KR20070027751A - 반밀도 및 전밀도 동작을 갖는 dram - Google Patents
반밀도 및 전밀도 동작을 갖는 dram Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (42)
- 메모리에서 전밀도(full density) 동작 모드와 반밀도(half density) 동작 모드 사이를 변환하는 방법으로서,반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하는 단계와;상기 반밀도 동작에서 사용된 어드레스들을 모니터하는 단계와;반밀도가 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 더 이상 저장할 수 없을 때 전밀도 모드로 전환하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하는 단계는 상기 메모리의 짝수 행들에만 데이터를 기입하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는 상기 메모리의 임의의 짝수 또는 홀수 행에 기입하는 단계를 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는, 전밀도 동작을 위하여 상기 메모리의 셀프 리프레시 타이밍들을 변경하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서,전밀도 동작에서 상기 메모리의 사용(usage)을 모니터하는 단계와;반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 저장할 수 있을 때 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제5항에 있어서, 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계는 리프레시 스크러빙(refresh scrubbing) 단계를 포함하는 방법.
- 제6항에 있어서, 반밀도 동작은 상기 메모리의 복수의 행들 중 제1 절반(first half)에서 이루어지고, 전밀도 동작은 상기 메모리의 임의의 부분에 데이터를 저장하고, 리프레시 스크러빙 단계는,상기 복수의 행들 중 상기 제1 절반 내의 워드 라인을 활성화하는 단계와;센스 증폭기로 상기 활성화된 워드 라인 내의 데이터를 감지하는 단계와;상기 제1 절반 내의 상기 워드 라인에 상보적인 상기 메모리의 제2 절반 내의 워드 라인을 활성화하는 단계와;양쪽 워드 라인들을 프리차지하는 단계와;최초 데이터를 상기 제1 워드 라인에 저장하고 상보 데이터를 상기 제2 워드 라인에 저장하는 단계를 포함하는 방법.
- 메모리 디바이스를 동작시키는 방법으로서,반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하는 단계와;어레이 내의 메모리 셀들의 사용을 모니터하는 단계와;정상 메모리 동작이 요구될 때 상기 반밀도 모드로부터 전밀도 모드로 전환하는 단계를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 반밀도가 다시 옵션이 될 때 다시 반밀도 모드로 전환하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하는 단계는 상기 메모리의 짝수 행들에만 데이터를 기입하는 단계를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는 상기 메모리의 임의의 행에 기입하는 단계를 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는, 전밀도 동작을 위하여 상기 메모리의 셀프 리프레시 타이밍을 변경하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제8항에 있어서,전밀도 동작에서 상기 메모리의 사용을 모니터하는 단계와;반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 저장할 수 있을 때 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제13항에 있어서, 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계는 리프레시 스크러빙 단계를 포함하는 방법.
- 제14항에 있어서, 리프레시 스크러빙 단계는,반밀도 데이터를 포함하는 짝수 워드 라인을 활성화하는 단계와;센스 증폭기로 상기 데이터를 감지하는 단계와;홀수 워드 라인을 활성화하는 단계와;양쪽 워드 라인들을 프리차지하는 단계와;최초 데이터를 상기 짝수 워드 라인에 저장하고 상보 데이터를 상기 홀수 워드 라인에 저장하는 단계를 포함하는 방법.
- 메모리 디바이스를 동작시키는 방법으로서,모든 짝수 내부 행들이 찰 때까지 짝수 내부 행들에만 반밀도 모드에서 데이터를 기입하는 단계와;홀수 내부 행이 처음 액세스될 때 전밀도 모드로 전환하는 단계와;전밀도 모드에서 임의의 행에 기입하는 단계와;홀수 행들이 더 요구되지 않을 때 다시 반밀도 모드로 전환하는 단계를 포함하고,다시 반밀도 모드로 전환하는 단계는,짝수 워드 라인을 활성화하는 단계와;센스 증폭기에서 데이터를 감지하는 단계와;상기 센스 증폭기가 안정된 후에 홀수 워드 라인을 활성화하는 단계와;양쪽 워드 라인들을 프리차지하는 단계와;반밀도 동작을 위해 요구되는 바와 같이 최초 데이터를 주 셀에 저장하고 상보 데이터를 다른 셀에 저장하는 단계를 포함하는 방법.
- 메모리 디바이스에서의 메모리 동작을 반밀도 모드에서 개시하는 단계와;상기 메모리 디바이스 내의 메모리 셀들의 사용을 모니터하는 단계와;상기 메모리 디바이스에서의 반밀도 저장 용량(half density storage)이 차 있을 때 상기 반밀도 모드로부터 전밀도 모드로 전환하는 단계를 포함하는 방법을 프로세서에게 수행하게 하기 위한 머신 판독 가능한 명령들의 세트를 갖는 머신 판독 가능한 매체.
- 제17항에 있어서, 상기 방법은 반밀도가 다시 옵션이 될 때 다시 반밀도 모드로 전환하는 단계를 더 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 제17항에 있어서, 반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하는 단계는 상기 메모리의 짝수 행들에만 데이터를 기입하는 단계를 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 제17항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는 상기 메모리의 임의의 행에 기입하는 단계를 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 제17항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는, 전밀도 동작을 위하여 상기 메모리의 셀프 리프레시 타이밍들을 변경하는 단계를 더 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 제17항에 있어서, 상기 방법은,전밀도 동작에서 상기 메모리의 사용을 모니터하는 단계와;반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 저장할 수 있을 때 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계를 더 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 제22항에 있어서, 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계는 리프레시 스크러빙 단계를 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 제23항에 있어서, 리프레시 스크러빙 단계는,반밀도 데이터를 포함하는 짝수 워드 라인을 활성화하는 단계와;센스 증폭기로 상기 데이터를 감지하는 단계와;홀수 워드 라인을 활성화하는 단계와;양쪽 워드 라인들을 프리차지하는 단계와;최초 데이터를 상기 짝수 워드 라인에 저장하고 상보 데이터를 상기 홀수 워드 라인에 저장하는 단계를 포함하는 머신 판독 가능한 매체.
- 메모리로서,어드레스 회로에 의해 어드레싱 가능한 메모리 셀들의 어레이와;외부 데이터를 수신하고 그 데이터를 상기 어레이에 전달하는 입출력 회로와;상기 메모리를 전밀도 동작 모드 또는 반밀도 동작 모드 중 하나에서 동작시키고, 반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 수용할 만큼의 충분한 밀도를 갖고 있지 않을 때 상기 반밀도 동작 모드로부터 상기 전밀도 동작 모드로 전환하는 메모리 제어기를 포함하는 메모리.
- 제25항에 있어서, 상기 메모리 제어기는,상기 메모리에서의 메모리 동작을 반밀도 모드에서 개시하는 단계와;상기 메모리 내의 메모리 셀들의 사용을 모니터하는 단계와;상기 메모리에서의 반밀도 저장 용량이 차 있을 때 상기 반밀도 모드로부터 전밀도 모드로 전환하는 단계를 포함하는 방법을 프로세서에게 수행하게 하기 위한 머신 판독 가능한 명령들의 세트를 동작시키는 메모리.
- 제26항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는 상기 메모리의 임의의 행에 기입하는 단계를 포함하는 메모리.
- 제26항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는, 전밀도 동작을 위하여 상기 메모리의 셀프 리프레시 타이밍들을 변경하는 단계를 더 포함하는 메모리.
- 제26항에 있어서, 상기 방법은,전밀도 동작에서 상기 메모리의 사용이 더 이상 요구되지 않는지의 판정을 위해 외부 제어기를 모니터하는 단계와;반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 저장할 수 있을 때 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계를 더 포함하는 메모리.
- 제29항에 있어서, 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계는, 상기 메모리를 다시 반밀도 동작으로 전환하라는 통지를 상기 외부 메모리 제어기로부터 수신하는 단계를 포함하는 메모리.
- 제29항에 있어서, 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계는 리프레시 스크러빙 단계를 포함하는 메모리.
- 제31항에 있어서, 리프레시 스크러빙 단계는,반밀도 데이터를 포함하는 짝수 워드 라인을 활성화하는 단계와;센스 증폭기로 상기 데이터를 감지하는 단계와;홀수 워드 라인을 활성화하는 단계와;양쪽 워드 라인들을 프리차지하는 단계와;최초 데이터를 상기 짝수 워드 라인에 저장하고 상보 데이터를 상기 홀수 워드 라인에 저장하는 단계를 포함하는 메모리.
- 프로세싱 시스템으로서,프로세서와;상기 프로세서에 연결되어 상기 프로세서에 의해 제공된 데이터를 저장하고 상기 프로세서에 데이터를 제공하는 메모리를 포함하고,상기 메모리는,어드레스 회로에 의해 어드레싱 가능한 메모리 셀들의 어레이와;외부 데이터를 수신하고 그 데이터를 상기 어레이에 전달하는 입출력 회로와;상기 메모리를 전밀도 동작 모드 또는 반밀도 동작 모드 중 하나에서 동작시키고, 반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 수용할 만큼의 충분한 밀도를 갖고 있지 않을 때 상기 반밀도 동작 모드로부터 상기 전밀도 동작 모드로 전환하는 메모리 제어기를 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제33항에 있어서, 상기 프로세서는,상기 메모리에서의 메모리 동작을 반밀도 모드에서 개시하는 단계와;상기 메모리 내의 메모리 셀들의 사용을 모니터하는 단계와;상기 메모리에서의 반밀도 저장 용량이 차 있을 때 상기 반밀도 모드로부터 전밀도 모드로 전환하는 단계를 포함하는 방법을 상기 프로세서에게 수행하게 하기 위한 머신 판독 가능한 명령들의 세트를 동작시키는 프로세싱 시스템.
- 제34항에 있어서, 상기 방법은, 반밀도가 다시 옵션이 될 때 다시 반밀도 모드로 전환하는 단계를 더 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제35항에 있어서, 전환하는 단계는,전밀도 동작 중일 때 상기 프로세서의 메모리 셀들의 사용(the processor usage of memory cells)을 모니터하는 단계와;반밀도 동작이 이용 가능할 때 반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하도록 상기 메모리 제어기에게 통지하는 단계를 더 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제36항에 있어서, 다시 반밀도 동작으로 전환하는 단계는 리프레시 스크러빙 단계를 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제37항에 있어서, 리프레시 스크러빙 단계는,반밀도 데이터를 포함하는 짝수 워드 라인을 활성화하는 단계와;센스 증폭기로 상기 데이터를 감지하는 단계와;홀수 워드 라인을 활성화하는 단계와;양쪽 워드 라인들을 프리차지하는 단계와;최초 데이터를 상기 짝수 워드 라인에 저장하고 상보 데이터를 상기 홀수 워 드 라인에 저장하는 단계를 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제35항에 있어서, 반밀도 모드에서 메모리 동작을 개시하는 단계는 상기 메모리의 짝수 행들에만 데이터를 기입하는 단계를 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제35항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는 상기 메모리의 임의의 행에 기입하는 단계를 포함하는 프로세싱 시스템.
- 제35항에 있어서, 전밀도 모드로 전환하는 단계는, 전밀도 동작을 위하여 상기 메모리의 셀프 리프레시 타이밍을 변경하는 단계를 더 포함하는 프로세싱 시스템.
- 프로세싱 시스템으로서,프로세서와;상기 프로세서에 연결되어 상기 프로세서에 의해 제공된 데이터를 저장하고 상기 프로세서에 데이터를 제공하는 메모리로서, 어드레스 회로에 의해 어드레싱 가능한 메모리 셀들의 어레이와; 외부 데이터를 수신하고 그 데이터를 상기 어레이에 전달하는 입출력 회로를 포함하는 메모리와;상기 프로세서 및 상기 메모리에 연결되어, 상기 메모리를 전밀도 동작 모드 또는 반밀도 동작 모드 중 하나에서 동작시키고, 반밀도 동작이 상기 메모리에 기입될 모든 데이터를 수용할 만큼의 충분한 밀도를 갖고 있지 않을 때 상기 반밀도 동작 모드로부터 상기 전밀도 동작 모드로 전환하는 메모리 제어기를 포함하는 프로세싱 시스템.
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