JPH0427151Y2

JPH0427151Y2 -

Info

Publication number: JPH0427151Y2
Application number: JP1987130773U
Authority: JP
Priority date: 1987-08-27
Filing date: 1987-08-27
Publication date: 1992-06-30
Also published as: JPS6435736U

Description

【考案の詳細な説明】産業上の利用分野本考案は電子部品に関し、詳しくは、電子部品
のリード部材及び電極に施す半田メツキに関する
ものである。

従来の技術各種電子機器内に組み込まれる電子回路装置
は、一般に導電パターンを形成したプリント基板
上に多数の電子部品を実装し、各電子部品同士を
導電パターンによつて接続している。第３図は、
プリント基板２上にリード付き電子部品３を実装
し、所定の電子回路を形成したプリント基板実装
構体１の一例を示すものであり、このプリント基
板実装構体１は、プリント基板２の裏面に導電パ
ターン４が形成され、リード付電子部品３は、プ
リント基板２の表面側よりそのリード部材５をプ
リント基板２に穿設したリード挿通孔６に貫通さ
せて裏面の導電パターン４の所定の個所に半田で
接続固定される。

ところで、上記の如くしてプリント基板２の導
電パターン４に半田付けされる電子部品３のリー
ド部材５には、その表面に予め半田メツキ７が施
されており、リード部材５の導電パターン４への
半田付け作業時の半田付け性が良くなるようにし
てある。

又第４図に示す如く、リード部材１０をガラス
封止してなる金属外環１１を、キヤツプ１２の開
口部に圧入封止してなる気密端子１３に水晶片１
４を収納し、この水晶片１４の一部を上記リード
部材１０の気密端子１３内に突出した側の端部に
半田付けしてなる水晶振動子１５等の電子部品に
於いても、上記リード部１０の気密端子１３より
外方に突出した部分に上記した理由によつて半田
メツキ１６を施すと同時に、リード部材１０の気
密端子１３内に突出した部分にも半田メツキ１６
を施しておき、気密端子１３内に収納した水晶片
１４等の素子とリード部材１０との半田付けが良
好に行われるようにする場合がある。

考案が解決しようとする問題点上記した如く、リード部材５，１０に半田メツ
キ７，１６を施した電子部品６，１５が、実際の
使用状態に於いて、高温雰囲気中に置かれる場合
は、上記半田メツキ７，１６を施されたリード部
材５，１０がプリント基板２上の導電パターン４
に半田付けされた状態に於いて、このプリント基
板２が高温雰囲気中に晒され、リード部材５，１
０に施した半田メツキ７，１６に溶融が生じる
と、この溶け出した半田が、近接する導電パター
ン４に付着してしまい、シヨートを起こすことが
あつた。又水晶振動子１５等の場合、気密端子１
３内に突出したリード部材１０に施した半田メツ
キ１６からガスが発生すると、水晶振動子１５か
ら発生する基準周波数に狂いが生じることがあ
る。

そこで、従来から、上記した種々のトラブルを
防止するため、半田メツキ７，１６に使用する半
田に、鉛含有率80〜100％の融点の高い半田を用
いることがある。このように、鉛含有率80〜100
％の半田を用いれば、高温雰囲気中でリード部材
５，１０の外周に施した半田メツキ７，１６が溶
融する心配はなくなり、信頼性の向上を計ること
ができる。ところが、この鉛含有率80〜100％の
半田は酸化の進行が非常に早いといつた欠点を有
している。このため、リード部材５，１０の外周
に鉛含有率80〜100％の半田を用いて半田メツキ
７，１６を施した後、直ちにリード部材５，１０
に他の導電部材を半田付けする場合は特に問題は
ないが、製造工程の都合等により、半田メツキ
７，１６を施したリード部材５，１０に所定の時
間をあけて他の導電部材を半田付けする場合は、
半田メツキ７，１６の表面に酸化膜が形成されて
しまい、リード部材５，１０に他の導電部材を半
田付けする場合、接続不良を起こすことがあると
いつた問題があつた。

問題点を解決するための手段そこで、本考案は、電子部品のリード部材及び
電極に、鉛含有率80〜100％の半田層を形成した
上に、鉛含有率１〜20％の半田からなる薄膜を酸
化防止層として積層形成したものである。

作用上記した如く、電子部品のリード部材或いは電
極に高融点の半田からなる半田層を形成し、その
上に酸化防止層を積層形成することにより、半田
層の高温雰囲気中での溶融或いはガスの発生を防
止すると同時に、半田層表面の酸化防止を計るも
のである。

又、含有率は異なるものの、二層ともに同じ元
素の鉛と錫からなるため、特に、二層のなじみが
良く、その上、加熱時における元素の拡散による
移動が生じにくく、安定性に優れている。

実施例第１図及び第２図は本考案の一実施例を示すも
のである。図中２０は、気密容器２１に素子２２
を収納してなる電子部品であり、２３は気密端子
２１の金属外環、２４はキヤツプ、２５は金属外
環２３にガラス封止されたリード部材である。こ
のリード部材２５の気密端子２１の内方側及び外
方側に突出した部分の表面には、２層構造を有す
る半田メツキ２６が施されている。即ち、第２図
の部分拡大図に示す如く、リード部材２５の表面
には、先ず、鉛含有率80〜100％の融点の高い半
田からなる厚さ３〜10μm程度の半田層２６ａが
被着形成されており、更に、半田層２６ａの上に
は、鉛含有率１〜20％の半田からなる厚さ0.5〜
1μm程度の薄膜の酸化防止層２６ｂが積層形成さ
れている。

尚、上記酸化防止層２６ｂにおいて、鉛含有率
を１％未満にすれば純錫層に近くなり、酸化しや
すく長期保存時に変色して半田付性が低下し、ま
た20％を越えると鉛含有率が多すぎて半田の酸化
の進行が早くなり、本考案の効果が薄れる。

リード部材２５に施す半田メツキ２６を上記の
如く２層構造にしておけば、リード部材２５に他
の導電部材を半田付けする時、半田層２６ａの周
囲は酸化防止層２６ａによつて保護されているた
め、半田付け時、半田層２６ａの周囲に酸化膜が
形成される心配はなく、半田付け時に接続不良を
起こす心配はない。又、この半田メツキ２６を施
されたリード部材２５が、その使用時に高温雰囲
気中に晒されても、半田層２６ａは高融点の半田
によつて形成されているため、半田層２６ａが溶
融したり、ガスが発生する心配もない。尚、この
時、酸化防止層２６ｂは溶融したり、ガスが発生
したりする可能性があるが、酸化防止層２６ｂは
薄膜であり、酸化防止層２６ｂを形成する鉛含有
率０〜20％の半田或いは錫の量は非常に微量であ
るため、酸化防止層２６ｂが溶融したり、或いは
ガスが発生しても、それがトラブルの原因になる
ことはない。

尚、上記実施例は、電子部品２０のリード部材
２５に本考案に係る半田メツキ２６を施した例に
ついて説明したが、本考案の半田メツキ２６は、
チツプ状電子部品等のリード部材を有しないもの
に形成された電極の外周に施してもよいのは勿論
である。

考案の効果上記した如く、本考案は、電子部品のリード部
材或いは電極に、高融点の半田層を、形成し、そ
の上に酸化防止層を積層形成することより、半田
層の高温雰囲気中での溶融或いはガスの発生を防
止すると同時に、半田層表面の酸化防止を計るよ
うにしたから、高融点の半田メツキを施したリー
ド部材或いは電極の他の導電部材への半田付け時
の接続不良の発生を確実に防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示す断面図、第２
図は本考案の要部を示す部分拡大断面図である。
第３図及び第４図は、従来の半田メツキが施され
た電子部品の一例を示す断面図である。２０……電子部品、２５……リード部材、２６
……半田メツキ、２６ａ……半田層、２６ｂ……
酸化防止層。

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

電子部品のリード部材及び電極に、鉛含有率80
〜100％の半田層を形成した上に、鉛含有率１〜
20％の半田からなる薄膜を酸化防止層として積層
形成したことを特徴とする電子部品。