JPH0428153B2 - - Google Patents
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- JPH0428153B2 JPH0428153B2 JP182885A JP182885A JPH0428153B2 JP H0428153 B2 JPH0428153 B2 JP H0428153B2 JP 182885 A JP182885 A JP 182885A JP 182885 A JP182885 A JP 182885A JP H0428153 B2 JPH0428153 B2 JP H0428153B2
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電子写真記録装置の記録光源とし
て用いる発光ダイオードアレイヘツドに関するも
のである。
て用いる発光ダイオードアレイヘツドに関するも
のである。
第２図に従来の発光ダイオード（以下LEDと
記す）アレイヘツドの代表的構成断面図を示す。
図において、１はアルミ等の金属を使用した放熱
器、２は表面に導体パターンを形成したセラミツ
ク等の絶縁材料から成る半導体支持基板、３は複
数のLEDを集積して形成したLEDアレイチツプ、
４はLEDアレイチツプ３の各LED素子を駆動す
るLEDドライバIC、５１はLEDアレイチツプ３
の裏面に形成した共通電極と接続する導体パター
ン、５２はLEDアレイチツプ３上の電極とLED
ドライバIC４上の電極を接続するための導体パ
ターン、５３はLEDドライバIC４等に入力する
電源や信号用の導体パターンであり、これはその
上に導体パターンを形成したフレキシブル基板７
と接続されている。８はフレキシブル基板７と放
熱器１とを絶縁する絶縁板である。
記す）アレイヘツドの代表的構成断面図を示す。
図において、１はアルミ等の金属を使用した放熱
器、２は表面に導体パターンを形成したセラミツ
ク等の絶縁材料から成る半導体支持基板、３は複
数のLEDを集積して形成したLEDアレイチツプ、
４はLEDアレイチツプ３の各LED素子を駆動す
るLEDドライバIC、５１はLEDアレイチツプ３
の裏面に形成した共通電極と接続する導体パター
ン、５２はLEDアレイチツプ３上の電極とLED
ドライバIC４上の電極を接続するための導体パ
ターン、５３はLEDドライバIC４等に入力する
電源や信号用の導体パターンであり、これはその
上に導体パターンを形成したフレキシブル基板７
と接続されている。８はフレキシブル基板７と放
熱器１とを絶縁する絶縁板である。
またLEDアレイヘツドの一般的回路構成図を
第３図に示す。９はLED発光信号Ｓ１をクロツ
ク信号Ｓ２に同期して順次転送しかつラツチ信号
Ｓ３によつて発光信号を固定する、シフトレジス
タ回路とラツチ回路を含む論理回路であり、１０
は発光信号Ｓ１に従つて、各LED素子を駆動す
るトランジスタで構成したドライバであり、Ｓ４
はLEDアレイヘツドを分割点灯させるためのス
トローブ信号である。論理回路９とドライバ１０
はLEDドライバIC４に搭載されている。３１は
LED素子である。
第３図に示す。９はLED発光信号Ｓ１をクロツ
ク信号Ｓ２に同期して順次転送しかつラツチ信号
Ｓ３によつて発光信号を固定する、シフトレジス
タ回路とラツチ回路を含む論理回路であり、１０
は発光信号Ｓ１に従つて、各LED素子を駆動す
るトランジスタで構成したドライバであり、Ｓ４
はLEDアレイヘツドを分割点灯させるためのス
トローブ信号である。論理回路９とドライバ１０
はLEDドライバIC４に搭載されている。３１は
LED素子である。
次に動作について説明する。第２図、第３図に
おいて各LED素子を発光させるために、各ドラ
イバ１０より所定の電圧を印加し、電流をLED
素子３１に供給する。各LED素子３１のカソー
ド側はLEDアレイチツプ３の裏面で共通化され
ており、この裏面共通電極から半導体支持基板２
上の導体パターン５１，５２，５３を通り、さら
に導体パターンを形成したフレキシブル基板７を
介してLED駆動電源の接地電極端子に接続され
ている。
おいて各LED素子を発光させるために、各ドラ
イバ１０より所定の電圧を印加し、電流をLED
素子３１に供給する。各LED素子３１のカソー
ド側はLEDアレイチツプ３の裏面で共通化され
ており、この裏面共通電極から半導体支持基板２
上の導体パターン５１，５２，５３を通り、さら
に導体パターンを形成したフレキシブル基板７を
介してLED駆動電源の接地電極端子に接続され
ている。
電子写真記録装置においては、LED素子数は
記録幅や解像度によつて異なるが、2048〜4096素
子搭載するのが一般的である。例えばA4サイズ
の記録速度として10枚／分を達成するために各素
子には５ｍＡ程度の電流を供給している。LED
アレイヘツドの走査方法としては高印字品質の記
録画像を得るために分割して点灯するのが一般的
であり、通常４分割走査している。従つてこの例
ではLEDアレイヘツドに供給する電流は最大で
2.5〜5A程度となる。
記録幅や解像度によつて異なるが、2048〜4096素
子搭載するのが一般的である。例えばA4サイズ
の記録速度として10枚／分を達成するために各素
子には５ｍＡ程度の電流を供給している。LED
アレイヘツドの走査方法としては高印字品質の記
録画像を得るために分割して点灯するのが一般的
であり、通常４分割走査している。従つてこの例
ではLEDアレイヘツドに供給する電流は最大で
2.5〜5A程度となる。
しかるにこの従来装置では、導体パターン５
１，５２，５３やフレキシブル基板７上の導体パ
ターンの厚みは数十μｍと薄く、パターン形成時
のエツチング等の関係上厚くできないのが現状で
ある。従つてLED素子３１を挟む駆動系、即ち
電力供給配線と電流帰還配線にはそれぞれ所定の
抵抗値Ｒ１，Ｒ２が存在する。ここで、供給すべ
き電流値が数Ａの場合、前述した抵抗値Ｒ１，Ｒ
２の存在はLEDアレイヘツドの駆動に大きな影
響を与えないが、LEDアレイヘツドの発光出力
を高出力化して高速記録装置を得ようとした場
合、抵抗値Ｒ１，Ｒ２の存在は大きな障害とな
る。
１，５２，５３やフレキシブル基板７上の導体パ
ターンの厚みは数十μｍと薄く、パターン形成時
のエツチング等の関係上厚くできないのが現状で
ある。従つてLED素子３１を挟む駆動系、即ち
電力供給配線と電流帰還配線にはそれぞれ所定の
抵抗値Ｒ１，Ｒ２が存在する。ここで、供給すべ
き電流値が数Ａの場合、前述した抵抗値Ｒ１，Ｒ
２の存在はLEDアレイヘツドの駆動に大きな影
響を与えないが、LEDアレイヘツドの発光出力
を高出力化して高速記録装置を得ようとした場
合、抵抗値Ｒ１，Ｒ２の存在は大きな障害とな
る。
即ち、LED素子への発光出力を大きくするに
は供給する電流値を大きくしなければならない。
従つて高速記録を達成するためにはLEDアレイ
ヘツドとして数十Ａという電力の入出力を可能に
する必要がある。しかし、大電流を必要とする場
合、前述した抵抗値Ｒ１，Ｒ２の存在により
LED駆動電源とLED素子３１間で抵抗Ｒ１によ
る電位降下や、同じく抵抗Ｒ２によるLEDカソ
ード電位上昇が大きくなり、LEDドライバIC４
の動作やLED素子の発光出力が不安定となる。
そこで大電流を流すためにフレキシブル基板の導
体層を増加したり電流供給及び電流帰還パターン
幅を増大する必要があるが、これはLEDアレイ
ヘツドの性能の劣化、コストの増大という欠点を
生じる。
は供給する電流値を大きくしなければならない。
従つて高速記録を達成するためにはLEDアレイ
ヘツドとして数十Ａという電力の入出力を可能に
する必要がある。しかし、大電流を必要とする場
合、前述した抵抗値Ｒ１，Ｒ２の存在により
LED駆動電源とLED素子３１間で抵抗Ｒ１によ
る電位降下や、同じく抵抗Ｒ２によるLEDカソ
ード電位上昇が大きくなり、LEDドライバIC４
の動作やLED素子の発光出力が不安定となる。
そこで大電流を流すためにフレキシブル基板の導
体層を増加したり電流供給及び電流帰還パターン
幅を増大する必要があるが、これはLEDアレイ
ヘツドの性能の劣化、コストの増大という欠点を
生じる。
この発明は以上のような問題点を解消するため
になされたもので、コストや性能を劣化させるこ
となく大電流を流すことができ、高速記録を達成
できる発光ダイオードアレイヘツドを提供するこ
とを目的とするものである。
になされたもので、コストや性能を劣化させるこ
となく大電流を流すことができ、高速記録を達成
できる発光ダイオードアレイヘツドを提供するこ
とを目的とするものである。
この発明に係るLEDアレイヘツドは、LEDア
レイチツプの支持基板としてメタル基板を用い、
所定の電位に接続された上記メタル基板上に
LEDアレイチツプを配置し、このLEDアレイチ
ツプの裏面共通電極をメタル基板に直接接続して
該メタル基板をLED駆動系の電流帰還導体とし
たものである。
レイチツプの支持基板としてメタル基板を用い、
所定の電位に接続された上記メタル基板上に
LEDアレイチツプを配置し、このLEDアレイチ
ツプの裏面共通電極をメタル基板に直接接続して
該メタル基板をLED駆動系の電流帰還導体とし
たものである。
この発明のLEDアレイヘツドにおいては、
LED駆動系の電流帰還導体として導体パターン
ではなくメタル基板を用いたから、障害なく大電
流を流すことができ、電子写真記録装置の高速記
録も可能である。
LED駆動系の電流帰還導体として導体パターン
ではなくメタル基板を用いたから、障害なく大電
流を流すことができ、電子写真記録装置の高速記
録も可能である。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図において、１はアルミ等の金属を使用
した放熱器、２は表面に導体パターンを形成した
セラミツク等の絶縁材料から成る半導体支持基
板、３は複数のLEDを集積して形成したLEDア
レイチツプ、４はLEDアレイチツプ３の各LED
素子を駆動するLEDドライバIC、５２はLEDア
レイチツプ３上の電極とLEDドライバIC４上の
電極を接続するための導体パターン、５３は
LEDドライバIC４等に入力する電源や信号用の
導体パターンであり、フレキシブル基板７と接続
している。８はフレキシブル基板７と放熱器１と
を絶縁する絶縁板である。２１は放熱器１上に形
成され、アルミやステンレス等からなるメタル支
持基板であり、上記LEDアレイチツプ３はこの
メタル支持基板２１の上に搭載されている。
る。第１図において、１はアルミ等の金属を使用
した放熱器、２は表面に導体パターンを形成した
セラミツク等の絶縁材料から成る半導体支持基
板、３は複数のLEDを集積して形成したLEDア
レイチツプ、４はLEDアレイチツプ３の各LED
素子を駆動するLEDドライバIC、５２はLEDア
レイチツプ３上の電極とLEDドライバIC４上の
電極を接続するための導体パターン、５３は
LEDドライバIC４等に入力する電源や信号用の
導体パターンであり、フレキシブル基板７と接続
している。８はフレキシブル基板７と放熱器１と
を絶縁する絶縁板である。２１は放熱器１上に形
成され、アルミやステンレス等からなるメタル支
持基板であり、上記LEDアレイチツプ３はこの
メタル支持基板２１の上に搭載されている。
次に動作について説明する。
メタル支持基板２１は、LEDアレイチツプ３
の裏面に形成された共通電極と接続され、かつこ
のメタル支持基板２１は放熱器１とも接続されて
おり、放熱器１からLED駆動電源の接地電極端
子へ直接配線されて電流帰還配線として作用して
いる。また、LED素子の発光出力を大きくする
ためには供給する電流を大きくする必要がある
が、電力供給側では電流帰還用のパターンが不要
になつたので、電力供給側の導体パターンの面積
を大きくとることができ、供給電流を大きくでき
る。またメタル支持基板２１を電流帰還配線とし
たから、LEDのカソード側配線抵抗Ｒ２は極め
て小さくなり、大きな帰還電流を流すことができ
る。
の裏面に形成された共通電極と接続され、かつこ
のメタル支持基板２１は放熱器１とも接続されて
おり、放熱器１からLED駆動電源の接地電極端
子へ直接配線されて電流帰還配線として作用して
いる。また、LED素子の発光出力を大きくする
ためには供給する電流を大きくする必要がある
が、電力供給側では電流帰還用のパターンが不要
になつたので、電力供給側の導体パターンの面積
を大きくとることができ、供給電流を大きくでき
る。またメタル支持基板２１を電流帰還配線とし
たから、LEDのカソード側配線抵抗Ｒ２は極め
て小さくなり、大きな帰還電流を流すことができ
る。
以上のように、この発明によれば、発光ダイオ
ードアレイの共通電極をメタル支持基板に直接接
続するようにしたので、LED駆動にかかわる配
線抵抗を小さくすることが可能となり、LED素
子の発光出力の不安定性を伴うことなく、大電流
の供給を行なつて、LEDの発光出力を高出力化
することができる効果がある。
ードアレイの共通電極をメタル支持基板に直接接
続するようにしたので、LED駆動にかかわる配
線抵抗を小さくすることが可能となり、LED素
子の発光出力の不安定性を伴うことなく、大電流
の供給を行なつて、LEDの発光出力を高出力化
することができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例のLEDアレイヘ
ツドの断面図、第２図は従来のLEDアレイヘツ
ドの代表的構成断面図、第３図はLED駆動系の
一般的回路構成図である。 １……放熱器、２１……メタル支持基板、３…
…LEDアレイチツプ。
ツドの断面図、第２図は従来のLEDアレイヘツ
ドの代表的構成断面図、第３図はLED駆動系の
一般的回路構成図である。 １……放熱器、２１……メタル支持基板、３…
…LEDアレイチツプ。
Claims (1)
- １ 所定の電位に接続されたメタル支持基板と、
このメタル支持基板上に配置された発光ダイオー
ドアレイチツプとを備え、この発光ダイオードア
レイチツプの裏面に形成した共通電極と上記メタ
ル支持基板とを直接接続して該支持基板を発光ダ
イオード駆動系の電流帰還導体としたことを特徴
とする発光ダイオードアレイヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001828A JPS61160982A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 発光ダイオ−ドアレイヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60001828A JPS61160982A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 発光ダイオ−ドアレイヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160982A JPS61160982A (ja) | 1986-07-21 |
| JPH0428153B2 true JPH0428153B2 (ja) | 1992-05-13 |
Family
ID=11512420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001828A Granted JPS61160982A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 発光ダイオ−ドアレイヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160982A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5594260A (en) * | 1993-09-03 | 1997-01-14 | Rohm Co., Ltd. | Photoelectric converter with photoelectric conversion devices mounted separately from wiring boards |
| US6864908B2 (en) * | 2003-01-22 | 2005-03-08 | Xerox Corporation | Printhead with plural arrays of printing elements |
| JP2005136224A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 発光ダイオード照明モジュール |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142872A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | アグフア・ゲヴエルト・ナ−ムロゼ・ベンノ−トチヤツプ | 記録装置 |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP60001828A patent/JPS61160982A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142872A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-25 | アグフア・ゲヴエルト・ナ−ムロゼ・ベンノ−トチヤツプ | 記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61160982A (ja) | 1986-07-21 |
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