JPH0359074B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、7−メトキシセフエム誘導体の製造
方法に関し、詳しくは、セフアロスポリンの7位
にメトキシ基を導入するための新規方法に関す
る。
方法に関し、詳しくは、セフアロスポリンの7位
にメトキシ基を導入するための新規方法に関す
る。
7位にメトキシ基を有する一群のセフアロスポ
リン系抗生物質としてセフアマイシン系抗生物質
が天然に見出され、それらが7位にメトキシ基を
有する構造上の特徴によつて優れた抗菌性を示す
ことが知られて以来、多数の7−メトキシセフア
ロスポリン誘導体が合成されてきた。一方、セフ
エム核の7位に、メトキシ基を化学的に導入する
新しい方法が数多く研究されてきた。
リン系抗生物質としてセフアマイシン系抗生物質
が天然に見出され、それらが7位にメトキシ基を
有する構造上の特徴によつて優れた抗菌性を示す
ことが知られて以来、多数の7−メトキシセフア
ロスポリン誘導体が合成されてきた。一方、セフ
エム核の7位に、メトキシ基を化学的に導入する
新しい方法が数多く研究されてきた。
これらの新規誘導体のあるものは優れた抗菌剤
としての評価が定まり、化学療法剤として実際の
医療に供されている。従つて、セフアロスポリン
骨格(特にセフエム核)の7位に化学的メトキシ
基を導入する方法は工業的に極めて重要であり、
これまでに多数の方法が提案されて来ている。そ
の例を挙げると次のような方法がある。
としての評価が定まり、化学療法剤として実際の
医療に供されている。従つて、セフアロスポリン
骨格(特にセフエム核)の7位に化学的メトキシ
基を導入する方法は工業的に極めて重要であり、
これまでに多数の方法が提案されて来ている。そ
の例を挙げると次のような方法がある。
(1) 7(または6)−アシルアミノセフアロスポリ
ン(またはペニシリン)を強塩基存在下でt−
ブチルヒポクロライドなどの陽性ハロゲン化合
物と反応させて対応するアシルイミノ化合物に
導き、これにメタノールを付加させる、いわゆ
るアシルイミン法(J.Am.Chem.Soc.95、2401
(1973))。
ン(またはペニシリン)を強塩基存在下でt−
ブチルヒポクロライドなどの陽性ハロゲン化合
物と反応させて対応するアシルイミノ化合物に
導き、これにメタノールを付加させる、いわゆ
るアシルイミン法(J.Am.Chem.Soc.95、2401
(1973))。
(2) 7(または6)位のアミノ基をシツフ塩基に
導き、これに強塩基を作用させて生成する7
(または6)位の対応カルボアニオンにメタン
チオスルホネートまたは陽性ハロゲン化合物を
作用せしめて、7(または6)−メチルチオ体ま
たは−ハロ体とし、更にこれをメタノールによ
りメトキシ基に置換する所謂カルボアニオン法
(J.Org.Chem.、38、943(1973))。
導き、これに強塩基を作用させて生成する7
(または6)位の対応カルボアニオンにメタン
チオスルホネートまたは陽性ハロゲン化合物を
作用せしめて、7(または6)−メチルチオ体ま
たは−ハロ体とし、更にこれをメタノールによ
りメトキシ基に置換する所謂カルボアニオン法
(J.Org.Chem.、38、943(1973))。
(3) 7(または6)位のアミノ基の3,5−ジ−
t−ブチル−4−ヒドロキシベンツアルデヒド
とのシツフ塩基をキノンイミン体へ酸化後、該
イミンにメタノールを付加させるメトキシ導入
法(Tetrahedron letters.、1975.2705)。
t−ブチル−4−ヒドロキシベンツアルデヒド
とのシツフ塩基をキノンイミン体へ酸化後、該
イミンにメタノールを付加させるメトキシ導入
法(Tetrahedron letters.、1975.2705)。
(4) α−ハロまたは、α,α−ジハロアセトアミ
ドセフアロスポリン(またはペニシリン)また
はそのビニローグ体のイミノハロゲン化後、メ
タノールの置換によつて誘導されるイミノエー
テル体を1,4−脱ハロゲン化水素によりビニ
ルイミン体とし、これの1,4−位にメタノー
ルを付加させる方法(Tetrahedron letters.、
1976、1307)。
ドセフアロスポリン(またはペニシリン)また
はそのビニローグ体のイミノハロゲン化後、メ
タノールの置換によつて誘導されるイミノエー
テル体を1,4−脱ハロゲン化水素によりビニ
ルイミン体とし、これの1,4−位にメタノー
ルを付加させる方法(Tetrahedron letters.、
1976、1307)。
(5) 7(または6)−スルフエンアミドセフアロス
ポリン(またはペニシリン)を対応スルフエン
イミン体へと酸化し、これにメタノールを付加
させる方法[J.Am.Chem.Soc.、99、5505
(1977)]。
ポリン(またはペニシリン)を対応スルフエン
イミン体へと酸化し、これにメタノールを付加
させる方法[J.Am.Chem.Soc.、99、5505
(1977)]。
(6) 7(または6)位のアミノ基をジアゾ化し、
これに対するハロゲン化アジド等のアジド化合
物の付加反応を特徴とする方法[J.Am.Chem.
Soc.、94、1408(1972)]等である。
これに対するハロゲン化アジド等のアジド化合
物の付加反応を特徴とする方法[J.Am.Chem.
Soc.、94、1408(1972)]等である。
しかし、上記の各方法は、それぞれ次のような
欠点、難点を有しているため、工業的方法として
は満足し難い方法であり、一層優れた方法の開発
が求められている。
欠点、難点を有しているため、工業的方法として
は満足し難い方法であり、一層優れた方法の開発
が求められている。
(1)の方法は強力な酸化剤を使用するため、酸化
されやすい側鎖、特に、スルフイド結合含有の側
鎖がある場合には酸化副生物が生成しやすいとい
う欠点がある。(1)、(2)、(4)の方法に於いては反応
上極低温(−78℃)という特殊な反応条件が必要
であることやリチウムメトキシドなどのβ−ラク
タム環を開裂しやすい強塩基を使用する必要があ
るという難点がある。また、(3)、(5)の方法は、酸
化剤として、大過剰の金属酸化物(固体)を使用
する不均一系の反応を伴うが、工業的規模での実
施に於いてはこの不均一系の反応のコントロール
が難しい等の難点がある。また(6)の方法ではアジ
ド化合物の付加が立体特異的でないために収率が
低いことや反応経路が長くて煩雑である等の欠点
が存在する。
されやすい側鎖、特に、スルフイド結合含有の側
鎖がある場合には酸化副生物が生成しやすいとい
う欠点がある。(1)、(2)、(4)の方法に於いては反応
上極低温(−78℃)という特殊な反応条件が必要
であることやリチウムメトキシドなどのβ−ラク
タム環を開裂しやすい強塩基を使用する必要があ
るという難点がある。また、(3)、(5)の方法は、酸
化剤として、大過剰の金属酸化物(固体)を使用
する不均一系の反応を伴うが、工業的規模での実
施に於いてはこの不均一系の反応のコントロール
が難しい等の難点がある。また(6)の方法ではアジ
ド化合物の付加が立体特異的でないために収率が
低いことや反応経路が長くて煩雑である等の欠点
が存在する。
本発明の目的は、新規な中間体化合物を出発物
質として7−メトキシセフアロスポリン誘導体を
製造する方法を提供することである。
質として7−メトキシセフアロスポリン誘導体を
製造する方法を提供することである。
本発明者らが見出した出発物質は、次式()
によつて示される。
によつて示される。
[式中、R1は水素原子又は基−A−B(ここに、
Aは酸素原子又はイオウ原子であり、Bは酸素原
子、窒素原子及びイオウ原子から成る群より選ば
れた少なくとも1のヘテロ原子を環員として含む
置換もしくは非置換の複素環基;又は置換もしく
は非置換のカルバモイル基である。)を表わし;
R2は水素基、又はカルボキシル基の保護基を表
わし;R3は低級アルキル基を表わし;R4は低級
アルキル基又は置換もしくは非置換のフエニル基
を表す。] なお、R1を構成するBの一態様である複素環
基が有していてもよい置換基としては、例えば低
級アルキル基、アミノアルキル基、カルボキシル
アルキル基、スルホアルキル基などが挙げられ
る。かかる複素環基の具体例としては、1H−テ
トラゾール−5−イル基、1−メチル−テトラゾ
ール−5−イル基、1−カルボキシメチル−1H
−テトラゾール−5−イル基、2−カルボキシメ
チル−1H−トリアゾール−5−イル基、1−ス
ルホエチル−1H−テトラゾール−5−イル基、
2−カルボキシメチル−1−メチル−1H−トリ
アゾール−5−イル基、4−メチル−5−オキソ
−6−ヒドロキシ−4,5−ジヒドロ−1,2,
4−トリアジリル−3−イル基、ピリジニウムメ
チル基、トリアゾリル基、チアジアゾリル基等が
挙げられる。Bは置換もしくは非置換のカルバモ
イル基でもよいが、置換カルバモイル基として
は、例えばアルキル基などにより置換されたモノ
置換カルボモイル基、ジ置換カルバモイル基が含
まれる。
Aは酸素原子又はイオウ原子であり、Bは酸素原
子、窒素原子及びイオウ原子から成る群より選ば
れた少なくとも1のヘテロ原子を環員として含む
置換もしくは非置換の複素環基;又は置換もしく
は非置換のカルバモイル基である。)を表わし;
R2は水素基、又はカルボキシル基の保護基を表
わし;R3は低級アルキル基を表わし;R4は低級
アルキル基又は置換もしくは非置換のフエニル基
を表す。] なお、R1を構成するBの一態様である複素環
基が有していてもよい置換基としては、例えば低
級アルキル基、アミノアルキル基、カルボキシル
アルキル基、スルホアルキル基などが挙げられ
る。かかる複素環基の具体例としては、1H−テ
トラゾール−5−イル基、1−メチル−テトラゾ
ール−5−イル基、1−カルボキシメチル−1H
−テトラゾール−5−イル基、2−カルボキシメ
チル−1H−トリアゾール−5−イル基、1−ス
ルホエチル−1H−テトラゾール−5−イル基、
2−カルボキシメチル−1−メチル−1H−トリ
アゾール−5−イル基、4−メチル−5−オキソ
−6−ヒドロキシ−4,5−ジヒドロ−1,2,
4−トリアジリル−3−イル基、ピリジニウムメ
チル基、トリアゾリル基、チアジアゾリル基等が
挙げられる。Bは置換もしくは非置換のカルバモ
イル基でもよいが、置換カルバモイル基として
は、例えばアルキル基などにより置換されたモノ
置換カルボモイル基、ジ置換カルバモイル基が含
まれる。
また、R2は水素原子又はカルボキシル基の保
護基であるが、カルボキシル基の保護基として
は、ペニシリン、セフアロスポリン分野で通常利
用される保護基が用いられ、例えばtert−ブトキ
シ基などが挙げられる。また、R4のハロゲン原
子としては、塩素、臭素、ヨウ素が一般的であ
る。
護基であるが、カルボキシル基の保護基として
は、ペニシリン、セフアロスポリン分野で通常利
用される保護基が用いられ、例えばtert−ブトキ
シ基などが挙げられる。また、R4のハロゲン原
子としては、塩素、臭素、ヨウ素が一般的であ
る。
上記の出発物質()は、下記の反応経路に従
つて製造することができる。
つて製造することができる。
(上記式中、R1、R2、R3及びR4は前述した意味
を有し、R5はハロゲン原子を表わす。) 以下、前述の式に即しながら出発物質()の
製造方法につき詳述する。
を有し、R5はハロゲン原子を表わす。) 以下、前述の式に即しながら出発物質()の
製造方法につき詳述する。
即ち、7−アミノセフエム化合物()にアル
デヒドR3R4R5CCHO(ここに、R3、R4及びR5は
前述の意味を有する。)又はそれと等価な試薬を、
常法により反応させることにより、対応するシツ
フ塩基体()が得られる。
デヒドR3R4R5CCHO(ここに、R3、R4及びR5は
前述の意味を有する。)又はそれと等価な試薬を、
常法により反応させることにより、対応するシツ
フ塩基体()が得られる。
次に、得られたシツフ塩基体()に、適当な
酸捕捉剤を作用せしめることにより効率よく脱ハ
ロゲン化水素反応が起り、ここに一般式()で
示される新規セフエム誘導体であるイミン化合物
が好収率で得られる。ここで使用される酸捕捉剤
としては、アルミナ、シリカゲル、ゼオライト
(モレキヤラーシーブなど)、塩基性レジンのよう
な固体脱酸剤;ピリジン、トリエチルアミン、ト
リエチレンジアミン、ジアザビシクロノネン
(DBN)、ジアザビシクロウンデセン(DBU)の
ごとき有機第3アミン;リチウムメトキシド、カ
リウムt−ブトキシドのごとき金属アルコキシ
ド;リチウムジイソプロピルアミドのごとき金属
アミド;水素化ナトリウムのごとき金属水素化
物、炭酸水素ナトリウム、ホウ砂のごとき塩基性
無機塩等が挙げられる。中でも特に好適なもの
は、アルミナである。
酸捕捉剤を作用せしめることにより効率よく脱ハ
ロゲン化水素反応が起り、ここに一般式()で
示される新規セフエム誘導体であるイミン化合物
が好収率で得られる。ここで使用される酸捕捉剤
としては、アルミナ、シリカゲル、ゼオライト
(モレキヤラーシーブなど)、塩基性レジンのよう
な固体脱酸剤;ピリジン、トリエチルアミン、ト
リエチレンジアミン、ジアザビシクロノネン
(DBN)、ジアザビシクロウンデセン(DBU)の
ごとき有機第3アミン;リチウムメトキシド、カ
リウムt−ブトキシドのごとき金属アルコキシ
ド;リチウムジイソプロピルアミドのごとき金属
アミド;水素化ナトリウムのごとき金属水素化
物、炭酸水素ナトリウム、ホウ砂のごとき塩基性
無機塩等が挙げられる。中でも特に好適なもの
は、アルミナである。
以上詳しく述べたように、式()の化合物か
ら、本発明に係る式()の出発物質に至るまで
の諸工程は、不活性な溶媒を用いて穏和な条件下
で行われる。中間生成物である式()の化合物
は単離して次の工程へ進んでもよいが、単離せず
に連続的に反応を進めることもできる。
ら、本発明に係る式()の出発物質に至るまで
の諸工程は、不活性な溶媒を用いて穏和な条件下
で行われる。中間生成物である式()の化合物
は単離して次の工程へ進んでもよいが、単離せず
に連続的に反応を進めることもできる。
上記の本発明に係る出発物質()は、下に示
すように極めて穏和な条件下、酸触媒の存在下又
は非存在下で、例えば0℃にてパラトルエンスル
ホン酸の存在下、メタノールで処理することによ
り、式()で表わされる7−メトキシ−シツフ
塩基体に高い選択性をもつて好収率で変換するこ
とができる。
すように極めて穏和な条件下、酸触媒の存在下又
は非存在下で、例えば0℃にてパラトルエンスル
ホン酸の存在下、メタノールで処理することによ
り、式()で表わされる7−メトキシ−シツフ
塩基体に高い選択性をもつて好収率で変換するこ
とができる。
(式中、R1、R2、R3及びR4は前述した意味を有
する。) 得られたシツフ塩基化合物()を常法によ
り、加水分解後アシルクロライド (R6COCl)を作用せしめてアシル化するか、
或いは、直接アシルクロライド (R6COCl)によりアシル化後加水分解を行う
ことにより、次の式(): (上式中、R1及びR2は前記と同意義であり、R6
はアルキル、ハロアルキル、アラルキルなどを表
わす。) で示される7−アシルアミノ−7−メトキシ−3
−セフエム化合物に導くことができる。この反応
をもとにして、有用な抗生物質(The Journal
of Antibiotics X X 、554(1976)、特願昭
54−123159、参照)を誘導することができる。
する。) 得られたシツフ塩基化合物()を常法によ
り、加水分解後アシルクロライド (R6COCl)を作用せしめてアシル化するか、
或いは、直接アシルクロライド (R6COCl)によりアシル化後加水分解を行う
ことにより、次の式(): (上式中、R1及びR2は前記と同意義であり、R6
はアルキル、ハロアルキル、アラルキルなどを表
わす。) で示される7−アシルアミノ−7−メトキシ−3
−セフエム化合物に導くことができる。この反応
をもとにして、有用な抗生物質(The Journal
of Antibiotics X X 、554(1976)、特願昭
54−123159、参照)を誘導することができる。
又式()で表わされる出発物質は、ルイス酸
及びメチルオルソエステル類の存在下にメタノー
ルを付加させると一工程で()式の化合物に変
換される。
及びメチルオルソエステル類の存在下にメタノー
ルを付加させると一工程で()式の化合物に変
換される。
ルイス酸としては、三フツ化ホウ素・エーテル
錯体、四塩化チタン、塩化亜鉛などが挙げられ
る。
錯体、四塩化チタン、塩化亜鉛などが挙げられ
る。
又、メチルオルソエステル類としては、トリメ
チルボレート、テトラメチルオルソチタノエー
ト、アルミニウムトリメトキシド、テトラメチル
オルソシリケート、トリメチルオルソホルメー
ト、テトラメチルオルソカーボネート、メチルト
リメチルシリルエーテル、リチウムメトキシドな
どが挙げられる。又、メチルオルソエステル類の
存在下反応を行う場合には、必ずしもメタノール
は必要ではない。
チルボレート、テトラメチルオルソチタノエー
ト、アルミニウムトリメトキシド、テトラメチル
オルソシリケート、トリメチルオルソホルメー
ト、テトラメチルオルソカーボネート、メチルト
リメチルシリルエーテル、リチウムメトキシドな
どが挙げられる。又、メチルオルソエステル類の
存在下反応を行う場合には、必ずしもメタノール
は必要ではない。
式()の化合物はアシルクロライドを作用さ
せることにより、式()の化合物に導かれ、さ
らに、前述のごとく、有用な抗生物質に誘導する
ことができる。
せることにより、式()の化合物に導かれ、さ
らに、前述のごとく、有用な抗生物質に誘導する
ことができる。
以下、実施例及び参考例を示して本発明をさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
参考例
[出発物質の製造]
参考例 1
7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−3
−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7β−アミノ−3−(1−メチル−1H−テトラ
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフエム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(4.95g、10.0mmol)の塩化メチレン(70ml)
溶液に、氷冷下2−クロロ−2−メチルプロパ
ナール(1.17g、11.0mmol)の塩化メチレン
(5ml)溶液を加え、続いて無水硫酸マグネシ
ウム(5g)を加える。室温下1.5時間撹拌後、
反応溶液をろ過し、ろ液を減圧下濃縮乾固し、
7β−(2′−クロロ−2′−メチルプロピリデンア
ミノ)−3−(1−メチル−1H−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフエム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル(5.84g)
を得た。
−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7β−アミノ−3−(1−メチル−1H−テトラ
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフエム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(4.95g、10.0mmol)の塩化メチレン(70ml)
溶液に、氷冷下2−クロロ−2−メチルプロパ
ナール(1.17g、11.0mmol)の塩化メチレン
(5ml)溶液を加え、続いて無水硫酸マグネシ
ウム(5g)を加える。室温下1.5時間撹拌後、
反応溶液をろ過し、ろ液を減圧下濃縮乾固し、
7β−(2′−クロロ−2′−メチルプロピリデンア
ミノ)−3−(1−メチル−1H−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフエム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルエステル(5.84g)
を得た。
(2) (1)で得られたシツフ塩基を単離精製すること
なく再び塩化メチレン(200ml)に溶かし、氷
冷下アルミナ(活性度−)(120g)を加え
1時間撹拌する。アルミナをろ去し、減圧下濃
縮し、得られる結晶をジメチルスルホキシド
(30ml)より再結晶し、標題の化合物(2.16g、
収率:39%)を淡黄色結晶として得た。
なく再び塩化メチレン(200ml)に溶かし、氷
冷下アルミナ(活性度−)(120g)を加え
1時間撹拌する。アルミナをろ去し、減圧下濃
縮し、得られる結晶をジメチルスルホキシド
(30ml)より再結晶し、標題の化合物(2.16g、
収率:39%)を淡黄色結晶として得た。
m.p.215゜〜218゜(分解)
NMR(CDCl3)δppm:1.90(3H、s)、2.05
(3H、broad s)、3.70(2H、broad s)、
3.82(3H、s)、4.17(1H、d、J=14Hz)、
4.46(1H、d、J=14Hz)、5.27(1H、s)、
6.60(1H、broad s)、6.96(1H、s)、7.1〜
7.7(10H、m) IR(KBr錠剤法)cm-1:1765、1710 M.S.(FD):546(M+) 参考例 2 7−(2′−フエニル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7β−アミノ−3−(1−メチル−1H−テトラ
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフエム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(2.97g、6.00mmol)の塩化メチレン(60ml)
溶液に、氷冷下、2−クロル−2−フエニルプ
ロパナール(1.11g、6.60mmol)を加え、続
いて無水硫酸マグネシウム(6g)加えた。室
温にて、2時間撹拌後、反応液をろ過し、7β
−(2′−クロル−2′−フエニルプロピリデンア
ミノ)−3−(1−メチル−1H−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフエム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルエステルの塩化メチ
レン溶液を得た。
(3H、broad s)、3.70(2H、broad s)、
3.82(3H、s)、4.17(1H、d、J=14Hz)、
4.46(1H、d、J=14Hz)、5.27(1H、s)、
6.60(1H、broad s)、6.96(1H、s)、7.1〜
7.7(10H、m) IR(KBr錠剤法)cm-1:1765、1710 M.S.(FD):546(M+) 参考例 2 7−(2′−フエニル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7β−アミノ−3−(1−メチル−1H−テトラ
ゾール−5−イル)チオメチル−3−セフエム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(2.97g、6.00mmol)の塩化メチレン(60ml)
溶液に、氷冷下、2−クロル−2−フエニルプ
ロパナール(1.11g、6.60mmol)を加え、続
いて無水硫酸マグネシウム(6g)加えた。室
温にて、2時間撹拌後、反応液をろ過し、7β
−(2′−クロル−2′−フエニルプロピリデンア
ミノ)−3−(1−メチル−1H−テトラゾール
−5−イル)チオメチル−3−セフエム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルエステルの塩化メチ
レン溶液を得た。
(2) (1)で得られた塩化メチレン溶液にさらに塩化
メチレンを加え、全量200mlとする。この溶液
を−20℃に冷却し、アルミナ(活性度〜)
(120g)を加え、同温にて1時間撹拌する。反
応液をろ過し、ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイーにより分離した。
(シリカゲル200gを用い、塩化メチレンにて溶
出した。)目的物(Rf値:0.65、ベンゼン:酢
酸エチル=5:1)を含む分画をあわせて濃縮
し、黄色結晶の標題の化合物を1′−E,Z混合
物として1.46g(40%)得た。
メチレンを加え、全量200mlとする。この溶液
を−20℃に冷却し、アルミナ(活性度〜)
(120g)を加え、同温にて1時間撹拌する。反
応液をろ過し、ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフイーにより分離した。
(シリカゲル200gを用い、塩化メチレンにて溶
出した。)目的物(Rf値:0.65、ベンゼン:酢
酸エチル=5:1)を含む分画をあわせて濃縮
し、黄色結晶の標題の化合物を1′−E,Z混合
物として1.46g(40%)得た。
m.p.152〜160゜(分解)
NMR(CDCl3)δppm:2.50(3H、broad s)、
3.77(2H、broad s)、3.85(3H、s)、4.19
(1H、d、J=14Hz)、4.49(1H、d、J=
14Hz)、5.33+5.43(1H)、6.98(1H、s)、
7.05〜8.00(16H、m) IR(KBr錠剤法)cm-1:1765、1710 実施例 1 7−ブロムアセチルアミノ−7−メトキシ−3
−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(200mg、0.366mmol)の塩化メチレン(10ml)
溶液に、氷冷下、メタノール(5ml)及びp−
トルエンスルホン酸(4mg)を加えた。氷冷
下、3時間撹拌後、ジラールT試薬(200mg、
1.19mmol)のメタノール(4ml)の溶液を加
え、室温にて30分間撹拌した。次いで、反応溶
液を減圧下、半量まで濃縮し、氷水30mlを加え
酢酸エチル(30ml、2回)にて抽出した。酢酸
エチル層を氷水(30ml、2回)で洗い、無水硫
酸マグネシウムで乾燥すると、7−アミノ−7
−メトキシ−3−(1−メチル−1H−テトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−3−セフエム−
4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸
エチル溶液が得られた。
3.77(2H、broad s)、3.85(3H、s)、4.19
(1H、d、J=14Hz)、4.49(1H、d、J=
14Hz)、5.33+5.43(1H)、6.98(1H、s)、
7.05〜8.00(16H、m) IR(KBr錠剤法)cm-1:1765、1710 実施例 1 7−ブロムアセチルアミノ−7−メトキシ−3
−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(200mg、0.366mmol)の塩化メチレン(10ml)
溶液に、氷冷下、メタノール(5ml)及びp−
トルエンスルホン酸(4mg)を加えた。氷冷
下、3時間撹拌後、ジラールT試薬(200mg、
1.19mmol)のメタノール(4ml)の溶液を加
え、室温にて30分間撹拌した。次いで、反応溶
液を減圧下、半量まで濃縮し、氷水30mlを加え
酢酸エチル(30ml、2回)にて抽出した。酢酸
エチル層を氷水(30ml、2回)で洗い、無水硫
酸マグネシウムで乾燥すると、7−アミノ−7
−メトキシ−3−(1−メチル−1H−テトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−3−セフエム−
4−カルボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸
エチル溶液が得られた。
(2) (1)で得られた酢酸エチル溶液を減圧下10mlま
で濃縮し、これに酢酸エチル30mlを加え、再び
減圧下で5mlまで濃縮した。この溶液に、−20
℃にて、ジメチルアニリン (0.070ml、0.55mmol)を、続いて、臭化ブ
ロムアセチル(0.050ml、0.55mmol)を加え
た。反応液を、氷冷下、10分間撹拌後、氷水
(30ml)を加え、酢酸エチル(50ml)で抽出し
た。酢酸エチル層を、氷冷下した飽和硫酸水素
カリウム水溶液(20ml、3回)、氷水(20ml)、
氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20
ml)及び飽和食塩水(20ml)で順次洗い、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下、溶媒を
除去後、シリカゲル薄層クロマトグラフイーに
より単離精製し、標題の化合物(139mg、収率
59%)を白色泡状物質として得た。(Rf値:
0.70、ベンゼン:酢酸エチル=1:1)。
で濃縮し、これに酢酸エチル30mlを加え、再び
減圧下で5mlまで濃縮した。この溶液に、−20
℃にて、ジメチルアニリン (0.070ml、0.55mmol)を、続いて、臭化ブ
ロムアセチル(0.050ml、0.55mmol)を加え
た。反応液を、氷冷下、10分間撹拌後、氷水
(30ml)を加え、酢酸エチル(50ml)で抽出し
た。酢酸エチル層を、氷冷下した飽和硫酸水素
カリウム水溶液(20ml、3回)、氷水(20ml)、
氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(20
ml)及び飽和食塩水(20ml)で順次洗い、無水
硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下、溶媒を
除去後、シリカゲル薄層クロマトグラフイーに
より単離精製し、標題の化合物(139mg、収率
59%)を白色泡状物質として得た。(Rf値:
0.70、ベンゼン:酢酸エチル=1:1)。
実施例 2
7−ブロムアセチルアミノ−7−メトキシ−3
−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(200mg、0.366mmol)の塩化メチレン(10ml)
溶液に氷冷下、トリメチルボレート(1ml)、
三フツ化ホウ素エーテル錯体(0.050ml)及び
メタノール(0.5ml)を順次加えた。氷冷下、
2時間撹拌後、反応液を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(20ml)と氷(20g)の混合物に加
え、酢酸エチル(30ml)にて抽出した。有機層
を、飽和食塩水(20ml)で洗い、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥すると、7−アミノ−7−メト
キシ−3−セフエム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステルの酢酸エチル−塩化メチレン溶
液が得られた。
−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)−4−カルボン酸ベンズヒドリルエステル
(200mg、0.366mmol)の塩化メチレン(10ml)
溶液に氷冷下、トリメチルボレート(1ml)、
三フツ化ホウ素エーテル錯体(0.050ml)及び
メタノール(0.5ml)を順次加えた。氷冷下、
2時間撹拌後、反応液を飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(20ml)と氷(20g)の混合物に加
え、酢酸エチル(30ml)にて抽出した。有機層
を、飽和食塩水(20ml)で洗い、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥すると、7−アミノ−7−メト
キシ−3−セフエム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルエステルの酢酸エチル−塩化メチレン溶
液が得られた。
(2) (1)で得られた溶液を実施例1の(2)と同様に処
理し、標題の化合物(127mg、収率:53%)を
白色泡状物質として得た。
理し、標題の化合物(127mg、収率:53%)を
白色泡状物質として得た。
実施例 3
7−(ブロムアセチル)アミノ−7−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−フエニル−1′−プロペニルイミノ)
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (90.0mg、0.148mmol)の塩化メチレン(5
ml)溶液に、氷冷下、メタノール(1ml)及びp
−トルエンスルホン酸(1mg)を加え、45分間撹
拌した。反応液を氷冷した飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(20ml)に加え、塩化メチレン(20ml)
により抽出した。塩化メチレン層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後濃縮した。残渣を酢酸エチル
(2ml)に溶かし、ジラールT試薬((カルボキシ
メチル)トリメチルアンモニウムクロリドヒドラ
ジド)(100mg、0.600mmol)のメタノール(3
ml)溶液を加え、室温にて2.5時間撹拌した。反
応液を氷水(20ml)に加え、酢酸エチル(20ml×
2回)にて抽出した。酢酸エチル層を氷水(20ml
×2回)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、2mlまで濃縮し、7−アミノ−7−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル溶液を得
た。
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−フエニル−1′−プロペニルイミノ)
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (90.0mg、0.148mmol)の塩化メチレン(5
ml)溶液に、氷冷下、メタノール(1ml)及びp
−トルエンスルホン酸(1mg)を加え、45分間撹
拌した。反応液を氷冷した飽和炭酸水素ナトリウ
ム水溶液(20ml)に加え、塩化メチレン(20ml)
により抽出した。塩化メチレン層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後濃縮した。残渣を酢酸エチル
(2ml)に溶かし、ジラールT試薬((カルボキシ
メチル)トリメチルアンモニウムクロリドヒドラ
ジド)(100mg、0.600mmol)のメタノール(3
ml)溶液を加え、室温にて2.5時間撹拌した。反
応液を氷水(20ml)に加え、酢酸エチル(20ml×
2回)にて抽出した。酢酸エチル層を氷水(20ml
×2回)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、2mlまで濃縮し、7−アミノ−7−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン酸
ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル溶液を得
た。
(2) (1)において得られたアミノエステルの溶液を
実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化して標
題の化合物(43mg、収率:45%)を得た。
実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化して標
題の化合物(43mg、収率:45%)を得た。
実施例 4
7−(ブロムアセチル)アミノ−7−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(200mg、0.366m
mol)の塩化メチレン(10ml)溶液にメタノー
ル(1ml)を加え、次に、−78℃にて四塩化チ
タン(0.040ml、0.37mmol)を滴下した。同温
度で2時間撹拌後反応液を氷冷した飽和炭酸ナ
トリウム水溶液(20ml)中にあけ塩化メチレン
(20ml×2回)にて抽出した。塩化メチレン層
を氷水(20ml×2回)で洗滌し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後5mlまで濃縮した。酢酸エチ
ル30mlを加え、再び5mlまで濃縮し、この溶液
にジラールT試薬((カルボキシメチル)トリ
メチルアンモニウムクロリドヒドラジド)(200
mg、1.20mmol)のメタノール(5ml)溶液を
加え室温にて30分間撹拌した。反応液を氷水
(20ml)に加え酢酸エチル(20ml×2回)で抽
出した。酢酸エチル層を氷水(20ml×2回)で
洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥後5mlまで
濃縮し、7−アミノ−7−メトキシ−3−(1
−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チ
オメチル−3−セフエム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステルの酢酸エチル溶液を得た。
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1′−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(200mg、0.366m
mol)の塩化メチレン(10ml)溶液にメタノー
ル(1ml)を加え、次に、−78℃にて四塩化チ
タン(0.040ml、0.37mmol)を滴下した。同温
度で2時間撹拌後反応液を氷冷した飽和炭酸ナ
トリウム水溶液(20ml)中にあけ塩化メチレン
(20ml×2回)にて抽出した。塩化メチレン層
を氷水(20ml×2回)で洗滌し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後5mlまで濃縮した。酢酸エチ
ル30mlを加え、再び5mlまで濃縮し、この溶液
にジラールT試薬((カルボキシメチル)トリ
メチルアンモニウムクロリドヒドラジド)(200
mg、1.20mmol)のメタノール(5ml)溶液を
加え室温にて30分間撹拌した。反応液を氷水
(20ml)に加え酢酸エチル(20ml×2回)で抽
出した。酢酸エチル層を氷水(20ml×2回)で
洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾燥後5mlまで
濃縮し、7−アミノ−7−メトキシ−3−(1
−メチル−1H−テトラゾール−5−イル)チ
オメチル−3−セフエム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリルエステルの酢酸エチル溶液を得た。
(2) (1)において得られたアミノエステルの溶液を
実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化し標題
の化合物(120mg、収率:51%)を得た。
実施例1の(2)と同様にブロムアセチル化し標題
の化合物(120mg、収率:51%)を得た。
実施例 5
7−(ブロムアセチル)アミノ−7−メトキシ
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(200mg、0.366m
mol)の塩化メチレン(10ml)溶液にメタノー
ル(1ml)を加え次に、−20℃にて三フツ化ホ
ウ素エーテル錯体(0.050ml、0.37mmol)を滴
下した。同温度にて2時間撹拌後、反応液を氷
冷した飽和炭酸ナトリウム水溶液(20ml)中に
あけ、塩化メチレン(20ml×2回)にて抽出し
た。塩化メチレン層を、氷水(20ml×2回)で
洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後5mlま
で濃縮した。酢酸エチル(30)mlを加え再び5
mlまで濃縮しジラールT試薬((カルボキシメ
チル)トリメチルアンモニウムクロリドヒドラ
ジド)(200mg、1.20mmol)のメタノール(5
ml)溶液を加え、室温にて30分間撹拌した。反
応液を、氷水(20ml)に加え酢酸エチル(20ml
×2回)で抽出した。酢酸エチル層を氷水(20
ml×2回)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾
燥後5mlまで濃縮し、7−アミノ−7−メトキ
シ−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル溶
液を得た。
−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−
イル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリルエステル (1) 7−(2′−メチル−1−プロペニルイミノ)−
3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−3−セフエム−4−カルボン
酸ベンズヒドリルエステル(200mg、0.366m
mol)の塩化メチレン(10ml)溶液にメタノー
ル(1ml)を加え次に、−20℃にて三フツ化ホ
ウ素エーテル錯体(0.050ml、0.37mmol)を滴
下した。同温度にて2時間撹拌後、反応液を氷
冷した飽和炭酸ナトリウム水溶液(20ml)中に
あけ、塩化メチレン(20ml×2回)にて抽出し
た。塩化メチレン層を、氷水(20ml×2回)で
洗滌し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後5mlま
で濃縮した。酢酸エチル(30)mlを加え再び5
mlまで濃縮しジラールT試薬((カルボキシメ
チル)トリメチルアンモニウムクロリドヒドラ
ジド)(200mg、1.20mmol)のメタノール(5
ml)溶液を加え、室温にて30分間撹拌した。反
応液を、氷水(20ml)に加え酢酸エチル(20ml
×2回)で抽出した。酢酸エチル層を氷水(20
ml×2回)で洗滌し無水硫酸マグネシウムで乾
燥後5mlまで濃縮し、7−アミノ−7−メトキ
シ−3−(1−メチル−1H−テトラゾール−5
−イル)チオメチル−3−セフエム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリルエステルの酢酸エチル溶
液を得た。
(2) (1)で得られたアミノエステルの溶液を実施例
1の(2)と同様にブロムアセチル化して標題の化
合物(142mg、収率:60%)を得た。
1の(2)と同様にブロムアセチル化して標題の化
合物(142mg、収率:60%)を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次式: [式中、R1は水素原子又は基−A−B(ここに、
Aは酸素原子又はイオウ原子であり、Bは酸素原
子、窒素原子及びイオウ原子から成る群より選ば
れた少なくとも1のヘテロ原子を環員として含む
置換もしくは非置換の複素環基;又は置換もしく
は非置換のカルバモイル基である。)を表わし;
R2は水素原子又はカルボキシル基の保護基を表
わし;R3は低級アルキル基を表わし;R4は低級
アルキル基又は置換もしくは非置換のフエニル基
を表す。] で示される化合物に、酸触媒の存在又は非存在
下、メタノールを作用させることを特徴とする次
式: (式中、R1、R2、R3及びR4は前述した意味を有
する。) で示される7−メトキシセフエム化合物の製造
法。 2 酸触媒がプロトン酸又はルイス酸である特許
請求の範囲第1項記載の製造法。 3 次式: [式中、R1は水素原子又は基−A−B(ここに、
Aは酸素原子又はイオウ原子であり、Bは酸素原
子、窒素原子及びイオウ原子から成る群より選ば
れた少なくとも1のヘテロ原子を環員として含む
置換もしくは非置換の複素環基;又は置換もしく
は非置換のカルバモイル基である。)を表わし;
R2は水素原子又はカルボキシル基の保護基を表
わし;R3は低級アルキル基を表わし;R4は低級
アルキル基又は置換もしくは非置換のフエニル基
を表す。] で示される化合物に、ルイス酸及びメチルオルソ
エステル類の存在下、メタノールを作用させるこ
とを特徴とする次式: (式中、R1及びR2は前述した意味を有する。) で示される7−アミノ−7−メトキシセフエム化
合物の製造法。 4 ルイス酸が三フツ化ホウ素もしくはそのエー
テル錯体である特許請求の範囲第3項記載の製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1145222A JPH0228184A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1145222A JPH0228184A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56013819A Division JPS57128692A (en) | 1981-02-03 | 1981-02-03 | Cephem derivative and its preparation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0228184A JPH0228184A (ja) | 1990-01-30 |
JPH0359074B2 true JPH0359074B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=15380179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1145222A Granted JPH0228184A (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 7―メトキシセフェム誘導体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0228184A (ja) |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1145222A patent/JPH0228184A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0228184A (ja) | 1990-01-30 |
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