JPH04286366A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04286366A JPH04286366A JP5124591A JP5124591A JPH04286366A JP H04286366 A JPH04286366 A JP H04286366A JP 5124591 A JP5124591 A JP 5124591A JP 5124591 A JP5124591 A JP 5124591A JP H04286366 A JPH04286366 A JP H04286366A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ｐｏ
ｌｙ−ＳｉＴＦＴ）は、密着型イメージセンサ・液晶ビ
ューファインダー等の、ドライバ内蔵型のデバイスに使
用されている。
ｌｙ−ＳｉＴＦＴ）は、密着型イメージセンサ・液晶ビ
ューファインダー等の、ドライバ内蔵型のデバイスに使
用されている。
【０００３】ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの主要部であるチャ
ネルｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の作成方法には■減圧ＣＶＤ法
で５８０℃〜６５０℃程度の温度で成膜する、■プラズ
マＣＶＤ等でａ−Ｓｉ薄膜を成膜して６００℃程度の温
度で固相成長アニールを行い多結晶化する、■減圧ＣＶ
Ｄ法などでｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜作成後、シリコンイオン
注入により非晶質化した後、固相成長アニールを行って
再結晶化する、等の方法がある。
ネルｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の作成方法には■減圧ＣＶＤ法
で５８０℃〜６５０℃程度の温度で成膜する、■プラズ
マＣＶＤ等でａ−Ｓｉ薄膜を成膜して６００℃程度の温
度で固相成長アニールを行い多結晶化する、■減圧ＣＶ
Ｄ法などでｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜作成後、シリコンイオン
注入により非晶質化した後、固相成長アニールを行って
再結晶化する、等の方法がある。
【０００４】このうち、プラズマＣＶＤ法成膜のａ−Ｓ
ｉ薄膜を固相成長させる方法は、■プラズマＣＶＤ法で
は、大面積に亘り均一な膜が比較的容易に得られる、■
固相成長法では、多数枚の基板を同時に処理できる、不
活性ガス中でアニールするという比較的簡単な方法で大
粒径のｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が得られる、という点で優れ
ている。
ｉ薄膜を固相成長させる方法は、■プラズマＣＶＤ法で
は、大面積に亘り均一な膜が比較的容易に得られる、■
固相成長法では、多数枚の基板を同時に処理できる、不
活性ガス中でアニールするという比較的簡単な方法で大
粒径のｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が得られる、という点で優れ
ている。
【０００５】固相成長アニールの方法としては、不活性
ガスとして窒素雰囲気中でのアニールが行われている。 アニール温度は６００℃程度で、１時間〜１００時間程
度行うことによりａ−Ｓｉ薄膜中に結晶核が現れ、成長
していく。
ガスとして窒素雰囲気中でのアニールが行われている。 アニール温度は６００℃程度で、１時間〜１００時間程
度行うことによりａ−Ｓｉ薄膜中に結晶核が現れ、成長
していく。
【０００６】しかし、固相成長アニールの雰囲気のガス
に窒素を使用した場合には固相成長アニールの最中に該
薄膜中に窒素が拡散している。窒素などがａ−Ｓｉ薄膜
中に存在すると■固相成長によって得られるｐｏｌｙ−
Ｓｉ薄膜の欠陥準位が多くなる、■固相成長後の膜をチ
ャネル領域として作成したｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの特性
が悪くなる、等の欠点がある。
に窒素を使用した場合には固相成長アニールの最中に該
薄膜中に窒素が拡散している。窒素などがａ−Ｓｉ薄膜
中に存在すると■固相成長によって得られるｐｏｌｙ−
Ｓｉ薄膜の欠陥準位が多くなる、■固相成長後の膜をチ
ャネル領域として作成したｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの特性
が悪くなる、等の欠点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は固相成長の際
のａ−Ｓｉ薄膜中への窒素の拡散を防止するものであり
、その目的とするところは、良好な特性を持つ半導体装
置の製造方法を提供するところにある。
のａ−Ｓｉ薄膜中への窒素の拡散を防止するものであり
、その目的とするところは、良好な特性を持つ半導体装
置の製造方法を提供するところにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、次のことを特徴とする。
造方法は、次のことを特徴とする。
【０００９】（１）絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
のチャネル領域の少なくとも一部が非単結晶半導体より
なる半導体装置の製造方法に於いて、非晶質半導体薄膜
を形成する工程と、該非晶質半導体薄膜を真空中でアニ
ールして多結晶化する工程とを少なくとも含むことを特
徴とする。
のチャネル領域の少なくとも一部が非単結晶半導体より
なる半導体装置の製造方法に於いて、非晶質半導体薄膜
を形成する工程と、該非晶質半導体薄膜を真空中でアニ
ールして多結晶化する工程とを少なくとも含むことを特
徴とする。
【００１０】（２）前記非晶質半導体薄膜がプラズマＣ
ＶＤ法にて成膜された珪素であることを特徴とする。
ＶＤ法にて成膜された珪素であることを特徴とする。
【００１１】
【実施例】（実施例１）本発明の実施例を、図１の本発
明に於ける薄膜トランジスタの工程図に従って説明する
。
明に於ける薄膜トランジスタの工程図に従って説明する
。
【００１２】図１（ａ）は、ガラス、石英などの絶縁性
非晶質基板若しくはＳｉＯ２等の絶縁性非晶質材料層な
どの絶縁性非晶質材料からなる支持層１００表面上に、
プラズマＣＶＤ法などによりａ−Ｓｉ薄膜１０１を積層
し、その後ホトリソグラフィー法により該ａ−Ｓｉ薄膜
をパタニングする工程である。該ａ−Ｓｉ薄膜の成膜方
法としては、■減圧ＣＶＤ法で５２０℃〜５８０℃程度
でａ−Ｓｉ薄膜を成膜する、■ＥＢ蒸着法、スパッタ法
、プラズマＣＶＤ法等でａ−Ｓｉ薄膜を成膜する、■減
圧ＣＶＤ法等でｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を堆積後、イオンイ
ンプランテーション法によりＳｉ等を打ち込み、該ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ薄膜を非晶質化する、等の方法がある。本実
施例ではプラズマＣＶＤ法成膜のａ−Ｓｉ薄膜の場合に
ついて説明する。該ａ−Ｓｉ薄膜の成膜ガスはＳｉＨ４
及びＨ２ガスであり、該ａ−Ｓｉ薄膜の成膜条件は、到
達真空度５×１０−１２〜１×１０−５Ｔｏｒｒ（１×
１０−９Ｔｏｒｒ以下では成膜時にチャネルａ−Ｓｉ薄
膜中に不純物を含みにくいことから特に望ましい）、基
板温度１００〜３００℃、真空槽内圧０．８Ｔｏｒｒで
、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源を用いた。但し、
成膜条件はこれに限定されるものではない。また本実施
例では、プラズマＣＶＤ法成膜のａ−Ｓｉ薄膜を用いた
が、成膜方法はこれに限定されるものではない。続いて
真空状態にして該ａ−Ｓｉ薄膜の固相成長アニールを行
い多結晶化（ｐｏｌｙ−Ｓｉ化）する。固相成長アニー
ルは通常、不活性ガス特に窒素雰囲気中で行われている
が、この場合は固相成長アニールの最中に該ａ−Ｓｉ薄
膜中に窒素が拡散してしまい固相成長アニールによる結
晶成長を阻害している。該薄膜中への窒素の拡散は、固
相成長後のｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜にＳＩＭＳ分析を試みた
結果、表面付近には窒素が多数存在し、５００〜１００
０Åの深さまでなだらかに減少していることから明らか
になった。この分析では窒素量は表面付近では約１０２
０〜１０２１個／ｃｍ３、表面から１０００Åの付近で
は２×１０１８〜３×１０１８個／ｃｍ３（測定限界以
下）であった。 該薄膜中に拡散した窒素は、チャネルｐｏｌｙ−Ｓｉ薄
膜の結晶体積比を低下させ、欠陥準位の増加を招き、最
終的にはｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの電界効果易動度を低下
させＯＮ電流の減少、ＯＦＦ電流の増大を招く原因とな
る。しかし、この固相成長アニールを真空中で行うこと
により上述の窒素の拡散の問題は解決される。真空での
固相成長アニールは、５５０℃〜６５０℃で１時間〜７
２時間行った。また、真空は２×１０−１０Ｔｏｒｒ〜
１×１０−６Ｔｏｒｒの範囲であった。本発明の固相成
長アニールによるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜にＳＩＭＳ分析を
試みると、該薄膜の表面から深部まで３×１０１８個／
ｃｍ３程度以下の窒素量となっていた。またＸ線回折測
定を行って結晶性を比較すると従来の窒素ガス雰囲気中
での固相成長アニールの場合と比較して、本発明の水素
ガス雰囲気中での固相成長アニールの場合には、結晶性
の目安となるＸ線回折積分強度が１．３〜１．６倍に増
加していた。また、ラマン散乱測定により求めた結晶体
積比は、従来の窒素雰囲気中での固相成長アニールの場
合には８０％程度であったが、本発明の水素雰囲気中で
の固相成長アニールの場合には９０％以上にもなってい
た。これらは、本発明の真空中での固相成長アニールが
Ｓｉ薄膜の結晶性を向上させたことを意味する。前記ａ
−Ｓｉ薄膜の成膜後の固相成長アニールは連続工程則ち
基板の取り出しを行わずに真空に引きそのまま熱処理す
る工程であると、表面に自然酸化膜が形成されないとい
う点で特に望ましい。固相成長アニールによってＳｉ薄
膜中の水素の脱離と結晶成長が起こり、結晶粒径１μｍ
〜数μｍ（４０時間以上で２μｍ〜数μｍ）の大粒径の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が形成される。また結晶体積比は９
０％以上になる。尚、固相成長アニールではアニール前
の温度から設定アニール温度に達するまでの昇温速度を
毎分２０ｄｅｇ．よりも遅くして行う（毎分５ｄｅｇ．
よりも遅くすると特に望ましい）。その理由とするとこ
ろは、前記昇温速度よりも速く所定のアニール温度まで
昇温すると、特に３００℃を越えてから顕著な現象であ
るが、前記ａ−Ｓｉ薄膜中の水素の脱離にともなって該
薄膜中に欠陥を生じ易くなり、延いては該薄膜の剥離を
来す事もあるからである。また、該薄膜のパタニングは
固相成長アニールの前に行っても良い。次に図１（ｂ）
に示すように熱酸化法等によりゲート酸化膜１０２を形
成する。 ドライ酸化法を用いれば酸素雰囲気中で約１１５０℃の
熱処理を行なうことによって、絶縁耐圧の高いゲート酸
化膜を得ることが出来る。ウェット酸化法を用いれば９
００℃程度の低温の熱処理でもゲート酸化膜が形成され
るが、ドライ酸化法で形成されたゲート酸化膜に比べれ
ば絶縁耐圧は低く、膜質は劣る。この熱酸化工程で固相
成長アニールによって多結晶化した前記ａ−Ｓｉ薄膜の
結晶成長が進み、対体積結晶化率が向上し、結晶粒径が
拡大する。尚、前記ゲート酸化膜の形成方法としては上
述の熱酸化法に限らず、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、スパッタ法等で
ＳｉＯ２膜を形成する方法、プラズマ酸化法等で低温酸
化する方法等もある。これらの方法は、工程の温度を６
００℃程度以下の低温に出来るため、基板として安価な
ガラス基板を用いることも可能となる点で優れている。 次に図１（ｃ）に示すようにゲート電極１０３を形成し
、該ゲート電極をマスクとして不純物元素をイオン注入
して、ソース領域１０４及びドレイン領域１０５を形成
する（この工程に伴って、チャネル領域１０６も自動的
に形成される）。続いて図１（ｄ）に示すように層間絶
縁膜１０７を積層する。そしてソース領域及びドレイン
領域のコンタクト電極１０８を形成すれば薄膜トランジ
スタが完成する（図１（ｅ））。本発明により形成した
ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの電界効果移動度はＮｃｈで６０
〜１３０ｃｍ２／Ｖ・ｓとなり、窒素ガス雰囲気中で固
相成長アニールした場合（５０〜１００ｃｍ２／Ｖ・ｓ
）と比べて大幅な特性向上が為された。また、本発明に
より形成したｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴのＯＦＦ電流はＮｃ
ｈで約１×１０−１３〜２×１０−１２Ａであり（トラ
ンジスタサイズはチャネル長５μｍチャネル幅１２μｍ
）、窒素ガス雰囲気中で固相成長アニールした場合（５
×１０−１２〜６×１０−１１Ａ）と比べて大幅な特性
向上が為された。
非晶質基板若しくはＳｉＯ２等の絶縁性非晶質材料層な
どの絶縁性非晶質材料からなる支持層１００表面上に、
プラズマＣＶＤ法などによりａ−Ｓｉ薄膜１０１を積層
し、その後ホトリソグラフィー法により該ａ−Ｓｉ薄膜
をパタニングする工程である。該ａ−Ｓｉ薄膜の成膜方
法としては、■減圧ＣＶＤ法で５２０℃〜５８０℃程度
でａ−Ｓｉ薄膜を成膜する、■ＥＢ蒸着法、スパッタ法
、プラズマＣＶＤ法等でａ−Ｓｉ薄膜を成膜する、■減
圧ＣＶＤ法等でｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を堆積後、イオンイ
ンプランテーション法によりＳｉ等を打ち込み、該ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ薄膜を非晶質化する、等の方法がある。本実
施例ではプラズマＣＶＤ法成膜のａ−Ｓｉ薄膜の場合に
ついて説明する。該ａ−Ｓｉ薄膜の成膜ガスはＳｉＨ４
及びＨ２ガスであり、該ａ−Ｓｉ薄膜の成膜条件は、到
達真空度５×１０−１２〜１×１０−５Ｔｏｒｒ（１×
１０−９Ｔｏｒｒ以下では成膜時にチャネルａ−Ｓｉ薄
膜中に不純物を含みにくいことから特に望ましい）、基
板温度１００〜３００℃、真空槽内圧０．８Ｔｏｒｒで
、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源を用いた。但し、
成膜条件はこれに限定されるものではない。また本実施
例では、プラズマＣＶＤ法成膜のａ−Ｓｉ薄膜を用いた
が、成膜方法はこれに限定されるものではない。続いて
真空状態にして該ａ−Ｓｉ薄膜の固相成長アニールを行
い多結晶化（ｐｏｌｙ−Ｓｉ化）する。固相成長アニー
ルは通常、不活性ガス特に窒素雰囲気中で行われている
が、この場合は固相成長アニールの最中に該ａ−Ｓｉ薄
膜中に窒素が拡散してしまい固相成長アニールによる結
晶成長を阻害している。該薄膜中への窒素の拡散は、固
相成長後のｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜にＳＩＭＳ分析を試みた
結果、表面付近には窒素が多数存在し、５００〜１００
０Åの深さまでなだらかに減少していることから明らか
になった。この分析では窒素量は表面付近では約１０２
０〜１０２１個／ｃｍ３、表面から１０００Åの付近で
は２×１０１８〜３×１０１８個／ｃｍ３（測定限界以
下）であった。 該薄膜中に拡散した窒素は、チャネルｐｏｌｙ−Ｓｉ薄
膜の結晶体積比を低下させ、欠陥準位の増加を招き、最
終的にはｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの電界効果易動度を低下
させＯＮ電流の減少、ＯＦＦ電流の増大を招く原因とな
る。しかし、この固相成長アニールを真空中で行うこと
により上述の窒素の拡散の問題は解決される。真空での
固相成長アニールは、５５０℃〜６５０℃で１時間〜７
２時間行った。また、真空は２×１０−１０Ｔｏｒｒ〜
１×１０−６Ｔｏｒｒの範囲であった。本発明の固相成
長アニールによるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜にＳＩＭＳ分析を
試みると、該薄膜の表面から深部まで３×１０１８個／
ｃｍ３程度以下の窒素量となっていた。またＸ線回折測
定を行って結晶性を比較すると従来の窒素ガス雰囲気中
での固相成長アニールの場合と比較して、本発明の水素
ガス雰囲気中での固相成長アニールの場合には、結晶性
の目安となるＸ線回折積分強度が１．３〜１．６倍に増
加していた。また、ラマン散乱測定により求めた結晶体
積比は、従来の窒素雰囲気中での固相成長アニールの場
合には８０％程度であったが、本発明の水素雰囲気中で
の固相成長アニールの場合には９０％以上にもなってい
た。これらは、本発明の真空中での固相成長アニールが
Ｓｉ薄膜の結晶性を向上させたことを意味する。前記ａ
−Ｓｉ薄膜の成膜後の固相成長アニールは連続工程則ち
基板の取り出しを行わずに真空に引きそのまま熱処理す
る工程であると、表面に自然酸化膜が形成されないとい
う点で特に望ましい。固相成長アニールによってＳｉ薄
膜中の水素の脱離と結晶成長が起こり、結晶粒径１μｍ
〜数μｍ（４０時間以上で２μｍ〜数μｍ）の大粒径の
ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が形成される。また結晶体積比は９
０％以上になる。尚、固相成長アニールではアニール前
の温度から設定アニール温度に達するまでの昇温速度を
毎分２０ｄｅｇ．よりも遅くして行う（毎分５ｄｅｇ．
よりも遅くすると特に望ましい）。その理由とするとこ
ろは、前記昇温速度よりも速く所定のアニール温度まで
昇温すると、特に３００℃を越えてから顕著な現象であ
るが、前記ａ−Ｓｉ薄膜中の水素の脱離にともなって該
薄膜中に欠陥を生じ易くなり、延いては該薄膜の剥離を
来す事もあるからである。また、該薄膜のパタニングは
固相成長アニールの前に行っても良い。次に図１（ｂ）
に示すように熱酸化法等によりゲート酸化膜１０２を形
成する。 ドライ酸化法を用いれば酸素雰囲気中で約１１５０℃の
熱処理を行なうことによって、絶縁耐圧の高いゲート酸
化膜を得ることが出来る。ウェット酸化法を用いれば９
００℃程度の低温の熱処理でもゲート酸化膜が形成され
るが、ドライ酸化法で形成されたゲート酸化膜に比べれ
ば絶縁耐圧は低く、膜質は劣る。この熱酸化工程で固相
成長アニールによって多結晶化した前記ａ−Ｓｉ薄膜の
結晶成長が進み、対体積結晶化率が向上し、結晶粒径が
拡大する。尚、前記ゲート酸化膜の形成方法としては上
述の熱酸化法に限らず、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、スパッタ法等で
ＳｉＯ２膜を形成する方法、プラズマ酸化法等で低温酸
化する方法等もある。これらの方法は、工程の温度を６
００℃程度以下の低温に出来るため、基板として安価な
ガラス基板を用いることも可能となる点で優れている。 次に図１（ｃ）に示すようにゲート電極１０３を形成し
、該ゲート電極をマスクとして不純物元素をイオン注入
して、ソース領域１０４及びドレイン領域１０５を形成
する（この工程に伴って、チャネル領域１０６も自動的
に形成される）。続いて図１（ｄ）に示すように層間絶
縁膜１０７を積層する。そしてソース領域及びドレイン
領域のコンタクト電極１０８を形成すれば薄膜トランジ
スタが完成する（図１（ｅ））。本発明により形成した
ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴの電界効果移動度はＮｃｈで６０
〜１３０ｃｍ２／Ｖ・ｓとなり、窒素ガス雰囲気中で固
相成長アニールした場合（５０〜１００ｃｍ２／Ｖ・ｓ
）と比べて大幅な特性向上が為された。また、本発明に
より形成したｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴのＯＦＦ電流はＮｃ
ｈで約１×１０−１３〜２×１０−１２Ａであり（トラ
ンジスタサイズはチャネル長５μｍチャネル幅１２μｍ
）、窒素ガス雰囲気中で固相成長アニールした場合（５
×１０−１２〜６×１０−１１Ａ）と比べて大幅な特性
向上が為された。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
の製造方法を用いることにより不純物をほとんど含まな
い固相成長ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜と電界効果易動度の大き
いｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを得ることができる。
の製造方法を用いることにより不純物をほとんど含まな
い固相成長ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜と電界効果易動度の大き
いｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを得ることができる。
【００１４】また、本発明の薄膜半導体装置の製造方法
を応用することにより、３次元ＩＣ、４メガＳＲＡＭ等
にも使用が可能である。
を応用することにより、３次元ＩＣ、４メガＳＲＡＭ等
にも使用が可能である。
【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例に於ける半導
体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
体装置の製造工程の一例を示す工程断面図である。
１００ 絶縁性支持層
１０１ ａ−Ｓｉ薄膜
１０２ ゲート酸化膜
１０３ ゲート電極
１０４ ソース領域
１０５ ドレイン領域
１０６ チャネル領域
１０７ 層間絶縁膜
１０８ コンタクト電極
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
チャネル領域の少なくとも一部が非単結晶半導体よりな
る半導体装置の製造方法に於いて、非晶質半導体薄膜を
形成する工程と、該非晶質半導体薄膜を真空中でアニー
ルして多結晶化する工程とを少なくとも含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記非晶質半導体薄膜がプラズマＣＶ
Ｄ法にて成膜された珪素であることを特徴とする請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124591A JPH04286366A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5124591A JPH04286366A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04286366A true JPH04286366A (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=12881570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5124591A Pending JPH04286366A (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04286366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07231095A (ja) * | 1994-02-01 | 1995-08-29 | Lg Semicon Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1991
- 1991-03-15 JP JP5124591A patent/JPH04286366A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07231095A (ja) * | 1994-02-01 | 1995-08-29 | Lg Semicon Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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