JPH04285789A - 情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法 - Google Patents

情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法

Info

Publication number
JPH04285789A
JPH04285789A JP3049340A JP4934091A JPH04285789A JP H04285789 A JPH04285789 A JP H04285789A JP 3049340 A JP3049340 A JP 3049340A JP 4934091 A JP4934091 A JP 4934091A JP H04285789 A JPH04285789 A JP H04285789A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refresh
area
storage area
data storage
storage device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3049340A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsutaka Kimura
木村 勝高
Toshio Sasamoto
敏夫 佐々木
Yoshiki Noguchi
孝樹 野口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3049340A priority Critical patent/JPH04285789A/ja
Publication of JPH04285789A publication Critical patent/JPH04285789A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、リフレッシュ動作を必
要とする半導体メモリを用いた情報記憶装置に係わり、
特に情報保持時の消費電力を低減できる情報記憶装置に
関する。
【0002】
【従来の技術】パーソナルコンピュータ等の情報処理装
置の補助記憶装置として、磁気ディスクやフロッピーデ
ィスク等が用いられていることはよく知られている。し
かし近年半導体メモリの大容量化に伴い、メモリカード
や半導体ディスク(あるいは半導体ファイル)という形
で半導体メモリが補助記憶装置にも用いられつつある。 半導体メモリを補助記憶装置に使用した場合、アクセス
時間の高速化,耐振性,低電力化,軽量化,小型化等の
多くの利点がある一方、現状では磁気媒体に比べビット
単価が高いため記憶装置の価格が高くなってしまうとい
う欠点もある。そこで半導体メモリの利点を最大限に活
かすために、半導体メモリの中では安価なダイナミック
RAM(ランダム・アクセス・メモリ)を記憶媒体に用
いることが考えられる。その例として特開平2−108
296号に記載されている記憶蓄積モジュールがある。
【0003】しかしダイナミックRAMは、情報を保持
するために一定周期で情報をリフレッシュする必要があ
り、情報保持時の消費電力が大きくなってしまう。この
ことは情報記憶装置をバッテリーで動作させる場合、情
報を長時間保持するために大容量のバッテリーを必要と
することになる。この問題を解決するために上記特開平
2−108296 号に記載されている従来技術では、
1つのデータの集合(以下ファイルと呼ぶ)の記憶位置
のスタートアドレスとストップアドレスを記憶しておき
、その一対のスタートアドレスとストップアドレスの外
側に位置する記憶領域をリフレッシュしないことにより
、情報保持時の低電力化をはかっている。
【0004】一方、磁気ディスクやフロッピーディスク
を記憶媒体とする補助記憶装置ではその記憶容量を有効
に使用するために、記憶媒体上の記憶領域をいくつかの
単位に分割し、その単位毎に記憶領域を管理する構成が
一般的にとられる。その一例としてMS−DOS(マイ
クロ・ソフト−ディスク・オペレーティング・システム
)仕様の補助記憶装置の管理方法が、村瀬康治著アスキ
ー・ラーニングシステム■応用コース「応用MS−DO
S」(アスキー出版局,1986年)などに記載されて
いる。この管理方法を図1を参照しながら簡単に説明す
る。
【0005】図1において情報記憶装置1は、記憶媒体
と、その記憶媒体と情報処理装置との間の情報の伝達を
制御するインターフェイス・制御回路5とより構成され
る。また記憶媒体は3つの記憶領域、すなわちデータ記
憶領域2、FAT(ファイル・アロケーション・テーブ
ル)領域3、ディレクトリ領域4より構成される。
【0006】データ記憶領域2は、情報処理に用いられ
るデータを記憶するための領域で、図2に示すようにク
ラスタと呼ばれる単位に区分されてデータが格納される
【0007】FAT領域3は、情報記憶装置内のデータ
記憶領域の使用状況を管理するためのテーブルである。 前述のようにデータ記憶領域2はクラスタという単位で
管理されるため、1つのデータの集合はクラスタの連な
りとして構成される。しかしファイル作成時の状況によ
っては、必ずしも連続したクラスタになるわけではなく
、不連続なクラスタにより1つのファイルが構成される
こともある。このクラスタの連なりを記憶するのがFA
T領域3である。FAT領域3も領域が区分され、それ
ぞれの領域に番号が付けられ、それぞれの領域はデータ
記憶領域2のクラスタと1対1に対応づけられる。また
、FAT内にはクラスタの使用状況を示すコードが記憶
される。例えば、FAT内に‘000’というコードが
記憶されている場合、対応するクラスタが未使用である
ことを表す。また‘003’や‘009’などのコード
が記憶されている場合、対応するクラスタはファイルの
一部であり、またその値はファイルの次のクラスタ番号
を示す。さらに‘FFF’などのコードが記憶されてい
る場合、ファイルの最後のクラスタであることを示す。
【0008】ディレクトリ領域4はファイルを管理する
ためのもので、例えばファイル名やファイルの最初のク
ラスタ番号などの情報が格納される。
【0009】ディレクトリ、FAT、データの関係を図
2に示す。例えばファイルAのデータはクラスタ番号0
02→003→006に格納されていることがわかる。
【0010】この管理方法では、単位記憶領域(クラス
タ)で記憶媒体が管理されるため、ファイルの消去や書
き替えなどに対してきめ細かい記憶領域の管理ができ、
広く使用されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】さて、前述したダイナ
ミックRAMを記憶媒体に用いた従来技術では、ファイ
ルの記憶位置のスタート及びストップアドレスを記憶し
ておき、それによりリフレッシュするかしないかを判断
しているため、データの記憶されていない領域はリフレ
ッシュされず無駄な電力を消費しないという利点がある
。しかし、記憶媒体に記憶されるファイルはスタート及
びストップアドレスにより管理されるため、ファイルの
一部を消去したり、書き替えたりする場合、記憶領域に
無効領域を多く生じ、記憶容量を有効に使用することが
困難となる。また、このファイルの管理方法は、磁気デ
ィスク等で構成された補助記憶装置に一般的に用いられ
ているファイル管理方法と異なるため、これらの補助記
憶装置との互換性がない。
【0012】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解消し、記憶媒体の記憶容量を有効に使用できるファイ
ル管理方法に適したリフレッシュ制御方法及び低電力な
情報記憶装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ダイナミッ
クRAMで構成されるデータ記憶領域を複数の単位記憶
領域に分割し、各々の単位記憶領域の使用状況を記憶す
る管理テーブルを設けておき、次にリフレッシュする領
域が使用されているかどうかを、この管理テーブルを参
照することにより検知し、使用されている場合はリフレ
ッシュを行い、未使用の場合はリフレッシュを行わない
ことにより達成できる。すなわち情報記憶装置内に、管
理テーブルの内容を読出し、使用/未使用を検知する回
路を設けておき、その検知出力によりリフレッシュ制御
回路を制御することにより達成できる。
【0014】
【作用】リフレッシュする領域に対応する管理テーブル
の内容が読出され、検知回路によりその領域の使用/未
使用状況が検知される。その検知出力はリフレッシュ制
御回路に伝達され、使用状況にある場合はリフレッシュ
制御回路により該当するデータ記憶領域はリフレッシュ
される。一方未使用状況にある場合はリフレッシュ不要
となり、リフレッシュは行われない。このようにするこ
とにより、データの格納されていないデータ記憶領域は
リフレッシュされないため、不要な電力を消費すること
がなく、低電力化がはかれる。したがってバッテリーの
長寿命化が可能となる。また広く用いられているファイ
ル管理方法を用いた情報記憶装置を構成することができ
、情報処理装置との接続が容易となる。またデータ記憶
領域が単位記憶領域で管理できるため、記憶領域のきめ
細かな管理が可能となり、記憶容量を有効に使用できる
情報記憶装置を構成することができる。
【0015】
【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。
【0016】図3は本発明による情報記憶装置の一例を
示す図である。同図において、情報記憶装置1内のデー
タ記憶領域2はダイナミックRAMにより構成される。 情報記憶装置1にはディレクトリ領域4及びFAT領域
3を有し、図1に示したのと同様にファイルの管理が行
われる。また情報記憶装置1内にはバッテリー6が設け
られ、情報記憶装置1が情報処理装置より切り離された
ときこのバッテリー6により電力が供給され、データ記
憶領域2に記憶されたデータなどを保持する。データ記
憶領域2、ディレクトリ領域4及びFAT領域3を構成
する記憶媒体は、インターフェイス・制御回路51によ
り動作が制御されるとともに、この回路51を介して情
報処理装置との間で情報のやりとりが行われる。本実施
例の構成及び動作を図3、図4を参照しながら説明する
【0017】インターフェイス・制御回路51内にはデ
ータ記憶領域2のリフレッシュを制御するリフレッシュ
制御回路11が設けられ、リフレッシュタイマ10の出
力信号110あるいは情報処理装置から送信されるリフ
レッシュ要求信号111を受信し、リフレッシュの制御
を行う。リフレッシュタイマ10の出力によりリフレッ
シュが制御されるのが、いわゆるセルフリフレッシュ制
御であり、情報記憶装置が情報処理装置より切り離され
たときこの制御が行われる。リフレッシュ制御回路11
がこれらの信号のいずれかを受信すると、リフレッシュ
アドレスカウンタ12に制御信号を送出し、リフレッシ
ュアドレスカウンタ12は次にリフレッシュすべきデー
タ記憶領域2の記憶領域(ここでは以下リフレッシュ領
域と称す)を指示する信号112を発生する。この信号
112はマルチプレクサ14を介して、FAT番号を指
示する信号108となり、FAT領域3に伝達される。 この信号108のFAT番号はリフレッシュ領域に対応
するFAT番号となっており、FAT領域3からそのF
AT番号に記憶されている内容を出力107として読出
す。この出力107は検知回路15に送信され、リフレ
ッシュ領域が使用状況にあるか、未使用状況にあるかが
検知される。図2で述べたようにFAT領域3にはクラ
スタの使用状況を示すコードが記憶されており、例えば
図2に示した例のように‘000’が未使用を示すコー
ドであるならば、FAT領域3からの出力107が‘0
00’に一致するかどうかを比較するだけで、対応する
リフレッシュ領域が未使用かどうかを検知することがで
きる。
【0018】このようにして使用/未使用を検知された
検知回路15の検知出力115は、リフレッシュ制御回
路11に送信され、検知出力115が未使用を示してい
る場合は、リフレッシュ動作は行われない。一方使用を
示している場合は、リフレッシュ動作が行われる。すな
わち、マルチプレクサ13によりリフレッシュ領域を指
示する信号112がクラスタの番号を指示する信号10
5としてデータ記憶領域2に伝達される。またリフレッ
シュ制御回路11からはリフレッシュ動作を指示する信
号がデータ記憶領域2に送出され、リフレッシュ領域が
リフレッシュされる。そしてリフレッシュアドレスカウ
ンタ12の内容を1つカウントアップさせ次のリフレッ
シュ動作に備える。
【0019】なおマルチプレクサ13は情報処理装置か
ら送信されてくるクラスタ番号を指示する信号113と
上記したリフレッシュ領域を指示する信号112を切り
換えるためのものであり、またマルチプレクサ14は同
様に情報処理装置から送信されてくるFAT番号を指示
する信号114と信号112を切り換えるためのもので
ある。
【0020】以上述べたように、本発明ではリフレッシ
ュ領域に対応するFAT領域の内容を読出し、使用/未
使用の検知を行うため、図1で述べたファイル管理方法
に何ら影響を及ぼすことなく、データ記憶領域の未使用
領域を判別でき、したがってその領域のリフレッシュ動
作を削除することにより、不要な消費電力を節約するこ
とができる。
【0021】図5は本発明による情報記憶装置の他の一
例を示す図である。図3に示した実施例では、データ記
憶領域において一度にリフレッシュされる記憶領域のサ
イズと単位記憶領域(クラスタ)のサイズが等しいとし
て説明したが、場合によっては両者のサイズが異なる場
合もある。一度にリフレッシュされる記憶領域のサイズ
が単位記憶領域(クラスタ)のサイズよりも小さい場合
には、1つの単位記憶領域に1つのリフレッシュ領域を
包含させることは可能であり、単位記憶領域の使用/未
使用状況を検知することにより、リフレッシュ領域の使
用状況を検知することができる。したがって図3に示し
た構成により目的は達成される。しかし一度にリフレッ
シュされる記憶領域のサイズが単位記憶領域(クラスタ
)のサイズよりも大きい場合には工夫が必要となる。 この場合、リフレッシュ領域はいくつかの単位記憶領域
により構成される。したがってリフレッシュ領域の使用
状況を検知するためには、いくつかの単位記憶領域の使
用状況を検知することが必要である。
【0022】このために図5に示した実施例では、マル
チプレクサ14の入力側にアドレスカウンタ16を設け
、リフレッシュアドレスカウンタ12の出力信号112
に、このアドレスカウンタ16の出力信号116を付加
し、FAT番号を指示する信号108を発生するように
した。例えば1つのリフレッシュ領域が4つの単位記憶
領域により構成される場合、アドレスカウンタ16は2
ビットのカウンタで構成すればよい。そしてアドレスカ
ウンタ16を歩進させる度に、1つのリフレッシュ領域
を構成する4つの単位記憶領域の内の1つの単位記憶領
域に対応するFAT番号を指示する信号を出力する。 その出力を受けFAT領域からそのFAT番号に記憶さ
れた内容が読出され、検知回路15により使用状況が検
知される。このようにして4つの単位記憶領域に対応す
るFAT領域の内容が検知され、ひとつでも使用状況に
あれば、そのリフレッシュ領域は使用されているものと
してリフレッシュを行えばよい。一方4つの単位記憶領
域とも未使用であるならばリフレッシュを行わないよう
にすればよい。
【0023】本実施例によれば、一度にリフレッシュさ
れる記憶領域のサイズが単位記憶領域(クラスタ)のサ
イズよりも大きい場合においても、リフレッシュ領域が
使用されているかどうかを検知することができ、それに
基づいてリフレッシュ動作の必要、不必要を判断するこ
とができる。したがって不要な消費電力を節約すること
ができる。
【0024】図6は本発明による情報記憶装置の他の一
例を示す図である。これまでに示した実施例では、リフ
レッシュ動作の度にFAT領域3の内容を読出し、リフ
レッシュをするかしないかを検知していた。しかし、デ
ータ記憶領域2のうちほとんどの領域が使用中の場合、
この動作は消費電力の点から無駄なものとなる。すなわ
ち、データ記憶領域2のうちほとんどの領域が使用中で
ある場合、未使用中の領域をリフレッシュしないことに
よる消費電力の節減効果は小さくなる。一方、FAT領
域の内容を読出したり、検知したりするために電力を消
費するため、かえって消費電力が増加することになる。 そこで、図6に示した実施例では、データ記憶領域2の
うち使用中にある領域の大きさがある一定の大きさ(し
きい値)より小さい場合に、FAT領域3の内容を読出
し、使用/未使用を検知し、リフレッシュをするかしな
いかのを制御を行うようにした。
【0025】図6の動作を図7を参照しながら説明する
。まず、情報記憶装置1が情報処理装置より切り離され
ると、情報記憶装置1ではセルフリフレッシュ動作が開
始される。そのとき、インターフェイス・制御回路51
内に設けたカウンタ17を初期値に設定する。またその
ときのリフレッシュアドレスカウンタ12の内容を、イ
ンターフェイス・制御回路51内に設けたアドレス比較
回路18内のアドレスレジスタに書き込む。次に、リフ
レッシュ制御回路11がリフレッシュタイマ10の出力
信号110を受信すると、リフレッシュアドレスカウン
タ12に制御信号を送出し、リフレッシュアドレスカウ
ンタ12は次にリフレッシュすべきデータ記憶領域2の
記憶領域、すなわちリフレッシュ領域を指示する信号1
12を発生する。この信号112はマルチプレクサ14
を介して、FAT番号を指示する信号108となり、F
AT領域3に伝達される。この信号108のFAT番号
はリフレッシュ領域に対応するFAT番号となっており
、FAT領域3からそのFAT番号に記憶されている内
容を出力107として読出す。この出力107は検知回
路15に送信され、リフレッシュ領域が使用状況にある
か、未使用状況にあるかが検知される。検知回路15の
検知出力115は、リフレッシュ制御回路11に送信さ
れ、検知出力115が未使用を示している場合は、リフ
レッシュ動作は行われない。一方使用を示している場合
は、リフレッシュ動作が行われる。すなわち、マルチプ
レクサ13によりリフレッシュ領域を指示する信号11
2がクラスタの番号を指示する信号105としてデータ
記憶領域2に伝達される。またリフレッシュ制御回路1
1からはリフレッシュ動作を指示する信号がデータ記憶
領域2に送出され、リフレッシュ領域がリフレッシュさ
れる。またこのとき、カウンタ17の内容を1つカウン
トアップさせる。さらにリフレッシュするしないにかか
わらず、リフレッシュアドレスカウンタ12の内容を1
つカウントアップさせる。そのカウントアップしたリフ
レッシュアドレスカウンタ12の内容と、アドレス比較
回路18内のアドレスレジスタの内容を比較し、一致す
るまで上記の動作を繰り返す。このような動作を繰り返
すことにより、データ記憶領域2の全領域について、使
用状況を一通り検知することになる。またそのときリフ
レッシュする度にカウンタ17を1つカウントアップさ
せることにより、リフレッシュする必要のある領域の数
を数えることができる。
【0026】このような動作を繰返し、リフレッシュア
ドレスカウンタ12の内容と、アドレス比較回路18内
のアドレスレジスタの内容が一致した場合、すなわちデ
ータ記憶領域2の全領域について、使用状況を一通り検
知した後、カウンタ17の内容を読出し、ある一定の大
きさ(しきい値)より大きいかどうかを検知する。カウ
ンタ17の内容がしきい値より大きい場合、データ記憶
領域2のうち使用中である領域が多いわけであり、それ
以降のリフレッシュ動作は、データ記憶領域2の全領域
についてリフレッシュを行うようにする。すなわちFA
T領域の内容を読出したりせずにリフレッシュ動作を行
うように制御する。一方、カウンタ17の内容がしきい
値より小さい場合、データ記憶領域2のうち使用中であ
る領域が少ないわけであり、それ以降のリフレッシュ動
作は、図3で説明したように、FAT領域の内容を読出
し、使用中であるデータ記憶領域のみリフレッシュする
ように制御する。
【0027】本実施例によれば、データ記憶領域のうち
使用中である領域がある一定量より多い場合、通常のリ
フレッシュ制御となり、FAT領域を読出したりするた
めに要する電力を無駄に消費することがない。一方デー
タ記憶領域のうち使用中である領域が少ない場合、未使
用の領域をリフレッシュしないことにより消費電力を低
減できる。
【0028】図8は本発明による情報記憶装置1を用い
た情報処理システムの構成例を示したものである。同図
において、情報記憶装置1は、中央処理装置CPU,ダ
イレクト・メモリ・アクセス・コントローラDMAC、
メインメモリ、及びI/O機器とシステムバスを介して
接続される。情報記憶装置1に蓄えられた情報は、ダイ
レクト・メモリ・アクセス・コントローラDMACによ
り、メインメモリやI/O機器に転送され、情報処理が
行われたり、あるいはシステム外部との間で入出力され
る。情報記憶装置1内のデータ記憶領域のリフレッシュ
は、CPU内に設けられた、あるいはCPUとは別に設
けられたリフレッシュ制御手段により制御される。この
場合情報記憶装置1はこの手段からリフレッシュ要求信
号111を受信し、データ記憶領域のリフレッシュを行
う。また、CPUなどが稼働していない場合、情報記憶
装置1内のデータ記憶領域のリフレッシュは情報記憶装
置1内に設けたタイマによりリフレッシュを行うことも
できる。いずれにしても、図3から図7に示したリフレ
ッシュ制御を行うことにより、情報保持のための消費電
力を低減することができる。
【0029】これまで説明してきた例では、FAT領域
の内容を読出し、それが未使用状況にある場合リフレッ
シュを行わないようにしたが、FAT領域には対応する
単位記憶領域(クラスタ)内に不良があることを示すコ
ードを書き込むこともできる。この場合不良のある単位
記憶領域(クラスタ)もリフレッシュする必要がないの
で、このコードを検知することによりリフレッシュを行
わないようにすればよい。これにより、データ記憶領域
を構成するダイナミックRAMに不良があっても、予め
FAT領域にそのことを記憶しておくことにより、不良
個所を使用することはなく、また不良個所に対する無駄
なリフレッシュを省くことができ、省電力となる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、リ
フレッシュ動作を必要としないデータ記憶領域のリフレ
ッシュを省くことができ、消費電力の低減がはかれる。 したがってバッテリーの長寿命化がはかれ、記憶内容を
長時間に渡って保持することができる。またデータ記憶
領域を単位記憶領域に区分して管理することができ、記
憶容量を有効に使用できる情報記憶装置を構成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】単位記憶領域に区分されたデータ記憶領域を有
する情報記憶装置の一例を示す図である。
【図2】ディレクトリ,FAT,データの関係を示す図
である。
【図3】本発明の一実施例を示す情報記憶装置の構成図
である。
【図4】図3に示した実施例におけるリフレッシュ動作
の手順を示す図である。
【図5】本発明の他の一実施例を示す情報記憶装置の構
成図である。
【図6】本発明の他の一実施例を示す情報記憶装置の構
成図である。
【図7】図6に示した実施例におけるリフレッシュ動作
の手順を示す図である。
【図8】本発明による情報記憶装置を用いた情報処理シ
ステムの構成図である。
【符号の説明】
1…情報記憶装置、2…データ記憶領域、3…FAT領
域、4…ディレクトリ領域、5、51…インターフェイ
ス・制御回路、6…バッテリー、10…リフレッシュタ
イマー、11…リフレッシュ制御回路、12…リフレッ
シュアドレスカウンタ、13、14…マルチプレクサ、
15…検知回路、16…アドレスカウンタ、115…検
知出力。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】複数の単位記憶領域に分割されたデータ記
    憶領域と、各々の単位記憶領域の使用状況を記憶するた
    めの管理テーブルとを少なくとも有し、該データ記憶領
    域はリフレッシュ動作を必要とする記憶媒体で構成され
    た情報記憶装置において、前記管理テーブルの内容を読
    出し、単位記憶領域の使用状況を検知する手段と、該検
    知手段の出力により、前記データ記憶領域の各々の単位
    記憶領域をリフレッシュするかしないかが制御されるリ
    フレッシュ制御手段を有することを特徴とする情報記憶
    装置。
  2. 【請求項2】複数の単位記憶領域に分割されたデータ記
    憶領域と、各々の単位記憶領域の使用状況を記憶するた
    めの管理テーブルとを少なくとも有し、該データ記憶領
    域はリフレッシュ動作を必要とする記憶媒体で構成され
    た情報記憶装置のリフレッシュ制御方法において、前記
    データ記憶領域内のある単位記憶領域に対応する前記管
    理テーブルの内容が使用状態にあることを指示する場合
    のみ、その単位記憶領域のリフレッシュ動作を行うこと
    を特徴とする情報記憶装置のリフレッシュ制御方法。
  3. 【請求項3】全データ記憶領域のうち使用状態にある領
    域がある一定の領域以下であるとき、検知手段の出力に
    より、前記データ記憶領域の各々の単位記憶領域をリフ
    レッシュするかしないかが制御されるリフレッシュ制御
    手段を有することを特徴とする請求項1記載の情報記憶
    装置。
JP3049340A 1991-03-14 1991-03-14 情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法 Pending JPH04285789A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3049340A JPH04285789A (ja) 1991-03-14 1991-03-14 情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3049340A JPH04285789A (ja) 1991-03-14 1991-03-14 情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04285789A true JPH04285789A (ja) 1992-10-09

Family

ID=12828272

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3049340A Pending JPH04285789A (ja) 1991-03-14 1991-03-14 情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04285789A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101665611B1 (ko) 컴퓨터 시스템 및 메모리 관리의 방법
US6647472B2 (en) Fast suspend to disk
ES2375230T3 (es) Sistema y procedimiento para reducir el consumo de potencia de ram dinámica a través de la utilización de indicadores de datos válidos.
TW201812565A (zh) 管理記憶體功耗之方法及其系統
KR20000068150A (ko) 반도체회로 및 그 제어방법
TWI224728B (en) Method and related apparatus for maintaining stored data of a dynamic random access memory
JP4310544B2 (ja) 低電力・高ライトレイテンシモードおよび高電力・低ライトレイテンシモードならびに/あるいは独立して選択可能なライトレイテンシを備える記憶装置および方法
KR20170127948A (ko) 메모리 모듈 및 이를 포함하는 시스템
KR20070027751A (ko) 반밀도 및 전밀도 동작을 갖는 dram
JP3525070B2 (ja) アクセス制御装置及びアクセス方法
JPH04285789A (ja) 情報記憶装置及びそのリフレッシュ制御方法
JPH0844622A (ja) 情報処理装置
CN112711548B (zh) 内存装置、图像处理芯片以及内存控制方法
JP2792486B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2001101067A (ja) セルフ・リフレッシュ制御装置及びプログラムを記憶した記憶媒体
JP3867034B2 (ja) メモリ制御装置
CN117594076A (zh) 存储器器件
JP3772003B2 (ja) メモリ管理システムおよびデータ管理方法
JPH03150650A (ja) 半導体メモリ装置
EP0818008B1 (en) Dynamic ram in a microprocessor system
JPH0660645A (ja) 節電型メモリ装置
JPH06266626A (ja) 半導体補助記憶装置のバックアップ方法と不揮発化半導体補助記憶装置
JPH04296954A (ja) メモリシステム
JPH1196756A (ja) 半導体記憶装置
JPH02105385A (ja) メモリ装置