JPH10245386A - エキソメチレンペナム化合物の製造方法 - Google Patents
エキソメチレンペナム化合物の製造方法Info
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- JPH10245386A JPH10245386A JP9069215A JP6921597A JPH10245386A JP H10245386 A JPH10245386 A JP H10245386A JP 9069215 A JP9069215 A JP 9069215A JP 6921597 A JP6921597 A JP 6921597A JP H10245386 A JPH10245386 A JP H10245386A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D499/00—Heterocyclic compounds containing 4-thia-1-azabicyclo [3.2.0] heptane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. penicillins, penems; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D499/04—Preparation
- C07D499/06—Preparation by forming the ring or condensed ring systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D499/00—Heterocyclic compounds containing 4-thia-1-azabicyclo [3.2.0] heptane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. penicillins, penems; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
-
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般式（１）で表されるセフェム化合物を出
発原料とし、新規金属還元系反応を開発することによ
り、一般式（２）で表されるエキソメチレンペナム化合
物を簡便な操作により、しかも高収率かつ高純度で製造
し得る方法を提供する。 【解決手段】 一般式（１）で表されるセフェム化合物
を標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金
属の少なくとも等モル量及び前記金属よりも高い標準酸
化還元電位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属
化合物により還元し、一般式（２）で表されるエキソメ
チレンペナム化合物を得ることを特徴とするエキソメチ
レンペナム化合物の製造方法。 【化１】 〔式中Ｒ1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子等を示す。Ｒ3
は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。Ｘはハロゲン
原子等を示す。〕 【化２】 〔式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。〕
発原料とし、新規金属還元系反応を開発することによ
り、一般式（２）で表されるエキソメチレンペナム化合
物を簡便な操作により、しかも高収率かつ高純度で製造
し得る方法を提供する。 【解決手段】 一般式（１）で表されるセフェム化合物
を標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金
属の少なくとも等モル量及び前記金属よりも高い標準酸
化還元電位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属
化合物により還元し、一般式（２）で表されるエキソメ
チレンペナム化合物を得ることを特徴とするエキソメチ
レンペナム化合物の製造方法。 【化１】 〔式中Ｒ1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子等を示す。Ｒ3
は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。Ｘはハロゲン
原子等を示す。〕 【化２】 〔式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。〕
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明のエキソメチレンペナ
ム化合物は、例えばβ−ラクタマーゼ阻害剤の合成にお
いて重要な中間体である（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃ
hem．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１、Ｓ．
Ｔorii，et al.，Ａntibit．Ｃhem Ｌett.，１９９
３，３，２２５３）。
ム化合物は、例えばβ−ラクタマーゼ阻害剤の合成にお
いて重要な中間体である（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃ
hem．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１、Ｓ．
Ｔorii，et al.，Ａntibit．Ｃhem Ｌett.，１９９
３，３，２２５３）。
【０００２】
【従来の技術】従来、本発明の一般式（２）で表される
エキソメチレンペナム化合物の製造方法としては、図
（Ａ）に示されるようにペニシリンより誘導されるペナ
ム−２−カルボン酸の脱炭酸プーメラー型転移反応によ
る合成法が知られている（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃ
hem．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１）が、
この方法では反応行程が８ステップと長いうえ全収率が
６％以下と低く、とても実用に供せられる方法ではな
い。
エキソメチレンペナム化合物の製造方法としては、図
（Ａ）に示されるようにペニシリンより誘導されるペナ
ム−２−カルボン酸の脱炭酸プーメラー型転移反応によ
る合成法が知られている（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃ
hem．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１）が、
この方法では反応行程が８ステップと長いうえ全収率が
６％以下と低く、とても実用に供せられる方法ではな
い。
【０００３】
【化３】 （Ｒ'＝ＰhＯＣＨ2ＣＯＮＨ，Ｒ"＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＮＯ2−
ｐ）
ｐ）
【０００４】また、図（Ｂ）に示されるようにペニシリ
ンより得られるアレニルβ−ラクタム化合物の酸加水分
解、それに続く分子内環化による合成法（Ｓ．Ｔorii，
etal.，Ｔetrahedron Ｌett.，１９９１，３２，７４
４５）や、アレニルβ−ラクタム化合物の還元的環化反
応による合成法（Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｓynlett，１
９９２，８７８、Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｃhemistry
Ｅxpress，１９９２，７，８８５，Ｊ．Ｃhem．Ｓoc.，
Ｃhem．Ｃommun.，１９９２，１７９３）が知られてい
るが、いずれの場合も中間体として不安定なアレン化合
物を経由するため工業スケールでの反応に於ては、反応
操作の煩雑さなど種々の問題点を抱えている。
ンより得られるアレニルβ−ラクタム化合物の酸加水分
解、それに続く分子内環化による合成法（Ｓ．Ｔorii，
etal.，Ｔetrahedron Ｌett.，１９９１，３２，７４
４５）や、アレニルβ−ラクタム化合物の還元的環化反
応による合成法（Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｓynlett，１
９９２，８７８、Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｃhemistry
Ｅxpress，１９９２，７，８８５，Ｊ．Ｃhem．Ｓoc.，
Ｃhem．Ｃommun.，１９９２，１７９３）が知られてい
るが、いずれの場合も中間体として不安定なアレン化合
物を経由するため工業スケールでの反応に於ては、反応
操作の煩雑さなど種々の問題点を抱えている。
【０００５】
【化４】 （Ｒ1〜Ｒ3は上記に同じ、Ｒ4は置換基を有しても良い
アリール基を示す。）
アリール基を示す。）
【０００６】また、図（Ｃ）に示されるようにペニシリ
ンから誘導されるハロゲン化β−ラクタム化合物の還元
閉環による合成法が記載されている（Ｃhemistry Ｌett
ers，１９９５，７０９，特開平８−２４５６２９
号）。しかしながら、この反応ではハロゲン化β−ラク
タム化合物を経由するため、他の方法と比較して反応工
数が多く、より実用的な反応の出現が望まれていた。
ンから誘導されるハロゲン化β−ラクタム化合物の還元
閉環による合成法が記載されている（Ｃhemistry Ｌett
ers，１９９５，７０９，特開平８−２４５６２９
号）。しかしながら、この反応ではハロゲン化β−ラク
タム化合物を経由するため、他の方法と比較して反応工
数が多く、より実用的な反応の出現が望まれていた。
【０００７】
【化５】 （Ｒ1〜Ｒ4は上記に同じ。）
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一般
式（１）で表されるセフェム化合物を出発原料とし、新
規金属還元系反応を開発することにより、一般式（２）
で表されるエキソメチレンペナム化合物を簡便な操作に
より、しかも高収率かつ高純度で製造し得る方法を提供
することにある。
式（１）で表されるセフェム化合物を出発原料とし、新
規金属還元系反応を開発することにより、一般式（２）
で表されるエキソメチレンペナム化合物を簡便な操作に
より、しかも高収率かつ高純度で製造し得る方法を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式（１）で
表されるセフェム化合物を標準酸化還元電位が−０.３
（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前
記金属よりも高い標準酸化還元電位を有する０.０００
１〜１０倍モル量の金属化合物により還元し、一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物を得るこ
とを特徴とするエキソメチレンペナム化合物の製造方法
に係る。
表されるセフェム化合物を標準酸化還元電位が−０.３
（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前
記金属よりも高い標準酸化還元電位を有する０.０００
１〜１０倍モル量の金属化合物により還元し、一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物を得るこ
とを特徴とするエキソメチレンペナム化合物の製造方法
に係る。
【００１０】
【化６】 〔式中Ｒ1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、低級アルキル基、水酸基又は保
護された水酸基を置換基として有する低級アルキル基、
水酸基、又は保護された水酸基を示す。Ｒ3は水素原子
又はカルボン酸保護基を示す。Ｘはハロゲン原子、置換
基を有しても良い低級アルキルスルホニルオキシ基、ア
リールスルホニルオキシ基またはハロゲン化スルホニル
オキシ基を示す。〕
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、低級アルキル基、水酸基又は保
護された水酸基を置換基として有する低級アルキル基、
水酸基、又は保護された水酸基を示す。Ｒ3は水素原子
又はカルボン酸保護基を示す。Ｘはハロゲン原子、置換
基を有しても良い低級アルキルスルホニルオキシ基、ア
リールスルホニルオキシ基またはハロゲン化スルホニル
オキシ基を示す。〕
【００１１】
【化７】 〔式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。〕
【００１２】
【発明の実施の形態】本明細書において示される各基
は、より具体的にはそれぞれ次の通りである。Ｒ1で示
される保護されたアミノ基としては、プロテクティブグ
ループインオーガニックシンセシス（Ｐrotective Ｇro
ups in Ｏrganic Ｓynthesis, Ｔheodora Ｗ．Ｇreene
著、１９８１年、以下単に「文献」という）の第７章
（第２１８〜２８７頁）に記載されている各種の基の
他、フェノキシアセトアミド、ｐ−メチルフェノキシア
セトアミド、ｐ−メトキシフェノキシアセトアミド、ｐ
−クロロフェノキシアセトアミド、ｐ−ブロモフェノキ
シアセトアミド、フェニルアセトアミド、ｐ−メチルフ
ェニルアセトアミド、ｐ−メトキシフェニルアセトアミ
ド、ｐ−クロロフェニルアセトアミド、ｐ−ブロモフェ
ニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミド、
フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキシア
セトアミド、チエニルアセトアミド、フェニルアセトキ
シアセトアミド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベ
ンズアミド、ｐ−メチルベンズアミド、ｐ−メトキシベ
ンズアミド、ｐ−クロロベンズアミド、ｐ−ブロモベン
ズアミド、フェニルグリシルアミドやアミノ基の保護さ
れたフェニルグリシルアミド、ｐ−ヒドロキシフェニル
グリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が
保護されたｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等の
アミド類、フタルイミド、ニトロフタルイミド等のイミ
ド類を例示できる。フェニルグリシルアミド及びｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保護基と
しては、上記文献の第７章（第２１８〜２８７頁）に記
載されている各種基を例示できる。また、ｐ−ヒドロキ
シフェニルグリシルアミドの水酸基の保護基としては、
上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載されている
各種基を例示できる。
は、より具体的にはそれぞれ次の通りである。Ｒ1で示
される保護されたアミノ基としては、プロテクティブグ
ループインオーガニックシンセシス（Ｐrotective Ｇro
ups in Ｏrganic Ｓynthesis, Ｔheodora Ｗ．Ｇreene
著、１９８１年、以下単に「文献」という）の第７章
（第２１８〜２８７頁）に記載されている各種の基の
他、フェノキシアセトアミド、ｐ−メチルフェノキシア
セトアミド、ｐ−メトキシフェノキシアセトアミド、ｐ
−クロロフェノキシアセトアミド、ｐ−ブロモフェノキ
シアセトアミド、フェニルアセトアミド、ｐ−メチルフ
ェニルアセトアミド、ｐ−メトキシフェニルアセトアミ
ド、ｐ−クロロフェニルアセトアミド、ｐ−ブロモフェ
ニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトアミド、
フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロキシア
セトアミド、チエニルアセトアミド、フェニルアセトキ
シアセトアミド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベ
ンズアミド、ｐ−メチルベンズアミド、ｐ−メトキシベ
ンズアミド、ｐ−クロロベンズアミド、ｐ−ブロモベン
ズアミド、フェニルグリシルアミドやアミノ基の保護さ
れたフェニルグリシルアミド、ｐ−ヒドロキシフェニル
グリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が
保護されたｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等の
アミド類、フタルイミド、ニトロフタルイミド等のイミ
ド類を例示できる。フェニルグリシルアミド及びｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保護基と
しては、上記文献の第７章（第２１８〜２８７頁）に記
載されている各種基を例示できる。また、ｐ−ヒドロキ
シフェニルグリシルアミドの水酸基の保護基としては、
上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載されている
各種基を例示できる。
【００１３】Ｒ2で示される低級アルコキシ基として
は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イ
ソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブ
トキシ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のＣ1〜
Ｃ4のアルコキシ基を例示できる。Ｒ2で示される低級ア
シル基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状
のＣ1〜Ｃ4のアシル基を例示できる。
は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イ
ソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブ
トキシ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のＣ1〜
Ｃ4のアルコキシ基を例示できる。Ｒ2で示される低級ア
シル基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピ
オニル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状
のＣ1〜Ｃ4のアシル基を例示できる。
【００１４】Ｒ2で示されるアルキル基としては、例え
ば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチルな
どの直鎖又は分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル基を例示でき
る。Ｒ2で示される水酸基又は保護された水酸基を置換
基として有する低級アルキル基の保護された水酸基、お
よびＲ2で示される保護された水酸基の保護基として
は、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載されて
いる基を例示できる。Ｒ2で示される上記置換低級アル
キル基は、水酸基又は上記で示される保護された水酸基
の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基で、同一
又は異なる炭素上に１つ以上置換されていてもよい。
ば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチルな
どの直鎖又は分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル基を例示でき
る。Ｒ2で示される水酸基又は保護された水酸基を置換
基として有する低級アルキル基の保護された水酸基、お
よびＲ2で示される保護された水酸基の保護基として
は、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載されて
いる基を例示できる。Ｒ2で示される上記置換低級アル
キル基は、水酸基又は上記で示される保護された水酸基
の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基で、同一
又は異なる炭素上に１つ以上置換されていてもよい。
【００１５】Ｒ3で示されるカルボン酸の保護基として
は、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、ｐ−メトキ
シベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例示で
きる。
は、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、ｐ−メトキ
シベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例示で
きる。
【００１６】Ｘで示されるハロゲン原子としてはフッ
素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Ｘで示される置
換基を有してもよい低級アルキルスルホニルオキシ基と
しては例えばメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロ
メタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタンスルホニ
ルオキシ基等、またアリールスルホニルオキシ基として
は例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等、ハロゲン化スルホニルオキシ基として
は例えばフルオロスルホニルオキシ基等を例示できる。
素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Ｘで示される置
換基を有してもよい低級アルキルスルホニルオキシ基と
しては例えばメタンスルホニルオキシ基、トリフルオロ
メタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタンスルホニ
ルオキシ基等、またアリールスルホニルオキシ基として
は例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等、ハロゲン化スルホニルオキシ基として
は例えばフルオロスルホニルオキシ基等を例示できる。
【００１７】本発明の出発原料である一般式（１）で表
されるセフェム化合物は、例えば下記に示す方法で製造
することができる。すなわち、特開昭４９−１１６０９
５号に記載の如く、３−ヒドロキシセフェム化合物
（３）を出発原料とし、ジメチルホルムアミド中、反応
性クロロ化合物（三塩化リン、オキシ塩化リン等）を反
応させる方法により製造することができる。
されるセフェム化合物は、例えば下記に示す方法で製造
することができる。すなわち、特開昭４９−１１６０９
５号に記載の如く、３−ヒドロキシセフェム化合物
（３）を出発原料とし、ジメチルホルムアミド中、反応
性クロロ化合物（三塩化リン、オキシ塩化リン等）を反
応させる方法により製造することができる。
【００１８】
【化８】 〔式中Ｒ1, Ｒ2, Ｒ3は前記と同じ。〕
【００１９】こうして得られた一般式（１）で表される
セフェム化合物に、標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／
ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前記金属
よりも高い標準酸化還元電位を有する０.０００１〜１
０倍モル量の金属化合物を作用させることにより一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物に変換す
ることができる。
セフェム化合物に、標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／
ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前記金属
よりも高い標準酸化還元電位を有する０.０００１〜１
０倍モル量の金属化合物を作用させることにより一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物に変換す
ることができる。
【００２０】具体的には、この反応は適当な溶媒中で行
なわれる。使用できる溶媒としては、例えば蟻酸メチ
ル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の
低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジ
エチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、メチルセロシルブ、ジメトキ
シエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジオキソラン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソール等の置
換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等
のアミド類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド
類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。こ
れらは１種単独で又は２種以上混合して使用される。ま
たこれらの有機溶媒には、必要に応じて水が含有されて
いてもよい。これらの溶媒は、一般式（１）の化合物１
kg当たり、通常１０〜２００リットル程度、好ましくは
２０〜１００リットル程度使用されるのがよい。上記反
応の反応温度は、通常−７８〜６０℃程度、好ましくは
〜−４０〜３０℃程度である。室温付近の反応温度でも
本発明の反応は良好に進行する。また必要により密封容
器中、または不活性ガス例えば窒素ガス中で行うことも
できる。
なわれる。使用できる溶媒としては、例えば蟻酸メチ
ル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の
低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジ
エチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、メチルセロシルブ、ジメトキ
シエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジオキソラン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソール等の置
換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等
のアミド類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド
類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。こ
れらは１種単独で又は２種以上混合して使用される。ま
たこれらの有機溶媒には、必要に応じて水が含有されて
いてもよい。これらの溶媒は、一般式（１）の化合物１
kg当たり、通常１０〜２００リットル程度、好ましくは
２０〜１００リットル程度使用されるのがよい。上記反
応の反応温度は、通常−７８〜６０℃程度、好ましくは
〜−４０〜３０℃程度である。室温付近の反応温度でも
本発明の反応は良好に進行する。また必要により密封容
器中、または不活性ガス例えば窒素ガス中で行うことも
できる。
【００２１】標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣ
Ｅ）以下の金属としては、例えばマグネシウム、アルミ
ニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛等が例示出来る
が、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、錫を使用する
のが好ましい。これら金属の形状としては特に制限はな
く、粉状、板状、箔状、塊状、針状等の広範囲から適宜
選択出来るが、より好ましくは粉状金属または箔状金属
を使用するのが良い。粉状金属の粒子径は、広い範囲か
ら適宜選択できるが、１００〜３００メッシュ程度のも
のを使用するのが望ましい。これら金属の使用量は、一
般式（１）の化合物に対して通常１〜５０倍モル量程
度、好ましくは１〜１０倍モル量程度とするのが良い。
Ｅ）以下の金属としては、例えばマグネシウム、アルミ
ニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛等が例示出来る
が、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、錫を使用する
のが好ましい。これら金属の形状としては特に制限はな
く、粉状、板状、箔状、塊状、針状等の広範囲から適宜
選択出来るが、より好ましくは粉状金属または箔状金属
を使用するのが良い。粉状金属の粒子径は、広い範囲か
ら適宜選択できるが、１００〜３００メッシュ程度のも
のを使用するのが望ましい。これら金属の使用量は、一
般式（１）の化合物に対して通常１〜５０倍モル量程
度、好ましくは１〜１０倍モル量程度とするのが良い。
【００２２】上記金属よりも高い標準酸化還元電位を有
する金属化合物としては、鉛化合物（例えば弗化鉛、塩
化鉛、臭化鉛、ヨウ化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、硫
酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の無機塩
鉛、酢酸鉛、シュウ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸
鉛、酸化鉛、水酸化鉛等）、銅化合物（例えば弗化銅、
塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等のハロゲン化銅、硝酸銅、
硫酸銅、過塩素酸銅、硼酸銅、炭酸銅、燐酸銅等の無機
塩銅、酢酸銅、シュウ酸銅等）、チタン化合物（例えば
弗化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等
のハロゲン化チタン、硝酸チタン、硫酸チタン等の無機
塩チタン、ビスマス化合物（例えば弗化ビスマス、塩化
ビスマス、臭化ビスマス、ヨウ化ビスマス等のハロゲン
化ビスマス、硝酸ビスマス、硫酸ビスマス等の無機塩ビ
スマス、酸化ビスマス等）、アンチモン化合物（例えば
弗化アンチモン、塩化アンチモン、臭化アンチモン、ヨ
ウ化アンチモン等のハロゲン化アンチモン、硫酸アンチ
モン等の無機塩ビスマス、酸化ビスマス等）、ニッケル
化合物（例えば弗化ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッ
ケル、ヨウ化ニッケル等のハロゲン化ニッケル、硝酸ニ
ッケル、硫酸ニッケル、過塩素酸ニッケル、硼酸ニッケ
ル、炭酸ニッケル、燐酸ニッケル等の無機塩ニッケル、
酢酸ニッケル等の脂肪酸ニッケルが例示出来る。これら
の金属化合物は１種または２種以上を混合して用いても
良い。これらの金属化合物は、一般式（１）の化合物に
対して通常０.０００１〜３０倍モル量、好ましくは０.
００１〜１０倍モル量になるように使用するのがよい。
する金属化合物としては、鉛化合物（例えば弗化鉛、塩
化鉛、臭化鉛、ヨウ化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、硫
酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の無機塩
鉛、酢酸鉛、シュウ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸
鉛、酸化鉛、水酸化鉛等）、銅化合物（例えば弗化銅、
塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等のハロゲン化銅、硝酸銅、
硫酸銅、過塩素酸銅、硼酸銅、炭酸銅、燐酸銅等の無機
塩銅、酢酸銅、シュウ酸銅等）、チタン化合物（例えば
弗化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等
のハロゲン化チタン、硝酸チタン、硫酸チタン等の無機
塩チタン、ビスマス化合物（例えば弗化ビスマス、塩化
ビスマス、臭化ビスマス、ヨウ化ビスマス等のハロゲン
化ビスマス、硝酸ビスマス、硫酸ビスマス等の無機塩ビ
スマス、酸化ビスマス等）、アンチモン化合物（例えば
弗化アンチモン、塩化アンチモン、臭化アンチモン、ヨ
ウ化アンチモン等のハロゲン化アンチモン、硫酸アンチ
モン等の無機塩ビスマス、酸化ビスマス等）、ニッケル
化合物（例えば弗化ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッ
ケル、ヨウ化ニッケル等のハロゲン化ニッケル、硝酸ニ
ッケル、硫酸ニッケル、過塩素酸ニッケル、硼酸ニッケ
ル、炭酸ニッケル、燐酸ニッケル等の無機塩ニッケル、
酢酸ニッケル等の脂肪酸ニッケルが例示出来る。これら
の金属化合物は１種または２種以上を混合して用いても
良い。これらの金属化合物は、一般式（１）の化合物に
対して通常０.０００１〜３０倍モル量、好ましくは０.
００１〜１０倍モル量になるように使用するのがよい。
【００２３】標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣ
Ｅ）以下の金属と前記金属よりも高い標準酸化還元電位
を有する金属化合物の組み合わせの具体例としては、例
えばＡl／Ｐb化合物、Ａl／Ｂi化合物、Ｚn／Ｐb化合
物、Ｚn／Ｂi化合物、Ｍg／Ｂi化合物、Ｍg／Ｃu化合
物、Ｓn／Ｔi化合物、Ｓn／Ｂi化合物、Ｓn／Ｓb化合物
等の組み合わせ、より好ましくはＡl／Ｐb化合物、Ｚn
／Ｂi化合物の組み合わせが挙げられる。得られる一般
式（２）で表されるエキソメチレンペナム誘導体は通常
の精製操作により単離することができる。
Ｅ）以下の金属と前記金属よりも高い標準酸化還元電位
を有する金属化合物の組み合わせの具体例としては、例
えばＡl／Ｐb化合物、Ａl／Ｂi化合物、Ｚn／Ｐb化合
物、Ｚn／Ｂi化合物、Ｍg／Ｂi化合物、Ｍg／Ｃu化合
物、Ｓn／Ｔi化合物、Ｓn／Ｂi化合物、Ｓn／Ｓb化合物
等の組み合わせ、より好ましくはＡl／Ｐb化合物、Ｚn
／Ｂi化合物の組み合わせが挙げられる。得られる一般
式（２）で表されるエキソメチレンペナム誘導体は通常
の精製操作により単離することができる。
【００２４】
【実施例】以下に実施例を示して本発明を詳しく説明す
る。尚、ＰhはＣ6Ｈ5−を示す。 実施例１ 化合物（１ａ）(Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3
＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｘ＝Ｃl）１００mg、塩化
ビスマス １４mg、塩化アルミニウム２８mg及びアルミ
ニウム粉末５７mgを１０mlナス型フラスコに秤り取り、
Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ２mlを加え室温下１５
時間撹拌する。反応液を１規定塩酸中にそそぎ、酢酸エ
チルにより抽出を行ない、水洗２回、飽和食塩水洗１回
を行なった後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥を行なっ
た。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去した後、残
査をシリカゲルカラムクロマトにより精製分離すると化
合物２ａ（８９mg、９５％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
３.８０（ｓ，３Ｈ），５.１１（ｓ, ２Ｈ）, ５.１８
（ｄｄ, Ｊ＝１.５，１.７Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２４（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.５, ２.２Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３５（ｄｄ,
Ｊ＝１.７，２.２Ｈｚ，１Ｈ）, ５.５７（ｄ，Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ，Ｊ＝４.０，９.３Ｈ
ｚ，１Ｈ），６.０７（ｄ，Ｊ＝９.３Ｈｚ，１Ｈ），
６.８５〜７.４０（ｍ，９Ｈ）．
る。尚、ＰhはＣ6Ｈ5−を示す。 実施例１ 化合物（１ａ）(Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3
＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｘ＝Ｃl）１００mg、塩化
ビスマス １４mg、塩化アルミニウム２８mg及びアルミ
ニウム粉末５７mgを１０mlナス型フラスコに秤り取り、
Ｎ−メチル−２−ピロリジノン ２mlを加え室温下１５
時間撹拌する。反応液を１規定塩酸中にそそぎ、酢酸エ
チルにより抽出を行ない、水洗２回、飽和食塩水洗１回
を行なった後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥を行なっ
た。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去した後、残
査をシリカゲルカラムクロマトにより精製分離すると化
合物２ａ（８９mg、９５％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
３.８０（ｓ，３Ｈ），５.１１（ｓ, ２Ｈ）, ５.１８
（ｄｄ, Ｊ＝１.５，１.７Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２４（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.５, ２.２Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３５（ｄｄ,
Ｊ＝１.７，２.２Ｈｚ，１Ｈ）, ５.５７（ｄ，Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ，Ｊ＝４.０，９.３Ｈ
ｚ，１Ｈ），６.０７（ｄ，Ｊ＝９.３Ｈｚ，１Ｈ），
６.８５〜７.４０（ｍ，９Ｈ）．
【００２５】実施例２ 出発物質を化合物（１ｂ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｘ＝Ｃl）及び塩化ビスマス
１２mg、塩化アルミニウム ２１mg及びアルミニウム粉
末 ４９mgを用いて実施例１と同様の反応を行った結
果、化合物２ｂ（８４mg，９０％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
５.２５（ｍ, ２Ｈ）, ５.３５（ｍ, １Ｈ）, ５.５９
（ｄ, Ｊ＝４.０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ, Ｊ＝
４.０，８.９Ｈｚ, １Ｈ）, ６.１２（ｄ, Ｊ＝８.９Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.８４（ｓ, １Ｈ）, ７.２２〜７.４０
（ｍ, １５Ｈ）
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｘ＝Ｃl）及び塩化ビスマス
１２mg、塩化アルミニウム ２１mg及びアルミニウム粉
末 ４９mgを用いて実施例１と同様の反応を行った結
果、化合物２ｂ（８４mg，９０％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
５.２５（ｍ, ２Ｈ）, ５.３５（ｍ, １Ｈ）, ５.５９
（ｄ, Ｊ＝４.０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ, Ｊ＝
４.０，８.９Ｈｚ, １Ｈ）, ６.１２（ｄ, Ｊ＝８.９Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.８４（ｓ, １Ｈ）, ７.２２〜７.４０
（ｍ, １５Ｈ）
【００２６】実施例３ 出発物質を化合物（１ｃ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ3,Ｘ＝Ｃl）及び塩化ビスマス １６
mg、塩化アルミニウム３６mg及びアルミニウム粉末 ７
４mgを用いて実施例１と同様の反応を行なった結果、化
合物２ｃ（８１mg, ８９％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６３（ＡＢｑ，Ｊ＝
２.７Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.７８（ｓ, ３Ｈ）, ５.１９
（ｄｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２８（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.４０（ｄｄ,
Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ,１Ｈ）, ５.６０（ｄ, Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７７（ｄｄ, Ｊ＝４.０, ８.８Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.２０（ｄ, Ｊ＝８.８Ｈｚ, １Ｈ）,
７.２７〜７.３７（ｍ, ５Ｈ）
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ3,Ｘ＝Ｃl）及び塩化ビスマス １６
mg、塩化アルミニウム３６mg及びアルミニウム粉末 ７
４mgを用いて実施例１と同様の反応を行なった結果、化
合物２ｃ（８１mg, ８９％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６３（ＡＢｑ，Ｊ＝
２.７Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.７８（ｓ, ３Ｈ）, ５.１９
（ｄｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２８（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.４０（ｄｄ,
Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ,１Ｈ）, ５.６０（ｄ, Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７７（ｄｄ, Ｊ＝４.０, ８.８Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.２０（ｄ, Ｊ＝８.８Ｈｚ, １Ｈ）,
７.２７〜７.３７（ｍ, ５Ｈ）
【００２７】実施例４ 出発物質を化合物（１ｄ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ，
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｘ＝ＯＳＯ2
ＣＦ3）及び塩化ビスマス ５９mg、塩化アルミニウム
２５mg及びアルミニウム粉末 ４６mgを用いて実施例１
と同様の反応を行なった結果、化合物２ａ（７１mg, ９
５％）が得られた。得られた２ａの1Ｈ ＮＭＲスペクト
ルデータは実施例１のそれに完全に一致した。
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｘ＝ＯＳＯ2
ＣＦ3）及び塩化ビスマス ５９mg、塩化アルミニウム
２５mg及びアルミニウム粉末 ４６mgを用いて実施例１
と同様の反応を行なった結果、化合物２ａ（７１mg, ９
５％）が得られた。得られた２ａの1Ｈ ＮＭＲスペクト
ルデータは実施例１のそれに完全に一致した。
【００２８】実施例５ 出発物質を化合物（１ｅ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ，
Ｒ2＝Ｈ，Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｘ＝ＯＳＯ2ＣＦ3）及び塩化
ビスマス ５４mg、塩化アルミニウム ２３mg及びアルミ
ニウム粉末 ４３mgを用いて実施例１と同様の反応を行
なった結果、化合物２ｂ（６９mg, ９０％）が得られ
た。得られた２ｂの1Ｈ ＮＭＲスペクトルデータは実施
例２のそれに完全に一致した。
Ｒ2＝Ｈ，Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｘ＝ＯＳＯ2ＣＦ3）及び塩化
ビスマス ５４mg、塩化アルミニウム ２３mg及びアルミ
ニウム粉末 ４３mgを用いて実施例１と同様の反応を行
なった結果、化合物２ｂ（６９mg, ９０％）が得られ
た。得られた２ｂの1Ｈ ＮＭＲスペクトルデータは実施
例２のそれに完全に一致した。
【００２９】実施例６ 出発物質を化合物（１ｆ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ 6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ, Ｘ＝ＯＳＯ2
Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3−ｐ）及び塩化ビスマス ６２mg、塩化ア
ルミニウム ２６mg及びアルミニウム粉末 ４４mgを用い
て実施例１と同様の反応を行なった結果、化合物２ａ
（５４mg, ７５％）が得られた。得られた２ａの1Ｈ Ｎ
ＭＲスペクトルデータは実施例１のそれに完全に一致し
た。
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ 6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ, Ｘ＝ＯＳＯ2
Ｃ6Ｈ4−ＣＨ3−ｐ）及び塩化ビスマス ６２mg、塩化ア
ルミニウム ２６mg及びアルミニウム粉末 ４４mgを用い
て実施例１と同様の反応を行なった結果、化合物２ａ
（５４mg, ７５％）が得られた。得られた２ａの1Ｈ Ｎ
ＭＲスペクトルデータは実施例１のそれに完全に一致し
た。
【００３０】実施例７〜９ 以下に金属化合物のみを変えて実施例１と同様の反応を
行った結果を表１に示す。
行った結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】実施例１０〜１２ 以下に溶媒のみを変えて実施例１と同様の反応を行なっ
た結果を表２に示す。
た結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】応用例 本反応で得られるエキソメチレンペナム（２ｂ）を出発
物質とし、β−ラクタマーゼ阻害活性を有するペネム化
合物を合成する方法はＢioorganic and Ｍedicinal Ｃh
emistry Ｌetters，３，２２５３（１９９３）に記載さ
れている。この合成法の概略は以下のようにエキソメチ
レンペナム化合物（Ａ）をオゾン分解しケトン体（Ｂ）
とする。トリフルオロメタンスルホン酸無水物と塩基存
在下反応を行いエノールトリフレート体（Ｃ）とした
後、種々のチオール（ＲＳＨ）と反応を行いペネム化合
物（Ｄ）に導く。このものの脱保護、精製を行うとβ−
ラクタマーゼ阻害活性を有するペネム化合物（Ｅ）が得
られる。
物質とし、β−ラクタマーゼ阻害活性を有するペネム化
合物を合成する方法はＢioorganic and Ｍedicinal Ｃh
emistry Ｌetters，３，２２５３（１９９３）に記載さ
れている。この合成法の概略は以下のようにエキソメチ
レンペナム化合物（Ａ）をオゾン分解しケトン体（Ｂ）
とする。トリフルオロメタンスルホン酸無水物と塩基存
在下反応を行いエノールトリフレート体（Ｃ）とした
後、種々のチオール（ＲＳＨ）と反応を行いペネム化合
物（Ｄ）に導く。このものの脱保護、精製を行うとβ−
ラクタマーゼ阻害活性を有するペネム化合物（Ｅ）が得
られる。
【００３５】
【化９】
【００３６】
【化１０】
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、一般式（１）で表され
るセフェム化合物を出発原料とし、例えばβ−ラクタマ
ーゼ阻害剤の合成において重要な中間体である一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物を簡便な
操作により、しかも高収率かつ高純度で製造することが
できる。
るセフェム化合物を出発原料とし、例えばβ−ラクタマ
ーゼ阻害剤の合成において重要な中間体である一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物を簡便な
操作により、しかも高収率かつ高純度で製造することが
できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（１）で表されるセフェム化合物
を標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金
属の少なくとも等モル量及び前記金属よりも高い標準酸
化還元電位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属
化合物により還元し、一般式（２）で表されるエキソメ
チレンペナム化合物を得ることを特徴とするエキソメチ
レンペナム化合物の製造方法。 【化１】 〔式中Ｒ1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、低級アルキル基、水酸基又は保
護された水酸基を置換基として有する低級アルキル基、
水酸基、又は保護された水酸基を示す。Ｒ3は水素原子
又はカルボン酸保護基を示す。Ｘはハロゲン原子、置換
基を有しても良い低級アルキルスルホニルオキシ基、ア
リールスルホニルオキシ基またはハロゲン化スルホニル
オキシ基を示す。〕 【化２】 〔式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。〕
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|---|---|---|---|
| JP9069215A JPH10245386A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | エキソメチレンペナム化合物の製造方法 |
| PCT/JP1998/000903 WO1998039336A1 (fr) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | Procede de fabrication de composes d'exo-methylenepename |
| DE69820631T DE69820631T2 (de) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | Verfahren zur herstellung von exo-methylenpenam-derivaten |
| US09/380,582 US6339152B1 (en) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | Process for producing exo-methylenepenam compounds |
| EP98905768A EP0999213B1 (en) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | Process for producing exo-methylenepenam compounds |
| KR10-1999-7007300A KR100373591B1 (ko) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | 엑소메틸렌페남화합물의 제조방법 |
| CN98802433A CN1099421C (zh) | 1997-03-05 | 1998-03-05 | 外亚甲基降青霉烷类化合物的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069215A JPH10245386A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | エキソメチレンペナム化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10245386A true JPH10245386A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13396285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9069215A Pending JPH10245386A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | エキソメチレンペナム化合物の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6339152B1 (ja) |
| EP (1) | EP0999213B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10245386A (ja) |
| KR (1) | KR100373591B1 (ja) |
| CN (1) | CN1099421C (ja) |
| DE (1) | DE69820631T2 (ja) |
| WO (1) | WO1998039336A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005023821A1 (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-17 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | ペニシラン酸化合物の製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54103385A (en) * | 1978-01-31 | 1979-08-14 | Matsushita Electric Works Ltd | Temperature rise detecting circuit of printed substrate |
| US5196530A (en) * | 1991-03-11 | 1993-03-23 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for preparing 2-exo-methylenepenam derivatives |
| EP0503597B1 (en) * | 1991-03-13 | 1998-06-10 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Penam derivatives and processes for producing the same |
| EP1225176B1 (en) * | 1995-03-10 | 2003-07-30 | Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha | Process for preparing exo-methylenepenam compounds |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP9069215A patent/JPH10245386A/ja active Pending
-
1998
- 1998-03-05 US US09/380,582 patent/US6339152B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-05 CN CN98802433A patent/CN1099421C/zh not_active Expired - Fee Related
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- 1998-03-05 WO PCT/JP1998/000903 patent/WO1998039336A1/ja active IP Right Grant
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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