアの第三の特定番地に該エリアに書き込みを行った最新の日付を特定する日付情報を書き込み、その日付情報を用いて過去と同頻度で書き込みをおこなった場合にすべてのエリアの前記書き込み回数Nが最大書き込み回数Nmax以上になりうる日付を予測する、ことを特徴とするEEPROMへの記録方法。
  2. 前記エリアのメモリ空間と同一又は小さいメモリ空間を有する仮想メモリ空間であるページを定義し、各々の前記ページには前記エリアが割り付けられており、前記ページへのデータの書き込みが発生した際に前記ページに割り付けられた前記エリア内のメモリに書き込みを行う、ことを特徴とする請求項1に記載のEEPROMへの記録方法。
  3. 一つのページが該ページへのデータを書き込んだ最新のエリアと一対一に関連づけられている管理テーブルを用意し、前記ページへのデータの書き込みが発生した際に前記管理テーブルを参照して該ページに関連づけられた前記エリア内のメモリに書き込みを行う、ことを特徴とする請求項2に記載のEEPROMへの記録方法。
  4. 前記エリアの第二の特定番地に該エリアが割り付けられたページを識別するページ識別コードを書き込むことを特徴とする請求項2又は請求項の一つに記載のEEPROMへの記録方法。
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JP4487978B2 (ja) * 2006-06-28 2010-06-23 セイコーエプソン株式会社 半導体記憶装置管理システム、プログラム、半導体記憶装置の管理方法
JP5164506B2 (ja) * 2007-10-02 2013-03-21 三菱電機株式会社 フラッシュメモリ管理装置及びフラッシュメモリ管理方法及びプログラム
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