JPH04283583A

JPH04283583A - ２−エキソメチレンペナムオキシド誘導体

Info

Publication number: JPH04283583A
Application number: JP3047166A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Torii; 滋鳥居; Hideo Tanaka; 秀雄田中; Masatoshi Taniguchi; 正俊谷口; Michio Sasaoka; 笹岡　三千雄; Takashi Shiroi; 城井　敬史; Yutaka Kameyama; 豊亀山
Original assignee: Otsuka Chemical Co Ltd
Current assignee: Otsuka Chemical Co Ltd
Priority date: 1991-03-13
Filing date: 1991-03-13
Publication date: 1992-10-08
Anticipated expiration: 2015-03-27
Also published as: JP3025911B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な２−エキソメチ
レンペナムオキシド誘導体に関する。

【０００２】

【従来技術とその課題】本発明の２−エキソメチレンペ
ナムオキシド誘導体は、文献未記載の新規化合物であり
、本発明は後記の通り広範囲な抗菌スペクトルを有する
ペナム系抗生物質を合成するための中間体として好適に
使用され得る上記２−エキソメチレンペナムオキシド誘
導体の提供を目的とする。

【０００３】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
（１）

【０００４】

【化２】

【０００５】［式中Ｒ１　は水素原子、ハロゲン原子、
アミノ基又は保護されたアミノ基を示す。Ｒ２　は水素
原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシル基
、低級アルキル基、水酸基もしくは保護された水酸基を
置換基として有する低級アルキル基、水酸基又は保護さ
れた水酸基を示す。或いはＲ１　とＲ２　とが互いに結
合してオキソ基を形成してもよい。Ｒ３　は水素原子又
はカルボン酸保護基を示す。ｎは１又は２を示す。］で
表わされる２−エキソメチレンペナムオキシド誘導体が
提供される。

【０００６】本明細書において示される各基は、より具
体的にはそれぞれ次の通りである。

【０００７】ハロゲン原子としては、例えば弗素原子、
塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。低級ア
ルキル基としては、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ　
−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル基等のＣ１−４　の直鎖又
は分枝鎖状アルキル基が挙げられる。またアリール基と
しては、例えばフェニル、ナフチル基等が挙げられる。

【０００８】Ｒ１　で示される保護されたアミノ基とし
ては、プロテクティブ　　グループ　　イン　　オーガ
ニック　　シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ　Ｇｒｏ
ｕｐｓ　ｉｎ　Ｏｒｇａｎｉｃ　　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ
　、Ｔｈｅｏｄｏｒａ　Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ　著、以下単
に「文献」という）の第７章（第２１８〜２８７頁）に
記載されている各種の基の他、フェノキシアセトアミド
、ｐ−メチルフェノキシアセトアミド、ｐ−メトキシフ
ェノキシアセトアミド、ｐ−クロロフェノキシアセトア
ミド、ｐ−ブロモフェノキシアセトアミド、フェニルア
セトアミド、ｐ−メチルフェニルアセトアミド、ｐ−メ
トキシフェニルアセトアミド、ｐ−クロロフェニルアセ
トアミド、ｐ−ブロモフェニルアセトアミド、フェニル
モノクロロアセトアミド、フェニルジクロロアセトアミ
ド、フェニルヒドロキシアセトアミド、チェニルアセト
アミド、フェニルアセトキシアセトアミド、α−オキソ
フェニルアセトアミド、ベンズアミド、ｐ−メチルベン
ズアミド、ｐ−メトキシベンズアミド、ｐ−クロロベン
ズアミド、ｐ−ブロモベンズアミド、フェニルグリシル
アミドやアミノ基の保護されたフェニルグリシルアミド
、ｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミドやアミノ基及
び水酸基の一方又は両方が保護されたｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシルアミド等を例示できる。フェニルグリシ
ルアミド及びｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミドの
アミノ基の保護基としては、上記文献の第７章（第２１
８〜２８７頁）に記載されている各種基を例示できる。またｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミドの水酸基の
保護基としては、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）
に記載されている各種基を例示できる。

【０００９】Ｒ２　で示される低級アルコキシ基として
は、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソ
プロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ　−
ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等のＣ１−４　の直鎖
又は分枝鎖状アルコキシ基が挙げられる。

【００１０】Ｒ２　で示される低級アシル基としては、
例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、
イソブチリル基等のＣ１−４　の直鎖又は分枝鎖状アシ
ル基が挙げられる。

【００１１】Ｒ２　で示される水酸基又は保護された水
酸基を置換基として有する低級アルキル基の保護された
水酸基、及びＲ２　で示される保護された水酸基の保護
基としては、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記
載されている各種基を例示できる。Ｒ２　で示される上
記置換低級アルキル基は、水酸基又は上記で示される保
護された水酸基の中から選ばれる同一又は異なる種類の
置換基で、同一又は異なる炭素上に１つ以上置換されて
いてもよい。

【００１２】Ｒ３　で示されるカルボン酸の保護基とし
ては、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に記載
されている各種の基の他、ベンジル基、ｐ−メトキシベ
ンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチル基
、トリクロロエチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等を例示で
きる。

【００１３】上記一般式（１）で表わされる２−エキソ
メチレンペナムオキシド誘導体は、例えば下記に示す方
法で製造される。即ち、一般式

【００１４】

【化３】

【００１５】［式中Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　は前記に
同じ。］で表わされる２−エキソメチレンペナム誘導体
を酸化剤を用いて酸化することにより容易に製造される
。

【００１６】この反応は、適当な溶媒中で行なわれる。斯かる溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、
プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒ
ｔ−ブタノール等のアルコール類、蟻酸メチル、蟻酸エ
チル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル
、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アルキ
ルエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
プロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエー
テル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル
、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブ
チルエーテル、メチルセロソルブ、ジメトキシエタン等
のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環
状エーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブ
チロニトリル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等
のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロル
ベンゼン、アニソール等の置換もしくは未置換の芳香族
炭化水素類、ジクロルメタン、クロロホルム、ジクロル
エタン、トリクロルエタン、ジブロムエタン、プロピレ
ンジクロライド、四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化
炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン
等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカ
ン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等
のアミド類、ジメチルスルホキシド等を挙げることがで
きる。これらは１種単独で又は２種以上混合して使用さ
れる。またこれらの有機溶媒には、必要に応じて水が含
有されていてもよい。斯かる溶媒は、一般式（２）の化
合物１ｋｇ当り、通常１０〜２００ｌ程度、好ましくは
２０〜１００ｌ程度使用されるのがよい。

【００１７】本反応に用いる酸化剤としては、広くスル
フィドの酸化に使用する酸化剤を用いることができる。具体的には、二酸化マンガン、クロム酸、四酢酸鉛、四
酸化ルテニウム、過マンガン酸カリウム等の無機酸化物
、過ヨウ素酸、過ヨウ素酸ナトリウム等の過ヨウ素酸類
、Ｎ−ブロモこはく酸イミド、Ｎ−クロロこはく酸イミ
ド等のＮ−ハロカルボン酸アミド類、次亜塩素酸ｔ−ブ
チル、過酸化水素、過蟻酸、過酢酸、メタクロロ過安息
香酸等の有機過酸類、又は過酸化水素と蟻酸、酢酸等の
低級カルボン酸との組合せ等が例示できる。これら酸化
剤の使用量は、基質や目的物のｎ＝１の場合とｎ＝２の
場合等によって異なるが、通常１〜２０倍モル、好まし
くは１〜５倍モル程度使用される。

【００１８】上記反応の反応温度は、通常−５０〜８０
℃程度、好ましくは−１０〜５０℃程度である。

【００１９】上記反応で得られる本発明の化合物は、通
常の単離精製手段、例えば濾過、再結晶、カラムクロマ
トグラフィー、プレパラティブ薄層クロマトグラフィー
等により反応混合物から単離、精製され得る。

【００２０】本発明において出発原料として用いられる
上記一般式（２）の化合物は、例えば

【００２１】

【化４】

【００２２】［式中Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　は前記に
同じ。Ｘは基−ＳＯ２　Ｒ４　又は基−ＳＲ４　を示す。ここ
でＲ４　は置換基を有していてもよいアリール基又は置
換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。］で表わされるアレニルβ−ラクタム化合物を金属還元
剤と反応させることにより容易に合成され得る。

【００２３】上記において、Ｒ４　で示される置換基を
有していてもよい含窒素芳香族複素環基の含窒素芳香族
複素環基としては、例えばチアゾール−２−イル、チア
ジアゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、
オキサゾール−２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イ
ル、イミダゾール−２−イル、ベンゾイミダゾール−２
−イル、ピラミジニル、ピリジル基等が挙げられる。ま
たＲ４　で示されるアリール基又は含窒素芳香族複素環
基に置換してもよい置換基の種類としては、ハロゲン原
子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリール基、低級ア
ルキル基、アミノ基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低
級アルキルアミノ基、メルカプト基、基Ｒ５　Ｓ−（Ｒ
５　は低級アルキル基又はアリール基）で表わされるア
ルキルチオ基又はアリールチオ基、ホルミルオキシ基、
基Ｒ５　ＣＯＯ−（Ｒ５　は前記に同じ）で表わされる
アシルオキシ基、ホルミル基、基Ｒ５　ＣＯ−（Ｒ５　
は前記に同じ）で表わされるアシル基、基Ｒ５　Ｏ−（
Ｒ５　は前記に同じ）で表わされるアルコキシ基もしく
はアリールオキシ基、カルボキシ基、基Ｒ５　ＯＣＯ−
（Ｒ５　は前記に同じ）で表わされるアルコキシカルボ
ニル基もしくはアリールオキシカルボニル基等が挙げら
れる。更にＲ４　におけるアリール基又は含窒素芳香族
複素環基は、上記置換基から選ばれる１つ以上の同一又
は異なる種類の置換基で置換されていてもよい。

【００２４】一般式（３）の化合物から一般式（２）の
化合物を得る反応は、有機溶媒中で行なわれる。有機溶
媒としては、一般式（３）の化合物を溶解し且つ該反応
の条件下で不活性なものである限り従来公知のものを広
く使用でき、例えばメタノール、エタノール、プロパノ
ール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタ
ノール等のアルコール類、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻
酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピ
オン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アルキルエステ
ル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルプロピル
ケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン
、ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、エ
チルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプロ
ピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエー
テル、メチルセロソルブ、ジメトキシエタン等のエーテ
ル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテ
ル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニト
リル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリ
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン
、アニソール等の置換もしくは未置換の芳香族炭化水素
類、ジクロルメタン、クロロホルム、ジクロルエタン、
トリクロルエタン、ジブロムエタン、プロピレンジクロ
ライド、四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素
類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪
族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド
類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。こ
れらは１種単独で又は２種以上混合して使用される。ま
たこれらの有機溶媒には、必要に応じて水が含有されて
いてもよい。斯かる溶媒は、一般式（３）の化合物１ｋ
ｇ当り、通常０．５〜２００ｌ程度、好ましくは１０ｌ
程度使用されるのがよい。

【００２５】上記反応で用いられる金属還元剤としては
、例えば金属鉛、金属チタン、金属ジルコニウム、金属
ガリウム、金属ビスマス、金属アンチモン等を挙げるこ
とができる。反応させるこれら金属の形状は、特に制限
はなく、粉状、板状、塊状、針金状等の広範囲の形態を
使用し得る。上記反応をより低い温度、より短時間で完
結させるためには、粉状金属を使用するのが有利である
。金属還元剤として粉状金属を用いる場合、その粒子径
は広い範囲内から適宜選択し得るが、１０〜５００メッ
シュ程度のものを使用するのが望ましい。これら金属還
元剤の使用量は、一般式（３）の化合物に対して通常１
〜１０倍モル原子程度、好ましくは１〜４倍モル原子程
度とするのがよい。

【００２６】上記反応においては、反応系内に上記金属
還元剤よりもイオン化傾向の大きい金属を共存させるの
が好ましい。斯かる金属を共存させることにより、上記
金属還元剤の使用量を極端に低減させることができ、反
応後の後処理が容易になると共に、反応をより低い温度
で、より短時間で遂行させることができる。上記金属還
元剤とそれよりもイオン化傾向の大きい金属の組合わせ
の具体例としては、Ｐｂ／Ａｌ、Ｂｉ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｚ
ｎ、Ｇａ／Ｚｎ、Ｚｒ／Ｚｎ、Ｓｂ／Ｚｎ、Ｔｅ／Ｚｎ
、Ｐｂ／Ｚｎ、Ｂｉ／Ｚｎ、Ｂｉ／Ｍｇ、Ｂｉ／Ｓｎ、
Ｓｂ／Ｓｎ等を例示できる。金属還元剤と共存させるこ
れら金属の形状も、特に制限はなく、粉状、板状、箔状
、塊状、針金状等の広範囲の形態を使用し得るが、上記
反応をより低い温度、より短時間で完結させるためには
、粉状金属を使用するのが有利である。粉状金属の粒子
径は広い範囲内から適宜選択し得るが、１０〜３００メ
ッシュ程度のものを使用するのが望ましい。これら金属
の使用量は、一般式（３）の化合物に対して通常１〜５
０倍モル原子程度、好ましくは１〜１０倍モル原子程度
とするのがよい。

【００２７】上記反応において、上記金属還元剤よりも
イオン化傾向の大きい金属を併用する場合には、上記金
属還元剤の代りにそれら金属の化合物を使用するのがよ
り好ましい。斯かる金属化合物の具体例としては、弗化
鉛、塩化鉛、臭化鉛、沃化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛
、硫酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の無
機酸鉛、酢酸鉛、蓚酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸鉛
、酸化鉛、水酸化鉛、弗化チタン、塩化チタン、臭化チ
タン、沃化チタン等のハロゲン化チタン、硫酸チタン、
硝酸チタン等の無機酸チタン、弗化ガリウム、塩化ガリ
ウム、臭化ガリウム、沃化ガリウム等のハロゲン化ガリ
ウム、硫酸ガリウム、硝酸ガリウム、過塩素酸ガリウム
等の無機酸ガリウム、弗化ジルコニウム、塩化ジルコニ
ウム、臭化ジルコニウム、沃化ジルコニウム等のハロゲ
ン化ジルコニウム、硫酸ジルコニウム、塩化テルルウム
、臭化テルルウム、沃化テルルウム等のハロゲン化テル
ルウム、弗化ビスマス、塩化ビスマス、臭化ビスマス、
沃化ビスマス等のハロゲン化ビスマス、硝酸ビスマス、
硫酸ビスマス等の無機酸ビスマス、酸化ビスマス、弗化
アンチモン、塩化アンチモン、臭化アンチモン、沃化ア
ンチモン等のハロゲン化アンチモン、硫酸アンチモン等
の無機酸アンチモン、酸化アンチモン等を例示できる。これらの金属化合物の使用量としては、理論的には１分
子が反応系内に存在すればよいわけであるが、通常一般
式（３）の化合物に対して約０．０００１〜２倍モルと
するのがよい。

【００２８】上記反応の反応温度は、原料物質、使用す
る有機溶媒等により異なり一概には言えないが、通常−
２０〜１００℃程度、好ましくは０〜５０℃程度である
。

【００２９】尚、該反応においては、超音波の照射下に
反応を行なうと、反応がより速やかに進行する場合があ
る。

【００３０】上記反応終了後、例えば通常の抽出操作を
行なうことにより、目的とする一般式（２）の２−エキ
ソメチレンペナム誘導体をほぼ純品の形態で単離し得る
。更に精製の必要があれば、再結晶、カラムクロマトグ
ラフィー等の慣用の精製手段を採用すればよい。

【００３１】上記一般式（３）で表わされる化合物は、
例えば一般式

【００３２】

【化５】

【００３３】［式中Ｒ１　、Ｒ２　、Ｒ３　及びＸは前
記に同じ。Ｒ６　は置換基を有していてもよい低級アル
キル基又は置換基を有していてもよいアリール基を示す
。］で表わされるアゼチジノン誘導体を塩基と反応させ
ることにより製造される。

【００３４】この反応において、用いられる塩基として
は、脂肪族アミン及び芳香族アミンが好ましく、具体的
にはトリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、エチル
ジイソプロピルアミン、トリブチルアミン、１，５−ジ
アザビシクロ［３．４．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、１
，５−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−５（
ＤＢＵ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．０］オク
タン（ＤＡＢＣＯ）、ピペリジン、Ｎ−メチルピペリジ
ン、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、モルホ
リン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等を例示できる。これら塩基の使用量としては、一般式（４）の化合物に
対して通常１〜１２倍モル、好ましくは１〜６倍モル量
とするのがよい。また溶媒としては、一般式（４）の化
合物を溶解し且つ該反応の条件下で不活性なものである
限り従来公知のものを広く使用でき、例えば蟻酸メチル
、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル
、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン
酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の低
級アルキルエステル類、ジエチルエーテル、エチルプロ
ピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエー
テル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メ
チルセロソルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テ
トラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、ア
セトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イ
ソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニソ
ール等の置換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジク
ロルメタン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリクロ
ルエタン、ジブロムエタン、プロピレンジクロライド、
四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペン
タン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水
素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメ
チルスルホキシド等を挙げることができる。これらは１
種単独で又は２種以上混合して使用される。またこれら
の溶媒には、必要に応じて水が含有されていてもよい。斯かる溶媒は、一般式（４）の化合物１ｋｇ当り、通常
０．５〜２００ｌ程度、好ましくは１〜５０ｌ程度使用
されるのがよい。該反応は、−７０〜１００℃、好まし
くは−５０〜５０℃の範囲で行なわれる。斯くして得ら
れる一般式（３）の化合物は、反応終了後、通常の抽出
操作又は晶析操作を行なうことによりほぼ純品として得
ることができるが、その他の方法によっても精製するこ
とは勿論である。

【００３５】一般式（４）の化合物は、例えば特開昭６
１−１６５３６７号公報に記載の方法に従い製造される
。

【００３６】本発明の２−エキソメチレンペナムオキシ
ド誘導体は、ペナム系抗生物質を合成するための中間体
として有用である。例えばｎが１である本発明の化合物
（１）は、下記反応式−１に示す方法に従い一般式（６
）で表わされる２−置換メチルペナム誘導体等に誘導さ
れ得る。

【００３７】［反応式−１］

【００３８】

【化６】

【００３９】［式中Ｒ１　、Ｒ２　及びＲ３　は前記に
同じ。Ｙは求核剤残基を示す。］

【００４０】

【発明の効果】本発明では、ペナム系抗菌剤の合成中間
体として有用な新規２−エキソメチレンペナムオキシド
誘導体が提供される。

【００４１】

【実施例】以下に参考例及び実施例を掲げて本発明をよ
り一層明らかにする。

【００４２】

【参考例１】Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２　
が水素原子、Ｒ３　がジフェニルメチル基、Ｘがフェニ
ルスルフェニル基且つＲ５　がトリフロロメチル基であ
る一般式（４）の化合物（以下「化合物（４ａ）という
）１ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍｌに溶解
する。これを、−３０℃に冷却したのち、トリエチルア
ミン０．４３ｍｌを加え−３０℃で１時間撹拌して反応
させる。反応混合物を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗後無水
硫酸ナトリウム上で乾燥した。抽出液を減圧濃縮すると
、Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２　が水素原子
、Ｒ３　がジフェニルメチル基且つＸがフェニルスルフ
ェニル基である一般式（３）の化合物（以下「化合物（
３ａ）という）が収率９９％で得られる。

【００４３】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６１（ｓ，２Ｈ）、５．３１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ
及び７Ｈｚ）、５．５７及び５．７０（ＡＢｑ，２Ｈ，
Ｊ＝１５Ｈｚ）、５．８４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ）、
６．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ）、６．８１（ｓ，１
Ｈ）、７．２２−７．７３（ｍ，２０Ｈ）

【００４４】

【参考例２−７】表１に示す出発化合物を用いて参考例
１と同様の反応を行ない、以下に示す化合物が得られる
。

【００４５】

【表１】

【００４６】以下にＮＭＲデーターをまとめて示す。

【００４７】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；化合
物（３ｂ）：３．５８（ｓ，２Ｈ）、３．８０（ｓ，３
Ｈ）、５．１０（ｓ，２Ｈ）、５．３２（ｄｄ，１Ｈ，
Ｊ＝５Ｈｚ及び８Ｈｚ）、５．６０及び５．４７（ＡＢ
ｑ，２Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ）、５．８７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝
５Ｈｚ）、６．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）、６．８
５−７．８３（ｍ，１４Ｈ）化合物（３ｃ）：３．５９
（ｓ，２Ｈ）、３．７４（ｓ，３Ｈ）、５．３３（ｄｄ
，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ及び８Ｈｚ）、５．５４及び５．６
４（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ）、５．８８（ｄ，１
Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ）、６．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）
、７．２０−７．９０（ｍ，１０Ｈ）化合物（３ｄ）：３．６７（ｓ，２Ｈ）、５．２５（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ及び８Ｈｚ）、５．６９（ｄ，１
Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ）、５．６０及び５．７６（ＡＢｑ，２
Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ）、６．７１（ｓ，１Ｈ）、７．００
−７．３４（ｍ，２０Ｈ）化合物（３ｅ）：３．０２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈ
ｚ及び１５．７Ｈｚ）、３．５８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５
．４Ｈｚ及び１５．７Ｈｚ）、３．７９（ｓ，３Ｈ）、
５．１７（ｓ，２Ｈ）、５．４７及び５．６０（ＡＢｑ
，２Ｈ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ）、５．６２（ｄｄ，１Ｈ，
Ｊ＝２．６Ｈｚ及び５．４Ｈｚ）、６．８７−７．８９
（ｍ，９Ｈ）

【００４８】

【参考例８−１０】反応溶媒と反応温度を変えた以外は
参考例１と同様の反応を行ない、化合物（３ａ）が表２
に示す収率で得られる。

【００４９】

【表２】

【００５０】

【参考例１１】化合物（３ａ）１００ｍｇをＮ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミド１ｍｌに溶解した。これに亜鉛粉末
５０ｍｇを加え，続いてＢｉＣｌ３　５０ｍｇを加えて
、室温下で３０分間撹拌しながら反応させた。このよう
にして得られた反応液に１Ｎ塩酸を加え、酢酸エチルで
抽出した。有機層を分液し、水洗後無水硫酸マグネシウ
ム上で乾燥し、減圧濃縮する。得られた濃縮残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製すると、
Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２　が水素原子且
つＲ３　がｐ−メトキシベンジル基である一般式（２）
の化合物（以下「化合物（２ａ）」という）が収率９２
％で得られた。

【００５１】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６１（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、３．８０（ｓ，
３Ｈ）、５．１１（ｓ，２Ｈ）、５．１８（ｔ，１Ｈ，
Ｊ＝１Ｈｚ）、５．２４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１Ｈｚ）、５
．３５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１Ｈｚ）、５．５７（ｄ，１Ｈ
，Ｊ＝４Ｈｚ）、５．７５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ及
び９Ｈｚ）、６．０７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９Ｈｚ）、６．
８５−７．４０（ｍ，９Ｈ）

【００５２】

【参考例１２】Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２
　が水素原子、Ｒ３　がジフェニルメチル基且つＸがフ
ェニルスルフェニル基である一般式（３）の化合物（以
下「化合物（３ｂ）」という）２００ｍｇを参考例１１
と同様の反応を行ない、Ｒ１　がフェニルアセトアミド
基、Ｒ２　が水素原子且つＲ３　がジフェニルメチル基
である一般式（２）の化合物（以下「化合物（２ｂ）」
という）が収率８９％で得られた。

【００５３】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６２（ｓ，２Ｈ）、５．２６−５．２８（ｍ，２Ｈ）、
５．３７（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２Ｈｚ）、５．６１（ｄ，１
Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ）、５．７６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ
及び９Ｈｚ）、６．１４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９Ｈｚ）、６
．８２（ｓ，１Ｈ）、７．２０−７．４１（ｍ，１５Ｈ
）

【００５４】

【参考例１３】Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２
　が水素原子、Ｒ３　がメチル基且つＸがフェニルスル
フェニル基である一般式（３）の化合物（以下「化合物
（３ｃ）」という）５０ｍｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド０．５ｍｌに溶解する。これに亜鉛粉末５０ｍｇ
とＴｉＣｌ４　１０μｌを加え，室温下２５分間撹拌し
ながら反応させた。参考例１１と同様の後処理を行ない
、Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２　が水素原子
且つＲ３　がメチル基である一般式（２）の化合物（以
下「化合物（２ｃ）」という）を収率９５％で得る。

【００５５】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６２（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、３．７８（ｓ，
３Ｈ）、５．１９（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２Ｈｚ）、５．２８
（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２Ｈｚ）、５．４０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝
２Ｈｚ）、５．６０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ）、５．７
７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ及び９Ｈｚ）、６．２０（
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９Ｈｚ）、７．２７−７．３９（ｍ，５
Ｈ）

【００５６】

【参考例１４】Ｒ１　及びＲ２　が共に水素原子、Ｒ３
　がｐ−メトキシベンジル基且つＸがフェニルスルフェ
ニル基である一般式（３）の化合物（以下「化合物（３
ｄ）」という）１８９ｍｇを参考例１１と同様の反応を
行ない、Ｒ１　及びＲ２　が共に水素原子且つＲ３　が
ｐ−メトキシベンジル基である一般式（２）の化合物（
以下「化合物（２ｄ）」という）が収率８８％で得られ
た。

【００５７】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
１６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ及び１６Ｈｚ）、３
．６６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ及び１６Ｈｚ）、３．
８２（ｓ，３Ｈ）、５．１３（ｓ，２Ｈ）、５．２４（
ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ及び１．８Ｈｚ）、５．２
８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ及び１．８Ｈｚ）、５
．３２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ及び１．８Ｈｚ）
、５．３８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ及び４Ｈｚ）
、６．８７−７．３０（ｍ，４Ｈ）

【００５８】

【参考例１５−２０】金属及び金属塩を変えた以外は、
参考例１１と同様の反応を行ない、化合物（２ａ）を得
る。結果を表３に示す。

【００５９】

【表３】

【００６０】

【実施例１】化合物（２ａ）５０ｍｇを塩化メチレン３
ｍｌに溶解する。これに氷冷下ｍ−クロロ過安息香酸３
０ｍｇを加え、３０分間撹拌して反応させる。反応混合
物を飽和重曹水及び飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナト
リウム上で乾燥した後、減圧濃縮する。濃縮残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製すると、Ｒ１
　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２　が水素原子、Ｒ３
　がｐ−メトキシベンジル基且つｎが１である一般式（
１）の化合物（以下「化合物（１ａ）」という）が収率
９０％で得られる。

【００６１】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６０（ｓ，２Ｈ）、３．８１（ｓ，３Ｈ）、４．８０（
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．４Ｈｚ）、４．１１及び５．２４（
ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ）、５．４４（ｄｄ，
１Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，２．４Ｈｚ）、５．９１（ｄｄ
，１Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，２．４Ｈｚ）、６．１５（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１０．４Ｈｚ）、６．１９
（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，２．４Ｈｚ）、７．１
１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ）、６．８５−６．９
３（ｍ，２Ｈ）、７．２２−７．４０（ｍ，７Ｈ）

【００６２】

【実施例２】化合物（２ａ）５１．４ｍｇを塩化メチレ
ン３ｍｌに溶解する。これにｍ−クロロ過安息香酸１２
６ｍｇを加え、室温下６時間撹拌して反応させる。反応
混合物を実施例１と同様に後処理すると、Ｒ１　がフェ
ニルアセトアミド基、Ｒ２　が水素原子、Ｒ３　がｐ−
メトキシベンジル基且つｎが２である一般式（１）の化
合物（以下「化合物（１ｂ）」という）が収率９０％で
得られる。

【００６３】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６６（ｓ，２Ｈ）、３．８２（ｓ，３Ｈ）、４．６０（
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．４Ｈｚ）、５．１１及び５．２５（
ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１１．７Ｈｚ）、５．２６（ｄｄ，
１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２．６Ｈｚ）、５．９７（ｄｄ
，１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２．６Ｈｚ）、６．１４（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈｚ，２．６Ｈｚ）、６．１７（
ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１０．７Ｈｚ）、６．９
７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０．７Ｈｚ）、６．８６−６．９
３（ｍ，２Ｈ）、７．２３−７．４０（ｍ，７Ｈ）

【００６４】

【実施例３】Ｒ１　がフェニルアセトアミド基、Ｒ２　
が水素原子且つＲ３　がジフェニルメチル基である一般
式（２）の化合物（以下「化合物（２ｂ）」という）３
０ｍｇを塩化メチレン１ｍｌに溶解する。これに、氷冷
下ｍ−クロロ過安息香酸１５ｍｇを加え２０分間撹拌し
て反応させる。反応混合物を飽和重曹水、ハイポ水、飽
和食塩水で洗い、無水硫酸ナトリウム上で乾燥した後、
減圧濃縮する。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにて精製するとＲ１　がフェニルアセトアミド
基、Ｒ２　が水素原子、Ｒ３　がジフェニルメチル基且
つｎが１である一般式（１）の化合物（以下「化合物（
１ｃ）という）が収率９２％で得られる。

【００６５】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
６０及び３．６１（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ）、４
．８２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ）、５．３５（ｔ，１Ｈ
，Ｊ＝２．５Ｈｚ）、５．８０（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．５
Ｈｚ）、６．１４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ）、６．
１８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ及び１０Ｈｚ）、６．９
５（ｓ，１Ｈ）、７．１３（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１０Ｈｚ）
、７．０２−７．４０（ｍ，１５Ｈ）

【００６６】

【実施例４】化合物（２ｄ）８５ｍｇを塩化メチレン６
ｍｌに溶解する。これに、ｍ−クロロ過安息香酸３００
ｍｇを加え、室温下２時間撹拌して反応させる。反応混
合物を実施例１と同様に処理すると、Ｒ１　及びＲ２　
が共に水素原子、Ｒ３　がｐ−メトキシベンジル基且つ
ｎが２である一般式（１）の化合物（以下「化合物（１
ｄ）という）が収率７８％で得られる。

【００６７】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　）：δｐｐｍ；３．
４９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．３Ｈｚ及び１５．９Ｈｚ）
、３．５８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝３．６Ｈｚ及び１５．９
Ｈｚ）、３．８３（ｓ，３Ｈ）、４．５２（ｄｄ，１Ｈ
，Ｊ＝２．３Ｈｚ及び３．６Ｈｚ）、５．１３及び５．
２６（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１１．６Ｈｚ）、５．２５（
ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ及び２．７Ｈｚ）、６．０
２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ及び２．７Ｈｚ）、６
．２３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．７Ｈｚ及び２．７Ｈｚ）
、６．８９−７．３３（ｍ，４Ｈ）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式【化１】［式中Ｒ１　は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基又は
保護されたアミノ基を示す。Ｒ２　は水素原子、ハロゲ
ン原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、低級アルキ
ル基、水酸基もしくは保護された水酸基を置換基として
有する低級アルキル基、水酸基又は保護された水酸基を
示す。或いはＲ１　とＲ２　とが互いに結合してオキソ
基を形成してもよい。Ｒ３　は水素原子又はカルボン酸
保護基を示す。ｎは１又は２を示す。］で表わされる２
−エキソメチレンペナムオキシド誘導体。