TWI289306B - DRAM with half and full density operation - Google Patents

Description

1289306 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係概括關於記憶體元件，且本發明係特別關於 動恶隨機存取記憶體（DRAM，dynamic rand_ access memory)及其操作。 【先前技術】 動態隨機存取記憶體（DRAM)係可配置為半密度或全 在度於一全雄、度記憶體中，一記憶體陣列之各個内部列 係允許-記憶體單元㈣)之存取，且各個單元係可運用以 供-獨特位元的資料之儲存。於一半密度記憶體中，各個 内部列係與另一個互補列為成對，使得當資料為儲存於一 個記憶體單元時，互補的資料係健存於互補列之相比的單 元。於一半密度記憶體中，二個字组線係同時致n 為於-數字線而一者為於數字線*(其互補者）。此係 相（mverted)的資料於各個單元，其接 弋之一夂老W 1 + Μ 運用作為於差動模 用方；一“度§己憶體中。一記憶體之全密度操 」 數目的單元之完全程度的運用，且因此為可儲存相^ 可相比尺寸的半密度記憶體之更多的資… 存其本身的個別資料，且 们早几係儲 加更新時間。 為個別更新而增 於目前的技術中’方法係存 生諸如記憶體之零件。藉著 乂、々更新時間.而產 曰·^子乂我的更新時 — 於半岔度兄憶體之較低密产於 、 且藉著诸如 乍，—較低的操作電流係被 1289306 使：，且針對於可攜式裝置之電池壽命係已為延長。可押 式裝置係經常為不具有大量的記憶體之“，尤其是於：

多數的正常操作模+至R m間。然而，某些農置係可能發生為 運用較夕的記憶體’且因此需要全密度記憶體，雖然” 為其並非為一直需要。杏 Ά 且而要 田全岔度記憶體為運用於1除了於 某些情況之外而不需要入玄危 八牙、r於 不而要王雄、度記憶體之構件與裝置，

消耗係高，且針對於右PP t對方、有限的電池電力，該種全時 度操作係較為不合音，而道# 4 "

" 而v致較短的電池壽命與類似者。 方面自可攜式應用至類似於可攜式電腦與類似者之 更為強力的可攜式應用，某些應用係需要較大量的記憶 體，但是其仍然具有電力限制。 “ 記憶體係典型為配置為半密度或全密度，且為不可改 變。針對於上述的理由，且針對於熟悉此技藝人士於詳讀 :瞭解本說明書而將成為顯明之下述的其他理由，於此： 蟄係存在需要一種記憶體元件以及操作記憶體之方法，其 為結合半密度與全密度操作之裨益。 【發明内容】 上述的問題與其他的問題係由本發明所解決，且將為 藉由研讀以下的說明書而瞭解。 於一個實施例中，一種於一記憶體操作的一全密度與 半密度模式之間轉換之方、本将句括：也仏a 付佚I万居係匕枯·起始記憶體操作於 半密度模式；以及，監視於半密度操作所使用之位址。當 半密度為不再能夠儲存其待寫入至記憶體的所有資料時， 該記憶體係切換至全密度模式。 ⑧ 1289306 包括於Γ個實施例中，一種操作一記憶體元件之方法係 匕括.起始記憶體操作於一半宓产〃知 憶體單元之使用率；及〜：二、：陣列的記 切換自該半穷产模h入吊的§己憶體操作為需要時而 茨牛名度杈式至一全密度模式。 於又一個實施仓,丨Φ 憶體單元，豆可為由：~種記憶體係包括：-陣列之記 ;:部資料且傳送該資料至該陣列；及，-記憶體控 :4體控編系操作該記憶體於一全〜 ::”之操作的-者’且當半密度操作為不具有足约：： :::其待寫入至記憶雜的所有資料時自該半密；： 知作切換至全密度模式之操作。 、式之 及於再一個實施例中種處理系統係包括：-處理哭. 則，其係•接至該處理器，以儲存由處理哭所 才疋供的貧料且提供資料至兮 的所 陆， +至4處理盗。該記憶體係包括：— :之:憶體單元，其可為由位址電路所定址； 电路’其㈣以接收外部資料且傳送該資料至料列 -記憶體控制器。該記憶體控制器係操广 密度或-半密度模式之操作的-者，且當半密;：：：全 具有足夠的密度以容納其待寫入至該記憶體的所有資二 向目该+密度模式之操作切換至，全密度模式之操#。 T 其他的實施例係被描述及主張。 【實施方式】 於本發明之以下詳細說日月，構成本說明的 ” 隨圖式係參照，其中，本發明為可實行於 ：：之伴 〜扣疋貫施例 1289306 係作為說明而顯示。於圖式中，類似的參考符號係描述於 數個圖式之實質類似的構件。此等實施例係描述足㈣ 細，以致使熟悉此技藝人士為能夠實行本發明。其他的實 施例係可利用，且結構、邏輯、與電 兒虱的k化係可作成而 未偏離本發明之範®壽。 因此，以下的詳細說明係非為限制意味，且本發明之 範缚係僅為由隨附的申請專利範圍、以及對於該等申請專 利範圍所為賦予至其的均等者之完整範疇而界定。 第1圖係顯示本發明之實施例為可實行於其的一種全 密度記憶體100之結構。印愔鲈〗nn〆^ 苒思脰I00係包含一陣列之記憶 體单70 102’各者係包含一電晶體與—電容器，該等記情 體單元為由個別的内部们04與内部行1G6所定址。如圖 所示的此等列 1 〇4盥杆！ # -Γ 士竹 予幻U ,“丁106係可存取八個單元，各者係保 存個別段（piece)的資料。與也丨a 士 . 、 牛例而吕，名人致動單元〇，〇，列〇 與行〇係致動。 弟2圖係顯不本發明每 4 S月之貝施例為可實行於其的一種半 岔度纟己憶體2 0 〇之結構。兮錄士备 再°亥種結構係專效於記憶體丨〇〇之 結構，但是定址方岽在τ η , 木仅不同。記憶體2〇〇係包含相同陣列 之記憶體單元2〇2 ’各者係包含一電晶體與一電容器，該 W憶體早凡為由個別的内部列204與内部行所定 方、半在度"己憶冑200，各列係與一互補列而為 成對’即：圖示為存在二個歹"與二個歹"。舉例而言， 欲致動單元〇,〇，琴-加χϊ 少 個列Q之各者、以及行0係致動。 此命者存反相貧料方\留- 、凡〇,〇與〇,0*。並無奇數列被使用。 ⑧ 8 1289306 灰本發明之實施例中，如同上述的記憶體1 與2〇〇 之相同結構的一種記憶體係被使用，但是該種記憶體之記 體操作係俾使其可操作為一半密度記憶體或一全密度記 ^虹視所期！的運用而定。該操作係運用記憶體之控制 器而達成，以操作該記憶體於下述的方式。於一個實施例 300中，顯示於帛3圖之流程圖，一記憶體之開啟電源(p〇wer ΡΚ·τ'毛生於方塊302。於此實施例中，記憶體之操作係於 方塊304 m設定至半密度（或2Τ)模式以作為—預設者。應 奢。午的疋.丨同於半密度之一預設者（例如：全密度操作） 亦可為設定而未偏離本發明之範疇。於方塊3%中，一位 址係提供至記憶體控制器或類似者，且於決策方塊308中， “決定該位置是否為一奇數内部列。若該位址係非為一 I數内部列’即：其為—偶數内部列，則方法流程係繼續 方、方塊310，於其中，任何偶數（半密度）内部列係可存取。 一六位址係以此方式提供，填充或運用偶數内部列而直到 一奇數内部列為存取於決策方塊3〇8為止。於該時點，於 方塊312中，操作係切換至全密度（或1Τ)模式，且任何的 内部列係可存取於方塊314。再者，白 係隨荽拗^ #者η我〜新柃序⑴而叫） 「、曰加的功率而調整，使得更新操作係發生於適當的 —a.). 於系統設射至最小有效0⑽剛此，内部列以助 :某點，於全密度模式之操作係將不再為需要。如此 “方法3〇〇係繼續為於決策方塊3 16而檢查任何奇數 ⑧ 9 1289306 :部列是㈣為。若奇數㈣㈣仍為㈣，操作係 繼績於全密度模式，且方法治 ’、 方法抓私係繼續為於方塊317而提 …個位址。當不再有任何的奇數内 更新操作係在方法流程為繼續於方塊3〇4之前而實行。

當二全密度操作而返回至半密度操作日夺，於奇數列的 ::二：係可能為不再需要。該資料係當半密度操作為再 了而刪除’因為寫人程序係、致動偶數字組線，藉著 ==大器而感測該資料（其為正確的原始資料），且接著 為互補於偶數字組線之奇數字組線。當該感測放大 :”動、且重新寫入其為存在於奇數列單元的無論任何 二元日二此係儲存於偶數列單元的資料之反相者於奇數列 n t!全密度至半密度之轉變中，於偶數列之資料係 益入:但是於奇數列之資料係拋棄。於-個實施例中，並 第1=為作成以保留於奇數列之資料。舉例而t，運用於 與2圖所示之配置，當切換自半密度至全密度操作時， 〇,〇列係成為（M列。 χρ 广—個實施例中，作業系統或記憶體控制器係組織 ^ 呆在其為提供至記憶體之前而為寫入於適當的諸

夕U 0 卷士77、A 田換自全密度模式至半密度模式時，於一個實施例 一 呆留來自奇數内部列之一些資料，資料係儲存於 一緩衝器，# ^ 接者在一刷去更新操作之前而寫入至一偶數 夕丨J。於另— ^ 策係余個實施例中，對於保持來自奇數列的資料之決 汽订於逐列（row by row)或甚至是逐個區塊（block by ίο !289306 block)之基礎。 •十對方、半抬度插作而寫入至記憶體而t，作業 記憶體控制器係被使用於置放資料於相符於操作模式之1 位置，即：於互補列之一者而非 換為僅於盆必須且右爭士h 有精乂允4该切 曰作係開始於半③、度模式，奇數/偶數列的成對者之僅 〇 tttf ^t〇^^(full)Bf , 如為邏輯可能去夕n 士 ' 耳：此者之滿日…該元件為仍需要更大的記憶體 么-’-可數列係寫入。一旦一奇數列係寫入，作業 或記憶體控制器、或其監視資料於記憶體的寫入位置之一 偵、測器係起始全密度操作。並無資料係喪失於自半密度而 =換至王松度’因為全部所為者係其建立於半密度操作的 冗餘性（redundancy)之消除。 於某點，該元件亦可具有一降低的密度需求。在當所 需的密度為下降至低於對於半密度操作的一臨限之時，2 憶體係切換回到半密度操作，以節省電力消耗。若核心記 十思:貝料係初始寫入至下層位址列（半密度列卜接著當該 e己係切換回到半密度操作’所喪失的資料係僅為於系 統之：密度操作期間所加入者之資料。於一個實施例中， 炙半山度紅阼之切換係不發生，直到並無資料為寫入於任 何的奇數内部列為止。 口 农方塊3 1 8所不之刷去更新係包含當轉換自全密度 I作回到半始度操作時而保留資訊於偶數内部列，且更為 詳細顯示於第4圖之流程圖。於一個實施例中，偶數字組 ⑧ 11 1289306 線係致動於方塊400，針對於彼等偶數字組線之資料係以 感測放大器而感測於方塊4〇2，且在感測放大器為穩定之 後，奇it字組線係致動於方& 404。&資料係於偶數=部 列所儲存之原始資料。當該感測放大器係起動於半密度操 作，於偶數内部列之資料的反相者係儲存於其原為奇= 部列而現為針對於各個偶數内部列的互補列者，如為最佳 顯示於第2圖。該二字組線係預先充電於方塊梅，：： 始資料係儲存於主要的單元而其互補者係錯存於互補的單 凡’如同於正常的半密度操作。於一個實施例中，刷去更 新係-獨特的命令。於另一個實施例中，刷去更新係於其 為來自一個稍早的操作之半密度模式的操作期間之任何於 作所運用的相同命令。 本 於另-個實施例中，記憶體之使用率(卿)係被於 =，且當使用率係下降至其充分為低於半使用率之一階： 日守’：憶體係接著切換回到半密度操作。於此實施例中： 一些貧料係可存在於奇數， ^ 1貝枓係必須在該切 …、 密度操作之前而為重新寫入於偶數内部列。

=此實，例中，作業系統係監視資料之置放，且當操作為 右人自全岔度而改變至半贫产 . A 資料係讀出於—緩衝=二其為待刪去的諸列之 , 友衝☆或類似者，且接著寫入於其資粗蔣 在當操作為切換自全穷^： ' ，八本H ± 山度至+捃度而作保留之諸列。該種 知查及言買出/寫入操作亦 -個實施例。 、们[塊之基礎而貫行於另 於操作時，本發明之—種記憶體係作用如後。該記憶 12 1289306 =一預設的操作係於啟動而起始。於一個實施例中，預 ,又的啟動杈式之操作係半密度操作。於啟動時，，士 ^體g作於半密度操作。於此實施例中，僅有偶數列係 馬入於讀、體功能，該陣列之奇數列係使用為針對於 於此技藝所習知者。寫入至DRAM係作成於偶數 ^ ’針對於密度之需求為超過記憶體的半密度操作之 時。用於記憶體之控制程式係監視資料為寫入至^之位 址旦一奇數列位址係碰到，記憶體控制器係切換該記 憶體之操作至一全密度操作，而加倍該記憶體之密度。當 僅需要半密度時，該記憶體之電力消耗係低於一全密度操 作之包力消耗。然而，當對於記憶體之需求係超過一半密 度刼作之需求時，全密度操作係被使用，且增加的容量係 可利用。記憶體控制器亦監視該記憶體之密度與使用部 刀一 °亥5己憶體為已經切換至一全密度記憶體。由於較 >的貝料為寫入或儲存於記憶體，當半密度操作對於記憶 ••為再人充刀之_時間係將會來到。於此時，該記憶體控 制裔係決定該最後的奇數列資料位址為不再需要，或是決 疋針對方；"己憶體的目前狀態所需要之記憶體密度為低於一 °° 一旦此決定為已經作成，記憶體控制器係切 換操作回到半密度。 如上所述’當切換於全密度操作與半密度操作之間， 怙存於可數列之資料係將喪失。因此，作業系統或記憶體 #工制為係監視其待寫入至記憶體之資料的位址，使得當該 。己L'版為彳呆作於半密度操作時，僅有半密度操作係被使 13 1289306 用。 如已為論述，並未具有於典型的全密度與半密度實體 佈局之間的結構差異。於全密度與半密度模式之差異係於 記憶體之邏輯與控制。本發明之實施例係運用邏輯移位， 以當較低的電力與較少的記憶體密度為所期望或需要而允 許半密度操作，且當較高密度之儲存為需要而允許全密度 操作。 於另一個實施例中，一模式暫存器係運用以驅使記憶 籲體至一正常或一半密度操作而非為預設開啟電源於一半密 度操作模式。舉例而言，若一 〇係寫入至模式暫存器，操 作係強制至全密度。若一 1係寫入至模式暫存器，操作係 強制至半密度。設定該模式暫存器係可“動態（〇n-the-fly)” 達成於操作期間、或是於開啟電源或類似者。再者，一特 定的“重設（reset)”命令係可由使用者所發動以強制操作 至全或半密度模式之操作。若半密度操作為不可行，用於 記憶體控制器或作業系統之一監視器係不允許操作於半密 籲度而直到待儲存的資料量係將適合於記憶體之一半密度配 置為止。於種種的實施例中，設定全密度操作係藉著以一 模式暫存器設定命令、一專用輸入接腳、或類似者而設定 該模式暫存器所達成。 於另一個實施例中，操作係於啟動時而預設至半密度 操作，且儘可能長時間為繼續於半密度，當一奇數列為存 取時而切換至全密度。 偶數與奇數列之規定係運用於本文之說明。應為瞭解 14 1289306 的是：針對於該❹率之其他的術語 — 與奇數係分別意謂著於 且猎者偶數 •^之僅有的諸列為 全密度可利用的諸列為奇數列。可 J為偶數列而於 為舉例而非為限制）係包括.斜' 〃他的術语（僅 列、，，子於偶數列之下層（lower) 一針對灰可數列之上層（upper)列。 一記憶體控制器或其他的作 會竑办I ·、，w w #茶糸統核組係使用於一個 為一機二記憶體之操作。該控制器或作業系統係可 :=Γ媒體，其係執行指令於-處理器'或類似者 達成本文所述的方法。 ^考第5圖，本發明的—個實施例之具有⑽趟如 二，^ 500之簡化方塊圖係被描述。該記憶體元件係可為 4理益51〇,以供雙向資料通訊。該種記憶體係 匕括一§己憶體單元陣列512。控制電路524係提供以響應 方、來自该處理器之控制訊號540而管理資料健存以及操取 自《該陣列。位址電路526、χ解碼器528、與γ解碼器530 係分析位址訊冑542與該陣列之儲存存取位置。感測電路 532係運用以讀取來自該陣列之資料且純輸出資料至U0 電路534。該1/0電路係操作於雙向的方式，以接收來自 處理器510之資料且通過此資料至陣列512。注意：該感 測私路係可為未使周於某些實施例以儲存輸入資料。 動態記憶體係眾所週知，且熟悉此技藝人士係將理解 的疋·上述的dram為已經簡化以提供DRAM技術之_ 基本瞭解且為無意以描述一 DRAM之所有的特徵。 儘管關於半密度操作寫入資料僅為至偶數列之資料寫 15 1289306 入係已經描述於本文，應為瞭解的是： 而宜、 对氧於+密度操作 W馬入資料至僅有奇數列亦為可利用。 僅A啻 用再者，只要資料係 些偶 牛在度刼作係可運用一 :之^ —些奇數列^分的是：可利用的記憶體單 低數者為運用而使得於半密度操作之電力消耗為降 :低電力節省，其 只現。再者，全密 該記憶體係可返回 下層半部所儲存的

本發明之種種實施例的優點係包括 係§ 一減少量的記憶體為運用時而自動 度知作之裨益係當需要而提供。甚者， 至半雄、度操作而未喪失於記憶體陣列之 屬料。 不發明之種種實 具有可利用之一有限量的電力之裝用於 1, ^ 且洧如•類似於手 二::或個人數位助理之可攜式褒置。於一個實施例， 7係可為儲存於下層記憶體陣列且該記憶體 置為於備用模式或啟動模式而操作於半密度操 ： 曰“广資料係可於操作期間而儲存於全陣列。此資料儀 拋茱且該記憶體為返回至針對 ^ ^ J粒式叙置的備用或睡£ 糗式之共下層電力狀態，而未喪失任何的應用資料。 本發明之實施例係包括—可配置的記憶體（於 例··一 DRAM)，1自動切施*入企一 Ά力 〃自動切換方;“、度的低功率操作 多 知作之間’針對於由系統所需之增大的密度。亦為揭: 者係返回記憶體至半密度操作之-種方法，針對於自我; 16 1289306 新電力節省而未喪失所錢 記憶體係以其最低的自我子、]資料。於開啟電源之期間， 所有操作係於偶數内部列而：電力而預設至半密度操作。 止。該記憶體係維持於卜到所有的偶數内部列為滿為 存取為止，於其點，^己二度操作而直到一奇數内部列為 記憶體操作。是以，自我自動轉換至正常的全密度 大的電力而調整。 4盼序係隨著全密度操作之增 一重設序列係當或若 該記憶體回到半密度操作定：:、：為期望時而加入以轉換 維持其為初始運用於半密：更新刷去操作係加入以 料。本發明之_刷去 X本之於偶數列所儲存的資 知月之刷去更新的實施例 組線·，感測於-感測放大器之資I ^ 〇力-偶數字 在感測放大器為敎後而致動正確的原始資料” 相資料於單元預1#〜 數子、、且線（因此自動健存反 料於主要的…、亥二字組線；及’儲存原始的資 卄方、主要的早兀且儲存互補 … 於半密度操作所需者。 、d 也早如為針對 藝人施例係已經圖示且說明於本文，熟悉此技 可為替代^ 是：估計以達成相同目的之任何配置係 發明之任二、：的特定實施例。此申請案係意圖以涵蓋本 月 < 任何的修改 係僅為受限於申請專利範圍與其均等 ^ 【圖式簡單說明】 士：圖係-種全密度記憶體元件之部分電路圖； 乐圖係-種半密度記憶體元件之部分電路圖； 17 1289306 第3圖係根據本發明之一個實施例的一種方法之流程 圖； 第4圖係根據本發明之另一個實施例的一種更新刷去 操作之流程圖；及 第5圖係本發明可為實行於其的一種系統之方塊圖。 【主要元件符號說明】 100 :全密度記憶體 102 :記憶體單元 104 :歹丨J 106 :行 200 ··半密度記憶體 202 :記憶體單元

204 ：歹丨J 2 0 6 :行 500 :系統

502 ·· DRAM 5 1 0 :處理器 5 1 2 :記憶體單元陣列 524 :控制電路 526 :位址電路 528 : X解碼器 530 : Y解碼器 5 3 2 ·•感測電路 534 : I/O 電路 ⑧ 1289306 5 4 0 :控制訊號 542 :位址訊號

19

Claims (1)

1289306 4 ...........I _IM|, .......................... 月和修(更) 十、申請專利範園 1. 一種操作記憶體元件之方法，包含： 以半密度模式僅將資料寫入偶數 等偶數内部列為滿為止； 數内M，直到所有該 當一奇數内部列為首先存取時，切換至全密度模式； 以全密度模式寫入至任一列； 中 當並無奇數列為仍需要時，切換回到半密度模式，其 切換回到半密度模式係包含： 該記憶體元件内剩餘的原始資料，以將所有剩餘 的貝料寫入至該記憶體之偶數列；及 更新刷去。 2. 如申請專利_ i項之方法，其中，更新 包含： 致動含有半密度資料之一偶數字組線； 藉著一感測放大器而感測該資料；

致動一奇數字組線； 預先充電該二個字組線；及 儲存組織過的原始的資料於該偶數字組線且儲存互補 的資料於該奇數字組線。 其中，組織資料係 3·如申請專利範圍第1項之方法 包含： 決定自奇數列而來的什麼資料將被儲存； 儲存自奇數列而來將被儲存的資料於一個緩衝器之 内；及 σ 1289306 在個更新刷去之前，將自該緩衝ϋ而來之自奇數列 而來將被儲存的資料寫入至一個偶數列。 4_如申請專利範圍第μ之方法，其中，衫自奇數 列而來的什麼資料將被儲存係以—個逐列㈣吻叫之基 礎被實施。 5·如申請專利範圍第w之方法，其中，決定自奇數 歹J而來的什麼貝料將被儲存係以_個逐個區塊 block)之基礎被實施。 /·如申請專利範圍第μ之方法，其中，切換至半密 又Γ、式更^ 3針對於半推度操作而改變該記憶體之自我 更新時序。 申月專利範圍第1項之方法，切換回到半密度模 式更包含： 監視該記憶體元件之使用率；及 當該記憶體内所有將被儲存之資料係能夠儲存於該記 隐體7G件之—個半密度組態時’起動切換回到半密度模 式。 8·一種記憶體，包含·· 一陣列之記憶體單元，其可為由位址電路所定址； 輸入/輸出電路’其係接收外部資料且傳送該 該 陣列，·及 ::憶體控制器’其係用於操作該記憶體於一全密度 操作成：：镇式之操作的一者’其令，該記憶體控制器係 、乍成貧轭一種方法，該方法包含·· 〆、^ ·.· ι- ^ .··*' 21 1289306 * ^ 當半密度操作為不具有足夠密度以容納待寫入至該記 It體的所有資料時，自該半密度模式之操作切換至全密度 杈式之操作，且當並無奇數列為仍需要時，切換回到半密 度模式，其中，切換回到半密度模式係包含： ^組織記憶體元件内剩餘的原始資料，以將所有剩餘的 資料寫入至該記憶體之偶數列；及 更新刷去。 _ 9·如申請專利範圍第8項之記憶體，其中，該記憶體 元件係為一個處理系統之一部分，該處理系統係包含： 一處理器其係連接至該記憶體，以儲存由該處理器所 提供的資料且提供資料至該處理器。 10·如申請專利範圍第8項之記憶體，其中，更新刷 去係包含： 致動一條含有半密度資料之偶數字組線； 藉著一感測放大器而感測該資料； _ 致動一奇數字組線； 預先充電該二個字組線；及 儲存組織過的原始的資料於該偶數字組線且儲存互 的資料於該奇數字組線。 11 ·如申請專利範圍第8項之記憶體，其係進一步包 含： 一個緩衝器；且 其中，於該方法内組織資料係包含·· 決定自奇數列而來的什麼資料將被儲存； 22 1289306 ^ f 儲存自奇數列而來將被儲存的資料於該緩衝器之内； 及 在一個更新刷去之前，將自該緩衝器而來之自奇數列 而來將被儲存的資料寫入至一個偶數列。 12·如申請專利範圍第丨丨項之記憶體，其中，決定自 奇數列而來的什麼資料將被儲存係以一個逐列（r〇w by r〇w) 之基礎被實施。 13·如申請專利範圍第丨丨項之記憶體，其中，決定自 I奇數列而來的什麼資料將被儲存係以一個逐個區塊…比仏 by block)之基礎被實施。 14·如申請專利範圍第8項之記憶體，其中，切換至 半密度模式更包含：針對於半密度操作而改變該記憶體之 自我更新時序。 如申請專利範圍第8項之記憶體，其中，切換回 到半密度模式更包含： N _ 監視該記憶體元件之使用率；及 當該記憶體内所有將被儲存之資料係能夠儲存於該記 憶體元件之一個半密度組態時，起動切換回到半密度模 式。 十一、圈式： 如次頁 23