JP2006190402A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 書き込みに読み出しの2倍のサイクルを必要とし、書き込みと読み出しのポートを個々に備えた複数のメモリバンク(Bank)0〜3と、前記2倍のサイクルに基づいて、それぞれが前記メモリバンクの一つと同じメモリ容量を備えた2個のキャッシュデータバンクCD0,CD1とを設け、例えば、外部より連続サイクルの書き込み命令が発生した際に、サイクル#2において、CD1のロウ2に記憶されたメモリバンク2のデータは、メモリバンク2がサイクル#1によりビジー状態であるためライトバック不可であるが、代わりにCD0のロウ2に記憶されたメモリバンク0のデータをライトバックすることが可能である。
【選択図】 図5
Description
WR 読み出しワード線
DR データ読み出し線
DW データ書き込み線
QW 書き込みトランジスタ
QR 読み出しトランジスタ
QS 記憶トランジスタ
CD0〜3 キャッシュデータバンク
CT0〜3 キャッシュタグバンク
Bank0〜3,MB0〜127 メモリバンク
CCC キャッシュ制御回路
CM0〜3 比較回路
BDW 書き込みバンクデコーダ
BDR 読み出しバンクデコーダ
ADB 入力アドレスバッファ
IOB 入出力データバッファ
DOM,DSM マルチプレクサ回路
DIM デマルチプレクサ回路
MMAT メモリマット
SA センスアンプ
W−WD 書き込みワード線ドライバ
R−WD 読み出しワード線ドライバ
RD ロウデコーダ
WB ライトバッファ
MBC メモリバンク制御回路
MMX,DMX マルチプレクサ回路
Claims (16)
- 複数のメモリバンクを含み、第1のサイクル時間内でデータ読み出しを行い、前記第1のサイクル時間よりも長い第2のサイクル時間内でデータ書き込みを行い、前記複数のメモリバンク内の1つのメモリバンクの中でデータ読み出しとデータ書き込みを時間的に並行して行うことが可能な第1のメモリデバイスと、
前記第1のサイクル時間内でデータ読み出しとデータ書き込みが可能であり、前記第1のメモリデバイスのキャッシュメモリとして機能する第2のメモリデバイスとを有し、
データ書き込み命令の発生時に前記第2のメモリデバイスがキャッシュミスかつキャッシュフルである場合に、前記第1のサイクル時間内で、
前記第1のメモリデバイス内の前記複数のメモリバンクの中からデータ書き込みを実行中でないメモリバンクを選定する処理と、
前記第2のメモリデバイス内の記憶データの中から前記選定したメモリバンクに対応した記憶データをライトバックする処理と、
前記ライトバックに伴い前記第2のメモリデバイス内で空き状態となった記憶領域に、前記データ書き込み命令に伴う入力データを書き込む処理とを実行することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記複数のメモリバンクのそれぞれは、第1のメモリ容量を備え、
前記第2のサイクル時間は、前記第1のサイクル時間の2倍以上であり、
前記第2のメモリデバイスは、前記第1のメモリ容量の2倍以上のメモリ容量を備えることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記第1のメモリデバイスは、メモリセルにチャネル領域の厚さが5nm以下であるトランジスタを含み、
前記第2のメモリデバイスは、SRAMメモリセルを含むことを特徴とする半導体装置。 - それぞれがM個のデータ列を記憶し、データ書き込みのサイクル時間がデータ読み出しのサイクル時間に比べて、N(N≧2)倍のサイクル時間を必要とする複数のメモリバンクと、
前記複数のメモリバンクのキャッシュメモリとして機能し、それぞれがM個のデータ列を記憶し、前記N倍の時間に基づいて少なくともN個設けられたキャッシュデータバンクと、
前記少なくともN個のキャッシュデータバンクに記憶するM個のデータ列のそれぞれが前記複数のメモリバンクのいずれに対応するかを特定するため、それぞれがM個のメモリバンクアドレスを記憶する少なくともN個のキャッシュタグバンクと、
キャッシュヒットおよびキャッシュフルを判定し、前記複数のメモリバンク、前記少なくともN個のキャッシュデータバンクおよび前記少なくともN個のキャッシュタグバンクを制御するコントローラとを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記コントローラは、
前記複数のメモリバンクに記憶されたM個のデータ列の中からいずれかのデータ列を特定するための入力メモリバンクアドレスおよび入力データ列アドレスを含む外部入力アドレスと、外部入力データと、を伴ったデータ書き込み命令が発生した際に、
前記少なくともN個のキャッシュタグバンク内の前記入力データ列アドレスからそれぞれ読み出した少なくともN個のメモリバンクアドレスと前記入力メモリバンクアドレスとを比較することでキャッシュヒットまたはキャッシュミス、ならびにキャッシュフルを判定する処理と、
前記判定した結果がキャッシュミスかつキャッシュフルの場合に、前記少なくともN個のキャッシュタグバンクから読み出した少なくともN個のメモリバンクアドレスの中からデータ書き込みを実行中でないメモリバンクに対応するメモリバンクアドレスを選定する処理と、
前記少なくともN個のキャッシュデータバンク内の前記入力データ列アドレスにそれぞれ記憶された少なくともN個のデータ列の中から、前記選定したメモリバンクアドレスに対応するデータ列を、前記選定したメモリバンクアドレスに対応するメモリバンクにライトバックする処理と、
前記少なくともN個のキャッシュデータバンク内で前記ライトバックの対象となったデータ列が記憶されていた領域に、前記外部入力データを記憶する処理と、
前記少なくともN個のキャッシュタグバンク内で前記選定したメモリバンクアドレスが記憶されていた領域に、前記入力メモリバンクアドレスを記憶する処理とを実行することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置において、
前記コントローラは、
前記複数のメモリバンクに記憶されたM個のデータ列の中からいずれかのデータ列を特定するための入力メモリバンクアドレスおよび入力データ列アドレスを伴ったデータ読み出し命令が発生した際に、
前記少なくともN個のキャッシュタグバンク内の前記入力データ列アドレスからそれぞれ読み出した少なくともN個のメモリバンクアドレスと前記入力メモリバンクアドレスとを比較することでキャッシュヒットまたはキャッシュミスを判定する処理と、
前記キャッシュヒットまたはキャッシュミスを判定する処理と時間的に並行して、前記複数のメモリバンクの前記入力メモリバンクアドレスおよび入力データ列アドレスから予めデータ列の読み出しを行う処理と、
前記判定した結果がキャッシュミスの場合に、前記複数のメモリバンクから予め読み出しを行ったデータ列を外部へ出力する処理とを実行することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記少なくともN個のキャッシュタグバンクのそれぞれは、更に、前記少なくともN個のキャッシュデータバンクに記憶するM個のデータ列のそれぞれが有効なデータ列か否かを示すM個の有効ビットを記憶し、
前記コントローラは、前記少なくともN個のキャッシュタグバンクから前記少なくともN個のメモリバンクアドレスと共に少なくともN個の有効ビットを読み出すことで、前記キャッシュフルか否かを判定することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記複数のメモリバンクのそれぞれは、前記ライトバックする処理を行う間、前記ライトバックの対象となったデータ列を一時的に保持するライトバッファを備え、
前記コントローラは、
前記外部入力アドレスを伴ったデータ読み出し命令が発生した際に、
前記キャッシュヒットまたはキャッシュミスを判定する処理と、
前記判定した結果がキャッシュミスの場合に、前記外部入力アドレスに対応するデータ列が前記ライトバッファ内に存在するか否かを判定する処理と、
前記ライトバッファ内に存在する場合には、前記ライトバッファ内のデータ列を読み出して外部へ出力する処理とを実行することを特徴とする半導体装置。 - 請求項5記載の半導体装置において、
前記コントローラでの前記外部入力データを記憶する処理の際に、前記ライトバックの対象となったデータ列が記憶されていた領域が複数のセクションを含み、前記外部入力データによって前記複数のセクションの一つを更新する場合、
前記コントローラは、
前記キャッシュヒットまたはキャッシュミスを判定する処理と時間的に並行して、前記複数のメモリバンクの前記外部入力アドレスから予めデータ列の読み出しを行う処理と、
前記判定した結果がキャッシュミスかつキャッシュフルの場合に、前記ライトバックする処理を行った後、前記ライトバックの対象となったデータ列が記憶されていた領域に、前記予め読み出しを行ったデータ列の一つのセクションに前記外部入力データを組み合わせたデータ列を記憶する処理とを実行することを特徴とする半導体装置。 - 請求項4〜9のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記少なくともN個のキャッシュタグバンクおよび前記少なくともN個のキャッシュデータバンクは、SRAMメモリセルによって構成されることを特徴とする半導体装置。 - 半導体メモリを含む半導体装置であって、
前記半導体メモリは、
外部データバスからの入力データを内部入力データバスへ伝送し、内部出力データバスからの出力データを前記外部データバスへ伝送するデータ入出力バッファと、
第1のデータバスおよび第2のデータバスと、
前記第1のデータバスまたは前記第2のデータバスのいずれか一方を選択し、前記内部出力データバスに出力する第1の選択回路と、
ロウアドレスビットおよびメモリバンクアドレスビットを含むアドレスバスと、
前記ロウアドレスビットで示される複数のロウと前記複数のロウのそれぞれに第1の数のロウデータを備えたメモリバンクを、前記メモリバンクアドレスビットで示される数だけ含み、前記第1のデータバスからデータを入力し、前記第2のデータバスにデータを出力する第1のメモリデバイスと、
前記複数のロウと前記第1の数のロウデータを備えたキャッシュデータバンクを第2の数だけ含み、前記第1のデータバスにデータを出力し、前記第2のデータバスからデータを入力する第3のメモリデバイスと、
前記複数のロウを備えたキャッシュタグバンクを前記第2の数だけ含み、前記アドレスバスのメモリバンクアドレスビットからデータを入力する第4のメモリデバイスと、
前記半導体メモリに対してデータ書き込み命令又はデータ読み出し命令が発生した際に、前記第4のメモリデバイスから読み出したデータと前記アドレスバスのメモリバンクアドレスビットとを比較することでキャッシュヒットまたはキャッシュミスの判定を行う機能を含み、前記第1、前記第3および前記第4のメモリデバイスの制御を行う制御回路とを有し、
前記第1のメモリデバイスのデータ書き込みサイクル時間がデータ読み出しサイクル時間に比べてN(N≧2)倍の時間を必要とする場合、前記第2の数は、N個以上であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記第1のデータバスと前記第2のデータバスと前記外部データバスのビット幅は、同一かつ前記第1の数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記第1のデータバスと前記第2のデータバスのビット幅は、共に前記第1の数であり、
前記外部データバスのビット幅は、前記第1の数よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において、
前記第1のメモリデバイス内のメモリセルは、
ゲートが書き込みワード線に接続され、ソースまたはドレインの一方が書き込みビット線に接続された書き込み用トランジスタと、
ゲートが前記書き込み用トランジスタのソースまたはドレインの他方に接続され、ソースまたはドレインの一方が固定電位に接続された記憶用トランジスタと、
ゲートが読み出しワード線に接続され、ソースまたはドレインの一方が前記記憶用トランジスタのソースまたはドレインの他方に接続され、ソースまたはドレインの他方が読み出しビット線に接続された読み出し用トランジスタとを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項12記載の半導体装置において、
前記第1のメモリデバイス内のそれぞれの前記メモリバンクは、前記第1の数のロウデータを一時的に記憶可能なライトバッファを備え、
前記メモリバンクに対して前記第1の数を単位としてデータ書き込みを行う必要がある場合、前記第2の数は、(N+1)個以上であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項13記載の半導体装置において、
更に、前記第2のデータバスの一部に前記内部入力データバスを組み合わせて前記第3のメモリデバイスへ出力する第2の選択回路を有することを特徴とする半導体装置。
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