JPWO2006001078A1 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
アドレス端子から入力されたアドレス信号をアドレス選択回路で解読してワード線とビット線の選択を行い、メモリセルを選択して同一サイクルでの書き込みと読み出しの動作指示に対応して、データ入力経路を通してビット線に伝えられた書き込みデータをデータ出力経路に含まれるセンスアンプにより増幅して出力させる。
Description
この発明は、半導体集積回路装置に関し、例えば高速動作が要求されるスタティック型RAM(ランダム・アクセス・メモリ)を備えたものに利用して有効な技術に関するものである。
本願発明者等においては、高速SRAMの機能として書き込んだデータを同一サイクルで読み出すことを検討した。従来、書き込み用ポートと読み出し用ポート等のように2つのポートを備えたSRAMにおいて、書き込みデータを優先して確実に読み出すようにした半導体記憶装置の例として、特開平10−50061号公報、特開2001−319477公報がある。
本願発明者等において、上記のような2ポートメモリの技術を参考にして、第10図に示したような回路を検討した。すなわち、第10図においては、入力ラッチに保持された書き込みデータとメモリセルからの読み出しデータをセンスするセンスアンプの出力信号のいずれかを一方を選択するセレクタを設けて出力ラッチを通して出力させる。つまり、セレクタは、上記入力ラッチからの信号を選択するというライトデータ出力経路を形成する動作と、メモリセル→リードスイッチ→センスアンプの出力信号を選択するというメモリセルデータ出力経路を形成する動作とを行う。
この構成では、メモリセルへの書き込み動作として上記入力ラッチの出力信号をライトドライバ→ライススイッチ→メモリセルという経路で書き込み動作を行いつつ、上記セレクタにより上記入力ラッチの出力信号を選択するというライトデータ出力経路を形成することにより書き込んだデータを同一サイクルで読み出すことができる。
上記のような書き込んだデータを同一サイクルで読み出すことのみを考慮すると、第10図の構成により問題なく実現できる。しかしながら、メモリとしての本来の機能である読み出し動作に着目すると、第11図のタイミング図に示したように、クロックに同期してワード線を選択し、メモリセルが接続されたビット線をリードスイッチにより選択してセンス線に現れた読み出し信号をセンスアンプ制御信号によりセンスアンプを活性化して増幅して出力させるというメモリセルデータ出力時には、上記セレクタでの遅延が加わってメモリセルデータが出力される。つまり、同図に示したようなライトデータ出力時に比べて、本来の読み出し動作のアクセスタイムが遅くなってしまうという問題を有する。また、メモリとしては、例えば32ビットや64ビット等のようにデータバス幅に対応したパラレルデータの書き込み動作や読み出し動作を行うものであるので、セレクタを32個や64個のように多数設けることが必要となり、回路規模も大きくなってしまう。
したがって、この発明の一つの目的は、簡単な構成で本来の読み出し動作を遅延させることなく、書き込みデータを同一サイクルで読み出すことができる半導体記憶回路を備えた半導体集積回路装置を提供することにある。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願発明者等において、上記のような2ポートメモリの技術を参考にして、第10図に示したような回路を検討した。すなわち、第10図においては、入力ラッチに保持された書き込みデータとメモリセルからの読み出しデータをセンスするセンスアンプの出力信号のいずれかを一方を選択するセレクタを設けて出力ラッチを通して出力させる。つまり、セレクタは、上記入力ラッチからの信号を選択するというライトデータ出力経路を形成する動作と、メモリセル→リードスイッチ→センスアンプの出力信号を選択するというメモリセルデータ出力経路を形成する動作とを行う。
この構成では、メモリセルへの書き込み動作として上記入力ラッチの出力信号をライトドライバ→ライススイッチ→メモリセルという経路で書き込み動作を行いつつ、上記セレクタにより上記入力ラッチの出力信号を選択するというライトデータ出力経路を形成することにより書き込んだデータを同一サイクルで読み出すことができる。
上記のような書き込んだデータを同一サイクルで読み出すことのみを考慮すると、第10図の構成により問題なく実現できる。しかしながら、メモリとしての本来の機能である読み出し動作に着目すると、第11図のタイミング図に示したように、クロックに同期してワード線を選択し、メモリセルが接続されたビット線をリードスイッチにより選択してセンス線に現れた読み出し信号をセンスアンプ制御信号によりセンスアンプを活性化して増幅して出力させるというメモリセルデータ出力時には、上記セレクタでの遅延が加わってメモリセルデータが出力される。つまり、同図に示したようなライトデータ出力時に比べて、本来の読み出し動作のアクセスタイムが遅くなってしまうという問題を有する。また、メモリとしては、例えば32ビットや64ビット等のようにデータバス幅に対応したパラレルデータの書き込み動作や読み出し動作を行うものであるので、セレクタを32個や64個のように多数設けることが必要となり、回路規模も大きくなってしまう。
したがって、この発明の一つの目的は、簡単な構成で本来の読み出し動作を遅延させることなく、書き込みデータを同一サイクルで読み出すことができる半導体記憶回路を備えた半導体集積回路装置を提供することにある。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、アドレス端子から入力されたアドレス信号をアドレス選択回路で解読してワード線とビット線の選択を行い、メモリセルを選択して同一サイクルでの書き込みと読み出しの動作指示に対応して、データ入力経路を通してビット線に伝えられた書き込みデータをデータ出力経路に含まれるセンスアンプにより増幅して出力させる。
第1図は、この発明に係る半導体記憶回路の一実施例を示す要部概略ブロック図であり、
第2図は、第1図の半導体記憶回路におけるデータの流れを説明するためのブロック図であり、
第3図は、第2図の半導体記憶回路の読み出し動作の一例を説明するためのタイミング図であり、
第4図は、第1図の半導体記憶回路の動作の一例を説明するためのタイミング図であり、
第5図は、第1図の半導体記憶回路を用いたシステムを説明するためのブロック図であり、
第6図は、この発明に係る半導体記憶回路の他の一実施例を示す概略ブロック図であり、
第7図は、第6図のライトバッファ方式によるメモリ動作の一例を説明するためのタイミング図であり、
第8図は、この発明に係る半導体記憶回路を用いた半導体集積回路装置の一実施例を示すブロック図であり、
第9図は、第8図のURAMの一実施例を示すブロック図であり、
第10図は、本願発明に先立って検討された半導体記憶回路のブロック図であり、
第11図は、第10図の半導体記憶回路の動作の一例を説明するためのタイミング図である。
第2図は、第1図の半導体記憶回路におけるデータの流れを説明するためのブロック図であり、
第3図は、第2図の半導体記憶回路の読み出し動作の一例を説明するためのタイミング図であり、
第4図は、第1図の半導体記憶回路の動作の一例を説明するためのタイミング図であり、
第5図は、第1図の半導体記憶回路を用いたシステムを説明するためのブロック図であり、
第6図は、この発明に係る半導体記憶回路の他の一実施例を示す概略ブロック図であり、
第7図は、第6図のライトバッファ方式によるメモリ動作の一例を説明するためのタイミング図であり、
第8図は、この発明に係る半導体記憶回路を用いた半導体集積回路装置の一実施例を示すブロック図であり、
第9図は、第8図のURAMの一実施例を示すブロック図であり、
第10図は、本願発明に先立って検討された半導体記憶回路のブロック図であり、
第11図は、第10図の半導体記憶回路の動作の一例を説明するためのタイミング図である。
この発明をより詳細に説述するために、添付の図面に従ってこれを説明する。
第1図には、この発明に係る半導体記憶回路の一実施例の要部概略ブロック図が示されている。同図では、2つのワード線WL0,WL1と、一対の相補ビット線BLBとBLT及びこれらの交点に設けられた2つのメモリセルMC0とMC1と、上記ワード線及びビット線のアドレス選択回路PRIと、上記メモリセルへの書き込み経路としてのデータ入力経路及び上記メモリセルからの読み出し経路としてのデータ出力経路が代表として例示的に示されている。
上記メモリセルMC0(MC1)は、CMOSインバータ回路の入力と出力とを交差接続されてなるCMOSラッチ回路と、かかるCMOSラッチ回路の一対の入出力ノードと、相補ビット線BLBとBLTとの間に設けられたアドレス選択用MOSFETとから構成される。上記アドレス選択用MOSFETのゲートは、ワード線WL0(WL1)に接続される。
上記アドレス選択回路PRIには、アドレス端子から供給されたアドレス信号を受けるアドレスバッファ、かかるアドレスバッファを通して取り込まれたアドレス信号を解読して、1つのワード線の選択信号を形成するアドレスデコーダ、上記選択信号によりワード線を駆動するワードドライバ等により構成される。
特に制限されないが、上記データ入力経路は、外部端子から供給された入力データ(Dbf)を受ける入力回路DIBと、かかる入力回路DIBの出力信号を受けて上記ビット線BLB,BLTに与えられる書き込み信号を形成するライトアンプ(又はライトドライバ)WA及びライトスイッチWSWから構成される。上記データ出力経路は、上記ビット線BLB,BLTをセンスアンプSAに接続させるリードスイッチRSWと、センスアンプSAの出力信号を外部端子から出力させる出力データ(Q)を形成する出力回路DOBから構成される。上記ライトアンプWAの出力端子は、ライト線WDLに接続されており、Yアドレスにより選択されるライトスイッチWSWを介して複数対のビット線に選択的に接続される。上記センスアンプSAの入力端子は、リード線SALに接続されており、Yアドレスにより選択されるリードスイッチRSWを介して複数対のビット線に選択的に接続される。
第2図には、第1図の半導体記憶回路におけるデータの流れを説明するためのブロック図が示されている。第2図においては、前記第1図の入力回路DIBが入力ラッチとして示され、ライトアンプWAがライトドライバとして示され、出力回路DOBが出力ラッチとして示されている。そして、ライトデータ出力経路は、同図にハッチングを付した矢印のように、入力ラッチ→ライトドライバ→ライトスイッチ→メモリセルへの書き込み動作が行われるとともに、ライトスイッチ→リードスイッチ→センスアンプ→出力ラッチの経路で上記書き込み信号が出力データとして出力される。
また、メモリセルデータ出力経路は、同図に黒い矢印のようにワードドライバで選択されたメモリセルの記憶情報がビット線に読み出され、リードスイッチ→センスアンプ→出力ラッチの経路で出力される。上記書き込み動作において、ワードドライバで選択されたメモリセルに書き込み動作が行われることはいうまでもない。
第3図は、前記本願発明に先立って検討された第10図の構成と対比させることにより、本願発明の特徴を説明するものであり、第3図に示したタイミング図と前記第11図に示したタイミング図との対比から明らかなように、クロックに同期してメモリアクセスからメモリセルデータが出力されるまでのアクセスタイムに、第10図に示したようなセレクタが存在しないために、セレクタ遅延が発生せずメモリセルの読み出し動作の高速化を図ることができる。
第4図には、前記第1図の半導体記憶回路の動作の一例を説明するためのタイミング図が示されている。同図においては、第1図に点線の矢印で示した(1)書き込み動作(メモリセルへの書き込み動作)、(2)読み出し動作(メモリセルからの読み出し動作)及び白抜きの矢印で示した(3)書き込み/読み出し動作の各サイクル1、2及び3が例示的に示されている。
サイクル1の(1)書き込み動作では、クロックCLKに同期してアドレス信号A0と書き込みデータD0を入力し、それに対応したワード線WL0を選択状態(オン)にする。これにより、メモリセルMCが接続されるビット線BLB/BLTにはメモリセルMCの記憶情報に対応して電位差が生じる。ライトスイッチWSWをオン状態にすることにより、ライトドライバ(ライトアンプ)WAが上記書き込みデータD0に対応して上記ビット線BLB/BLTを変化させる。これにより、メモリセルMCには、上記書き込みデータD0が書き込まれる。ここで、メモリセルMCの記憶情報を上記書き込みデータD0に対応して反転させるためには、ビット線BLBとBLTを電源電圧VDDとVSS(GND)のようにフル振幅とする必要がある。このビット線BLBとBLTの書き込み電圧は、前記図1では省略されているが、相補ビット線BLB,BLTに設けられたプリチャージ(ライトリカバリ)回路によりサイクル1の後半においてプリチャージ(イコライズ)される。
サイクル2の(2)読み出し動作では、クロックCLKに同期してアドレス信号A1を入力し、それに対応したワード線WL1を選択状態(オン)にする。これにより、メモリセルMCが接続されるビット線BLB/BLTにはメモリセルMCの記憶情報に対応して電位差が生じる。リードスイッチRSWをオン状態にすることにより、センス線SALには上記ビット線BLB/BLTの電位差に対応した差電圧が発生し、センスアンプSAの動作(オン)によって増幅される。この増幅信号はサイクルの後半で出力回路を通して出力データQ1として出力される。上記ビット線BLBとBLT及びセンス線SALの読み出し電圧は、前記同様にプリチャージ回路によりサイクル2の後半においてプリチャージ(イコライズ)される。
サイクル3の(3)書き込み/読み出し動作では、クロックCLKに同期してアドレス信号A2と書き込みデータD2を入力し、それに対応したワード線、同図では便宜的にWL0を選択状態(オン)にする。これにより、メモリセルMCが接続されるビット線BLB/BLTにはメモリセルMCの記憶情報に対応して電位差が一時的に生じる。前記サイクル1と同様にライトスイッチWSWをオン状態にすることにより、ライトドライバ(ライトアンプ)WAが上記書き込みデータD2に対応して上記ビット線BLB/BLTを変化させる。これにより、メモリセルMCには、上記書き込みデータD2が書き込まれる。そして、リードスイッチRSWもオン状態にされてセンス線SALには上記ライトドライバ(ライトアンプ)WAで形成されたビット線BLB/BLTの書き込み信号が伝えられる。したがって、センスアンプSAの動作(オン)によって上記書き込み信号を増幅して出力回路を通して出力データQ2として出力させる。上記ビット線BLBとBLT及びセンス線SALの読み出し電圧は、前記同様にプリチャージ回路によりサイクル3の後半においてプリチャージ(イライズ)される。このようにして、前記のようなセレクタを設けることなく、同一サイクル中に書き込みと読み出しを行うようにすることができる。
第5図には、第1図の半導体記憶回路を用いたシステムの一実施例のブロック図が示されている。第5図の(A)のシステムにおいては、一般的な半導体記憶回路を用いたメモリ回路URAMと、第三のモジュールのデータ入力端子および出力端子がデータバスA〜Eに接続される。データバスA〜Cはラトデータバスであり、URAM及び第三のモジュールのデータ入力端子に設けられた図示しないセレクタによって、A〜Cのいずれか1つのライトデータバスからのデータが書き込まれる。そして、上記メモリ回路URAMきデータ出力端子はリードデータバスDに接続され、第三のモジュールのデータ出力端子はリードデータバスEに接続される。
第5図の(B)のシステムでは、前記説明したような本願発明に係る半導体記憶回路を用いたメモリ回路URAMと、第三のモジュールのデータ入力端子および出力端子がデータバスA〜Eに接続される。この実施例では、メモリ回路URAMの前記のような(3)書き込み/読み出し機能をデータ載せ替え機能として利用するものである。つまり、第三のモジュールのデータ入力端子は(A)のようにデータバスA〜Cに接続されるのではなく、メモリ回路URAMのデータ出力端子が接続されたリードデータバスDに接続される。この構成により、メモリ回路URAMに対して、前記(3)書き込み/読み出し動作を行わせて、メモリ回路URAMに対して書き込み動作を行わせるとともに、そのデータをリードデータバスDを介して第三のモジュールに書き込むことができる。上記メモリ回路URAMに対しては、例えば前記のようなセレクタによってA〜Cのいずれか1つのライトデータバスからのデータが書き込まれるので、その機能をそのまま生かしてA〜Cのいずれか1つのライトデータバスのデータを第三のモジュールに書き込むようにすることができる。このようなメモリ回路URAMの(3)書き込み/読み出し動作を利用したバス載せ替え機能により、システムのバス制御の簡素化が可能になる。
第6図には、この発明に係る半導体記憶回路の一実施例の概略ブロック図が示されている。この実施例の半導体記憶回路は、マイクロプロセッサコアとともに1つの半導体集積回路装置に搭載され、前記半導体記憶回路URAMにライトバッファ方式を採用して製品の動作周波数の向上を図るようにするものである。
この実施例のライトバッファ方式とは、後述するマイクロプロセッサコアCPU(+FPU)からURAMへのライトアクセスにおいて、データおよび命令をメモリURAMではなく、一旦フリップフロップ回路F/Fへ格納し、以降のサイクルでメモリマットへの書き込み制御を行うようにするものである。
スタティック型メモリセルでは、前記のようにCMOSラッチ回路を記憶回路として用いるものであるため、その記憶状態を反転させるためには、ビット線BLB,BLTを電源電圧VDDと回路の接地電位GNDにフル振幅させる必要がある。そして、このようにフル振幅されたビット線BLB,BLTは、次のメモリサイクルのためにプリチャージ電圧に戻す必要がある。これに対して、読み出し動作ではビット線BLB,BLTの小さな電圧差をセンスアンプSAで増幅するものであるので、上記ビット線BLB,BLTの電位変化が小さく、しかもそれをもとに戻すプリチャージ時間も短くてよい。このため、スタティック型メモリセルを用いた半導体記憶回路では、上記メモリセルからの読み出し動作に要する時間は、メモリセルへの書き込み動作に要する時間よりも一般的には長くなる。
上記ライトバッファ方式では、データおよび命令を一旦フリップフロップ回路F/Fへ格納する第1動作と、上記フリップフロップ回路FFに格納されたデータに基づきメモリセルへの書き込みを行う第2動作とを2つのメモリサイクルに分担して行うことにより、メモリサイクルを上記メモリセルからの読み出し動作に要する時間に合わせて設定することにより、上記バスサイクルの動作周波数の向上を図るようにすることができる。
この構成では、ライト動作の次に同じアドレスについてリード動作を行うと、上記ライト動作は、そのサイクルでは前記のようにデータおよび命令を一旦フリップフロップ回路F/Fへ格納する第1動作しか行われてないから、上記リード動作によってメモリセルを選択してリード動作を行わせると、書き込み前のデータが読み出されてしまう。そこで、アドレスを取り込むフリップフロップ回路F/Fのリード用アドレス信号と、ライトバッファのフリップフロップ回路F/Fに保持されている書き込みアドレス信号Abfとをアドレス比較回路ACで比較し、もしも一致ならライトバッファのフリップフロップ回路F/Fに保持されている書き込みデータDbfを同図に点線で示したような信号経路によりメモリマットからの読み出し信号として出力させるようにするものである。同図では、かかる機能をセレクタとして示している。
つまり、上記のようにライト動作の次のサイクルがリードで、かつ同じアドレスであったときには、ライトスイッチとリードスイッチをオン状態にさせるように制御して、前記URAMの(2)のようなメモリマットからの読み出し経路に替えて、セレクタの形態で示されたライトバッファからの読み出し経路、つまりは前記URAMの(3)に対応した点線で示されてライトバッファからの読み出し経路が形成されて、前記ライト動作の第2動作に対応したメモリセルへの書き込み動作と、その書き込み動作によって変化させられたビット線BLB,BLTの電圧差をセンスアンプで増幅し、同図のようなライトバッファからの読み出し経路として出力させるものである。
リードサイクルは、リード1のサイクルのようにライトバッファを経由せずにURAMへアドレス信号が伝達されるのに対し、ライトサイクルでは、ライト1のようにアドレス、入力データおよびライト信号がライトバッファと称するフリップフロップ回路F/Fに格納される。
第7図には、前記第6図のライトバッファ方式によるメモリ動作の一例を説明するためのタイミング図が示されている。同図においては、図示しないCPU(+FPU)からのアクセス要求がある場合、リードサイクルは、リード1のサイクルのようにライトバッファを経由せずにURAMへアドレス信号が伝達される。そして、同じサイクルの後半でアドレスAnに対応した読み出しデータQnが出力される。
ライト1のサイクルでは、ライトイネーブルがハイレベルにされており、ライトイバッファネーブル信号bf−enによりアドレス信号A0、入力データD0およびライト信号WEがライトバッファと称するフリップフロップ回路F/Fにそれぞれ格納される。
ライト2のサイクルでは、上記ライトバッファに格納されたアドレス信号Abf,データDbf、ライト信号WEbfによりメモリマットに書き込み動作が行われると同時に、ライト2に対応したアドレスA1、データD1及びライト信号WEがライトバッファのフリップフロップ回路F/Fにそれぞれ格納される。図示の上記のようなライトサイクル1、2でも出力データQnやQ0は不要データとされる。出力回路をハイインピーダンスにすれば、このような出力データは出力されない。
リード2のサイクルでは、ライトイネーブルがロウレベルにされており、ライトイバッファネーブル信号bf−enもロウレベルにされるので、リード2のアドレス信号A2がアドレス信号AとしてURAMに供給されて、そのサイクルの後半で出力信号Q2が出力される。つまり、このときには、直前のライト2でのアドレスA1と上記リード2のアドレスA2とが異なるために、リード2のサイクルではライト2に対応した前記第2動作が待たされて、それに対応したアドレスA2、データD2及びライト信号WEは、ライトバッファに保持されている。
リード3のサイクルでは、上記ライト2に対応したアドレスA2についての読み出し動作が指示される。この場合には、前記アドレス比較回路ACがそれを検出するので、上記ライトバッファに保持されたアドレスA1とデータD2及びライト信号WEによってURAMのメモリマットへの書き込み動作が行われるとともに、上記アドレス一致検出信号によってリードスイッチもオン状態となり、上記メモリマットのビット線BLB,BLTに現れた書き込み電圧差をセンスアンプSAが増幅して、それを読み出しデータQ1としてそのサイクルの後半に出力させるものである。
このように、ライトバッファ方式では、ライトバッファのデータが更新されるサイクルでメモリマットへ書き込まれる。この時、ライトバッファの格納しているデータをURAMメモリマットへ書き込む前に同一アドレスへのリード要求が発生するとライトバッファへ格納したデータの読み出しが必要となるので、前記のようなアドレス比較回路ACを用いて、CPUからライトバッファで格納しているアドレスと同一のアドレスでアクセスを要求した場合(第7図の網掛け部)には強制的にURAMへの書き込みと読み出しを同一サイクルで行うよう制御するものである。
これに対して、ライト1や2のサイクルでは、無条件に第1図に示したようなリードスイッチRSWをオン状態にして読み出し動作を開始し、メモリセルMC0,1が接続されたビット線BLB,BLTをリードスイッチRSWを介してセンスアンプに繋がるセンス線SALに伝える。センス線SALのデータはセンスアンプSAの活性化によってよって増幅され出力ラッチ、出力バッファ等で構成される出力回路を経由して外部へ出力される。したがって、ライト2のサイクルでは入力データD0に対応した出力データQ0が出力されることになるが、不要データとして扱われる。
そして、上記待たされていたライト2に対応したメモリセルへの書き込み動作は、リード3のサイクルで上記ライトバッファで格納しているアドレスと同一のアドレスでアクセスを要求していることを条件に、つまりは前記アドレス比較回路ACからの一致信号により、ライト信号WEがハイレベルの場合、ライトバッファから受け取るライトデータDbfを入力回路DIB→ライトドライバ(ライトアンプ)WA→ライトスイッチWSW→ビット線BLB,BLTを経由してアドレスで選択されるメモリセルMCに書き込まれる。
それと併せてビット線BLB,BLTのデータはリードスイッチRSWを介してセンス線SALに伝えられる。仮に選択メモリセルMCから読み出したデータが既にセンス線SALに伝播していてもライトドライバWAの駆動能力が高いこと、また選択メモリセルMCも書き換えられることからセンス線SALにはライトデータD1が伝わる。センスアンプSAではセンス線SALのデータD1が増幅されるため、ライトデータQ1が外部に出力されることになる。
これらURAMの回路構成は半導体記憶回路としては一般的ものであり、本機能を実現するための回路の追加は生じない。すなわち、前記第10図のようなセレクタを設ける場合のように面積の増加はない。また、メモリマットからの読み出しとライトデータとを選択して出力するための、機能的に示した選択論理(セレクタ)も必要としないため、そこでのリードアクセスタイムの遅延も生じない。
第8図には、この発明に係る半導体記憶回路を用いた半導体集積回路装置の一実施例のブロック図が示されている。この実施例では、前記半導体記憶回路がユーザーメモリURAMとして用いられる。このURAMとコントローラMEMCが組み合わされる。コントローラMEMCは、前記ライトバッファやアドレス比較回路ACを含むものであり、前記第6図のようなURAMを用いたライトバッファ方式でメモリアクセスを行う。
特に制限されないが、この実施例の半導体集積回路装置では2ポートメモリがキャシュメモリとして使用される。キャシュCacheは、FBUS(又はMBUS)とIBUSに接続されるモジュールで、キャッシュコントローラCCNとキャッシュメモリで構成される。
FBUSは、コマンドフェッチ用バスであり、MBUSは、データアクセス用バスであり、このシステムではコマンドフェッチ用とデータアクセス用に2つのキャッシュCacheを搭載している。上記FBUSとMBUSは、CPU+FPU(中央処理ユニット+浮動小数点演算ユニット)が接続され、MBUSとIBUSには、メモリの代表としてフラッシュメモリFlash、制御ユニットCBSCが設けられる。この制御ユニットCBSCは、ユーザーメモリURAM、前記キャッシュCache、フラッシュメモリFlashのアクセスを制御する。
URAMを前記のような書き込み/読み出し動作を利用したバス載せ替え機能は、MBUSのライトデータバスmdb−wからURAMへの書き込み動作を行いつつ、そのデータをリードバスmdb−rからFPUへの演算データとして1サイクルで伝えるようにすることができる。これにより、FPUによる浮動小数点演算を高速に行うようにすることができる。このようなバス載せ替え機能は、前記第6図に示したライトバッファ方式の半導体記憶回路では、前記ライト動作が連続した場合に、無条件で1サイクル遅れてリードスイッチをオン状態にして上記書き込み動作と読み出し動作を同一サイクルで行う機能によって実現できるものである。
キャシュメモリは、アドレスアレイ(又はタグアレイ)とデータアレイで構成され、その基本動作はFBUSからコマンド/アドレスを受け取り、ヒット判定を行った後に次のサイクルでデータを返すという動作を行う。キャッシュミスが生じた場合の制御は、すべてキャッシュコントローラCCNにより行われる。キャシュメモリのアドレスアレイとデータアレイからの出力データは、キャッシュコントローラCCNにおいて、FBUSとMBUSのそれぞれに関して、CCNを経由するIBUSからの取り込みデータと選択される。キャッシュフィル/ライトバック時の動作は全てCCNが制御する。
制御ユニットCBSCは、ユーザーメモリURAM、キャシュCache、フラッシュメモリFlashのアクセスを制御するものであり、特に制限されないが、バスfdb,mdb−rは、制御ユニットCBSC、ユーザーメモリURAM、キャシュCache、フラッシュメモリFlashが共有する出力専用バスとされる。各モジュールの出力バッファをトライステート制御するのではなく、必要に応じて選択されるモジュールの出力データをAND(アンド)論理を使って有効なデータとして上記共通バスfdb,mdb−rに載せる(出力する)ようにするものである。
第9図には、図8のURAMの一実施例のブロック図が示されている。この実施例のURAMは4ページで構成され、特に制限されないが、1ページあたり32KB RAMとされる。出力部にはFBUS、MBUS、IBUS用の各ページRAMからのデータセレクタがある。各ページごとにFBUS、MBUS、IBUSからのアクセスが可能であるが、複数のバスからの同一ページへのアクセスの場合、競合となりどちらかのバスアクセスが待たされる。複数のバスアクセスがあっても別々のページへのアクセスの場合には競合は生じない。
以上本発明者よりなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、第1図において、ライトスイッチを省略し、メモリマットの各ビット線にトライステート出力機能を持つライトアンプ又はライトドライバを設け、かかるライトアンプ又はライトドライバをビット線の選択信号とライト動作タイミング信号とで選択的に動作状態にするようにしてもよい。
第6図において、ライトバッファに保持された入力データDbfは、前記第1動作期間中にURAMのライトドライバ又はライトアンプに入力まで供給しておいて、あるいはライトアンプ又はライトドライバにラッチ機能を設けて保持させておいて、前記のようなメモリセルへの書き込みを行う第2動作では、ライトスイッチをオン状態にすること又は上記のようにメモリマットの各ビット線に設けられたトライステート出力機能を持つライトアンプをビット線の選択信号とライト動作タイミング信号とで選択的に動作状態にするようにしてもよい。また、前記センスアンプも各ビット線毎に設けておいて、出力端子をワイヤードオア論理により結合しておいて、選択されたビット線に対応したセンスアンプのみを動作状態にし、その出力信号を出力回路を通して出力させるようにしてもよい。
第1図には、この発明に係る半導体記憶回路の一実施例の要部概略ブロック図が示されている。同図では、2つのワード線WL0,WL1と、一対の相補ビット線BLBとBLT及びこれらの交点に設けられた2つのメモリセルMC0とMC1と、上記ワード線及びビット線のアドレス選択回路PRIと、上記メモリセルへの書き込み経路としてのデータ入力経路及び上記メモリセルからの読み出し経路としてのデータ出力経路が代表として例示的に示されている。
上記メモリセルMC0(MC1)は、CMOSインバータ回路の入力と出力とを交差接続されてなるCMOSラッチ回路と、かかるCMOSラッチ回路の一対の入出力ノードと、相補ビット線BLBとBLTとの間に設けられたアドレス選択用MOSFETとから構成される。上記アドレス選択用MOSFETのゲートは、ワード線WL0(WL1)に接続される。
上記アドレス選択回路PRIには、アドレス端子から供給されたアドレス信号を受けるアドレスバッファ、かかるアドレスバッファを通して取り込まれたアドレス信号を解読して、1つのワード線の選択信号を形成するアドレスデコーダ、上記選択信号によりワード線を駆動するワードドライバ等により構成される。
特に制限されないが、上記データ入力経路は、外部端子から供給された入力データ(Dbf)を受ける入力回路DIBと、かかる入力回路DIBの出力信号を受けて上記ビット線BLB,BLTに与えられる書き込み信号を形成するライトアンプ(又はライトドライバ)WA及びライトスイッチWSWから構成される。上記データ出力経路は、上記ビット線BLB,BLTをセンスアンプSAに接続させるリードスイッチRSWと、センスアンプSAの出力信号を外部端子から出力させる出力データ(Q)を形成する出力回路DOBから構成される。上記ライトアンプWAの出力端子は、ライト線WDLに接続されており、Yアドレスにより選択されるライトスイッチWSWを介して複数対のビット線に選択的に接続される。上記センスアンプSAの入力端子は、リード線SALに接続されており、Yアドレスにより選択されるリードスイッチRSWを介して複数対のビット線に選択的に接続される。
第2図には、第1図の半導体記憶回路におけるデータの流れを説明するためのブロック図が示されている。第2図においては、前記第1図の入力回路DIBが入力ラッチとして示され、ライトアンプWAがライトドライバとして示され、出力回路DOBが出力ラッチとして示されている。そして、ライトデータ出力経路は、同図にハッチングを付した矢印のように、入力ラッチ→ライトドライバ→ライトスイッチ→メモリセルへの書き込み動作が行われるとともに、ライトスイッチ→リードスイッチ→センスアンプ→出力ラッチの経路で上記書き込み信号が出力データとして出力される。
また、メモリセルデータ出力経路は、同図に黒い矢印のようにワードドライバで選択されたメモリセルの記憶情報がビット線に読み出され、リードスイッチ→センスアンプ→出力ラッチの経路で出力される。上記書き込み動作において、ワードドライバで選択されたメモリセルに書き込み動作が行われることはいうまでもない。
第3図は、前記本願発明に先立って検討された第10図の構成と対比させることにより、本願発明の特徴を説明するものであり、第3図に示したタイミング図と前記第11図に示したタイミング図との対比から明らかなように、クロックに同期してメモリアクセスからメモリセルデータが出力されるまでのアクセスタイムに、第10図に示したようなセレクタが存在しないために、セレクタ遅延が発生せずメモリセルの読み出し動作の高速化を図ることができる。
第4図には、前記第1図の半導体記憶回路の動作の一例を説明するためのタイミング図が示されている。同図においては、第1図に点線の矢印で示した(1)書き込み動作(メモリセルへの書き込み動作)、(2)読み出し動作(メモリセルからの読み出し動作)及び白抜きの矢印で示した(3)書き込み/読み出し動作の各サイクル1、2及び3が例示的に示されている。
サイクル1の(1)書き込み動作では、クロックCLKに同期してアドレス信号A0と書き込みデータD0を入力し、それに対応したワード線WL0を選択状態(オン)にする。これにより、メモリセルMCが接続されるビット線BLB/BLTにはメモリセルMCの記憶情報に対応して電位差が生じる。ライトスイッチWSWをオン状態にすることにより、ライトドライバ(ライトアンプ)WAが上記書き込みデータD0に対応して上記ビット線BLB/BLTを変化させる。これにより、メモリセルMCには、上記書き込みデータD0が書き込まれる。ここで、メモリセルMCの記憶情報を上記書き込みデータD0に対応して反転させるためには、ビット線BLBとBLTを電源電圧VDDとVSS(GND)のようにフル振幅とする必要がある。このビット線BLBとBLTの書き込み電圧は、前記図1では省略されているが、相補ビット線BLB,BLTに設けられたプリチャージ(ライトリカバリ)回路によりサイクル1の後半においてプリチャージ(イコライズ)される。
サイクル2の(2)読み出し動作では、クロックCLKに同期してアドレス信号A1を入力し、それに対応したワード線WL1を選択状態(オン)にする。これにより、メモリセルMCが接続されるビット線BLB/BLTにはメモリセルMCの記憶情報に対応して電位差が生じる。リードスイッチRSWをオン状態にすることにより、センス線SALには上記ビット線BLB/BLTの電位差に対応した差電圧が発生し、センスアンプSAの動作(オン)によって増幅される。この増幅信号はサイクルの後半で出力回路を通して出力データQ1として出力される。上記ビット線BLBとBLT及びセンス線SALの読み出し電圧は、前記同様にプリチャージ回路によりサイクル2の後半においてプリチャージ(イコライズ)される。
サイクル3の(3)書き込み/読み出し動作では、クロックCLKに同期してアドレス信号A2と書き込みデータD2を入力し、それに対応したワード線、同図では便宜的にWL0を選択状態(オン)にする。これにより、メモリセルMCが接続されるビット線BLB/BLTにはメモリセルMCの記憶情報に対応して電位差が一時的に生じる。前記サイクル1と同様にライトスイッチWSWをオン状態にすることにより、ライトドライバ(ライトアンプ)WAが上記書き込みデータD2に対応して上記ビット線BLB/BLTを変化させる。これにより、メモリセルMCには、上記書き込みデータD2が書き込まれる。そして、リードスイッチRSWもオン状態にされてセンス線SALには上記ライトドライバ(ライトアンプ)WAで形成されたビット線BLB/BLTの書き込み信号が伝えられる。したがって、センスアンプSAの動作(オン)によって上記書き込み信号を増幅して出力回路を通して出力データQ2として出力させる。上記ビット線BLBとBLT及びセンス線SALの読み出し電圧は、前記同様にプリチャージ回路によりサイクル3の後半においてプリチャージ(イライズ)される。このようにして、前記のようなセレクタを設けることなく、同一サイクル中に書き込みと読み出しを行うようにすることができる。
第5図には、第1図の半導体記憶回路を用いたシステムの一実施例のブロック図が示されている。第5図の(A)のシステムにおいては、一般的な半導体記憶回路を用いたメモリ回路URAMと、第三のモジュールのデータ入力端子および出力端子がデータバスA〜Eに接続される。データバスA〜Cはラトデータバスであり、URAM及び第三のモジュールのデータ入力端子に設けられた図示しないセレクタによって、A〜Cのいずれか1つのライトデータバスからのデータが書き込まれる。そして、上記メモリ回路URAMきデータ出力端子はリードデータバスDに接続され、第三のモジュールのデータ出力端子はリードデータバスEに接続される。
第5図の(B)のシステムでは、前記説明したような本願発明に係る半導体記憶回路を用いたメモリ回路URAMと、第三のモジュールのデータ入力端子および出力端子がデータバスA〜Eに接続される。この実施例では、メモリ回路URAMの前記のような(3)書き込み/読み出し機能をデータ載せ替え機能として利用するものである。つまり、第三のモジュールのデータ入力端子は(A)のようにデータバスA〜Cに接続されるのではなく、メモリ回路URAMのデータ出力端子が接続されたリードデータバスDに接続される。この構成により、メモリ回路URAMに対して、前記(3)書き込み/読み出し動作を行わせて、メモリ回路URAMに対して書き込み動作を行わせるとともに、そのデータをリードデータバスDを介して第三のモジュールに書き込むことができる。上記メモリ回路URAMに対しては、例えば前記のようなセレクタによってA〜Cのいずれか1つのライトデータバスからのデータが書き込まれるので、その機能をそのまま生かしてA〜Cのいずれか1つのライトデータバスのデータを第三のモジュールに書き込むようにすることができる。このようなメモリ回路URAMの(3)書き込み/読み出し動作を利用したバス載せ替え機能により、システムのバス制御の簡素化が可能になる。
第6図には、この発明に係る半導体記憶回路の一実施例の概略ブロック図が示されている。この実施例の半導体記憶回路は、マイクロプロセッサコアとともに1つの半導体集積回路装置に搭載され、前記半導体記憶回路URAMにライトバッファ方式を採用して製品の動作周波数の向上を図るようにするものである。
この実施例のライトバッファ方式とは、後述するマイクロプロセッサコアCPU(+FPU)からURAMへのライトアクセスにおいて、データおよび命令をメモリURAMではなく、一旦フリップフロップ回路F/Fへ格納し、以降のサイクルでメモリマットへの書き込み制御を行うようにするものである。
スタティック型メモリセルでは、前記のようにCMOSラッチ回路を記憶回路として用いるものであるため、その記憶状態を反転させるためには、ビット線BLB,BLTを電源電圧VDDと回路の接地電位GNDにフル振幅させる必要がある。そして、このようにフル振幅されたビット線BLB,BLTは、次のメモリサイクルのためにプリチャージ電圧に戻す必要がある。これに対して、読み出し動作ではビット線BLB,BLTの小さな電圧差をセンスアンプSAで増幅するものであるので、上記ビット線BLB,BLTの電位変化が小さく、しかもそれをもとに戻すプリチャージ時間も短くてよい。このため、スタティック型メモリセルを用いた半導体記憶回路では、上記メモリセルからの読み出し動作に要する時間は、メモリセルへの書き込み動作に要する時間よりも一般的には長くなる。
上記ライトバッファ方式では、データおよび命令を一旦フリップフロップ回路F/Fへ格納する第1動作と、上記フリップフロップ回路FFに格納されたデータに基づきメモリセルへの書き込みを行う第2動作とを2つのメモリサイクルに分担して行うことにより、メモリサイクルを上記メモリセルからの読み出し動作に要する時間に合わせて設定することにより、上記バスサイクルの動作周波数の向上を図るようにすることができる。
この構成では、ライト動作の次に同じアドレスについてリード動作を行うと、上記ライト動作は、そのサイクルでは前記のようにデータおよび命令を一旦フリップフロップ回路F/Fへ格納する第1動作しか行われてないから、上記リード動作によってメモリセルを選択してリード動作を行わせると、書き込み前のデータが読み出されてしまう。そこで、アドレスを取り込むフリップフロップ回路F/Fのリード用アドレス信号と、ライトバッファのフリップフロップ回路F/Fに保持されている書き込みアドレス信号Abfとをアドレス比較回路ACで比較し、もしも一致ならライトバッファのフリップフロップ回路F/Fに保持されている書き込みデータDbfを同図に点線で示したような信号経路によりメモリマットからの読み出し信号として出力させるようにするものである。同図では、かかる機能をセレクタとして示している。
つまり、上記のようにライト動作の次のサイクルがリードで、かつ同じアドレスであったときには、ライトスイッチとリードスイッチをオン状態にさせるように制御して、前記URAMの(2)のようなメモリマットからの読み出し経路に替えて、セレクタの形態で示されたライトバッファからの読み出し経路、つまりは前記URAMの(3)に対応した点線で示されてライトバッファからの読み出し経路が形成されて、前記ライト動作の第2動作に対応したメモリセルへの書き込み動作と、その書き込み動作によって変化させられたビット線BLB,BLTの電圧差をセンスアンプで増幅し、同図のようなライトバッファからの読み出し経路として出力させるものである。
リードサイクルは、リード1のサイクルのようにライトバッファを経由せずにURAMへアドレス信号が伝達されるのに対し、ライトサイクルでは、ライト1のようにアドレス、入力データおよびライト信号がライトバッファと称するフリップフロップ回路F/Fに格納される。
第7図には、前記第6図のライトバッファ方式によるメモリ動作の一例を説明するためのタイミング図が示されている。同図においては、図示しないCPU(+FPU)からのアクセス要求がある場合、リードサイクルは、リード1のサイクルのようにライトバッファを経由せずにURAMへアドレス信号が伝達される。そして、同じサイクルの後半でアドレスAnに対応した読み出しデータQnが出力される。
ライト1のサイクルでは、ライトイネーブルがハイレベルにされており、ライトイバッファネーブル信号bf−enによりアドレス信号A0、入力データD0およびライト信号WEがライトバッファと称するフリップフロップ回路F/Fにそれぞれ格納される。
ライト2のサイクルでは、上記ライトバッファに格納されたアドレス信号Abf,データDbf、ライト信号WEbfによりメモリマットに書き込み動作が行われると同時に、ライト2に対応したアドレスA1、データD1及びライト信号WEがライトバッファのフリップフロップ回路F/Fにそれぞれ格納される。図示の上記のようなライトサイクル1、2でも出力データQnやQ0は不要データとされる。出力回路をハイインピーダンスにすれば、このような出力データは出力されない。
リード2のサイクルでは、ライトイネーブルがロウレベルにされており、ライトイバッファネーブル信号bf−enもロウレベルにされるので、リード2のアドレス信号A2がアドレス信号AとしてURAMに供給されて、そのサイクルの後半で出力信号Q2が出力される。つまり、このときには、直前のライト2でのアドレスA1と上記リード2のアドレスA2とが異なるために、リード2のサイクルではライト2に対応した前記第2動作が待たされて、それに対応したアドレスA2、データD2及びライト信号WEは、ライトバッファに保持されている。
リード3のサイクルでは、上記ライト2に対応したアドレスA2についての読み出し動作が指示される。この場合には、前記アドレス比較回路ACがそれを検出するので、上記ライトバッファに保持されたアドレスA1とデータD2及びライト信号WEによってURAMのメモリマットへの書き込み動作が行われるとともに、上記アドレス一致検出信号によってリードスイッチもオン状態となり、上記メモリマットのビット線BLB,BLTに現れた書き込み電圧差をセンスアンプSAが増幅して、それを読み出しデータQ1としてそのサイクルの後半に出力させるものである。
このように、ライトバッファ方式では、ライトバッファのデータが更新されるサイクルでメモリマットへ書き込まれる。この時、ライトバッファの格納しているデータをURAMメモリマットへ書き込む前に同一アドレスへのリード要求が発生するとライトバッファへ格納したデータの読み出しが必要となるので、前記のようなアドレス比較回路ACを用いて、CPUからライトバッファで格納しているアドレスと同一のアドレスでアクセスを要求した場合(第7図の網掛け部)には強制的にURAMへの書き込みと読み出しを同一サイクルで行うよう制御するものである。
これに対して、ライト1や2のサイクルでは、無条件に第1図に示したようなリードスイッチRSWをオン状態にして読み出し動作を開始し、メモリセルMC0,1が接続されたビット線BLB,BLTをリードスイッチRSWを介してセンスアンプに繋がるセンス線SALに伝える。センス線SALのデータはセンスアンプSAの活性化によってよって増幅され出力ラッチ、出力バッファ等で構成される出力回路を経由して外部へ出力される。したがって、ライト2のサイクルでは入力データD0に対応した出力データQ0が出力されることになるが、不要データとして扱われる。
そして、上記待たされていたライト2に対応したメモリセルへの書き込み動作は、リード3のサイクルで上記ライトバッファで格納しているアドレスと同一のアドレスでアクセスを要求していることを条件に、つまりは前記アドレス比較回路ACからの一致信号により、ライト信号WEがハイレベルの場合、ライトバッファから受け取るライトデータDbfを入力回路DIB→ライトドライバ(ライトアンプ)WA→ライトスイッチWSW→ビット線BLB,BLTを経由してアドレスで選択されるメモリセルMCに書き込まれる。
それと併せてビット線BLB,BLTのデータはリードスイッチRSWを介してセンス線SALに伝えられる。仮に選択メモリセルMCから読み出したデータが既にセンス線SALに伝播していてもライトドライバWAの駆動能力が高いこと、また選択メモリセルMCも書き換えられることからセンス線SALにはライトデータD1が伝わる。センスアンプSAではセンス線SALのデータD1が増幅されるため、ライトデータQ1が外部に出力されることになる。
これらURAMの回路構成は半導体記憶回路としては一般的ものであり、本機能を実現するための回路の追加は生じない。すなわち、前記第10図のようなセレクタを設ける場合のように面積の増加はない。また、メモリマットからの読み出しとライトデータとを選択して出力するための、機能的に示した選択論理(セレクタ)も必要としないため、そこでのリードアクセスタイムの遅延も生じない。
第8図には、この発明に係る半導体記憶回路を用いた半導体集積回路装置の一実施例のブロック図が示されている。この実施例では、前記半導体記憶回路がユーザーメモリURAMとして用いられる。このURAMとコントローラMEMCが組み合わされる。コントローラMEMCは、前記ライトバッファやアドレス比較回路ACを含むものであり、前記第6図のようなURAMを用いたライトバッファ方式でメモリアクセスを行う。
特に制限されないが、この実施例の半導体集積回路装置では2ポートメモリがキャシュメモリとして使用される。キャシュCacheは、FBUS(又はMBUS)とIBUSに接続されるモジュールで、キャッシュコントローラCCNとキャッシュメモリで構成される。
FBUSは、コマンドフェッチ用バスであり、MBUSは、データアクセス用バスであり、このシステムではコマンドフェッチ用とデータアクセス用に2つのキャッシュCacheを搭載している。上記FBUSとMBUSは、CPU+FPU(中央処理ユニット+浮動小数点演算ユニット)が接続され、MBUSとIBUSには、メモリの代表としてフラッシュメモリFlash、制御ユニットCBSCが設けられる。この制御ユニットCBSCは、ユーザーメモリURAM、前記キャッシュCache、フラッシュメモリFlashのアクセスを制御する。
URAMを前記のような書き込み/読み出し動作を利用したバス載せ替え機能は、MBUSのライトデータバスmdb−wからURAMへの書き込み動作を行いつつ、そのデータをリードバスmdb−rからFPUへの演算データとして1サイクルで伝えるようにすることができる。これにより、FPUによる浮動小数点演算を高速に行うようにすることができる。このようなバス載せ替え機能は、前記第6図に示したライトバッファ方式の半導体記憶回路では、前記ライト動作が連続した場合に、無条件で1サイクル遅れてリードスイッチをオン状態にして上記書き込み動作と読み出し動作を同一サイクルで行う機能によって実現できるものである。
キャシュメモリは、アドレスアレイ(又はタグアレイ)とデータアレイで構成され、その基本動作はFBUSからコマンド/アドレスを受け取り、ヒット判定を行った後に次のサイクルでデータを返すという動作を行う。キャッシュミスが生じた場合の制御は、すべてキャッシュコントローラCCNにより行われる。キャシュメモリのアドレスアレイとデータアレイからの出力データは、キャッシュコントローラCCNにおいて、FBUSとMBUSのそれぞれに関して、CCNを経由するIBUSからの取り込みデータと選択される。キャッシュフィル/ライトバック時の動作は全てCCNが制御する。
制御ユニットCBSCは、ユーザーメモリURAM、キャシュCache、フラッシュメモリFlashのアクセスを制御するものであり、特に制限されないが、バスfdb,mdb−rは、制御ユニットCBSC、ユーザーメモリURAM、キャシュCache、フラッシュメモリFlashが共有する出力専用バスとされる。各モジュールの出力バッファをトライステート制御するのではなく、必要に応じて選択されるモジュールの出力データをAND(アンド)論理を使って有効なデータとして上記共通バスfdb,mdb−rに載せる(出力する)ようにするものである。
第9図には、図8のURAMの一実施例のブロック図が示されている。この実施例のURAMは4ページで構成され、特に制限されないが、1ページあたり32KB RAMとされる。出力部にはFBUS、MBUS、IBUS用の各ページRAMからのデータセレクタがある。各ページごとにFBUS、MBUS、IBUSからのアクセスが可能であるが、複数のバスからの同一ページへのアクセスの場合、競合となりどちらかのバスアクセスが待たされる。複数のバスアクセスがあっても別々のページへのアクセスの場合には競合は生じない。
以上本発明者よりなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、第1図において、ライトスイッチを省略し、メモリマットの各ビット線にトライステート出力機能を持つライトアンプ又はライトドライバを設け、かかるライトアンプ又はライトドライバをビット線の選択信号とライト動作タイミング信号とで選択的に動作状態にするようにしてもよい。
第6図において、ライトバッファに保持された入力データDbfは、前記第1動作期間中にURAMのライトドライバ又はライトアンプに入力まで供給しておいて、あるいはライトアンプ又はライトドライバにラッチ機能を設けて保持させておいて、前記のようなメモリセルへの書き込みを行う第2動作では、ライトスイッチをオン状態にすること又は上記のようにメモリマットの各ビット線に設けられたトライステート出力機能を持つライトアンプをビット線の選択信号とライト動作タイミング信号とで選択的に動作状態にするようにしてもよい。また、前記センスアンプも各ビット線毎に設けておいて、出力端子をワイヤードオア論理により結合しておいて、選択されたビット線に対応したセンスアンプのみを動作状態にし、その出力信号を出力回路を通して出力させるようにしてもよい。
この発明は、半導体集積回路装置に搭載される高速スタティック型RAMのような半導体記憶回路の他、それ自体で1つの半導体記憶装置を構成する半導体集積回路装置等に広く利用することができる。
Claims (9)
- ワード線とビット線の交点に設けられたメモリセルと、
アドレス端子から入力されたアドレス信号を解読して上記ワード線とビット線の選択を行うアドレス選択回路と、
データ入力端子及びそれに対応したデータ入力経路と、
データ出力端子及びそれに対応したデータ出力経路とを備え、
上記アドレス端子から入力されたアドレス信号により選択されたメモリセルへの同一サイクルでの書き込みと読み出しの動作指示に対応して、上記ビット線に伝えられた書き込みデータを上記データ出力経路に含まれるセンスアンプにより増幅して出力させる半導体記憶回路を備えてなることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第1項において、
上記ビット線は、一対の相補ビット線からなり、上記メモリセルはスタティック型メモリセルであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第2項において、
上記データ入力経路は、データ入力端子の書き込み信号を受ける入力回路、かかる入力回路の出力信号を受けるライトアンプ及びかかるライトアンプの出力信号を選択されるメモリセルの相補ビット線に伝えるライトスイッチを含み、
上記データ出力経路は、選択されるメモリセルの相補ビット線を上記センスアンプの入力に伝えるリードスイッチ、かかるセンスアンプの出力信号を上記データ出力端子に伝える出力回路を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第3項において、
書き込み動作時のアドレス信号を保持する第1ラッチ回路及び入力データを保持する第2ラッチ回路と、読み出し動作時の入力されたアドレス信号又は第1ラッチ回路に保持されたアドレス信号をリード/ライト制御信号に対応して選択するセレタクとを含むライトバッファと、
上記第1ラッチに保持されたアドレス信号と上記読み出し動作時の入力されたアドレス信号との一致を判定するアドレス判定回路とを更に備え、
上記書き込み動作は、クロックに同期した第1サイクル中に書き込み動作指示とそれに対応したアドレス信号及び入力データを上記ライトバッファに取り込み、上記第1サイクルの次の第2サイクル中に上記ライトバッファに取り込まれたアドレス信号及び入力データに対応して上記ワード線とビット線の選択を行ってメモリセルに書き込み動作を行うものであり、
上記読み出し動作は、クロックに同期して第1サイクル中に読み出し動作指示とそれに対応したアドレス信号により上記ワード線とビット線の選択を行って上記データ出力経路を通してメモリセルからの読み出し信号の出力を行うものであり、
上記アドレス判定回路により書き込み動作の第2サイクルと上記読み出し動作の第1サイクルとが同じアドレスであることを検出したなら、上記書き込み動作の第2サイクルと上記読み出し動作の第1サイクルとを同時に行うようにすることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第4項において、
上記書き込み動作が指示されたときには、無条件で上記リードスイッチ及びセンスアンプを動作状態にして出力回路を通して出力動作を行わせることを特徴とする半導体集積回路装置。 - ワード線とビット線の交点に設けられたメモリセルと、アドレス端子から入力されたアドレス信号を解読して上記ワード線とビット線の選択を行うアドレス選択回路と、データ入力端子及びそれに対応したデータ入力経路と、データ出力端子及びそれに対応したデータ出力経路とを備え、上記アドレス端子から入力されたアドレス信号により選択されたメモリセルへの同一サイクルでの書き込みと読み出しの動作指示に対応して、上記ビット線に伝えられた書き込みデータを上記データ出力経路のセンスアンプにより増幅して出力させてなる半導体記回路と、
上記データ入力端子に接続されるライトデータバスと、
上記データ出力端子に接続されるリードデータバスと、
上記リードバスに接続されてなる機能モジュールと、
上記ライトデータバスに接続されるコントローラとを備え、
上記コントローラからライトデータバスを通して上記半導体記憶回路に対して同一サイクルでの書き込みと読み出しの動作指示し、上記書き込みデータは半導体記憶回路を介在させて上記機能モジュールに転送してなることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第6項において、
上記半導体記憶回路のビット線は、一対の相補ビット線からなり、上記メモリセルはスタティック型メモリセルであることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第7項において、
上記半導体記憶回路のデータ入力経路は、データ入力端子の書き込み信号を受ける入力回路、かかる入力回路の出力信号を受けるライトアンプ及びかかるライトアンプの出力信号を選択されるメモリセルの相補ビット線に伝えるライトスイッチを含み、
上記半導体記憶回路のデータ出力経路は、選択されるメモリセルの相補ビット線を上記センスアンプの入力に伝えるリードスイッチ、かかるセンスアンプの出力信号を上記データ出力端子に伝える出力回路を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 請求の範囲第8項において、
上記半導体記憶回路は、
書き込み動作時のアドレス信号を保持する第1ラッチ回路及び入力データを保持する第2ラッチ回路と、読み出し動作時の入力されたアドレス信号又は第1ラッチ回路に保持されたアドレス信号をリード/ライト制御信号に対応して選択するセレタクとを含むライトバッファと、
上記第1ラッチに保持されたアドレス信号と上記読み出し動作時の入力されたアドレス信号との一致を判定するアドレス判定回路とを更に備え、
上記書き込み動作は、クロックに同期した第1サイクル中に書き込み動作指示とそれに対応したアドレス信号及び入力データを上記ライトバッファに取り込み、上記第1サイクルの次の第2サイクル中に上記ライトバッファに取り込まれたアドレス信号及び入力データに対応して上記ワード線とビット線の選択を行ってメモリセルに書き込み動作を行うものであり、
上記読み出し動作は、クロックに同期して第1サイクル中に読み出し動作指示とそれに対応したアドレス信号により上記ワード線とビット線の選択を行って上記データ出力経路を通してメモリセルからの読み出し信号の出力を行うものであり、
上記アドレス判定回路により書き込み動作の第2サイクルと上記読み出し動作の第1サイクルとが同じアドレスであることを検出したなら、上記書き込み動作の第2サイクルと上記読み出し動作の第1サイクルとを同時に行うことを特徴とする半導体集積回路装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2004/009461 WO2006001078A1 (ja) | 2004-06-28 | 2004-06-28 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006001078A1 true JPWO2006001078A1 (ja) | 2008-04-17 |
Family
ID=35781631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006527627A Pending JPWO2006001078A1 (ja) | 2004-06-28 | 2004-06-28 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2006001078A1 (ja) |
WO (1) | WO2006001078A1 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02265094A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体メモリ装置 |
JP2001148191A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2965043B2 (ja) * | 1990-04-10 | 1999-10-18 | 三菱電機株式会社 | デュアルポートメモリ |
-
2004
- 2004-06-28 JP JP2006527627A patent/JPWO2006001078A1/ja active Pending
- 2004-06-28 WO PCT/JP2004/009461 patent/WO2006001078A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02265094A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | 半導体メモリ装置 |
JP2001148191A (ja) * | 1999-11-22 | 2001-05-29 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006001078A1 (ja) | 2006-01-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100407 |