JPH062183A - ２−エキソメチレンペナム誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、２−エキソメチレンペナム誘導体を
簡便な操作で、且つ工業的に有利な方法で、しかも高収
率、高純度で製造し得る方法を提供することを目的とす
る。 【構成】本発明の方法は、一般式 【化１】 で表わされるアレニルβ−ラクタム化合物を電解還元さ
せて、一般式 【化２】 で表わされる２−エキソメチレンペナム誘導体を得る方
法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、２−エキソメチレンペ
ナム誘導体の新規な製造法に関する。

【０００２】

【従来技術とその課題】従来、一般式（２）

【０００３】

【化３】

【０００４】〔式中Ｒ¹ は水素原子、ハロゲン原子、ア
ミノ基又は保護されたアミノ基を示す。Ｒ² は水素原
子、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、低級アシル基、
低級アルキル基、水酸基もしくは保護された水酸基を置
換基として有する低級アルキル基、水酸基又は保護され
た水酸基を示す。或いはＲ¹ とＲ² とが互いに結合して
オキソ基を形成してもよい。Ｒ³ は水素原子又はカルボ
ン酸保護基を示す。〕で表わされる２−エキソメチレン
ペナム誘導体としては、Ｒ¹ がアミノ基で、Ｒ² が水素
原子である化合物しか知られておらず、その合成法とし
てもＪ．Ｃhem.Ｓoc.,Ｃhem.Ｃommun.,81 （1987) に記
載されている方法しか知られていない。しかしながら、
この方法によれば目的化合物が低収率で得られるに過ぎ
ず、また反応工程の随所で煩雑な反応操作や分離操作が
必要であり、到底実用的な製造法としては満足できるも
のではなかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来法のごとき難点がなく、安全、簡便な操作で、且つ
工業的に有利な方法で、しかも高収率、高純度で上記２
−エキソメチレンペナム誘導体を製造し得る方法を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式
（１）

【０００７】

【化４】

【０００８】〔式中Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は前記に同
じ。〕で表わされるアレニルβ−ラクタム化合物を電解
還元させて、一般式（２）で表わされる２−エキソメチ
レンペナム誘導体を得ることを特徴とする２−エキソメ
チレンペナム誘導体の製造法に係る。

【０００９】本発明において、出発原料として用いられ
る上記一般式（１）で表わされるアレニルβ−ラクタム
化合物は、文献未記載の新規化合物であり、例えば、一
般式（３）で表わされるアゼチジノン誘導体を塩基と反
応させることにより製造することができる。

【００１０】

【化５】

【００１１】〔式中Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 及びＸは前記に同
じ。Ｒ⁵ は置換基を有してもよい低級アルキル基又は置
換基を有していてもよいアリール基を示す。〕一般式
（３）の化合物は、例えば特開昭６１−１６５３６７号
公報に記載の方法に従い製造される。

【００１２】本明細書において示される各基は、より具
体的にはそれぞれ次の通りである。尚、以下の説明にお
いて特に断らない限り、ハロゲン原子としては、例えば
弗素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられ
る。低級アルキル基としては、例えばメチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチ
ル、sec −ブチル、tert−ブチル基等のＣ_1-4 の直鎖又
は分枝鎖状アルキル基が挙げられる。またアリール基と
しては、例えばフェニル、ナフチル基等が挙げられる。

【００１３】Ｒ¹ で示される保護されたアミノ基として
は、プロテクティブ グループ イン オーガニック
シンセシス（Protective Groups in Organic Synthesi
s 、Theodora W.Greene 著、以下単に「文献」という）
の第７章（第２１８〜２８７頁）に記載されている各種
の基の他、フェノキシアセトアミド、ｐ−メチルフェノ
キシアセトアミド、ｐ−メトキシフェノキシアセトアミ
ド、ｐ−クロロフェノキシアセトアミド、ｐ−ブロモフ
ェノキシアセトアミド、フェニルアセトアミド、ｐ−メ
チルフェニルアセトアミド、ｐ−メトキシフェニルアセ
トアミド、ｐ−クロロフェニルアセトアミド、ｐ−ブロ
モフェニルアセトアミド、フェニルモノクロロアセトア
ミド、フェニルジクロロアセトアミド、フェニルヒドロ
キシアセトアミド、チェニルアセトアミド、フェニルア
セトキシアセトアミド、α−オキソフェニルアセトアミ
ド、ベンズアミド、ｐ−メチルベンズアミド、ｐ−メト
キシベンズアミド、ｐ−クロロベンズアミド、ｐ−ブロ
モベンズアミド、フェニルグリシルアミドやアミノ基の
保護されたフェニルグリシルアミド、ｐ−ヒドロキシフ
ェニルグリシルアミドやアミノ基及び水酸基の一方又は
両方が保護されたｐ−ヒドロキシフェニルグリシルアミ
ド等を例示できる。フェニルグリシルアミド及びｐ−ヒ
ドロキシフェニルグリシルアミドのアミノ基の保護基と
しては、上記文献の第７章（第２１８〜２８７頁）に記
載されている各種基を例示できる。またｐ−ヒドロキシ
フェニルグリシルアミドの水酸基の保護基としては、上
記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載されている各
種基を例示できる。

【００１４】Ｒ² で示される低級アルコキシ基として
は、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソ
プロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、sec −ブト
キシ、tert−ブトキシ基等のＣ_1-4 の直鎖又は分枝鎖状
アルコキシ基が挙げられる。

【００１５】Ｒ² で示される低級アシル基としては、例
えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イ
ソブチリル基等のＣ_1-4 の直鎖又は分枝鎖状アシル基が
挙げられる。

【００１６】Ｒ² で示される水酸基又は保護された水酸
基を置換基として有する低級アルキル基の保護された水
酸基、及びＲ² で示される保護された水酸基の保護基と
しては、上記文献の第２章（第１０〜７２頁）に記載さ
れている各種基を例示できる。Ｒ² で示される上記置換
低級アルキル基は、水酸基又は上記で示される保護され
た水酸基の中から選ばれる同一又は異なる種類の置換基
で、同一又は異なる炭素上に１つ以上置換されていても
よい。

【００１７】Ｒ³ で示されるカルボン酸の保護基として
は、上記文献の第５章（第１５２〜１９２頁）に記載さ
れている各種の基の他、ベンジル基、ｐ−メトキシベン
ジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ジフェニルメチル基、
トリクロロエチル基、tert−ブチル基等を例示できる。

【００１８】Ｒ⁴ で示される置換基を有していてもよい
含窒素芳香族複素環基の含窒素芳香族複素環基として
は、例えばチアゾール−２−イル、チアジアゾール−２
−イル、ベンゾチアゾール−２−イル、オキサゾール−
２−イル、ベンゾオキサゾール−２−イル、イミダゾー
ル−２−イル、ベンゾイミダゾール−２−イル、ピリミ
ジニル、ピリジル基等が挙げられる。またＲ⁴ で示され
るアリール基又は含窒素芳香族複素環基に置換してもよ
い置換基の種類としては、ハロゲン原子、水酸基、ニト
ロ基、シアノ基、アリール基、低級アルキル基、アミノ
基、モノ低級アルキルアミノ基、ジ低級アルキルアミノ
基、メルカプト基、基Ｒ⁶ Ｓ−（Ｒ⁶ は低級アルキル基
又はアリール基）で表わされるアルキルチオ基又はアリ
ールチオ基、ホルミルオキシ基、基Ｒ⁶ ＣＯＯ−（Ｒ⁶
は前記に同じ）で表わされるアシルオキシ基、ホルミル
基、基Ｒ⁶ ＣＯ−（Ｒ⁶ は前記に同じ）で表わされるア
シル基、基Ｒ⁶ Ｏ−（Ｒ⁶ は前記に同じ）で表わされる
アルコキシ基もしくはアリールオキシ基、カルボキシ
基、基Ｒ⁶ ＯＣＯ−（Ｒ⁶ は前記に同じ）で表わされる
アルコキシカルボニル基もしくはアリールオキシカルボ
ニル基等が挙げられる。更にＲ⁴ におけるアリール基又
は含窒素芳香族複素環基は、上記置換基から選ばれる１
つ以上の同一又は異なる種類の置換基で置換されていて
もよい。

【００１９】本発明において、出発原料として用いられ
る一般式（１）で表わされるアレニルβ−ラクタム化合
物を製造するに当たっては、上記一般式（３）で表わさ
れるアゼチジノン誘導体を適当な溶媒中、塩基と反応さ
せる。この反応において、用いられる塩基としては、脂
肪族アミン及び芳香族アミンが好ましく、具体的にはト
リエチルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルジイソ
プロピルアミン、トリブチルアミン、１，５−ジアザビ
シクロ〔４．３．０〕ノネン−５（ＤＢＮ）、１，８−
ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７（ＤＢ
Ｕ）、１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン
（ＤＡＢＣＯ）、ピペリジン、Ｎ−メチルピペリジン、
２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、モルホリ
ン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等を例示できる。
これら塩基の使用量としては、一般式（３）の化合物に
対して通常１〜１２倍モル、好ましくは１〜６倍モル量
とするのがよい。また溶媒としては、一般式（３）の化
合物を溶解し且つ該反応の条件下で不活性なものである
限り従来公知のものを広く使用でき、例えば蟻酸メチ
ル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオ
ン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カルボン酸の
低級アルキルエステル類、ジエチルエーテル、エチルプ
ロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプロピルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、
メチルセロソルブ、ジメトキシエタン等のエーテル類、
テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、
アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、
イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニトリル類、
ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、アニ
ソール等の置換もしくは未置換の芳香族炭化水素類、ジ
クロルメタン、クロロホルム、ジクロルエタン、トリク
ロルエタン、ジブロムエタン、プロピレンジクロライ
ド、四塩化炭素、フロン類等のハロゲン化炭化水素類、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭
化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘ
プタン、シクロオクタン等のシクロアルカン類、ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、
ジメチルスルホキシド等を挙げることができる。これら
は１種単独で又は２種以上混合して使用される。またこ
れらの溶媒には、必要に応じて水が含有されていてもよ
い。斯かる溶媒は、一般式（３）の化合物１ｋｇ当り、
通常０．５〜２００ｌ程度、好ましくは１〜５０ｌ程度
使用されるのがよい。該反応は、−７０〜１００℃、好
ましくは−５０〜５０℃の範囲で行なわれる。斯くして
得られる一般式（１）の化合物は、反応終了後、通常の
抽出操作又は晶析操作を行なうことによりほぼ純品とし
て得ることができるが、その他の方法によっても精製す
ることは勿論である。

【００２０】本発明方法は、上記一般式（１）で表わさ
れるアレニルβ−ラクタム化合物を有機溶媒中、有機酸
の存在下に電解還元することにより実施される。上記反
応に使用される有機溶媒としては、例えば、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルム
アニリド、Ｎ−ホルミルモルホリン等のアミド類、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類等が単
独で又は二種以上混合して用いられてもよく、また上記
有機溶媒を主として、これに他の通常の溶媒、例えば、
蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、蟻酸ブチル、
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、
プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等の低級カル
ボン酸の低級アルキルエステル類、ジエチルエーテル、
エチルプロピルエーテル、エチルブチルエーテル、ジプ
ロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエ
ーテル、メチルセロソルブ、ジメトキシエタン等のエー
テル類、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニ
トリル、イソブチロニトリル、バレロニトリル等のニト
リル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼ
ン、アニソール等の置換もしくは未置換の芳香族炭化水
素類、ジクロルメタン、クロロホルム、ジクロロエタ
ン、プロピレンジクロライド、四塩化炭素等のハロゲン
化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン等の炭化水素類、シクロペンタン、シクロヘキサン、
シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアルカン
類、ジメチルスルホキシド等を併用した混合溶媒を用い
ることもできる。特に好適な溶媒としては、ジメチルホ
ルムアミド又はテトラヒドロフランを主溶媒とする混合
溶媒である。

【００２１】本発明の電解還元反応を行なうに際して
は、反応系内に支持電解質が添加される。支持電解質と
しては、例えば蟻酸、酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢
酸、トリクロロ酢酸、ブロム酢酸、トリフロロ酢酸等の
有機酸が好適に使用される。これら有機酸の種類及び濃
度は、原料化合物（１）の種類、有機酸のｐＨ値、印加
電圧等の他の条件により適宜選択できるが、有機酸の濃
度としては例えば通常有機溶媒に対して０．０１〜１０
ｗｔ％程度、好ましくは０．１〜５ｗｔ％程度とするの
がよい。

【００２２】本発明の電解還元反応は、非分離単一セル
及び陽陰極室を隔膜で分離した分離セルのいずれを用い
ても行なうことができるが、装置の簡便さの点で非分離
単一セルを用いるのが好適である。また本反応に用いる
電極としては、陰極材質として例えば亜鉛、錫、鉛、白
金、ニッケル、パラジウム、タングステン、アルミニウ
ム等から本発明の反応に用いる他の条件を考慮して選択
し得る。一方、陽極材質としては、特に限定されない
が、例えば、白金、炭素、ステンレス、酸化鉄、表面処
理したチタン、亜鉛、錫、鉛、ニッケル、パラジウム、
タングステン、アルミニウム等が挙げられる。

【００２３】本発明の電解還元反応では、例えば弗化
鉛、塩化鉛、臭化鉛、沃化鉛等のハロゲン化鉛、硝酸
鉛、硫酸鉛、過塩素酸鉛、硼酸鉛、炭酸鉛、燐酸鉛等の
無機酸鉛、酢酸鉛、蓚酸鉛、ステアリン酸鉛等の脂肪族
酸鉛、弗化チタン、塩化チタン、臭化チタン、沃化チタ
ン等のハロゲン化チタン、硫酸チタン、硝酸チタン等の
無機酸チタン、弗化ガリウム、塩化ガリウム、臭化ガリ
ウム、沃化ガリウム等のハロゲン化ガリウム、硫酸ガリ
ウム、硝酸ガリウム、過塩素酸ガリウム等の無機酸ガリ
ウム、弗化ジルコニウム、塩化ジルコニウム、臭化ジル
コニウム、沃化ジルコニウム等のハロゲン化ジルコニウ
ム、弗化テリリウム、塩化テルルウム、臭化テルルウ
ム、沃化テルルウム等のハロゲン化テルルウム、弗化ビ
スマス、塩化ビスマス、臭化ビスマス、沃化ビスマス等
のハロゲン化ビスマス、硝酸ビスマス、硫酸ビスマス等
の無機酸ビスマス、酢酸ビスマス等の有機酸ビスマス、
弗化アンチモン、塩化アンチモン、臭化アンチモン、沃
化アンチモン等のハロゲン化アンチモン、弗化ロジウ
ム、塩化ロジウム、臭化ロジウム、沃化ロジウム等のハ
ロゲン化ロジウム、弗化錫、塩化錫、臭化錫、沃化錫等
のハロゲン化錫等を反応系内に添加すると、反応効率及
び反応収率が向上する場合がある。これら添加物の使用
量としては、特に制限はないが、通常原料化合物（１）
に対して０．０１〜２当量程度、好ましくは０．０５〜
１当量程度とするのがよい。

【００２４】本発明の電解には、定電位電解法及び定電
流電解法のいずれをも採用することができるが、特に反
応操作の簡便さの点で定電流電解法を採用するのが好ま
しい。電流密度は、通常１〜５００ｍＡ／ｃｍ² 、好ま
しくは２〜５０ｍＡ／ｃｍ²の範囲内とするのがよい。
また、通電電気量は、用いる電解槽の形状、原料化合物
（１）の種類、用いる溶媒の種類等により異なり一概に
は言えないが、通常原料化合物（１）１モル当たり２〜
１０Ｆ程度、好ましくは２〜５Ｆ程度とするのがよい。
電解温度は、原料化合物（１）及び目的化合物（２）の
構造等によって一定しないが、約−１００〜５０℃の範
囲、通常は−２０〜４０℃の範囲とするのがよい。

【００２５】上記電解反応終了後、電解溶液に通常の抽
出操作を施すことにより、目的とする２−エキソメチレ
ンペナム誘導体（２）を単離することができる。更に精
製が必要であれば、再結晶法、カラムクロマト法等の慣
用の精製手段を採用すればよい。

【００２６】本発明の２−エキソメチレンペナム誘導体
（２）は、ペナム系抗生物質を合成するための中間体と
して有用である。例えば２−エキソメチレンペナム誘導
体（２）は、下記反応式−１に示す方法に従い一般式
（６）で表わされる２−置換メチルペナム誘導体等に誘
導され得る。

【００２７】〔反応式−１〕

【００２８】

【化６】

【００２９】〔式中Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は前記に同じ。
Ｙは求核剤残基を示す。〕

【００３０】

【実施例】次に実施例を示して本発明の方法をより詳細
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもの
ではない。

【００３１】参考例１

【００３２】

【化７】

【００３３】化合物（３ａ）〔Ｒ¹ ＝フェニルアセトア
ミド、Ｒ² ＝Ｈ、Ｒ³ ＝ジフェニルメチル、Ｘ＝フェニ
ルスルホニル、Ｒ⁵ ＝トリフルオロメチル〕１ｇをＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍｌに溶解する。これ
を、−３０℃に冷却した後、トリエチルアミン０．４３
ｍｌを加え−３０℃で１時間攪拌して反応させる。反応
混合物を酢酸エチルで抽出し、抽出液を水洗後、無水硫
酸ナトリウム上で乾燥した。抽出液を減圧濃縮すると、
化合物（１ａ）〔Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 及びＸは前記に同
じ〕が収率９９％で得られる。

【００３４】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）；δｐｐｍ ３．６１（ｓ，２Ｈ），５．３１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５
Ｈｚ及び７Ｈｚ），５．５７及び５．７０（ＡＢｑ，２
Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ），５．８４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈ
ｚ），６．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７Ｈｚ），６．８１
（ｓ，１Ｈ），７．２２−７．７３（ｍ，２０Ｈ）。

【００３５】参考例２〜８ 表１に示す出発化合物を用いて参考例１と同様の反応を
行ない以下に示す化合物が得られた。

【００３６】

【表１】

【００３７】以下にＮＭＲデータをまとめて示す。

【００３８】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）；δｐｐｍ 化合物（１ｂ）：３．５８（ｓ，２Ｈ），３．８０
（ｓ，３Ｈ），５．１０（ｓ，２Ｈ），５．３２（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ及び８Ｈｚ），５．６０及び５．
４７（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ），５．８７（ｄ，
１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ），６．０８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈ
ｚ），６．８５−７．８３（ｍ，１４Ｈ） 化合物（１ｃ）：３．５９（ｓ，２Ｈ），３．７４
（ｓ，３Ｈ），５．３３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ及び
８Ｈｚ），５．５４及び５．６４（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝
１５Ｈｚ），５．８８（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ），６．
０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．２０−７．９０
（ｍ，１０Ｈ） 化合物（１ｄ）：３．６７（ｓ，２Ｈ），５．２５（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ及び８Ｈｚ），５．６９（ｄ，１
Ｈ，Ｊ＝５Ｈｚ），５．６０及び５．７６（ＡＢｑ，２
Ｈ，Ｊ＝１５Ｈｚ），６．７１（ｓ，１Ｈ），７．００
−７．３４（ｍ，２０Ｈ） 化合物（１ｅ）：３．０２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈ
ｚ及び１５．７Ｈｚ），３．５８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝
５．４Ｈｚ及び１５．７Ｈｚ），３．７９（ｓ，３
Ｈ），５．１７（ｓ，２Ｈ），５．４７及び５．６０
（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），５．６２（ｄ
ｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈｚ及び５．４Ｈｚ），６．８７
−７．８９（ｍ，９Ｈ） 化合物（１ｆ）：２．９９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈ
ｚ及び１５．７Ｈｚ），３．５３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝
５．５Ｈｚ及び１５．７Ｈｚ），５．５６（ｄｄ，１
Ｈ，Ｊ＝２．６Ｈｚ及び５．５Ｈｚ），５．５４及び
５．６６（ＡＢｑ、２Ｈ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ），６．８
８（ｓ，１Ｈ），７．２９−７．７６（ｍ，１５Ｈ）。

【００３９】参考例９〜１１ 反応溶媒及び反応温度を表２に示すように変更する以外
は実施例１と同様に反応を行ない、一般式（１ａ）の化
合物を表２に示す収率で得た。

【００４０】

【表２】

【００４１】実施例１

【００４２】

【化８】

【００４３】内径１５ｍｍの試験管に化合物（１ｂ）
〔Ｒ¹ ＝フェニルアセトアミド、Ｒ²＝Ｈ、Ｒ³ ＝ｐ−
メトキシベンジル、Ｘ＝フェニルスルホニル〕５０ｍｇ
を入れ、ジメチルホルムアミド５ｍｌに溶解する。この
溶液を攪拌しながらトリフルオロ酢酸１００μｌを加え
る。このものに亜鉛電極（２．０×１．０ｃｍ² ）を２
枚取付け１０ｍＡの定電流電解を行なう。１４０分間、
１０Ｆ／モルの電流を流した後、反応液を酢酸エチル−
２％塩酸により抽出する。有機層を重曹水、水の順に洗
浄を行なった後、硫酸ナトリウム上で乾燥する。得られ
た有機層を減圧下にて濃縮を行ない残渣をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製を行なうと、目的と
する２−エキソメチレンペナム誘導体（２ｂ）〔Ｒ¹ 、
Ｒ² 及びＲ³ は前記に同じ〕が収率６７％で得られた。

【００４４】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）；δｐｐｍ ３．６１（ＡＢｑ，２Ｈ，Ｊ＝１６Ｈｚ），３．８０
（ｓ，３Ｈ），５．１１（ｓ，２Ｈ），５．１８（ｔ，
１Ｈ，Ｊ＝１Ｈｚ），５．２４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１Ｈ
ｚ），５．３５（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝１Ｈｚ），５．５７
（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ），５．７５（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ
＝４Ｈｚ及び９Ｈｚ），６．０７（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９Ｈ
ｚ），６．８５−７．４０（ｍ，９Ｈ）。

【００４５】実施例２

【００４６】

【化９】

【００４７】内径１５ｍｍの試験管に塩化ビスマス５ｍ
ｇ及び化合物（１ｂ）〔Ｒ¹ ＝フェニルアセトアミド、
Ｒ² ＝Ｈ、Ｒ³ ＝ｐ−メトキシベンジル、Ｘ＝フェニル
スルホニル〕５０ｍｇを入れ、ジメチルホルムアミド５
ｍｌに溶解する。この溶液を攪拌しながらトリフルオロ
酢酸１００μｌを加える。このものに亜鉛電極（２．０
×１．０ｃｍ² ）を２枚取付け１０ｍＡの定電流電解を
行なう。４２分間、３Ｆ／モルの電流を流した後、反応
液を酢酸エチル−２％塩酸により抽出する。有機層は重
曹水、水の順に洗浄を行なった後、硫酸ナトリウム上で
乾燥を行なう。得られた有機層を減圧下にて濃縮を行な
い残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフイーにより精
製を行なうと、目的とする２−エキソメチレンペナム誘
導体（２ｂ）〔Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は前記に同じ〕が収
率７５％で得られた。

【００４８】実施例３〜５ 電極材質を表３に示すように変更する以外は、実施例２
と同様に反応を行ない、目的物（２ｂ）を表３に示す収
率で得た。

【００４９】

【表３】

【００５０】実施例６〜７ 指示電解質をトリフロロ酢酸の代りに表４に示す有機酸
に変更する以外は、実施例２と同様に反応を行ない、表
４に示す収率で目的物（２ｂ）を得た。

【００５１】

【表４】

【００５２】実施例８〜１１ 添加物を三塩化ビスマスの代りに表５に示す化合物に変
更する以外は、実施例２と同様に反応を行ない、表５に
示す収率で目的物（２ｂ）を得た。

【００５３】

【表５】

【００５４】実施例１２〜１４ 反応溶媒をジメチルホルムアミドの代りに表６に示す溶
媒に変更する以外は、実施例１と同様に反応を行ない、
表６に示す収率で目的物（２ｂ）を得た。

【００５５】

【表６】

【００５６】実施例１５

【００５７】

【化１０】

【００５８】化合物（１ａ）〔Ｒ¹ ＝フェニルアセトア
ミド、Ｒ² ＝Ｈ、Ｒ³ ＝ジフェニルメチル、Ｘ＝フェニ
ルスルホニル〕５０ｍｇを出発原料に用いて、以下実施
例２と同様の反応を行ない、化合物（２ａ）〔Ｒ¹ 、Ｒ
² 及びＲ³ は前記に同じ〕が収率７２％で得られた。

【００５９】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）；δｐｐｍ ３．６２（Ｓ，２Ｈ），５．２６−５．２８（ｍ，２
Ｈ），５．３７（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝２Ｈｚ），５．６１
（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ），５．７６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ
＝４Ｈｚ及び９Ｈｚ），６．１４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝９Ｈ
ｚ），６．８２（ｓ，１Ｈ），７．２０−７．４１
（ｍ，１５Ｈ）。

【００６０】実施例１６

【００６１】

【化１１】

【００６２】化合物（１ｅ）〔Ｒ¹ ＝Ｒ² ＝Ｈ、Ｒ³ ＝
ｐ−メトキシベンジル、Ｘ＝フェニルスルホニル〕５０
ｍｇを出発原料に用いて、以下実施例２と同様の反応を
行ない、化合物（２ｅ）〔Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は前記に
同じ〕が収率６８％で得られた。

【００６３】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）；δｐｐｍ ３．１６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ及び１６Ｈ
ｚ），３．６６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ及び１６Ｈ
ｚ），３．８２（ｓ，３Ｈ），５．１３（ｓ，２Ｈ），
５．２４（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ及び１．８Ｈ
ｚ），５．２８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ及び１．
８Ｈｚ），５．３２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ１．
８Ｈｚ），５．３８（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ及び
４Ｈｚ），６．８７−７．３０（ｍ，４Ｈ）。

【００６４】実施例１７

【００６５】

【化１２】

【００６６】化合物（１ｆ）〔Ｒ¹ ＝Ｒ² ＝Ｈ、Ｒ³ ＝
ジフェニルメチル、Ｘ＝フェニルスルホニル〕５０ｍｇ
を出発原料に用いて、以下実施例２と同様の反応を行な
い、化合物（２ｆ）〔Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は前記に同
じ〕が収率７４％で得られた。

【００６７】ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）；δｐｐｍ ３．１２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ及び１６．０Ｈ
ｚ），３．６０（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝４．１Ｈｚ及び１
６．０Ｈｚ），５．２３（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８Ｈｚ
及び１．８Ｈｚ），５．３２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．８
Ｈｚ及び１．８Ｈｚ），５．３６（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝
１．５Ｈｚ及び４．１Ｈｚ），５．３７（ｄｄ，１Ｈ，
Ｊ＝１．８Ｈｚ及び１．８Ｈｚ），６．８７（ｓ，１
Ｈ），７．２７−７．３５（ｍ，１０Ｈ）。

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、目的とする一般式
（２）で表わされる２−エキソメチレンペナム誘導体が
簡便な操作で、且つ工業的に有利な方法で、しかも高収
率、高純度で製造される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 499/46 499/84 (72)発明者 城井 敬史 徳島県徳島市川内町加賀須野463 大塚化 学株式会社徳島研究所内 (72)発明者 亀山 豊 岡山県岡山市奥田本町24−19−406

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式 【化１】 〔式中Ｒ¹ は水素原子、ハロゲン原子、アミノ基又は保
   護されたアミノ基を示す。Ｒ² は水素原子、ハロゲン原
   子、低級アルコキシ基、低級アシル基、低級アルキル
   基、水酸基もしくは保護された水酸基を置換基として有
   する低級アルキル基、水酸基又は保護された水酸基を示
   す。或いはＲ¹ とＲ² とが互いに結合してオキソ基を形
   成してもよい。Ｒ³ は水素原子又はカルボン酸保護基を
   示す。Ｘは基−ＳＯ₂ Ｒ⁴ 又は基−ＳＲ⁴ を示す。ここ
   でＲ⁴ は置換基を有していてもよいアリール基又は置換
   基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。〕
   で表わされるアレニルβ−ラクタム化合物を電解還元さ
   せて、一般式 【化２】 〔式中Ｒ¹ 、Ｒ² 及びＲ³ は前記に同じ。〕で表わされ
   る２−エキソメチレンペナム誘導体を得ることを特徴と
   する２−エキソメチレンペナム誘導体の製造法。