JP2000250820A

JP2000250820A - 不揮発性メモリへのデータ保存方法

Info

Publication number: JP2000250820A
Application number: JP2000041485A
Authority: JP
Inventors: Joel B Larner; ジョエル・ビー・ラーナー; Michael J O'brien; マイケル・ジェイ・オブライエン
Original assignee: Hewlett Packard Co
Current assignee: HP Inc
Priority date: 1999-02-26
Filing date: 2000-02-18
Publication date: 2000-09-14
Also published as: TW446950B; KR100377301B1; KR20000062616A; EP1031929A2; EP1031929A3; US6104638A

Abstract

(57)【要約】【課題】消去可能で追記書き込み可能な不揮発性メモリ
へ可変データを記憶する。【解決手段】セグメント化された少なくとも２つのフラ
ッシュメモリセグメント１０６，１０８，１１０を使用
する。１つのメモリセグメント１０６の使用可能領域が
ほとんどないときまたはそのメモリセグメント１０６に
誤りあるときに、最新の値が新メモリセグメント１０８
に書き込まれる。初期化をしている間、関係する全変数
が既定値と共にＲＡＭ１０４に書き込まれる。使用中の
フラッシュメモリセグメント１０８は、最古のエントリ
から最新のエントリまで逐次読み出され、フラッシュメ
モリ１０８からの値はＲＡＭ１０４の値を上書きするた
めに使用される。ＲＡＭ１０４は全ての変数に対する最
新値を保持する。新メモリセグメント１０８が書き込ま
れる場合、その新メモリセグメント１０８はＲＡＭ１０
４からの値を使用して書き込まれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にはコンピ
ュータ・プロセッサによるシステムの不揮発性メモリへ
のデータ保存方法に係り、更に詳細には、可変情報(cha
nging information)を不揮発性メモリに記憶する不揮発
性メモリデータへの保存方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータシステムは、一般に、ラン
ダムアクセスメモリ(Random Access Memory;以下、ＲＡ
Ｍと称す)にデータを記憶する。ＲＡＭ内の記憶領域(me
mory location)を速やかに上書きすることができる。一
般に、ＲＡＭは揮発性である。このことは、電力が供給
されなくなると全情報が消去されることを意味する。歴
史的に、コンピュータ・プロセッサによるシステムにお
ける不変ソフトウェア（ファームウェアと称される）
は、度々、不揮発性で消去不能な読取り専用メモリ（Re
ad Only Memory;以下、ＲＯＭと称す）に記憶されてい
た。そのため、ソフトウェアの変更が必要となった場合
はＲＯＭを交換していた。近年では、プログラム可能ま
たは消去可能な様々な不揮発性メモリ技術が開発されて
いる。一般に、消去可能な不揮発性メモリデバイスは、
ファームウェアを更新するために交換する必要がない。
それら消去可能な不揮発性メモリデバイスには、プログ
ラム可能読取り専用メモリ(Programmable Read Only Me
mory;以下、ＰＲＯＭと称す）およびフラッシュメモリ
と称される電気的に消去可能なプログラム可能読取り専
用メモリ（Electrically Erasable Programmable Read
Only Memory;以下、ＥＥＰＲＯＭと称す）が含まれる。
フラッシュメモリチップは、電気的に消去可能であり、
消去された各記憶領域に一度だけ書き込むことができ
る。１つの記憶領域の内容を変えるためには、全チップ
（または、いくつかのバージョンでは、チップの多くの
メモリセグメントあるいはブロック）を消去する必要が
あり、その内容を再書き込みする必要がある。

【０００３】いくつかの情報は時間が経つにつれて変化
するため、不揮発性メモリに記憶する必要がある。例え
ば、電子機械的なコンピュータ周辺装置は、予防保守の
ために電力の供給時間を追跡(track)する必要がある。
一般的な取り組みは、毎時間ごとに、電源投入(power-o
n)データを更新することである。電源投入情報を不揮発
性メモリに記憶しなければならない。一般的な取り組み
方法の一つとして、システム電力がオフになっても、低
電力スタティックＲＡＭに電力の供給を維持するための
電池をシステムが備えることによって、データをスタテ
ィックＲＡＭに記憶する方法がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法は比
較的高価であり、その信頼性はバッテリの充電および電
力切替え回路(power switch over circuitry)の保全性
に依存している。

【０００５】このため、可変データ(changing data)の
不揮発性記憶に対する必要性が大きくなってきている。

【０００６】本発明は、上記事情にかんがみてなされた
ものであり、消去可能で追記書き込み可能な不揮発性メ
モリへの可変データの記憶を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】不揮発性の追記書き込み
可能なメモリ(write-once memory)が可変データの記憶
のために使用される。実施例ではセグメント化されたフ
ラッシュメモリが使用されるが、個々のメモリセグメン
トは消去可能である。少なくとも２つのメモリセグメン
トが使用される。１つのメモリセグメントの使用可能領
域がほとんどない(nearly full)ときまたはそのメモリ
セグメントに誤りあるときに、最新の値が新メモリセグ
メントに書き込まれる。初期化をしている間、関係する
全変数が既定値(default value)と共にＲＡＭに書き込
まれる。使用中のフラッシュメモリセグメントは、最古
のエントリから最新のエントリまで逐次読み出され、フ
ラッシュメモリからの値はＲＡＭの値（または値に対す
るポインタ）を上書きするために使用される。ＲＡＭは
全ての変数に対する最新値を保持する（または指定す
る）。新メモリセグメントが書き込まれる場合、その新
メモリセグメントはＲＡＭからの値を使用して書き込ま
れる。この方法により、情報の各記憶項目に対する最新
（現行）値が特定され、新しいデータの追加・古いデー
タの削除が行われ、メモリセグメントの使用可能領域が
ないときに作動が開始され、停電時からの回復が可能と
なる。

【０００８】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係るプロセッサ
によるシステムを示すブロック図である。プロセッサ１
００はファームウェア１０２によって制御され、ファー
ムウェア１０２はＲＯＭ内に保持されていてもよい。さ
らに、そのシステムは揮発性ＲＡＭ１０４を使用する。
さらに、そのシステムは不揮発性メモリ（１０６，１０
８，１１０）を使用する。本発明の特定の実施例では、
セグメント化（あるいはブロック化）されたフラッシュ
メモリが使用される。各記憶領域は一度だけ書き込むこ
とができるが、全てのメモリセグメント(segment)また
はメモリブロック(block)を消去できる。すなわち、消
去できる最小の部分は、セグメント化されたフラッシュ
メモリのメモリセグメント１０６、メモリセグメント１
０８またはメモリセグメント１１０である。他の種類の
消去可能な不揮発性の追記書き込み可能メモリ(erasabl
e, non-volatile, write-once memory)も同様に使用す
ることができる。以下の記載の中で、「消去値(erased
value)」という表現は、消去後に、不揮発性メモリセグ
メント内の記憶領域に記憶されるどのような値をも意味
する。特定の実施例においては、不揮発性メモリセグメ
ントが消去される場合、各記憶領域はＦＦＦＦｈｅｘ
に設定される。

【０００９】可変パラメータの記憶に対する消去可能で
追記書き込み可能(write-once)なセグメント化されたメ
モリの使用は、以下のような問題の解決を必要とする。

【００１０】情報の各記憶項目に対する最新（現在）値
の確認新しいデータの追加と古いデータの削除に対する対処メモリセグメントの使用可能領域がない場合の備え停電時への備え（一つのメモリセグメントから他のメモ
リセグメントヘのデータ転送中またはデータ書き込み中
に電力の供給が切れても、データが失なわれないように
するため）本発明はこれらの問題をすべて解決し、以下に説明され
るように、付加的な特徴を提供する。

【００１１】実施例においては、メモリ管理の便宜上、
記憶されるべき情報の各項目は、パラメータと呼ばれる
データ構造にパッケージされる。ここでパラメータはデ
ータの識別，データ長および実際のデータから構成され
る。実施例では、各パラメータはパラメータＩＤを有し
ている。パラメータＩＤは情報の項目を識別し、情報の
項目の長さを指定する。メモリにおいて、特定されたデ
ータはパラメータＩＤの直後に続く。実施例では、パラ
メータＩＤは１つの１６ビット・ワードであり、パラメ
ータＩＤ内の２つの最上位ビットは、以下のように、３
つのＩＤクラスの内の１つを指定する。００１６ビットデータ領域０１３２ビットデータ領域１０（次ワードが長さを指定する）可変長データ領域

【００１２】本発明の実施例において、本発明は、取り
外し可能な記憶媒体を有するマスメモリ・ドライブ機構
(mass-memory drive mechanism)で使用される。不揮発
性メモリに記憶する該当データの例として、（製造時に
決定される）ドライブ・シリアルナンバー，製造日，ド
ライブの電源が投入されていた時間数，媒体がドライブ
にロードされた回数（ロードカウント）およびドライブ
の寿命の間に読み出されまたは書き込まれたデータの量
（リードカウント(read counter)）を含む。これらの種
類のデータは、保守または予備保守のために使用され
る。ドライブがしばらくの間使用された後、関連したパ
ラメータを記憶するために使用される不揮発性メモリの
セグメントは、以下の表１のように表現される。

【００１３】

【表１】

【００１４】表１において、ロードカウントおよびリー
ドカウントパラメータは、それらが最初に不揮発性メモ
リセグメントに書き込まれた後、新しい情報により更新
されている。実施例では、記憶されるパラメータはファ
ームウェアにコード化される。初期化の間、ファームウ
ェアは各パラメータ用の揮発性ＲＡＭへのエントリを作
成し、各パラメータに既定値を割り当てる。それから、
ファームウェアは、各パラメータの値を読み出し、その
値をＲＡＭに上書きしながら、不揮発性メモリセグメン
トを最初から読み出す。パラメータの新しい値がわかる
と、ＲＡＭ内の前のパラメータの値は置き換えられる。
不揮発性メモリセグメントを通じてこのプログレッシブ
・ウォークを実行することにより、ＲＡＭにおける最終
結果の情報は全パラメータについて最新値となる。実施
例では、ＦＦＦＦｈｅｘの消去値はパラメータＩＤに
対して有効ではないので、パラメータＩＤが必要となる
ＦＦＦＦ値に初期ファームウェアが遭遇(encounter)す
るとき、ファームウェアはそれが記憶された最終情報に
到達したことを認識する。

【００１５】ファームウェアは、各パラメータ用に既知
の記憶領域を予約(reserve)しておくことが好ましい。
ファームウェアは、通常、コンパイル・コードでの変数
参照(variable reference)によって処理されるように、
各データ項目用の既知の固定領域(fixed location)を参
照することができる。更に、これにより、各パラメータ
の現在の領域を発見するための参照探索(reference loo
k-up)の必要が無いので、パラメータに対する速い読み
出しアクセスが提供される。しかし、ＲＡＭ内の記憶領
域が望ましい場合、不揮発性メモリの最新の記憶領域に
対するポインタをＲＡＭ内に記憶してもよい。この場
合、アクセスは遅くなるが、度々変化するパラメータお
よびＲＡＭの容量を大量に使用する長大なパラメータに
対しては許容される。揮発性メモリにおけるデータ構造
は、不揮発性メモリにおけるデータ構造と同じであるか
もしれないし、違うかもしれない。唯一つの要求は、フ
ァームウェアはこれら全てのパラメータに対するＲＡＭ
の記憶領域を知っている必要があることである。このこ
とは、直接コンパイルされた参照(direct compiled ref
erence)またはルックアップテーブル／ハッシュテーブ
ル(lookup/hash table)によって成される。

【００１６】更新されたパラメータ値は不揮発性メモリ
セグメントに追加されるため、結局、メモリセグメント
の使用可能領域がなくなる。本発明の実施例では、１つ
のメモリセグメントの使用可能領域がなくなる場合（ま
たは所定のしきい値に到達する場合もしくはパラメータ
更新動作中に電源故障のためにパラメータに誤りがある
場合）、ＲＡＭに記憶されているように、パラメータの
最新値が未使用の不揮発性メモリセグメントにコピーさ
れる。以前使用されていたメモリセグメントは、そのと
き消去してもよい。システムは可変パラメータのために
２つのメモリセグメントを予約しておき、２つのメモリ
セグメント間で交互に使用してもよい。代替として、シ
ステムは、他のメモリセグメント選択アルゴリズムを使
用してもよい。その場合、揮発性ＲＡＭからコピーする
ために１つの未使用メモリセグメントが利用可能である
ことだけが要件となる。

【００１７】不揮発性メモリセグメントに連続してアク
セスした後、揮発性ＲＡＭ内の各パラメータはその最新
値（既定値または不揮発性メモリからの最新値）を有す
ることになる。パラメータが更新される毎に、または新
メモリセグメントが書き込まれる毎に、その最新値を持
つパラメータが不揮発性メモリに書き込まれる。同様
に、パラメータがファームウェアの新バージョンで消去
されている場合、そのファームウェアは消去されたパラ
メータのためにＲＡＭ記憶領域を割り当てることはな
く、そのパラメータは不揮発性メモリから揮発性メモリ
ヘコピーされない。新しい不揮発性メモリセグメントに
書き込まれる場合、消去されたパラメータは新しい不揮
発性メモリセグメントに書き込まれない。結果として、
ファームウェアが更新された場合および新パラメータが
追加または消去された場合、それらは自動的に不揮発性
メモリのパラメータに追加され、または不揮発性メモリ
のパラメータから消去される。

【００１８】最初のメモリセグメントは新メモリセグメ
ントが書き込まれるまで消去されない。新メモリセグメ
ントの書き込み中に、電力の供給が切れると、その新メ
モリセグメントは不良状態となる。したがって、２つの
メモリセグメントが初期化の間にパラメータデータを含
んでいる場合と、システムは、２つのメモリセグメント
のどちらが有効であり、最新であるかを判断する方法を
備える必要がある。同様に、値が不揮発性メモリに書き
込まれている間に電力が失われる場合、その新メモリセ
グメントは不良状態になる。本発明に係る方法は、図２
から図５に示すように、不揮発性メモリにパラメータを
書き込んでいる最中における電力損失(power loss)から
の回復および新メモリセグメントの書き込みの最中にお
ける電力損失からの回復を提供する。

【００１９】図２から図５は、本発明に係る可変データ
を記憶するために消去可能な不揮発性メモリを使用する
方法を示すフローチャートである。図２は製造期間中ま
たはシステムを初めて起動するときに起きる初期状態の
設定を示すフローチャートである。２つのメモリセグメ
ントを可変データの不揮発性メモリにおける使用のため
に指定する（ステップ２００）。第１のメモリセグメン
トは使用可能領域がなくなるまで使用され、その後、第
２のメモリセグメントが使用される。２つのメモリセグ
メントは、（システムを２つのメモリセグメント間で後
方(back)および前方(forth)に切り替えて）可変データ
の不揮発性記憶に割り当ててもよいし、または使用され
る少なくとも２つのメモリセグメントを確認するために
他のアルゴリズムを使用してもよい。両方のメモリセグ
メントは最初に消去されるべきである。使用される第１
メモリセグメントの第１ワード(first word)に順序番号
(sequence number)を書き込む（ステップ２０２）。以
下に説明するように、新メモリセグメントが使用される
毎に、順序番号がインクリメントされ、新メモリセグメ
ントの第１ワードとして書き込まれる。

【００２０】図３は、システム電力が供給されるときま
たはハードリセット後に実行されるプロセッサの初期化
プロセスの一部を示すフローチャートである。ファーム
ウェアはこれらの全てのパラメータに対するＲＡＭ記憶
領域を指定し、ＲＡＭ内に値を持つ各パラメータ（いく
つかの可変長パラメータに対してはＲＡＭは不揮発性メ
モリ内の記憶領域へのポインタを含むこともある）に対
するＲＡＭ内の既定値を書き込む（ステップ２０４）。
指定されたメモリセグメントそれぞれの第１ワードを読
み出す（ステップ２０６）。そして、正確に、１つのメ
モリセグメントが順序番号を含むかどうか（唯１つのメ
モリセグメントが消去値に等しくない第１ワードの値を
持つかどうか）を判断する（ステップ２０８）。両方の
メモリセグメントの第１ワードが消去値であるかを判断
する（ステップ２１０）。両方のメモリセグメントの第
１ワードが消去値である場合、エラー状態が生じる（ス
テップ２１２）。両方のメモリセグメントが１つの順序
番号を持っている（各メモリセグメントの第１ワードが
消去値でない）場合、そのメモリセグメントの１つの書
き込み中に電力の供給が失われていたのかもしれない。
この場合、メモリセグメントの最小(lowest)の順序番号
が選択される（ステップ２１４）。これは、最小の順序
番号を持つメモリセグメントはまだ有効なデータを持
ち、他のメモリセグメントは誤っていると仮定してい
る。そして、パラメータが現在使用されているメモリセ
グメントから順次読み出され、ＲＡＭ内の値が上書きさ
れる（ステップ２１６）。

【００２１】図４は、システム電力が供給されるときま
たはハードリセット後に実行されるプロセッサの初期化
プロセスの一部を示すフローチャートである。図４にお
いて、他のメモリセグメントが完全に消去されているか
を判断する（ステップ２１８）。不使用のメモリセグメ
ントが消去されていない（第１ワードが消去値でない）
場合、そのメモリセグメントが早期に書き込まれてお
り、書き込み中に停電になったことが想定される。した
がって、そのメモリセグメントを消去する（ステップ２
２０）。そして、メモリセグメントの切替えプロセスを
再び開始する（ステップ２２６）。メモリセグメントを
切替える時間を判断し（ステップ２２２）、メモリセグ
メントの使用可能領域がなくなっている場合、メモリセ
グメントの切替えプロセスを開始する（ステップ２２
６）。メモリセグメントの切替時間の判断（ステップ２
２２）は、使用されていたメモリセグメントの割合(per
centage)のように所定のしきい値であってもよい。ま
た、他のパラメータを記憶するための領域がないことに
よって単純に判断されてもよい。

【００２２】パラメータが不揮発性メモリに記憶される
とき、その値が最初に記憶され、そして、パラメータＩ
Ｄが記憶される。結果として、パラメータの記憶中に電
力供給が失われると、パラメータＩＤの記憶領域は消去
値を有し、このパラメータＩＤの記憶領域を越えて(bey
ond)記憶された消去値以外のデータが存在する。第１の
消去値を越えた記憶領域が、また消去値に等しいかを調
べるためにチェックし、メモリセグメントが誤っている
かを判断する（ステップ２２４）。消去値に等しくない
第１の消去値を越えた記憶領域が存在しない場合、電力
は最後のパラメータの書き込み中に失われた可能性があ
る。消去値に等しくない第１の消去値を越えた記憶領域
が存在する場合、そのメモリセグメントは誤っている。
すなわち、メモリセグメントＩＤがなくては、データの
期待される長さおよび有効性を判断する方法が存在しな
い。したがって、新しいメモリセグメントは全パラメー
タに対して最後の既知の値で書き込まれる（ステップ２
２６）。

【００２３】図５は、メモリセグメントの切り替え（ス
テップ２２６）（図４）を示すフローチャートである。
まず、順序番号をインクリメントする（ステップ２２
８）。新しい順序番号を新メモリセグメントの第１ワー
ドに書き込む（ステップ２３０）。書き込みポインタを
そのメモリセグメントの第２ワードを指定するために設
定する（ステップ２３２）。特定の実施例では、使用さ
れている消去可能な不揮発性メモリは読み出しモードま
たは書き込みモードに設定される(place)が、同時に両
方のモードに設定されることはない。可変長パラメータ
がＲＡＭにコピーされない場合、不揮発性メモリから可
変長データを読み出すことおよび可変長データを新メモ
リセグメントに書き込むことは、読み出しモードおよび
書き込みモードの間で、そのメモリを前方へおよび後方
へ切り替えることを要求する。したがって、ＲＡＭに正
常にコピーされていない全パラメータをＲＡＭにコピー
する（ステップ２３４）。ＲＡＭ内の全パラメータを書
き込みポインタで開始する新メモリセグメントにコピー
する（ステップ２３６）。書き込みポインタが新パラメ
ータ値を書き込むために位置付けられる（ステップ２３
８）。その後、安全のため古いメモリセグメントを消去
する（ステップ２４０）。

【００２４】順序番号はＦＦＦＦｈｅｘから００００
ｈｅｘまでを含む(wrap)ことができる。ＦＦＦＦは消去
値であるので無効な順序番号である。つまり、ＦＦＦＦ
および００００は、順序番号をインクリメントおよび書
き込むとき（図５おけるステップ２２８およびステップ
２３０）および２つのメモリセグメント内の古い方を選
択するとき（図３におけるステップ２１４）にチェック
されなければならない特別な例である。

【００２５】他に考慮すべき点は、全てのメモリセグメ
ントが使用可能であるかどうかということである。製造
試験の過程で、不揮発性メモリの少なくとも１つの記憶
領域に欠陥があることが判断されるかもしれない。ある
いは、製品寿命の間にメモリセグメント内の少なくとも
１つの記憶領域が故障するかもしれない。部分的に動作
するメモリセグメントはまだ使用可能である。ユーザー
は、欠陥のある記憶領域に到達するまで書き込むこと、
最後の欠陥記憶領域を越えて書き込みを開始することま
たは欠陥記憶領域の周りに地図を作る(mapping)ことが
できる。不揮発性メモリに記憶される１つのパラメータ
は、特定のメモリセグメントに対する既知の欠陥記憶領
域のマップである。メモリセグメントヘの書き込み、メ
モリセグメントからの読み出し、メモリセグメントの切
り替えタイミングの判断は、すべて、欠陥記憶領域を識
別するパラメータを考慮に入れなければならない。フラ
ッシュメモリの欠陥取扱いの例として、米国特許第５，
２００，９５９がある。

【００２６】以上の本実施形態の説明は、本発明を制限
するものではない。請求項は、先行技術によって制限さ
れない限り、本発明の代替可能な実施例を含むよう解釈
されるような意図をもって作成されている。

【００２７】以下に、本発明の実施の形態を要約する。１．消去可能であるが上書き不能な不揮発性メモリ
（１０６，１０８，１１０）にデータを保存する方法で
あって、（ａ）前記データ用の揮発性メモリ内の記憶領
域を定義するステップ（２０４）と、（ｂ）前記データ
が変化するとき、前記揮発性メモリ内にデータを上書き
し、前記不揮発性メモリの第１消去可能部分に前記デー
タの新しいバージョンを書き込むステップと、（ｃ）前
記不揮発性メモリの前記第１部分がほとんどフルかどう
かを判断するステップ（２２２）と、（ｄ）前記不揮発
性メモリの前記第１部分がほとんどフルであると判断さ
れたとき、前記揮発性メモリから前記不揮発性メモリの
第２消去可能部分に前記データをコピーするステップ
（２３４）と、を有する不揮発性メモリへのデータ保存
方法。

【００２８】２．ステップ（ａ）の後に、（ａｌ）前記
揮発性メモリ内のデータに既定値を割り当てるステップ
（２０４）と、（ａ２）前記不揮発性メモリから前記デ
ータを読み出すステップ（２１６）と、（ａ３）前記揮
発性メモリからの値を、前記不揮発性メモリから読み出
した値で上書きするステップと、を更に有する上記１に
記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。

【００２９】３．ステップ（ａ）の後に、（ａｌ）前
記不揮発性メモリの２つの消去可能部分の両方が前記デ
ータを保持するかを判断するステップ（２１０）と、
（ａ２）前記ステップ（ａｌ）で特定された前記２つの
消去可能部分のうち１つが最初に書き込まれたかを判断
し（２１４）、ステップ（ｂ）で使用する第１消去可能
部分として指定するステップと、を更に有する上記１に
記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法

【００３０】４．ステップ（ｂ）が、（ｂｌ）前記不
揮発性メモリの前記第１消去可能部分の記憶領域を識別
領域として指定するステップと、（ｂ２）前記識別領域
の後に、前記不揮発性メモリの前記第１消去可能部分に
前記データを書き込むステップと、（ｂ３）前記データ
に対応する識別を前記識別領域に書き込むステップと、
を更に有する上記１に記載の不揮発性メモリへのデータ
保存方法

【００３１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、消去可能で追記書き込み可能な不揮発性メモ
リへ可変データを記憶することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るプロセッサによるシステムを示す
ブロック図である。

【図２】本発明に係る初期状態の設定を示す方法を示す
フローチャートである。

【図３】システム電力が供給されるときまたはハードリ
セット後、に実行されるプロセッサの初期化プロセスを
示すフローチャートである。

【図４】システム電力が供給されるときまたはハードリ
セット後、に実行されるプロセッサの初期化プロセスを
示すフローチャートである。

【図５】システム電力が供給されるときまたはハードリ
セット後、に実行されるプロセッサの初期化プロセスを
示すフローチャートである。

【符号の説明】

１００プロセッサ１０２ファームウェア１０４ＲＡＭ１０６，１０８，１１０メモリセグメント

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者マイケル・ジェイ・オブライエンアメリカ合衆国コロラド州，ラブランド，ダブリュ・18ティーエイチ・ストリート 2306

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】消去可能であるが上書き不能な不揮発性
メモリ（１０６，１０８，１１０）にデータを保存する
方法であって、（ａ）前記データ用の揮発性メモリ内の
記憶領域を定義するステップ（２０４）と、（ｂ）前記
データが変化するとき、前記揮発性メモリ内にデータを
上書きし、前記不揮発性メモリの第１消去可能部分に前
記データの新しいバージョンを書き込むステップと、
（ｃ）前記不揮発性メモリの前記第１部分がほとんどフ
ルかどうかを判断するステップ（２２２）と、（ｄ）前
記不揮発性メモリの前記第１部分がほとんどフルである
と判断されたとき、前記揮発性メモリから前記不揮発性
メモリの第２消去可能部分に前記データをコピーするス
テップ（２３４）と、を有することを特徴とする不揮発
性メモリへのデータ保存方法。