JPH04211055A - ハロゲン化β−ラクタム化合物 - Google Patents

ハロゲン化β−ラクタム化合物

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JPH04211055A
JPH04211055A JP3034873A JP3487391A JPH04211055A JP H04211055 A JPH04211055 A JP H04211055A JP 3034873 A JP3034873 A JP 3034873A JP 3487391 A JP3487391 A JP 3487391A JP H04211055 A JPH04211055 A JP H04211055A
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正俊 谷口
Michio Sasaoka
笹岡 三千雄
Takashi Shiroi
城井 敬史
Akira Kikuchi
亮 菊池
Yutaka Kameyama
豊 亀山
Shigeru Torii
滋 鳥居
Hideo Tanaka
秀雄 田中
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    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ハロゲン化β−ラクタ
ム化合物及び3−ヒドロキシセフェム誘導体の製造法に
関する。 [0002]
【従来の技術及びその問題点】従来、一般式%式%]
【3】 [0004]  [式中R1はアミノ基又は保護された
アミノ基、R2は水素原子又はカルボン酸保護基、R3
は水素原子又は水酸基の保護基をそれぞれ示す。]で表
わされる3−ヒドロキシセフェム誘導体を製造する方法
としては、例えば特公昭62−5919号公報に記載の
方法が知られている。 [0005]Lかしながら、この方法は、塩基を用いる
閉環反応により3−ヒドロキシセフェム誘導体を製造す
る方法であり、そのために上記方法では一般式(I)で
表わされる目的の3−セフェム体に加えて、一般式%式
%]
【4】 [0007]  [式中R1、R2及びR3は前記に同
じ。] で表わされる2−セフェム体が副生物として生成するを
避は得す、従ってその混合物を分離して目的の3−セフ
ェム体のみを得るためにはシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー等による精製を行なう必要があるという難点を
有している。そのために工業的実施には困難を伴い、ま
た目的の3−セフェム体の収率が低いという欠点を有し
ている。 [0008]
【問題点を解決するための手段】本発明の目的は、上記
従来法の如き難点がなく、安全、簡便な操作により、し
かも高収率且つ高純皮で、工業的に有利に上記一般式(
I)で表わされる3−ヒドロキシセフェム誘導体を製造
し得る方法を提供することにある。 [0009]即ち、本発明は、一般式 %式%】
【5】 [00111[式中R1、R2及びR3は前記に同じ。 Arは置換基を有することのあるアリール基、Xはハロ
ゲン原子をそれぞれ示す。] で表わされるハロゲン化β−ラクタム化合物、及び一般
式(I I I)のハロゲン化β−ラクタム化合物を金
属還元剤と反応させて、一般式(I)で表わされる3−
ヒドロキシセフェム誘導体を得ることを特徴とする3−
ヒドロキシセフェム誘導体の製造方法に係る。 [0012]上記一般式(I I I)のハロゲン化β
−ラクタム化合物は、文献未記載の新規化合物であり、
一般式(I)で表わされる3−ヒドロキシセフェム誘導
体を合成するための中間体として有用である。 [0013]本明細書において示される各基は、より具
体的にはそれぞれ次の通りである。 [0014]Arで示される置換基を有することのある
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等を例示
できる。Arで示されるフェニル基又はナフチル基に置
換していてもよい置換基の種類としては、例えばハロゲ
ン原子(例えば弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原
子等)、Cl−4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
(例えばメトキシ基、エトキシ基等)、Cl−4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基(例えばメチルチオ基
、エチルチオ基等)、Cl−4の直鎖もしくは分枝鎖状
アルキル基(例えばメチル基、エチル基等)、アミノ基
、置換基としてC1−4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキ
ル基を1個又は2個有するアミノ基(例えばメチルアミ
ノ基、ジエチルアミノ基等)、水酸基、R4C00(R
4はフェニル基、トリル基又はC1−4の直鎖もしくは
分枝鎖状アルキル基)で表わされるアシルオキシ基(例
えばフェニルカルボニルオキシ基、アセチルオキシ基等
’) 、R4CO−(R4は前記に同じ)で表わされる
アシル基(例えばフェニルカルボニル基、アセチル基等
)、ニトロ基、シアノ基、フェニル基等を例示できる。 これらの置換基は、Arで示されるアリール基がフェニ
ル基である場合は1〜5個、特に1.2又は3個、Ar
で示されるアリールがナフチル基である場合は1〜7個
、特に1.2又は3個、同−又は異なる種類で置換され
ていてもよい。 [0015]R1で示される保護されたアミノ基として
は、プロテクティブ グループ イン オーガニックシ
ンセシス(Protective Groups in
 Organic  5ynthesis 、 The
odora W、Greene著、以下単に「文献」と
いう)の第7章(第218〜287頁)に記載されてい
る各種の基の他、フェノキシアセトアミド、p−メチル
フェノキシアセトアミド、p−メトキシフェノキシアセ
トアミド、p−クロロフェノキシアセトアミド、p−ブ
ロモフェノキシアセトアミド、フェニルアセトアミド、
p−メチルフェニルアセトアミド、p−メトキシフェニ
ルアセトアミド、p−クロロフェニルアセトアミド、p
−ブロモフェニルアセトアミド、フェニルモノクロロア
セトアミド、フエニルジクロロアセトアミド、フェニル
ヒドロキシアセトアミド、チエニルアセトアミド、フェ
ニルアセトキシアセトアミド、α−オキソフェニルアセ
トアミド、ベンズアミド、p−メチルベンズアミド、p
−メトキシベンズアミド、p−クロロベンズアミド、p
−ブロモベンズアミド、フェニルグリシルアミドやアミ
ノ基の保護されたフェニルグリシルアミド、p−ヒドロ
キシフェニルグリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一
方又は両方が保護されたp−ヒドロキシフェニルグリシ
ルアミド等を例示できる。フェニルグリシルアミド及び
p−ヒドロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保
護基としては、上記文献の第7章(第218〜287頁
)に記載されている各種基を例示できる。またp−ヒド
ロキシフェニルグリシルアミドの水酸基の保護基として
は、上記文献の第2章(第10〜72頁)に記載されて
いる各種基を例示できる。 [0016]R2で示されるカルボン酸の保護基とじて
は、上記文献の第5章(第152〜192頁)に記載さ
れている各種の基の他、ベンジル基、p−メトキシベン
ジル基、p−ニトロベンジル基、ジフェニルメチル基、
トリクロロエチル基、tert−ブチル基等を例示でき
る。 [0017]R3で示される水酸基の保護基としては、
上記文献の第2章(第10〜72頁)に記載されている
各種の基の他、メチル基、エチル基、イソプロピル基、
tert−ブチル基、ベンジル基、p−メチルベンジル
基、p−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ト
リメチルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基
、トリエチルシリル基、フエニルジメチルシリル基、ア
セチル基等を例示できる。 [0018]Xで示されるハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、沃素原子等を例示できる。 [0019]上記一般式(I I I)で表わされるハ
ロゲン化β−ラクタム化合物は、例えば下記に示す方法
で製造される。 [00201一般式(I)の化合物中、R3が水素原子
を示す化合物は、一般式 %式%
【6] [0022]  [式中Ar、 R’ 、R2及びXは
前記に同じ。]で表わされるβ−ラクタム誘導体をオゾ
ンと反応させて、該誘導体のエキソメチレン基を酸化的
に切断することにより製造される。 [0023] このオゾン酸化反応は、適当な溶媒中、
般式(IV)で表わされるβ−ラクタム誘導体とオゾン
とを反応させることにより行なわれ、それによって生成
するオシニド等の過酸化物を還元的に分解させると、目
的とするR3が水素原子を示す一般式(I)の化合物が
製造される。 [0024]オゾン酸化反応の際の反応条件としては、
例えば日本化学金輪「新実験化学講座」第15巻、第5
93〜603頁に記載されている条件を適用することが
できる。 [0025]具体的には、この反応は、適当な溶媒中で
行なわれる。斯かる溶媒としては、例えばメタノール、
エタノール、プロパツール、イソプロパツール、ブタノ
ール、tert−ブタノール等のアルコール類、蟻酸メ
チル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピ
オン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸
の低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、
ジエチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブ
チルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル、ジブチルエーテル、メチルセロソルブ、ジメト
キシエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオ
キサン等の環状エーテル類、アセトニトリル、プロピオ
ニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、バレ
ロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロルベンゼン、アニソール等の置換もしくは未
置換の芳香族炭化水素類、ジクロルメタン、クロロホル
ム、ジクロルエタン、トリクロルエタン、ジブロムエタ
ン、プロピレンジクロライト、四塩化炭素、フロン類等
のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、
シクロヘキサン、シクロへブタン、シクロオクタン等の
シクロアルカン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等を挙
げることができる。これらは1種単独で又は2種以上混
合して使用される。またこれらの有機溶媒には、必要に
応じて水が含有されていてもよい。斯かる溶媒は、一般
式(IV)の化合物1kg当り、通常10〜2001程
度、好ましくは20〜1001程度使用されるのがよい
。 [0026]上記反応の反応温度は、通常−78〜0℃
程度、好ましくは−60〜−25℃程度である。 [0027]上記反応におけるオゾンの使用量としては
、通常原料化合物(IV)に対して1当量でよいが、必
要ならば更に原料化合物(IV)がなくなるまでオゾン
を通ずるのがよい。オゾンの使用量が1当量を越える場
合には、反応混合物中に乾燥窒素を通じて過剰のオゾン
を追い出した後、後処理を行なうのがよい。 [0028]上記反応によって生成するオシニド等の過
酸化物を、通常の有機反応に用いられる還元剤によって
還元的に分解させると、目的とする一般式(I)の化合
物が製造される。ここで還元剤としては、例えば白金、
パラジウム、ニッケル、ロジウム等の触媒を用いる接触
水素化、亜リン酸エステル、トリフェニルホスフィン等
の三価のリン化合物、ジメチルスルフィド等が挙げられ
る。 [0029]斯くして得られるR3が水素原子である一
般式(I)の化合物は、ケト−エノール型の互変異性を
とり得る。 [0030]R3が水酸基の保護基である一般式(I)
で表わされる本発明化合物は、上記のようにして得られ
た本発明の化合物(R3が水素原子を示す一般式(I)
の化合物)中の水酸基を公知の方法に従って保護するこ
とにより製造される。斯かる水酸基を保護する反応条件
としては、例えば上記文献の第2章(第10〜72頁)
に記載されている各種条件を適用することができる。 [00311上記各工程で得られる本発明化合物は、通
常の単離精製手段、例えば濾過、再結晶、カラムクロマ
トグラフィー、プレパラティブ薄層クロマトグラフィー
等により反応混合物から単離、精製される。 [00321本発明の一般式(I I I)のハロゲン
化βラクタム化合物は、これを金属還元剤と反応させて
、一般式(I)の3−ヒドロキシセフェム誘導体に誘導
し得る。 【0033】上記反応は、有機溶媒中で行なわれる。有
機溶媒としては、一般式(I I I)の化合物を溶解
し且つ該反応の条件下で不活性なものである限り従来公
知のものを広く使用でき、例えばメタノール、エタノー
ル、プロパツール、イソプロパツール、ブタノール、t
ertブタノール等のアルコール類、蟻酸メチル、蟻酸
エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチ
ル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の低級アル
キルエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチ
ルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジエチルエ
ーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテ
ル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ
ブチルエーテル、メチルセロソルブ、ジメトキシエタン
等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
環状エーテル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、
ブチロニトリル、イソブチロニトリル、バレロニトリル
等のニトリル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロ
ルベンゼン、アニソール等の置換もしくは未置換の芳香
族炭化水素類、ジクロルメタン、クロロホルム、ジクロ
ルエタン、トリクロルエタン、ジブロムエタン、プロピ
レンジクロライド、四塩化炭素、フロン類等のハロゲン
化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン等の脂肪族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキ
サン、シクロへブタン、シクロオクタン等のシクロアル
カン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド
等のアミド類、ジメチルスルホキシド、ジエチルアミン
、ジイソプロピルアミン、トリエチルアミン、トリブチ
ルアミン、アニリン、ピリジン、トルイジン、ピペリジ
ン、N−メチルピペリジン、1,5−ジアザビシクロ[
3,4,O]ノネン−5(DBN)、1,5−ジアザビ
シクロ[5,4,O]ウシデセン−5(DBU) 、モ
ルホリン、N−メチルモルホリン等のアミン類等を挙げ
ることができる。これらは1種単独で又は2種以上混合
して使用される。またこれらの有機溶媒には、必要に応
じて水が含有されていてもよい。斯かる溶媒は、一般式
(I I I)の化合物1kg当り、通常0.5〜20
01程度、好ましくは1〜501程度使用されるのがよ
い。 [0034]上記反応で用いられる金属還元剤としては
、例えば金属鉛、金属銅、金属チタン、金属ビスマス、
金属アンチモン等を挙げることができる。反応させるこ
れら金属の形状は、特に制限はなく、粉状、板状、塊状
、針金状等の広範囲の形態を使用し得る。上記反応をよ
り低い温度、より短時間で完結させるためには、粉状金
属を使用するのが有利である。金属還元剤として粉状金
属を用いる場合、その粒子径は広い範囲内から適宜選択
し得るが、10〜500メツシュ程度のものを使用する
のが望ましい。これら金属還元剤の使用量は、一般式(
I I I)の化合物に対して通常1〜10倍モル原子
程度、好ましくは1〜4倍モル原子程度とするのがよい
。 [0035]本発明においては、反応系内に上記金属還
元剤よりもイオン化傾向の大きい金属を共存させるのが
好ましい。斯かる金属を共存させることにより、上記金
属還元剤の使用量を極端に低減させることができ、反応
後の後処理が容易になると共に、反応をより低い温度で
、より短時間で遂行させることができる。上記金属還元
剤とそれよりもイオン化傾向の大きい金属の組合わせの
具体例としては、Pb/Al、Bi/Al、Bi/Zn
、B i/Mg、Cu/Mg、Ti/Sn、B i/S
n、Sb/Sn等を例示できる。金属還元剤と共存させ
るこれら金属の形状も、特に制限はなく、粉状、板状、
箔状、塊状、針金状等の広範囲の形態を使用し得るが、
上記反応をより低い温度、より短時間で完結させるため
には、粉状金属を使用するのが有利である。粉状金属の
粒子径は広い範囲内から適宜選択し得るが、10〜30
0メツシュ程度のものを使用するのが望ましい。これら
金属の使用量は、一般式(I I I)の化合物に対し
て通常1〜50倍モル原子程度、好ましくは1〜5倍モ
ル原子程度とするのがよい。 [0036]本発明において、上記金属還元剤よりもイ
オン化傾向の大きい金属を併用する場合には、上記金属
還元剤の代りにそれら金属の化合物を使用するのがより
好ましい。斯かる金属化合物の具体例としては、弗化鉛
、塩化鉛、臭化鉛、沃化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、
硫酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の無機
酸鉛、酢酸鉛、蓚酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸鉛、
酸化鉛、水酸化鉛、弗化銅、塩化銅、臭化銅、沃化銅等
のハロゲン化銅、硝酸銅、硫酸銅、過塩素酸鉛等の無機
酸鉛、酢酸銅、蓚酸銀等の脂肪酸鉛、弗化チタン、塩化
チタン、臭化チタン、沃化チタン等のハロゲン化チタン
、硫酸チタン、硝酸チタン等の無機酸チタン、弗化ビス
マス、塩化ビスマス、臭化ビスマス、沃化ビスマス等の
ハロゲン化ビスマス、硝酸ビスマス、硫酸ビスマス等の
無機酸ビスマス、酸化ビスマス、弗化アンチモン、塩化
アンチモン、臭化アンチモン、沃化アンチモン等のハロ
ゲン化アンチモン、硫酸アンチモン等の無機酸アンチモ
ン、酸化アンチモン等を例示できる。これらの金属化合
物の使用量としては、理論的には1分子が反応系内に存
在すればよいわけであるが、通常一般式(I I I)
の化合物に対して約0.0001〜0.5倍モルとする
のがよい。 [0037]上記反応の反応温度は、原料物質、使用す
る有機溶媒等により異なり一概には言えないが、通常2
0〜100℃程度、好ましくはO〜50℃程度である。 [0038]尚、該反応においては、超音波の照射下に
反応を行なうと、反応がより速やかに進行する場合があ
る。 [0039]上記反応終了後、例えば通常の抽出操作を
行なうことにより、目的とする一般式(I)の3−ヒド
ロキシセフェム誘導体をほぼ純品の形態で単離し得る。 更に精製の必要があれば、再結晶、カラムクロマトグラ
フィー等の慣用の精製手段を採用すればよい。 [0040]
【発明の効果】本発明の一般式(I I I)のハロゲ
ン化β−ラクタム化合物を使用すれば、一般式(I)の
3ヒドロキシセフ工ム誘導体が新たな精製を必要としな
い程極めて高選択的に高純度且つ高収率で製造され得る
【0041】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明をより一層明ら
かにする。 [0042]
【実施例1】R1がフェニルアセトアミド基、R2がp
メトキシベンジル基、Arがフェニル基且つXが塩素原
子である一般式(IV)の化合物(以下「化合物(IV
a)」という)30gを酢酸エチル31に溶解し、60
℃に冷却した。この溶液に、オゾン発生装置を用いて発
生させたオゾンを通じた。化合物(IVa)に対して当
モル量のオゾンを通じた後、ジメチルジスルフィドを化
合物(IVa)に対して2倍モル量加え、0℃で1時間
反応させた。このようにして得られた反応液を水洗、減
圧濃縮し、得られた濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーを用いて精製することにより、R1がフェ
ニルアセトアミド基、R2がp−メトキシベンジル基、
R3が水素原子、Arがフェニル基且つXが塩素原子で
ある一般式(I I I)の化合物(以下「化合物(I
 I I a) Jという)を48%の収率で得た。 [0043] NMR(CDC13):δppm; 3、 60  (s、  2H) 、3. 80  (
s、  3H) 、4. 23 (ABq、2H,J=
13.0Hz) 、4.73 (dd、LH,J=5.
0Hz、7.0Hz)、5.12(ABq、2H,J=
13.0Hz)5.71  (d、IH,J=5. 0
Hz) 、6. 27 (d、  LH,J=7゜0H
z) 、6.80−8.00 (m、14H)[004
4]
【実施例2】R1がフェニルアセトアミド基、R2がジ
フェニルメチル基、Arがフェニル基且つXが塩素原子
である一般式(IV)の化合物(以下「化合物(IVb
) Jという)を用い、実施例1と同様にしてR1がフ
ェニルアセトアミド基、R2がジフェニルメチル基、R
3が水素原子、Arがフェニル基且つXが塩素原子であ
る一般式(I I I)の化合物(以下「化合物(I 
I Ib)J という)を得た。 [0045] NMR(CDC13):δppm; 3.63  (s、2H) 、4.20  (ABq、
2H,J13.0Hz) 、4.76  (dd、LH
,J=5.0Hz、7.0Hz) 、5.72  (d
、LH,J=5.0Hz) 、6.10  (d、LH
,J=7.0Hz) 、6.85  (s、LH) 、
7.05−7.50 (m、20H)[0046]
【実施例3】R1がフェノキシアセトアミド基、R2が
p−メトキシベンジル基、Arがフェニル基且つXが塩
素原子である一般式(IV)の化合物(以下「化合物(
IVC)J という)を用い、実施例1と同様にしてR
1がフェノキシアセトアミド基、R2がp−メトキシベ
ンジル基、R3が水素原子、Arがフェニル基且つXが
塩素原子である一般式(I I I)の化合物(以下「
化合物(I I I c) Jという)を得た。 [0047] NMR(CDC13):δppm; 3、 70  (s、  2H) 、3. 80 (s
、  3H) 、4. 23  (ABq、2H,J=
13.0Hz) 、4.94 (dd、LH,J=6.
0Hz、8.0Hz)、5,15(ABq、2H,J=
13.0Hz) 、5.78 (d。 LH,J=6. 0Hz) 、6. 75−7. 95
 (m、  14H)
【0048】
【実施例4】 上記実施例1で得られた化合物(I I
 Ia)2gをメタノール25m1に溶解させた。水浴
で冷却、攪拌しながら、ジアゾメタンのジエチルエーテ
ル溶液を滴下した。滴下したジアゾメタンの色が消えな
くなった時点で滴下を止めた。このようにして得られた
反応液を減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーを用いて精製することにより、R1
がフェニルアセトアミド基、R2がp−メトキシベンジ
ル基、R3がメチル基、Arがフェニル基且つXが塩素
原子である一般式(I I I)の化合物(E体及び7
体の混合物、以下「化合物(IIId)Jという)を9
3%の収率で得た。 [0049] NMR(CDC13):δppm; 3、 65. 3. 55 (s、  s、  2H)
 、3. 85 (s。 3H) 、3. 90. 3. 91  (s、  s
、  3H) 、4. 40 (ABq、2H,J=1
8.0Hz) 、4.70 (dd、  IH,J=5
. 0Hz、  7. 0Hz)、5.10゜5.25
  (s、ABq、2H,J=24.0Hz)、5、 
71. 5. 83  (d、  d、  LH,J=
5. 0Hz) 、6. 00. 6. 13 (d、
  d、  LH,J=7. 0Hz) 、6. 80
−7. 90 (m、  14H)[00501
【実施例5]上記実施例2で得られた化合物(I I 
Ib)を実施例4と同様に反応させた後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーを用いて精製及び異性体の分離
を行ない、下記式(IIIb−1)の化合物(E体)及
び下記式(I I I b−2)の化合物(7体)を得
た。 [00511 【化7] [0052] 【化8】 [0053]  [上記各式中、phはフェニル基、以
下同じ。] 式(I I Ib−1)の化合物の物性;NMR(CD
C13):δppm; 3、 65 (s、  2H) 、3. 94 (s、
  3H) 、4. 38 (ABq、  2H,J=
20. 0Hz) 、4. 70 (dd、  LH,
J=5. 0Hz、  7. 0Hz)、5.80(d
、  IH,J=5. 0Hz) 、6. 05 (d
、  LH。 J=7. 0Hz) 、6. 85 (s、  LH)
 、7. 007、 60 (m、  20H) 式(I I I b−2)の化合物の物性;NMR(C
DC13):δppm; 3、 55 (s、  2H) 、3. 95 (s、
  3H) 、4. 60 (s、  2H) 、5.
 27 (dd、  LH,J=5. 0Hz、  7
. 0Hz) 、5. 69 (d、  LH,J=5
. 0Hz) 、5. 78 (d、  IH,J=7
. 0Hz) 、6. 85 (s、  LH) 、7
. 00−7. 70 (m、  20H)[0054
【実施例6】上記実施例1で得られた化合物(I I 
Ia)Igを反応容器に入れ、水浴で冷却しながらピリ
ジン2ml及び無水酢酸2mlを加えた。反応温度3〜
5℃で攪拌しながら1時間反応させた。このようにして
得られた反応液に、冷却しながら2N塩酸を加え、酢酸
エチルで抽出した。有機層を分液し、2N塩酸、飽和食
塩水、重曹水、飽和食塩水の順に使用して洗浄した。有
機層を無水硫酸マグネシウム上で乾燥した後、減圧濃縮
し、得られた濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーを用いて精製することにより、R1がフェニルア
セトアミド基、R2がp−メトキシベンジル基、R3が
アセチル基、Arがフェニル基且つXが塩素原子である
一般式(I I I)の化合物(E体及びZ体の混合物
、以下「化合物(I I I e) Jという)を90
%の収率で得た。 [0055] NMR(CDC13):δppm; 2、 25. 2. 00 (s、  s、  3H)
 、3. 65. 3゜60 (s、  s、  2H
) 、3. 80 (s、  3H) 、4. 50 
(ABq、2H,J=19.0Hz) 、4.75 (
dd、LH,J=8.0Hz、14.0Hz)、5.0
6(ABq、2H,J=20.0Hz) 、5.84,
5゜93  (d、  d、  IH,J=8. 0H
z) 、6. 757、 90 (m、  14H) [0056]
【実施例7】上記実施例2で得られた化合物(I I 
Ib)を実施例6と同様に反応させてR1がフェニルア
セトアミド基、R2がジフェニルメチル基、R3がアセ
チル基、Arがフェニル基且つXが塩素原子である一般
式(I I I)の化合物(E体及びZ体の混合物、以
下「化合物(I I I f) J という)を得た。 [0057] NMR(CDC1a ):δppm; 2.25,1.94(s、s、3H)、3.60(s。 2H)、4゜75  (dd、LH,J=5.0Hz、
7゜0Hz)、5. 73. 5. 83  (d、 
 d、  LH,J=5.0Hz)、5. 98  (
d、  IH,J=7. 0Hz) 、7.00−7.
70 (m、20H)
【0058】
【実施例8】上記実施例1で得られた化合物(I I 
Ia)10gをジオキサン10m1に溶解した。この溶
液にジフェニルジアゾメタン10gを加え、室温で40
分間、更に40℃で1時間20分反応させた。このよう
にして得られた反応溶液を減圧濃縮し、得られた濃縮残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて精製
することにより、R1がフェニルアセトアミド基、R2
がp−メトキシベンジル基、R3がジフェニルメチル基
、Arがフェニル基且つXが塩素原子である一般式(I
 I■)の化合物(E体及びZ体の混合物、以下「化合
物(I I I g) Jという)を91%の収率で得
た。 [0059] NMR(CDC13):δppm; 3、 45. 3. 65 (s、  s、  2H)
 、3. 80 (s。 3H) 、4.10,4.65  (ABq、ABq、
2H。 J=20.0Hz) 、5.15 (ABq、2H,J
=20、 0Hz) 、5. 85. 5. 57  
(d、  d、  IH,J=5.0Hz)、5. 6
0. 5. 95  (d、  d、  LH。 J=7.0Hz)、6. 55. 6. 60  (s
、  s、  LH) 、6.75−7.80 (m、
24H)[0060]
【実施例9】上記実施例2で得られた化合物(I I 
Ib)を実施例8と同様に反応させた後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーを用いて精製及び異性体の分離
を行ない、下記式(I I I b−3)の化合物(E
体)及び下記式(I I I b−4)の化合物(Z体
)を得た。 [0061]
【化9】 [0063] 式(I I I b−3)の化合物の物性;NMR(C
DC13):δppm; 3、 60 (s、  2H) 、4. 38 (AB
q、  2H,J20.0Hz) 、4.70 (dd
、LH,J=5.0Hz、  7. 0Hz) 、5.
 95 (d、  LH,J=7. 0H2)、6. 
65  (s、  LH)、6. 95−7. 65(
m、  30H) 式(I I I b−4)の化合物の物性;NMR(C
DC13):δppm; 3、 45 (s、  2H) 、4. 58 (s、
  2H) 、5. 35 (dd、LH,J=5.0
Hz、7.0Hz) 、5゜57 (d、  LH,J
=5. 0Hz) 、5. 62 (d、  IH)、
5. 80  (s、  LH)、6. 85−7. 
75(m、  30H) [0064]
【実施例10】上記実施例1で得られた化合物(I I
 Ia)100mgをジメチルホルムアミド1mlに溶
解した。 これにスズ粉末100■を加え、続いてBiCl31m
gを加え、室温で1時間攪拌しながら反応させた。この
ようにして得られた反応溶液にIN塩酸を加え、酢酸エ
チルで抽出した。有機層を分液し、水洗後無水硫酸マグ
ネシウム上で乾燥し、減圧濃縮すると、R1がフェニル
アセトアミド基、R2がp−メトキシベンジル基且つR
3が水素原子である一般式(I)の化合物(以下「化合
物(I a) Jという)を95%の収率で得た。この
化合物のNMRスペクトルは別法で合成した化合物(I
 a)のそれと一致した。 [0065]
【実施例11】上記実施例9で得られた化合物(I I
 Ib−3)500■をジメチルホルムアミド5mlに
溶解させた。この溶液にPbBr250mg及びアルミ
ニウム粉末500mgを加え、反応温度15〜20℃で
1時間攪拌しながら反応させた。このようにして得られ
た反応溶液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層
を分液し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウム
上で乾燥し、減圧濃縮すると、R1がフェニルアセトア
ミド基、R2がジフェニルメチル基且つR3がジフェニ
ルメチル基である一般式(I)の化合物(以下「化合物
(Ib) J という)を93%の収率で得た。この化
合物のNMRスペクトルは別法で合成した化合物(I 
b)のそれと一致した。 [0066]
【実施例12】上記実施例2で得られた化合物(I I
 Ib)を実施例10と同様に反応させて、R1がフェ
ニルアセトアミド基、R2がジフェニルメチル基且つR
3が水素原子である一般式(I)の化合物(以下「化合
物(I C’) Jという)を96%の収率で得た。こ
の化合物のNMRスペクトルは別法で合成した化合物(
I c)のそれと一致した。 [0067]
【実施例13】上記実施例3で得られた化合物(I I
 IC)を実施例10と同様に反応させて、R1がフェ
ノキシアセトアミド基、R2がp−メトキシベンジル基
且つR3が水素原子である一般式(I)の化合物(以下
「化合物(Id)Jという)を90%の収率で得た。こ
の化合物のNMRスペクトルは別法で合成した化合物(
Id)のそれと一致した。 [0068]
【実施例14】上記実施例1で得られた化合物(I I
 Ia)100mgをジメチルホルムアミド2mlに溶
解した。 これにマグネシウム粉末15■を加え、続いてCu11
5mgを加えて室温下1時間撹拌しながら反応させた。 このようにして得られた反応溶液にIN塩酸を加え、酢
酸エチルで抽出した。有機層を分液し、水洗後無水硫酸
マグネシウム上で乾燥し、減圧濃縮すると、化合物(I
b)が92%の収率で得られた。 [0069]
【実施例15】上記実施例2で得られた化合物(I I
 Ib)を実施例14と同様に反応させて化合物(I 
c)を93%の収率で得た。 [00701 【実施例16]上記実施例3で得られた化合物(I I
 IC)を実施例14と同様に反応させて化合物(I 
d)を91%の収率で得た。 [00711 【実施例17]上記実施例2で得られた化合物(I I
 Ib)100mgをジメチルホルムアミド2ml及び
ピリジン0.35m1の混合溶媒に溶解した。これにス
ズ粉末50mgを加え、続いてBiCh5mgを加えて
、室温下1時間撹拌して反応させた。このようにして得
られた反応溶液にIN塩酸を加え、酢酸エチルで抽出し
た。有機層を分液し、水洗後無水硫酸マグネシウム上で
乾燥し、減圧濃縮すると、化合物(I b)が96%の
収率で得られた。 [0072] 【実施例18] BiCh  5mgをTiCl4に変
更する以外は実施例17と同様に反応させて化合物(I
 b)を94%の収率で得た。 フロントページの続き

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式 【1】 [式中Arは置換基を有することのあるアリール基、R
    1はアミノ基又は保護されたアミノ基、R2は水素原子
    又はカルボン酸保護基、R3は水素原子又は水酸基の保
    護基、Xはハロゲン原子をそれぞれ示す。]で表わされ
    るハロゲン化β−ラクタム化合物。
  2. 【請求項2】請求項1記載のハロゲン化β−ラクタム化
    合物を金属還元剤と反応させて、一般式【2】 [式中R1、R2及びR3は前記に同じ。]で表わされ
    る3−ヒドロキシセフェム誘導体を得ることを特徴とす
    る3−ヒドロキシセフェム誘導体の製造法。
JP3-34873A 1990-03-02 1991-03-01 ハロゲン化β−ラクタム化合物 Expired - Lifetime JP3000175B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5244490 1990-03-02
JP2-52444 1990-03-02

Publications (2)

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JPH04211055A true JPH04211055A (ja) 1992-08-03
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996028422A1 (fr) * 1995-03-10 1996-09-19 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha PROCEDE DE PRODUCTION DE COMPOSES DE β-LACTAME
WO1997033891A1 (en) * 1996-03-13 1997-09-18 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha PROCESS FOR THE PREPARATION OF ss-LACTAM COMPOUNDS
US6197185B1 (en) 1995-03-10 2001-03-06 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Process for preparing beta lactam compound

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996028422A1 (fr) * 1995-03-10 1996-09-19 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha PROCEDE DE PRODUCTION DE COMPOSES DE β-LACTAME
US5905147A (en) * 1995-03-10 1999-05-18 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Process for preparing β-lactam compound
US6043356A (en) * 1995-03-10 2000-03-28 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Process for preparing β-lactam compound
US6197185B1 (en) 1995-03-10 2001-03-06 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Process for preparing beta lactam compound
WO1997033891A1 (en) * 1996-03-13 1997-09-18 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha PROCESS FOR THE PREPARATION OF ss-LACTAM COMPOUNDS
US5986091A (en) * 1996-03-13 1999-11-16 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Process for preparation of β-lactam compounds

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