JPH08245629A - エキソメチレンペナム化合物の製造法 - Google Patents
エキソメチレンペナム化合物の製造法Info
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- JPH08245629A JPH08245629A JP7079486A JP7948695A JPH08245629A JP H08245629 A JPH08245629 A JP H08245629A JP 7079486 A JP7079486 A JP 7079486A JP 7948695 A JP7948695 A JP 7948695A JP H08245629 A JPH08245629 A JP H08245629A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 金属還元系あるいは電解還元系を応用した、
簡便な操作で一般式（２）のエキソメチレンペナム化合
物を製造する方法。 【構成】 一般式（１）で表されるハロゲン化β−ラク
タム化合物を標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣ
Ｅ）以下の金属及び前記金属よりも高い標準酸化還元電
位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属化合物に
より還元すること、または、電解還元法により還元する
ことより成る、一般式（２）で表されるエキソメチレン
ペナム化合物の製造法。 〔式中Ｒ1は水素原子又は保護されたアミノ基を、Ｒ2は
水素原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシ
ル基、又は置換基として保護された水酸基を有する低級
アルキル基を、Ｒ3は水素原子又はカルボン酸保護基
を、Ｒ4は（置換）アリール基を、Ｘはハロゲン原子
を、Ｙはハロゲン原子または脱離基を、それぞれ示す。
ｎは０〜２を示す。〕 【効果】 高収率かつ高純度で目的物が得られる。
簡便な操作で一般式（２）のエキソメチレンペナム化合
物を製造する方法。 【構成】 一般式（１）で表されるハロゲン化β−ラク
タム化合物を標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣ
Ｅ）以下の金属及び前記金属よりも高い標準酸化還元電
位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属化合物に
より還元すること、または、電解還元法により還元する
ことより成る、一般式（２）で表されるエキソメチレン
ペナム化合物の製造法。 〔式中Ｒ1は水素原子又は保護されたアミノ基を、Ｒ2は
水素原子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシ
ル基、又は置換基として保護された水酸基を有する低級
アルキル基を、Ｒ3は水素原子又はカルボン酸保護基
を、Ｒ4は（置換）アリール基を、Ｘはハロゲン原子
を、Ｙはハロゲン原子または脱離基を、それぞれ示す。
ｎは０〜２を示す。〕 【効果】 高収率かつ高純度で目的物が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明のエキソメチレンペナム化
合物は、例えばβ−ラクタマーゼ阻害剤の合成において
重要な中間体である（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃhe
m．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１、Ｓ．Ｔo
rii，et al.，Ａntibit．Ｃhem Ｌett.，１９９３，
３，２２５３）。
合物は、例えばβ−ラクタマーゼ阻害剤の合成において
重要な中間体である（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃhe
m．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１、Ｓ．Ｔo
rii，et al.，Ａntibit．Ｃhem Ｌett.，１９９３，
３，２２５３）。
【０００２】
【従来の技術】従来、本願発明の一般式（２）で表され
るエキソメチレンペナム化合物の製造方法としては、図
（Ａ）に示されるようにペニシリンより誘導されるペナ
ム−２−カルボン酸の脱炭酸プーメラー型転移反応によ
る合成法が知られている（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃ
hem．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１）が、
この方法では反応行程が８ステップと長いうえ全収率が
６％以下と低く、とても実用に供せられる方法ではな
い。
るエキソメチレンペナム化合物の製造方法としては、図
（Ａ）に示されるようにペニシリンより誘導されるペナ
ム−２−カルボン酸の脱炭酸プーメラー型転移反応によ
る合成法が知られている（Ｂawldwin，et al.，Ｊ．Ｃ
hem．Ｓoc.，Ｃhem．Ｃommun.，１９８７，８１）が、
この方法では反応行程が８ステップと長いうえ全収率が
６％以下と低く、とても実用に供せられる方法ではな
い。
【０００３】
【化３】
【０００４】また、図（Ｂ）に示されるようにペニシリ
ンより得られるアレニルβ−ラクタム化合物の酸加水分
解それに続く分子内環化による合成法（Ｓ．Ｔorii，et
al.，Ｔetrahedron Ｌett.，１９９１，３２，７４
４５）やアレニルβ−ラクタム化合物の還元的環化反応
による合成法（Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｓynlett，１９
９２，８７８、Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｃhemistry Ｅx
press，１９９２，７，８８５，Ｊ．Ｃhem．Ｓoc.，Ｃh
em．Ｃommun.，１９９２，１７９３）が知られている
が、いずれの場合も中間体として不安定なアレン化合物
を経由するため工業スケールでの反応に於ては、反応操
作の煩雑さなど種々の問題点を抱えている。
ンより得られるアレニルβ−ラクタム化合物の酸加水分
解それに続く分子内環化による合成法（Ｓ．Ｔorii，et
al.，Ｔetrahedron Ｌett.，１９９１，３２，７４
４５）やアレニルβ−ラクタム化合物の還元的環化反応
による合成法（Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｓynlett，１９
９２，８７８、Ｓ．Ｔorii，et al.，Ｃhemistry Ｅx
press，１９９２，７，８８５，Ｊ．Ｃhem．Ｓoc.，Ｃh
em．Ｃommun.，１９９２，１７９３）が知られている
が、いずれの場合も中間体として不安定なアレン化合物
を経由するため工業スケールでの反応に於ては、反応操
作の煩雑さなど種々の問題点を抱えている。
【０００５】
【化４】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、一般
式（１）で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物を出
発原料とし、新規金属還元系及び新規電解還元系を構
築、開発することにより、アレン化、エキソメチレンペ
ナム化を同時に効率良く行って、一般式（２）で表され
るエキソメチレンペナム化合物を簡便な操作により、し
かも高収率かつ高純度で製造し得る方法を提供すること
にある。
式（１）で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物を出
発原料とし、新規金属還元系及び新規電解還元系を構
築、開発することにより、アレン化、エキソメチレンペ
ナム化を同時に効率良く行って、一般式（２）で表され
るエキソメチレンペナム化合物を簡便な操作により、し
かも高収率かつ高純度で製造し得る方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式（１）で
表されるハロゲン化β−ラクタム化合物を標準酸化還元
電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも
等モル量及び前記金属よりも高い標準酸化還元電位を有
する０.０００１〜１０倍モル量の金属化合物により還
元し、または、電解還元法を用いることにより、一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物を得るこ
とを特徴とするエキソメチレンペナム化合物の製造法に
係る。
表されるハロゲン化β−ラクタム化合物を標準酸化還元
電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも
等モル量及び前記金属よりも高い標準酸化還元電位を有
する０.０００１〜１０倍モル量の金属化合物により還
元し、または、電解還元法を用いることにより、一般式
（２）で表されるエキソメチレンペナム化合物を得るこ
とを特徴とするエキソメチレンペナム化合物の製造法に
係る。
【０００８】
【化５】 〔式中Ｒ1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、又は置換基として水酸基もしく
は保護された水酸基を有する低級アルキル基を示す。Ｒ
3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。Ｒ4は置換基
を有することのあるアリール基を示す。Ｘはハロゲン原
子、Ｙはハロゲン原子または脱離基を示す。ｎは０〜２
を示す。〕
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、又は置換基として水酸基もしく
は保護された水酸基を有する低級アルキル基を示す。Ｒ
3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。Ｒ4は置換基
を有することのあるアリール基を示す。Ｘはハロゲン原
子、Ｙはハロゲン原子または脱離基を示す。ｎは０〜２
を示す。〕
【０００９】
【化６】 〔式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。〕
【００１０】本明細書において示される各基は、より具
体的にはそれぞれ次の通りである。Ｒ1で示される保護
されたアミノ基としては、プロテクティブグループイン
オーガニックシンセシス（Ｐrotective Ｇroups in Ｏr
ganic Ｓynthesis, Ｔheodora Ｗ．Ｇreene著、１９８
１年、以下単に「文献」という）の第７章（第２１８〜
２８７頁）に記載されている各種の基の他、フェノキシ
アセトアミド、ｐ−メチルフェノキシアセトアミド、ｐ
−メトキシフェノキシアセトアミド、ｐ−クロロフェノ
キシアセトアミド、ｐ−ブロモフェノキシアセトアミ
ド、フェニルアセトアミド、ｐ−メチルフェニルアセト
アミド、ｐ−メトキシフェニルアセトアミド、ｐ−クロ
ロフェニルアセトアミド、ｐ−ブロモフェニルアセトア
ミド、フェニルモノクロロアセトアミド、フェニルジク
ロロアセトアミド、フェニルヒドロキシアセトアミド、
チエニルアセトアミド、フェニルアセトキシアセトアミ
ド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベンズアミド、
ｐ−メチルベンズアミド、ｐ−メトキシベンズアミド、
ｐ−クロロベンズアミド、ｐ−ブロモベンズアミド、フ
ェニルグリシルアミドやアミノ基の保護されたフェニル
グリシルアミド、ｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミ
ドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が保護されたｐ
−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等のアミド類、フ
タルイミド、ニトロフタルイミド等のイミド類を例示で
きる。フェニルグリシルアミド及びｐ−ヒドロキシフェ
ニルグリシルアミドのアミノ基の保護基としては、上記
文献の第７章（第２１８〜２８７頁）に記載されている
各種基を例示できる。また、ｐ−ヒドロキシフェニルグ
リシルアミドの水酸基の保護基としては、上記文献の第
２章（第１０〜７２頁）に記載されている各種基を例示
できる。
体的にはそれぞれ次の通りである。Ｒ1で示される保護
されたアミノ基としては、プロテクティブグループイン
オーガニックシンセシス（Ｐrotective Ｇroups in Ｏr
ganic Ｓynthesis, Ｔheodora Ｗ．Ｇreene著、１９８
１年、以下単に「文献」という）の第７章（第２１８〜
２８７頁）に記載されている各種の基の他、フェノキシ
アセトアミド、ｐ−メチルフェノキシアセトアミド、ｐ
−メトキシフェノキシアセトアミド、ｐ−クロロフェノ
キシアセトアミド、ｐ−ブロモフェノキシアセトアミ
ド、フェニルアセトアミド、ｐ−メチルフェニルアセト
アミド、ｐ−メトキシフェニルアセトアミド、ｐ−クロ
ロフェニルアセトアミド、ｐ−ブロモフェニルアセトア
ミド、フェニルモノクロロアセトアミド、フェニルジク
ロロアセトアミド、フェニルヒドロキシアセトアミド、
チエニルアセトアミド、フェニルアセトキシアセトアミ
ド、α−オキソフェニルアセトアミド、ベンズアミド、
ｐ−メチルベンズアミド、ｐ−メトキシベンズアミド、
ｐ−クロロベンズアミド、ｐ−ブロモベンズアミド、フ
ェニルグリシルアミドやアミノ基の保護されたフェニル
グリシルアミド、ｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミ
ドやアミノ基及び水酸基の一方又は両方が保護されたｐ
−ヒドロキシフェニルグリシルアミド等のアミド類、フ
タルイミド、ニトロフタルイミド等のイミド類を例示で
きる。フェニルグリシルアミド及びｐ−ヒドロキシフェ
ニルグリシルアミドのアミノ基の保護基としては、上記
文献の第７章（第２１８〜２８７頁）に記載されている
各種基を例示できる。また、ｐ−ヒドロキシフェニルグ
リシルアミドの水酸基の保護基としては、上記文献の第
２章（第１０〜７２頁）に記載されている各種基を例示
できる。
【００１１】Ｒ2で示されるハロゲン原子とは例えば、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの原子を挙げることが
できる。Ｒ2で示される低級アルコキシ基としては、例
えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のＣ1〜Ｃ4の
アルコキシ基を例示できる。Ｒ2で示される低級アシル
基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状のＣ
1〜Ｃ4のアシル基を例示できる。
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などの原子を挙げることが
できる。Ｒ2で示される低級アルコキシ基としては、例
えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロ
ポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、sec−ブトキ
シ、tert−ブトキシなどの直鎖又は分枝状のＣ1〜Ｃ4の
アルコキシ基を例示できる。Ｒ2で示される低級アシル
基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル、ブチリル、イソブチリルなどの直鎖又は分枝状のＣ
1〜Ｃ4のアシル基を例示できる。
【００１２】Ｒ2で示される水酸基又は保護された水酸
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、およびＲ2で示される保護された水酸基の保護基
としては、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載
されている基を例示できる。Ｒ2で示される上記置換低
級アルキル基は、水酸基又は上記で示される保護された
水酸基の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基
で、同一又は異なる炭素上に１つ以上置換されていても
よい。低級アルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの直鎖ま
たは分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル基を挙げることができ
る。
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、およびＲ2で示される保護された水酸基の保護基
としては、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載
されている基を例示できる。Ｒ2で示される上記置換低
級アルキル基は、水酸基又は上記で示される保護された
水酸基の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基
で、同一又は異なる炭素上に１つ以上置換されていても
よい。低級アルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブ
チル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチルなどの直鎖ま
たは分枝状のＣ1〜Ｃ4のアルキル基を挙げることができ
る。
【００１３】Ｒ3で示されるカルボン酸の保護基として
は、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、ｐ−メトキ
シベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例示で
きる。
は、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に示され
ている各種基の他、アリル基、ベンジル基、ｐ−メトキ
シベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチ
ル基、トリクロロメチル基、tert−ブチル基等を例示で
きる。
【００１４】Ｒ4で示される置換基を有することのある
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、含窒素
ヘテロ環基等を例示できる。含窒素ヘテロ環基の種類と
しては、ベンゾチアゾール基、トリアゾール基、チアゾ
ール基、テトラゾール基等を例示できる。これらのアリ
−ル基に置換してもよい置換基の種類としては、例えば
ハロゲン原子（例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
（例えばメトキシ基、エトキシ基等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基（例えばメチルチオ
基、エチルチオ基等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖
状アルキルスルホニルオキシ基（例えばメタンスルホニ
ルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
等）、置換基を有してもよい芳香族スルホニルオキシ基
（例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状ア
ルキル基（例えばメチル基、エチル基等）、アミノ基、
置換基としてＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基を１個又は２個有するアミノ基（例えばメチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基等）、水酸基、Ｒ'ＣＯＯ−（Ｒ'はフェニル基、ト
リル基又はＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基）で表されるアシルオキシ基（例えばフェニルカルボ
ニルオキシ基、アセチルオキシ基等）、Ｒ'ＣＯ−（Ｒ'
は前記に同じ）で表されるアシル基（例えばフェニルカ
ルボニル基、アセチル基等）、ニトロ基、シアノ基、フ
ェニル基等を例示できる。これらの置換基はＡrで示さ
れるアリールがフェニル基である場合は１〜５個、特に
１〜３個、Ａrで示されるアリール基がナフチルである
場合は１〜７個、特に１〜３個、同一又は異なる種類で
置換されていてもよい。
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、含窒素
ヘテロ環基等を例示できる。含窒素ヘテロ環基の種類と
しては、ベンゾチアゾール基、トリアゾール基、チアゾ
ール基、テトラゾール基等を例示できる。これらのアリ
−ル基に置換してもよい置換基の種類としては、例えば
ハロゲン原子（例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状アルコキシ基
（例えばメトキシ基、エトキシ基等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖
もしくは分枝鎖状アルキルチオ基（例えばメチルチオ
基、エチルチオ基等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分岐鎖
状アルキルスルホニルオキシ基（例えばメタンスルホニ
ルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基
等）、置換基を有してもよい芳香族スルホニルオキシ基
（例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等）、Ｃ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状ア
ルキル基（例えばメチル基、エチル基等）、アミノ基、
置換基としてＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基を１個又は２個有するアミノ基（例えばメチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミ
ノ基等）、水酸基、Ｒ'ＣＯＯ−（Ｒ'はフェニル基、ト
リル基又はＣ1〜Ｃ4の直鎖もしくは分枝鎖状アルキル
基）で表されるアシルオキシ基（例えばフェニルカルボ
ニルオキシ基、アセチルオキシ基等）、Ｒ'ＣＯ−（Ｒ'
は前記に同じ）で表されるアシル基（例えばフェニルカ
ルボニル基、アセチル基等）、ニトロ基、シアノ基、フ
ェニル基等を例示できる。これらの置換基はＡrで示さ
れるアリールがフェニル基である場合は１〜５個、特に
１〜３個、Ａrで示されるアリール基がナフチルである
場合は１〜７個、特に１〜３個、同一又は異なる種類で
置換されていてもよい。
【００１５】Ｘ, Ｙで示されるハロゲン原子としてはフ
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Ｙで示される
脱離基としては置換基を有してもよい低級アルキルスル
ホニルオキシ基（例えばメタンスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタ
ンスルホニルオキシ基等）、芳香族スルホニルオキシ基
（例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等）、ハロゲン化スルホニルオキシ基（例
えばフルオロメタンスルホニルオキシ基等）、低級アル
キルホスホニルオキシ基（例えばトリメチルオキシ基、
トリエチルオキシ基、トリブチルホスホニルオキシ基
等）、芳香族ホスホニルオキシ基（例えばトリフェニル
ホスホニルオキシ基、トリトリルホスホニルオキシ基
等）等を例示できる。
ッ素、塩素、臭素、ヨウ素を例示できる。Ｙで示される
脱離基としては置換基を有してもよい低級アルキルスル
ホニルオキシ基（例えばメタンスルホニルオキシ基、ト
リフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタ
ンスルホニルオキシ基等）、芳香族スルホニルオキシ基
（例えばベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホ
ニルオキシ基等）、ハロゲン化スルホニルオキシ基（例
えばフルオロメタンスルホニルオキシ基等）、低級アル
キルホスホニルオキシ基（例えばトリメチルオキシ基、
トリエチルオキシ基、トリブチルホスホニルオキシ基
等）、芳香族ホスホニルオキシ基（例えばトリフェニル
ホスホニルオキシ基、トリトリルホスホニルオキシ基
等）等を例示できる。
【００１６】本願の出発原料である一般式（１）で表さ
れるハロゲン化β−ラクタム化合物は、例えば下記に示
す方法で製造することができる。すなわち、文献既知
（Ｓ．Ｔorii et．al.，Ｃhemistry Ｌett.，１９９
０，１８６７）の、一般式（３）で表されるβ−ラクタ
ム化合物を不活性溶媒中、置換基を有してもよいスルホ
ン酸無水物もしくはスルホン酸ハライド及び有機塩基と
作用させることにより、またはハロゲン化燐化合物を作
用させることにより目的の化合物を得ることができる。
れるハロゲン化β−ラクタム化合物は、例えば下記に示
す方法で製造することができる。すなわち、文献既知
（Ｓ．Ｔorii et．al.，Ｃhemistry Ｌett.，１９９
０，１８６７）の、一般式（３）で表されるβ−ラクタ
ム化合物を不活性溶媒中、置換基を有してもよいスルホ
ン酸無水物もしくはスルホン酸ハライド及び有機塩基と
作用させることにより、またはハロゲン化燐化合物を作
用させることにより目的の化合物を得ることができる。
【００１７】
【化７】 〔式中Ｒ1, Ｒ2, Ｒ3, Ｒ4及びｎは前記と同じ。〕
【００１８】具体的には、この反応は適当な溶媒中で行
なわれる。使用できる溶媒としては、例えば蟻酸メチ
ル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の
低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジ
エチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、メチルセロシルブ、ジメトキ
シエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジオキソラン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソール等の置
換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等
のアミド類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド
類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。こ
れらは１種単独で又は２種以上混合して使用される。ま
たこれらの有機溶媒には、必要に応じて水が含有されて
いてもよい。これらの溶媒は、一般式（３）の化合物１
kg当たり、通常１０〜２００リットル程度、好ましくは
２０〜１００リットル程度使用されるのがよい。上記反
応の反応温度は、通常−７８〜６０℃程度、好ましくは
〜−４０〜３０℃程度である。用いる塩基の種類として
は、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエ
チルアミン、ジイソルロピルエチルアミン等のＮ,Ｎ,
Ｎ−トリ低級アルキルアミン類、Ｎ−メチルピペリジ
ン、Ｎ−エチルピペリジン等のＮ−低級アルキルアザシ
クロアルカン類、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモ
ルホリン等のＮ−低級アルキルアザオキシシクロアルカ
ン類、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ−ベ
ンジル−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミン等のＮ−フェニル低級
アルキル−Ｎ,Ｎ−ジ低級アルキルアミン類、Ｎ,Ｎ−ジ
メチルアニリン等のＮ,Ｎ−ジアルキル芳香族アミンま
たはピリジン等の含窒素芳香族アミン、ジアザビシクロ
ウンデセン、ジアザビシクロノネン等の二環式アミン及
びそれらの混合物が例示できる。上記反応における塩基
の使用量としては、通常一般式（３）で表されるβ−ラ
クタム化合物に対して１〜１０当量でよいが、必要なら
ば更に一般式（３）で表されるβ−ラクタム化合物がな
くなるまで塩基を追加するのがよい。得られる一般式
（１）で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物は通常
の精製方法によって単離できるがそのまま次の反応に用
いることもできる。
なわれる。使用できる溶媒としては、例えば蟻酸メチ
ル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の
低級アルキルエステル類、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、ジ
エチルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチ
ルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエー
テル、ジブチルエーテル、メチルセロシルブ、ジメトキ
シエタン等のエーテル類、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ジオキソラン等の環状エーテル類、アセトニトリ
ル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニ
トリル、バレロニトリル等のニトリル類、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソール等の置
換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジクロロメタ
ン、クロロホルム、ジクロロエタン、トリクロロエタ
ン、ジブロモエタン、プロピレンジクロライド、四塩化
炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、
ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチルホルムア
ミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等
のアミド類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド
類、ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。こ
れらは１種単独で又は２種以上混合して使用される。ま
たこれらの有機溶媒には、必要に応じて水が含有されて
いてもよい。これらの溶媒は、一般式（３）の化合物１
kg当たり、通常１０〜２００リットル程度、好ましくは
２０〜１００リットル程度使用されるのがよい。上記反
応の反応温度は、通常−７８〜６０℃程度、好ましくは
〜−４０〜３０℃程度である。用いる塩基の種類として
は、トリメチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエ
チルアミン、ジイソルロピルエチルアミン等のＮ,Ｎ,
Ｎ−トリ低級アルキルアミン類、Ｎ−メチルピペリジ
ン、Ｎ−エチルピペリジン等のＮ−低級アルキルアザシ
クロアルカン類、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモ
ルホリン等のＮ−低級アルキルアザオキシシクロアルカ
ン類、Ｎ−ベンジル−Ｎ,Ｎ−ジメチルアミン、Ｎ−ベ
ンジル−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミン等のＮ−フェニル低級
アルキル−Ｎ,Ｎ−ジ低級アルキルアミン類、Ｎ,Ｎ−ジ
メチルアニリン等のＮ,Ｎ−ジアルキル芳香族アミンま
たはピリジン等の含窒素芳香族アミン、ジアザビシクロ
ウンデセン、ジアザビシクロノネン等の二環式アミン及
びそれらの混合物が例示できる。上記反応における塩基
の使用量としては、通常一般式（３）で表されるβ−ラ
クタム化合物に対して１〜１０当量でよいが、必要なら
ば更に一般式（３）で表されるβ−ラクタム化合物がな
くなるまで塩基を追加するのがよい。得られる一般式
（１）で表されるハロゲン化β−ラクタム化合物は通常
の精製方法によって単離できるがそのまま次の反応に用
いることもできる。
【００１９】こうして得られる一般式（１）で表される
ハロゲン化β−ラクタム化合物のハロゲン原子に、標準
酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少
なくとも等モル量及び前記金属よりも高い標準酸化還元
電位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属化合物
を作用させることにより、また有機溶媒中電解還元法を
用いることにより一般式（２）で表されるエキソメチレ
ンペナム化合物に変換することができる。
ハロゲン化β−ラクタム化合物のハロゲン原子に、標準
酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少
なくとも等モル量及び前記金属よりも高い標準酸化還元
電位を有する０.０００１〜１０倍モル量の金属化合物
を作用させることにより、また有機溶媒中電解還元法を
用いることにより一般式（２）で表されるエキソメチレ
ンペナム化合物に変換することができる。
【００２０】本発明の上記反応では下記に示すように中
間体としてアレン中間体が生成し、それに引き続いて基
Ｓ−ＳＯnＲ4の還元反応が進行し一般式（２）のエキソ
メチレンペナム誘導体を生成しているものと考えられ
る。
間体としてアレン中間体が生成し、それに引き続いて基
Ｓ−ＳＯnＲ4の還元反応が進行し一般式（２）のエキソ
メチレンペナム誘導体を生成しているものと考えられ
る。
【００２１】
【化８】
【００２２】標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣ
Ｅ）以下の金属としては、例えばマグネシウム、アルミ
ニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛等が例示出来る
が、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、錫、を使用す
るのが好ましい。これら金属の形状としては特に制限は
なく、粉状、板状、箔状、塊状、針状等の広範囲から適
宜選択出来るが、より好ましくは粉状金属または箔状金
属を使用するのが良い。粉状金属の粒子径は、広い範囲
から適宜選択できるが、１００〜３００メッシュ程度の
ものを使用するのが望ましい。これら金属の使用量は、
一般式（１）の化合物に対して通常１〜５０倍モル量程
度、好ましくは１〜１０倍モル量程度とするのが良い。
Ｅ）以下の金属としては、例えばマグネシウム、アルミ
ニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、錫、鉛等が例示出来る
が、マグネシウム、アルミニウム、亜鉛、錫、を使用す
るのが好ましい。これら金属の形状としては特に制限は
なく、粉状、板状、箔状、塊状、針状等の広範囲から適
宜選択出来るが、より好ましくは粉状金属または箔状金
属を使用するのが良い。粉状金属の粒子径は、広い範囲
から適宜選択できるが、１００〜３００メッシュ程度の
ものを使用するのが望ましい。これら金属の使用量は、
一般式（１）の化合物に対して通常１〜５０倍モル量程
度、好ましくは１〜１０倍モル量程度とするのが良い。
【００２３】上記金属よりも高い標準酸化還元電位を有
する金属化合物としては、鉛化合物（例えば弗化鉛、塩
化鉛、臭化鉛、ヨウ化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、硫
酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の無機塩
鉛、酢酸鉛、シュウ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸
鉛、酸化鉛、水酸化鉛等）、銅化合物（例えば弗化銅、
塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等のハロゲン化銅、硝酸銅、
硫酸銅、過塩素酸銅、硼酸銅、炭酸銅、燐酸銅等の無機
塩銅、酢酸銅、シュウ酸銅等）、チタン化合物（例えば
弗化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等
のハロゲン化チタン、硝酸チタン、硫酸チタン等の無機
塩チタン、ビスマス化合物（例えば弗化ビスマス、塩化
ビスマス、臭化ビスマス、ヨウ化ビスマス等のハロゲン
化ビスマス、硝酸ビスマス、硫酸ビスマス等の無機塩ビ
スマス、酸化ビスマス等）、アンチモン化合物（例えば
弗化アンチモン、塩化アンチモン、臭化アンチモン、ヨ
ウ化アンチモン等のハロゲン化アンチモン、硫酸アンチ
モン等の無機塩ビスマス、酸化ビスマス等）、ニッケル
化合物（例えば弗化ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッ
ケル、ヨウ化ニッケル等のハロゲン化ニッケル、硝酸ニ
ッケル、硫酸ニッケル、過塩素酸ニッケル、硼酸ニッケ
ル、炭酸ニッケル、燐酸ニッケル等の無機塩ニッケル、
酢酸ニッケル等の脂肪酸ニッケル、テトラクロロニッケ
ル（II）酸テトラエチルアンモニウム、テトラブロモニ
ッケル（II）酸テトラエチルアンモニウム、ヘキサアン
ミンニッケル（II）、トリス（エチレンジアミン）ニッ
ケル（II）硫酸塩、エチレンジアミンテトラアクアニッ
ケル（II）硫酸塩１水和物、ジニトロビス（エチレンジ
アミン）ニッケル（II）、ビス（Ｎ,Ｏ−ジメチルエチ
レンジアミン）ニッケル（II）過塩素酸塩等のニッケル
無機錯体、ジクロロ（ビピリジル）ニッケル（II）、ク
ロロ（ｎ−シクロペンタジエニル）（トリフェニルホス
フィン）ニッケル（II）、ジブロモビス（トリフェニル
ホスフィン）ニッケル（II）、ジクロロビス｛１,１'−
（ジフェニルホスフィノ）フェロセン｝ニッケル（II）
等のニッケル（II）有機錯体、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）ニッケル（０）、トリス（トリフェニル
ホスフィン）ニッケル（０）、ニッケル（０）アセチル
アセトナト、ニッケル（０）ヘキサフルオロアセチルア
セトナト等のニッケル（０）有機錯体等）が例示出来
る。これらの金属化合物は１種または２種以上を混合し
て用いても良い。これらの金属化合物は、一般式（１）
の化合物に対して通常０.０００１〜３０倍モル量、好
ましくは０.００１〜１０倍モル量になるように使用す
るのがよい。
する金属化合物としては、鉛化合物（例えば弗化鉛、塩
化鉛、臭化鉛、ヨウ化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸鉛、硫
酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の無機塩
鉛、酢酸鉛、シュウ酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪酸
鉛、酸化鉛、水酸化鉛等）、銅化合物（例えば弗化銅、
塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等のハロゲン化銅、硝酸銅、
硫酸銅、過塩素酸銅、硼酸銅、炭酸銅、燐酸銅等の無機
塩銅、酢酸銅、シュウ酸銅等）、チタン化合物（例えば
弗化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等
のハロゲン化チタン、硝酸チタン、硫酸チタン等の無機
塩チタン、ビスマス化合物（例えば弗化ビスマス、塩化
ビスマス、臭化ビスマス、ヨウ化ビスマス等のハロゲン
化ビスマス、硝酸ビスマス、硫酸ビスマス等の無機塩ビ
スマス、酸化ビスマス等）、アンチモン化合物（例えば
弗化アンチモン、塩化アンチモン、臭化アンチモン、ヨ
ウ化アンチモン等のハロゲン化アンチモン、硫酸アンチ
モン等の無機塩ビスマス、酸化ビスマス等）、ニッケル
化合物（例えば弗化ニッケル、塩化ニッケル、臭化ニッ
ケル、ヨウ化ニッケル等のハロゲン化ニッケル、硝酸ニ
ッケル、硫酸ニッケル、過塩素酸ニッケル、硼酸ニッケ
ル、炭酸ニッケル、燐酸ニッケル等の無機塩ニッケル、
酢酸ニッケル等の脂肪酸ニッケル、テトラクロロニッケ
ル（II）酸テトラエチルアンモニウム、テトラブロモニ
ッケル（II）酸テトラエチルアンモニウム、ヘキサアン
ミンニッケル（II）、トリス（エチレンジアミン）ニッ
ケル（II）硫酸塩、エチレンジアミンテトラアクアニッ
ケル（II）硫酸塩１水和物、ジニトロビス（エチレンジ
アミン）ニッケル（II）、ビス（Ｎ,Ｏ−ジメチルエチ
レンジアミン）ニッケル（II）過塩素酸塩等のニッケル
無機錯体、ジクロロ（ビピリジル）ニッケル（II）、ク
ロロ（ｎ−シクロペンタジエニル）（トリフェニルホス
フィン）ニッケル（II）、ジブロモビス（トリフェニル
ホスフィン）ニッケル（II）、ジクロロビス｛１,１'−
（ジフェニルホスフィノ）フェロセン｝ニッケル（II）
等のニッケル（II）有機錯体、テトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）ニッケル（０）、トリス（トリフェニル
ホスフィン）ニッケル（０）、ニッケル（０）アセチル
アセトナト、ニッケル（０）ヘキサフルオロアセチルア
セトナト等のニッケル（０）有機錯体等）が例示出来
る。これらの金属化合物は１種または２種以上を混合し
て用いても良い。これらの金属化合物は、一般式（１）
の化合物に対して通常０.０００１〜３０倍モル量、好
ましくは０.００１〜１０倍モル量になるように使用す
るのがよい。
【００２４】標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／ＳＣ
Ｅ）以下の金属と前記金属よりも高い標準酸化還元電位
を有する金属化合物の組み合わせの具体例としては、例
えばＡl／Ｐb化合物、Ａl／Ｂi化合物、Ｚn／Ｐb化合
物、Ｚn／Ｂi化合物、Ｍg／Ｂi化合物、Ｍg／Ｃu化合
物、Ｓn／Ｔi化合物、Ｓn／Ｂi化合物、Ｓn／Ｓb化合物
等の組み合わせ、より好ましくはＡl／Ｐb化合物、Ｚn
／Ｂi化合物の組み合わせが挙げられる。
Ｅ）以下の金属と前記金属よりも高い標準酸化還元電位
を有する金属化合物の組み合わせの具体例としては、例
えばＡl／Ｐb化合物、Ａl／Ｂi化合物、Ｚn／Ｐb化合
物、Ｚn／Ｂi化合物、Ｍg／Ｂi化合物、Ｍg／Ｃu化合
物、Ｓn／Ｔi化合物、Ｓn／Ｂi化合物、Ｓn／Ｓb化合物
等の組み合わせ、より好ましくはＡl／Ｐb化合物、Ｚn
／Ｂi化合物の組み合わせが挙げられる。
【００２５】本反応で用いられる溶媒としては、例えば
蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級アル
キルカルボン酸の低級アルキルエステル類、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン
等のケトン類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエー
テル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロ
ソルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等の環状エーテル
類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、
アニソール等の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、
トリクロロエタン、ジブロモエタン、プロピレンジクロ
ライド、四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素
類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪
族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド
類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド類、ジメチ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらは単独
で又は２種以上混合して使用される。またこれらの溶媒
は、含水溶媒としても使用可能である。これらの溶媒
は、一般式（１）の化合物１kg当たり、通常１０〜２０
０リットル程度、好ましくは２０〜１００リットル程度
使用されるのがよい。
蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級アル
キルカルボン酸の低級アルキルエステル類、アセトン、
メチルエチルケトン、メチルプロピルケトン、メチルブ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン
等のケトン類、ジエチルエーテル、エチルプロピルエー
テル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルセロ
ソルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等の環状エーテル
類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリ
ル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル
類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、
アニソール等の置換もしくは非置換の芳香族炭化水素
類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、
トリクロロエタン、ジブロモエタン、プロピレンジクロ
ライド、四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素
類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪
族炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シク
ロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド
類、Ｎ−メチルピロリジノン等の環状アミド類、ジメチ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらは単独
で又は２種以上混合して使用される。またこれらの溶媒
は、含水溶媒としても使用可能である。これらの溶媒
は、一般式（１）の化合物１kg当たり、通常１０〜２０
０リットル程度、好ましくは２０〜１００リットル程度
使用されるのがよい。
【００２６】上記反応の反応温度は、通常−１０〜８０
℃、好ましくは０〜５０℃の範囲で行なわれる。室温付
近の反応温度でも本発明の反応は良好に進行する。また
必要により密封容器中、または不活性ガス例えば窒素ガ
ス中で行なうこともできる。得られる一般式（２）で表
されるエキソメチレンペナム誘導体は通常の精製操作に
より単離することができる。本発明の反応においては、
前記化合物（１）を有機溶媒中で電解還元することによ
っても、目的の上記一般式(２)のエキソメチレンペナム
誘導体が製造出来る。本発明の電解還元反応に用いられ
る有機溶媒としては、上記標準酸化還元電位が−０.３
（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前
記金属よりも高い標準酸化還元電位を有する０.０００
１〜１０倍モル量の金属化合物により還元する反応で用
いた溶媒をすべて用いることが出来る。
℃、好ましくは０〜５０℃の範囲で行なわれる。室温付
近の反応温度でも本発明の反応は良好に進行する。また
必要により密封容器中、または不活性ガス例えば窒素ガ
ス中で行なうこともできる。得られる一般式（２）で表
されるエキソメチレンペナム誘導体は通常の精製操作に
より単離することができる。本発明の反応においては、
前記化合物（１）を有機溶媒中で電解還元することによ
っても、目的の上記一般式(２)のエキソメチレンペナム
誘導体が製造出来る。本発明の電解還元反応に用いられ
る有機溶媒としては、上記標準酸化還元電位が−０.３
（Ｖ／ＳＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前
記金属よりも高い標準酸化還元電位を有する０.０００
１〜１０倍モル量の金属化合物により還元する反応で用
いた溶媒をすべて用いることが出来る。
【００２７】本発明の電解還元反応を行なうに際して
は、反応系内に支持電解質が添加される。例えば過塩素
酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウ
ム等の過塩素酸金属塩、過塩素酸アンモニウム、過塩素
酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルア
ンモニウム等の過塩素酸アンモニウム塩、塩化アンモニ
ウム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、塩化テ
トラエチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウ
ム等のハロゲン化アンモニウム塩、硼弗化リチウム、硼
弗化ナトリウム等の硼弗化金属塩、硼弗化テトラエチル
アンモニウム、硼弗化テトラブチルアンモニウム等の硼
弗化アンモニウム塩、トリエチルアミン、コリジン、ル
チジン、ピリジン、ピペリジン、Ｎ−メチルモルホリ
ン、１,５−ジアザビシクロ〔３,４,０〕ノネン−５
（ＤＢＮ）、１,５−ジアザビシクロ〔５,４,０〕ウン
デセン−５（ＤＢＵ）等のアミン類、酢酸、モノクロル
酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類等を例示でき
る。これらの指示電解質は、１種単独でまたは２種以上
混合して使用されるが、好ましくは上記カルボン酸類が
使用される。支持電解質の使用量としては、溶媒中、通
常０.１〜１００重量％程度好ましくは０.１〜５０重量
％程度とするのがよい。
は、反応系内に支持電解質が添加される。例えば過塩素
酸リチウム、過塩素酸ナトリウム、過塩素酸マグネシウ
ム等の過塩素酸金属塩、過塩素酸アンモニウム、過塩素
酸テトラエチルアンモニウム、過塩素酸テトラブチルア
ンモニウム等の過塩素酸アンモニウム塩、塩化アンモニ
ウム、臭化アンモニウム、ヨウ化アンモニウム、塩化テ
トラエチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウ
ム等のハロゲン化アンモニウム塩、硼弗化リチウム、硼
弗化ナトリウム等の硼弗化金属塩、硼弗化テトラエチル
アンモニウム、硼弗化テトラブチルアンモニウム等の硼
弗化アンモニウム塩、トリエチルアミン、コリジン、ル
チジン、ピリジン、ピペリジン、Ｎ−メチルモルホリ
ン、１,５−ジアザビシクロ〔３,４,０〕ノネン−５
（ＤＢＮ）、１,５−ジアザビシクロ〔５,４,０〕ウン
デセン−５（ＤＢＵ）等のアミン類、酢酸、モノクロル
酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類等を例示でき
る。これらの指示電解質は、１種単独でまたは２種以上
混合して使用されるが、好ましくは上記カルボン酸類が
使用される。支持電解質の使用量としては、溶媒中、通
常０.１〜１００重量％程度好ましくは０.１〜５０重量
％程度とするのがよい。
【００２８】本発明の方法による電解還元においては、
通常の電解反応に用いられる電極を広く利用できる。具
体的には、陽極材料として、白金、スズ、アルミニウ
ム、ステンレス、ニッケル、酸化鉛、炭素、酸化鉄、チ
タン等が、また陰極材料としては、白金、スズ、アルミ
ニウム、ステンレス、亜鉛、鉛、銅、炭素等が使用でき
るが、好ましくは陰極素材として、スズ、亜鉛、鉛、銅
等を使用するのが良い。本発明の電解還元を行なうに際
しては、使用する陰極素材の酸化還元電位と同じかそれ
以下の酸化還元電位を有する金属ハロゲン化物、無機塩
との塩、有機酸との塩または酸化物を添加すると、電流
効率が向上する場合がある。上記添加物としては、例え
ばスズ、亜鉛、鉛、ビスマス、チタン等の金属ハロゲン
化物（例えば弗化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等）、
無機塩との塩（例えば硝酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、硼
酸塩、燐酸塩、炭酸塩等）、有機酸との塩（例えばシュ
ウ酸塩、ステアリン酸塩、酢酸塩等）、酸化物等が例示
できる。これら添加物は１種単独または２種以上混合し
て使用されうる。かかる添加物は一般式（１）に対して
０.１〜１倍モル程度用いるのが良い。上記添加物を用
いる場合には、特に支持電解質を使用しなくても良い場
合がある。本発明の電解還元は陽極と陰極を隔膜で分離
してもよいが、とくに分離する必要はなく、単一槽中で
行なえることを特徴としている。反応温度は通常−１０
℃〜５０℃の範囲内である。
通常の電解反応に用いられる電極を広く利用できる。具
体的には、陽極材料として、白金、スズ、アルミニウ
ム、ステンレス、ニッケル、酸化鉛、炭素、酸化鉄、チ
タン等が、また陰極材料としては、白金、スズ、アルミ
ニウム、ステンレス、亜鉛、鉛、銅、炭素等が使用でき
るが、好ましくは陰極素材として、スズ、亜鉛、鉛、銅
等を使用するのが良い。本発明の電解還元を行なうに際
しては、使用する陰極素材の酸化還元電位と同じかそれ
以下の酸化還元電位を有する金属ハロゲン化物、無機塩
との塩、有機酸との塩または酸化物を添加すると、電流
効率が向上する場合がある。上記添加物としては、例え
ばスズ、亜鉛、鉛、ビスマス、チタン等の金属ハロゲン
化物（例えば弗化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物等）、
無機塩との塩（例えば硝酸塩、硫酸塩、過塩素酸塩、硼
酸塩、燐酸塩、炭酸塩等）、有機酸との塩（例えばシュ
ウ酸塩、ステアリン酸塩、酢酸塩等）、酸化物等が例示
できる。これら添加物は１種単独または２種以上混合し
て使用されうる。かかる添加物は一般式（１）に対して
０.１〜１倍モル程度用いるのが良い。上記添加物を用
いる場合には、特に支持電解質を使用しなくても良い場
合がある。本発明の電解還元は陽極と陰極を隔膜で分離
してもよいが、とくに分離する必要はなく、単一槽中で
行なえることを特徴としている。反応温度は通常−１０
℃〜５０℃の範囲内である。
【００２９】本電解反応は、定電流電解法及び定電圧電
解法のいずれをも採用することができるが、装置や操作
の簡便さの点で定電流電解法を採用するのが好ましい。
電解は、直流または交流電解が可能であるが電流方向を
１〜３０秒毎に切り替えて行なうことも出来る。電流密
度は、通常１〜５００mＡ／cm2、好ましくは１〜５０m
Ａ／cm2の範囲とするのが良い。電気量は用いる電解槽
の形状、出発物質である化合物（１）の種類、用いる溶
媒の種類等により異なり一概に言えないが、通常２〜１
０Ｆ／mol、好ましくは２〜５Ｆ／molとするのがよく、
上記電気量を通電すれば反応は完結する。得られる一般
式（２）で表されるエキソメチレンペナム誘導体は通常
の精製操作により単離することができる。
解法のいずれをも採用することができるが、装置や操作
の簡便さの点で定電流電解法を採用するのが好ましい。
電解は、直流または交流電解が可能であるが電流方向を
１〜３０秒毎に切り替えて行なうことも出来る。電流密
度は、通常１〜５００mＡ／cm2、好ましくは１〜５０m
Ａ／cm2の範囲とするのが良い。電気量は用いる電解槽
の形状、出発物質である化合物（１）の種類、用いる溶
媒の種類等により異なり一概に言えないが、通常２〜１
０Ｆ／mol、好ましくは２〜５Ｆ／molとするのがよく、
上記電気量を通電すれば反応は完結する。得られる一般
式（２）で表されるエキソメチレンペナム誘導体は通常
の精製操作により単離することができる。
【００３０】
【実施例】以下に実施例を示して本発明を詳しく説明す
る。尚、ＰｈはＣ6Ｈ5−、Ｅｔはエチル、Ｂｕはブチ
ル、ｂｐｙは（ビピリジル）を示す。 実施例１ 化合物（１ａ）( Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ
3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｒ4＝Ｐh，Ｘ＝Ｃl，Ｙ＝
Ｃl）１００mg、臭化鉛１００mg及びアルミニウム粉末
１００mgを１０mlナス型フラスコに秤り取り、Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミド２mlを加え室温下１時間撹拌す
る。反応液を１規定塩酸中にそそぎ、酢酸エチルにより
抽出を行ない、水洗２回、飽和食塩水洗１回を行なった
後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥を行なった。得られた
抽出液は減圧下にて溶媒を留去した後、残査をシリカゲ
ルカラムクロマトにより精製分離すると化合物２ａ（６
７mg、９９％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
５.２５（ｍ, ２Ｈ）, ５.３５（ｍ, １Ｈ）, ５.５９
（ｄ, Ｊ＝４.０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ, Ｊ＝
４.０, ８.９Ｈｚ, １Ｈ）, ６.１２（ｄ, Ｊ＝８.９Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.８４（ｓ, １Ｈ）, ７.２２〜７.４０
（ｍ, １５Ｈ）
る。尚、ＰｈはＣ6Ｈ5−、Ｅｔはエチル、Ｂｕはブチ
ル、ｂｐｙは（ビピリジル）を示す。 実施例１ 化合物（１ａ）( Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ
3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｒ4＝Ｐh，Ｘ＝Ｃl，Ｙ＝
Ｃl）１００mg、臭化鉛１００mg及びアルミニウム粉末
１００mgを１０mlナス型フラスコに秤り取り、Ｎ,Ｎ−
ジメチルホルムアミド２mlを加え室温下１時間撹拌す
る。反応液を１規定塩酸中にそそぎ、酢酸エチルにより
抽出を行ない、水洗２回、飽和食塩水洗１回を行なった
後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥を行なった。得られた
抽出液は減圧下にて溶媒を留去した後、残査をシリカゲ
ルカラムクロマトにより精製分離すると化合物２ａ（６
７mg、９９％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
５.２５（ｍ, ２Ｈ）, ５.３５（ｍ, １Ｈ）, ５.５９
（ｄ, Ｊ＝４.０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ, Ｊ＝
４.０, ８.９Ｈｚ, １Ｈ）, ６.１２（ｄ, Ｊ＝８.９Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.８４（ｓ, １Ｈ）, ７.２２〜７.４０
（ｍ, １５Ｈ）
【００３１】実施例２ 出発物質を化合物（１ｂ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh 2, Ｒ4＝Ｐh， Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃ
l）に変えて実施例１と同様の反応を行なった結果化合
物２ｂ（６８mg, ９７％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
３.８０（ｓ, ３Ｈ）, ５.１１（ｓ, ２Ｈ）, ５.１８
（ｄｄ, Ｊ＝１.５, １.７Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２４（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.５, ２.２Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３５（ｄｄ,
Ｊ＝１.７，２.２Ｈｚ，１Ｈ）, ５.５７（ｄ, Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ, Ｊ＝４.０,９.３Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.０７（ｄ, Ｊ＝９.３Ｈｚ, １Ｈ）,
６.８５〜７.４０（ｍ, ９Ｈ）
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh 2, Ｒ4＝Ｐh， Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃ
l）に変えて実施例１と同様の反応を行なった結果化合
物２ｂ（６８mg, ９７％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６１（ｓ, ２Ｈ）,
３.８０（ｓ, ３Ｈ）, ５.１１（ｓ, ２Ｈ）, ５.１８
（ｄｄ, Ｊ＝１.５, １.７Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２４（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.５, ２.２Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３５（ｄｄ,
Ｊ＝１.７，２.２Ｈｚ，１Ｈ）, ５.５７（ｄ, Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７５（ｄｄ, Ｊ＝４.０,９.３Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.０７（ｄ, Ｊ＝９.３Ｈｚ, １Ｈ）,
６.８５〜７.４０（ｍ, ９Ｈ）
【００３２】実施例３ 出発物質を化合物（１ｃ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ3,Ｒ4＝Ｐh, Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃl）に
変えて実施例１と同様の反応を行なった結果化合物２ｃ
（６０mg, ９８％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６３（ＡＢｑ，Ｊ＝
２.７Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.７８（ｓ, ３Ｈ）, ５.１９
（ｄｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２８（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.４０（ｄｄ,
Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ,１Ｈ）, ５.６０（ｄ, Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７７（ｄｄ, Ｊ＝４.０, ８.８Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.２０（ｄ, Ｊ＝８.８Ｈｚ, １Ｈ）,
７.２７〜７.３７（ｍ, ５Ｈ）
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ3,Ｒ4＝Ｐh, Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃl）に
変えて実施例１と同様の反応を行なった結果化合物２ｃ
（６０mg, ９８％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.６３（ＡＢｑ，Ｊ＝
２.７Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.７８（ｓ, ３Ｈ）, ５.１９
（ｄｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２８（ｄ
ｄ, Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ, １Ｈ）, ５.４０（ｄｄ,
Ｊ＝１.９, １.９Ｈｚ,１Ｈ）, ５.６０（ｄ, Ｊ＝４.
０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.７７（ｄｄ, Ｊ＝４.０, ８.８Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ６.２０（ｄ, Ｊ＝８.８Ｈｚ, １Ｈ）,
７.２７〜７.３７（ｍ, ５Ｈ）
【００３３】実施例４ 出発物質を化合物（１ｄ）（Ｒ1＝Ｈ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝
ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｒ4＝Ｐh, Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃ
l）に変えて実施例１と同様の反応を行なった結果化合
物２ｄ（５４mg, ９０％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.１６（ｄｄ, Ｊ＝１.
５, １６.０Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.６６（ｄｄ, Ｊ＝ ４.
０, １６.０ Ｈｚ, １Ｈ）, ３.８２（ｓ, ３Ｈ）,
５.１３（ｓ, ２Ｈ）, ５.２４（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.
８Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２８（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ５.３２（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８Ｈｚ,
１Ｈ）, ５.３８（ｄｄ, Ｊ＝１.５, ４.０Ｈｚ, １
Ｈ）, ６.８７〜７.３０（ｍ, ４Ｈ）
ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｒ4＝Ｐh, Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃ
l）に変えて実施例１と同様の反応を行なった結果化合
物２ｄ（５４mg, ９０％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.１６（ｄｄ, Ｊ＝１.
５, １６.０Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.６６（ｄｄ, Ｊ＝ ４.
０, １６.０ Ｈｚ, １Ｈ）, ３.８２（ｓ, ３Ｈ）,
５.１３（ｓ, ２Ｈ）, ５.２４（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.
８Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２８（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８Ｈ
ｚ, １Ｈ）, ５.３２（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８Ｈｚ,
１Ｈ）, ５.３８（ｄｄ, Ｊ＝１.５, ４.０Ｈｚ, １
Ｈ）, ６.８７〜７.３０（ｍ, ４Ｈ）
【００３４】実施例５ 出発物質を化合物（１ｅ）（Ｒ1＝Ｈ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝
ＣＨＰh2，Ｒ4＝Ｐｈ,Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃl）に変えて実施
例１と同様の反応を行なった結果化合物２ｅ（５５mg,
８７％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.１２（ｄｄ, Ｊ＝１.
５, １６.０Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.６０（ｄｄ, Ｊ＝４.１,
１６.０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２３（ｄｄ, Ｊ＝１.８,
１.８Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３２（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８
Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３６（ｄｄ, Ｊ＝１.５, ４.１Ｈｚ,
１Ｈ）, ５.３７（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８Ｈｚ, １
Ｈ）, ６.８７（ｓ, １Ｈ）, ７.２７−７.３５（ｍ,
１０Ｈ）.
ＣＨＰh2，Ｒ4＝Ｐｈ,Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｃl）に変えて実施
例１と同様の反応を行なった結果化合物２ｅ（５５mg,
８７％）が得られた。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣl3）δ：３.１２（ｄｄ, Ｊ＝１.
５, １６.０Ｈｚ, ２Ｈ）, ３.６０（ｄｄ, Ｊ＝４.１,
１６.０Ｈｚ, １Ｈ）, ５.２３（ｄｄ, Ｊ＝１.８,
１.８Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３２（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８
Ｈｚ, １Ｈ）, ５.３６（ｄｄ, Ｊ＝１.５, ４.１Ｈｚ,
１Ｈ）, ５.３７（ｄｄ, Ｊ＝１.８, １.８Ｈｚ, １
Ｈ）, ６.８７（ｓ, １Ｈ）, ７.２７−７.３５（ｍ,
１０Ｈ）.
【００３５】実施例６ 出発物質を化合物（１ｆ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ, Ｒ4＝Ｐh, Ｘ
＝Ｃl, Ｙ＝ＯＳＯ2ＣＦ3）に変えて実施例１と同様の
反応を行なった結果化合物２ａ（４９mg, ８６％）が得
られた。得られた２ａのスペクトルデータは実施例１の
それに完全に一致した。
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ, Ｒ4＝Ｐh, Ｘ
＝Ｃl, Ｙ＝ＯＳＯ2ＣＦ3）に変えて実施例１と同様の
反応を行なった結果化合物２ａ（４９mg, ８６％）が得
られた。得られた２ａのスペクトルデータは実施例１の
それに完全に一致した。
【００３６】実施例７ 出発物質を化合物（１ｇ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｒ4＝Ｐh，Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｏ
ＳＯ2ＣＦ3）に変えて実施例１と同様の反応を行なった
結果化合物２ｂ（５１mg, ８５％）が得られた。得られ
た２ａのスペクトルデータは実施例１のそれに完全に一
致した。
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｒ4＝Ｐh，Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝Ｏ
ＳＯ2ＣＦ3）に変えて実施例１と同様の反応を行なった
結果化合物２ｂ（５１mg, ８５％）が得られた。得られ
た２ａのスペクトルデータは実施例１のそれに完全に一
致した。
【００３７】実施例８ 出発物質を化合物（１ｈ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｒ4＝Ｐh, Ｘ
＝Ｃl, Ｙ＝ＯＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3−ｐ）に変えて実施例
１と同様の反応を行なった結果化合物２ａ（５０mg, ７
６％）が得られた。得られた２ａのスペクトルデータは
実施例１のそれに完全に一致した。
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ，Ｒ4＝Ｐh, Ｘ
＝Ｃl, Ｙ＝ＯＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3−ｐ）に変えて実施例
１と同様の反応を行なった結果化合物２ａ（５０mg, ７
６％）が得られた。得られた２ａのスペクトルデータは
実施例１のそれに完全に一致した。
【００３８】実施例９ 出発物質を化合物（１ｉ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ,
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｒ4＝Ｐh, Ｘ＝Ｃｌ, Ｙ＝Ｏ
ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3−ｐ）に変えて実施例１と同様の反応
を行なった結果化合物２ｂ（５２mg, ７２％）が得られ
た。得られた２ａのスペクトルデータは実施例１のそれ
に完全に一致した。
Ｒ2＝Ｈ, Ｒ3＝ＣＨＰh2, Ｒ4＝Ｐh, Ｘ＝Ｃｌ, Ｙ＝Ｏ
ＳＯ2Ｃ6Ｈ4ＣＨ3−ｐ）に変えて実施例１と同様の反応
を行なった結果化合物２ｂ（５２mg, ７２％）が得られ
た。得られた２ａのスペクトルデータは実施例１のそれ
に完全に一致した。
【００３９】実施例１０〜１８ 以下に還元剤を変えた以外は実施例１と同様に行った。 実施例 金属化合物 使用量 金属 収率（％） １０ ＰbＢr2 ０.１eq. Ａl ９２ １１ ＰbＢr2 １eq. Ｚn ７５ １２ ＰbＣl2 １eq. Ａl ８０ １３ Ｐb（ＯＡc）2 １eq. Ａl ７０ １４ ＢiＣl3 １eq. Ａl ７２ １５ ＢiＣl3 １eq. Ｚn ８３ １６ ＢiＣl3 １eq. Ｓn ７２ １７ ＡlＣl3 １eq. Ｚn ８５ １８ ＡlＣl3 １eq. Ｍg ７１
【００４０】実施例１９〜２４ 以下に溶媒を変えた以外は実施例１と同様に行なった。 実施例 溶媒 収率（％） １９ ＮＭＰ ９８ ２０ ＤＭＡ ９３ ２１ ＨＭＰＡ ８２ ２２ ＤＭＦ／ＣＨ2Ｃｌ2 ７９ ２３ ＤＭＦ／ＣＦ3ＣＯＯＨ ９８ ２４ ＮＭＰ／ＣＦ3ＣＯＯＨ ９５
【００４１】実施例２５ 化合物（１ａ）（Ｒ1＝ＰhＣＨ2ＣＯＮＨ, Ｒ2＝Ｈ, Ｒ
3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ, Ｒ4＝Ｐh，Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝
Ｃl）１００mg, 臭化鉛１１mg及びテトラエチルアンモ
ニウムトシレート５０mgを２０ml枝付き試験管に秤り取
り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１０mlを加え攪拌溶
解する。このものにアルミニウム陽極及び白金陰極を付
し、７.５mＡ（５mＡ／cm2）の電流下、５Ｆ／molの電
気量を通電する。反応液を１規定塩酸中にそそぎ、酢酸
エチルにより抽出を行ない、水洗２回、飽和食塩水洗１
回を行なった後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥を行なっ
た。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去した後、残
査をシリカゲルカラムクロマトにより精製分離すると化
合物２ａ（５４mg, ８０％）が得られた。
3＝ＣＨ2Ｃ6Ｈ4ＯＣＨ3−ｐ, Ｒ4＝Ｐh，Ｘ＝Ｃl, Ｙ＝
Ｃl）１００mg, 臭化鉛１１mg及びテトラエチルアンモ
ニウムトシレート５０mgを２０ml枝付き試験管に秤り取
り、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１０mlを加え攪拌溶
解する。このものにアルミニウム陽極及び白金陰極を付
し、７.５mＡ（５mＡ／cm2）の電流下、５Ｆ／molの電
気量を通電する。反応液を１規定塩酸中にそそぎ、酢酸
エチルにより抽出を行ない、水洗２回、飽和食塩水洗１
回を行なった後、無水硫酸ナトリウム上で乾燥を行なっ
た。得られた抽出液は減圧下にて溶媒を留去した後、残
査をシリカゲルカラムクロマトにより精製分離すると化
合物２ａ（５４mg, ８０％）が得られた。
【００４２】実施例２６〜３６ 以下に他の条件をそのままに、電極を変えて行なった実
施例を示す。 実施例 陽極 陰極 収率（％） ２６ Ａl Ｃ ７０ ２７ Ａl Ａl ７５ ２８ Ａl Ｐb ７２ ２９ Ａl Ｚn ７８ ３０ Ａl Ｓn ７６ ３１ Ｓn Ｐt ６９ ３２ Ｓn Ｐb ７４ ３３ Ｓn Ｓn ７２ ３４ Ｚn Ｐb ７５ ３５ Ｚn Ｚn ７０ ３６ Ｐb Ｐb ７６
施例を示す。 実施例 陽極 陰極 収率（％） ２６ Ａl Ｃ ７０ ２７ Ａl Ａl ７５ ２８ Ａl Ｐb ７２ ２９ Ａl Ｚn ７８ ３０ Ａl Ｓn ７６ ３１ Ｓn Ｐt ６９ ３２ Ｓn Ｐb ７４ ３３ Ｓn Ｓn ７２ ３４ Ｚn Ｐb ７５ ３５ Ｚn Ｚn ７０ ３６ Ｐb Ｐb ７６
【００４３】実施例３７〜４４ 以下に他の条件をそのままに、支持電解質を変えて行な
った実施例を示す。 実施例 電解質 収率（％） ３７ Ｅt4ＮＢr ６５ ３８ Ｅt4ＮＣlＯ4 ７３ ３９ Ｂu4ＮＢr ６２ ４０ ＬiＣlＯ4 ６８ ４１ Ｈ2ＳＯ4 ７０ ４２ ＣＨ3ＣＯＯＨ ７３ ４３ ＣＨ3ＣＯＯＨ ７０ ４４ Ｂu4ＮＢＦ6 ６２
った実施例を示す。 実施例 電解質 収率（％） ３７ Ｅt4ＮＢr ６５ ３８ Ｅt4ＮＣlＯ4 ７３ ３９ Ｂu4ＮＢr ６２ ４０ ＬiＣlＯ4 ６８ ４１ Ｈ2ＳＯ4 ７０ ４２ ＣＨ3ＣＯＯＨ ７３ ４３ ＣＨ3ＣＯＯＨ ７０ ４４ Ｂu4ＮＢＦ6 ６２
【００４４】実施例４５〜５１ 以下に他の条件をそのままに、添加物を変えて行なった
実施例を示す。 実施例 添加物 収率（％） ４５ ＰbＣl2 ７８ ４６ ＰbＩ2 ７５ ４７ ＢiＣl3 ７２ ４８ ＴiＣl4 ７４ ４９ ＳbＣl3 ６８ ５０ ＮiＣl2（bpy） ７１ ５１ ＺrＣl4 ６２
実施例を示す。 実施例 添加物 収率（％） ４５ ＰbＣl2 ７８ ４６ ＰbＩ2 ７５ ４７ ＢiＣl3 ７２ ４８ ＴiＣl4 ７４ ４９ ＳbＣl3 ６８ ５０ ＮiＣl2（bpy） ７１ ５１ ＺrＣl4 ６２
【００４５】実施例５２〜５７ 以下に他の条件をそのままに、溶媒を変えて行なった実
施例を示す。 実施例 溶媒 収率（％） ５２ ＮＭＰ ９５ ５３ ＤＭＡ ９０ ５４ ＨＭＰＡ ７８ ５５ ＤＭＦ／ＣＨ3ＣＯＯＨ ９６ ５６ ＤＭＦ／ＣＦ3ＣＯＯＨ ９８ ５７ ＮＭＰ／ＣＦ3ＣＯＯＨ ９８
施例を示す。 実施例 溶媒 収率（％） ５２ ＮＭＰ ９５ ５３ ＤＭＡ ９０ ５４ ＨＭＰＡ ７８ ５５ ＤＭＦ／ＣＨ3ＣＯＯＨ ９６ ５６ ＤＭＦ／ＣＦ3ＣＯＯＨ ９８ ５７ ＮＭＰ／ＣＦ3ＣＯＯＨ ９８
【００４６】応用例１ 本発明で得られる例えばエキソメチレンペナム（２ｅ）
を出発物質とし、β−ラクタマーゼ阻害活性を有するペ
ネム化合物を合成する方法はＢioorganic andＭedicina
l Ｃhemistry Ｌetters, ３，２２５３（１９９３）に
記載されている。この合成法の概略は以下の様にエキソ
メチレンペナム化合物（Ａ）をオゾン分解しケトン体
（Ｂ）とする。トリフルオロメタンスルホン酸無水物と
塩基存在下反応を行いエノールトリフレート体（Ｃ）と
した後、種々のチオール（ＲＳＨ）と反応を行いペネム
化合物（Ｄ）に導く。このものの脱保護、精製を行うと
β−ラクタマーゼ阻害活性を有する化合物（Ｅ）が得ら
れる。
を出発物質とし、β−ラクタマーゼ阻害活性を有するペ
ネム化合物を合成する方法はＢioorganic andＭedicina
l Ｃhemistry Ｌetters, ３，２２５３（１９９３）に
記載されている。この合成法の概略は以下の様にエキソ
メチレンペナム化合物（Ａ）をオゾン分解しケトン体
（Ｂ）とする。トリフルオロメタンスルホン酸無水物と
塩基存在下反応を行いエノールトリフレート体（Ｃ）と
した後、種々のチオール（ＲＳＨ）と反応を行いペネム
化合物（Ｄ）に導く。このものの脱保護、精製を行うと
β−ラクタマーゼ阻害活性を有する化合物（Ｅ）が得ら
れる。
【００４７】
【化９】
【００４８】
【発明の効果】本発明の一般式（１）のハロゲン化β−
ラクタム化合物を出発原料とし、新規金属還元系及び新
規電解還元系を構築、開発することにより、アレン化、
エキソメチレンペナム化を同時に効率良く行って、一般
式（２）のエキソメチレンペナム誘導体が安全、簡便な
操作により、しかも高収率、高純度で製造される。
ラクタム化合物を出発原料とし、新規金属還元系及び新
規電解還元系を構築、開発することにより、アレン化、
エキソメチレンペナム化を同時に効率良く行って、一般
式（２）のエキソメチレンペナム誘導体が安全、簡便な
操作により、しかも高収率、高純度で製造される。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｂ 3/04
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（１）で表されるハロゲン化β−
ラクタム化合物を標準酸化還元電位が−０.３（Ｖ／Ｓ
ＣＥ）以下の金属の少なくとも等モル量及び前記金属よ
りも高い標準酸化還元電位を有する０.０００１〜１０
倍モル量の金属化合物により還元し、または、電解還元
法を用いることにより、一般式（２）で表されるエキソ
メチレンペナム化合物を得ることを特徴とするエキソメ
チレンペナム化合物の製造法。 【化１】 〔式中Ｒ1は水素原子、アミノ基又は保護されたアミノ
基を示す。Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子、低級アルコ
キシ基、低級アシル基、又は置換基として水酸基もしく
は保護された水酸基を有する低級アルキル基を示す。Ｒ
3は水素原子又はカルボン酸保護基を示す。Ｒ4は置換基
を有することのあるアリール基を示す。Ｘはハロゲン原
子、Ｙはハロゲン原子または脱離基を示す。ｎは０〜２
を示す。〕 【化２】 〔式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記と同じ。〕
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