JPH04264772A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPH04264772A JPH04264772A JP3026022A JP2602291A JPH04264772A JP H04264772 A JPH04264772 A JP H04264772A JP 3026022 A JP3026022 A JP 3026022A JP 2602291 A JP2602291 A JP 2602291A JP H04264772 A JPH04264772 A JP H04264772A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 45
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 99
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置などを駆
動する薄膜トランジスタとその製造方法に関する。
動する薄膜トランジスタとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタとその製造方法
は、ソース、ドレイン領域及びチャネル層となるべき第
一多結晶珪素層を形成し、該膜の表面に熱酸化法などに
よってゲート絶縁膜となる第一二酸化珪素を形成する。 次にゲート線と容量線及びトランジスタのゲート電極と
なるべき第二多結晶珪素層を形成したのちに、ソース及
びドレイン領域を形成するために前記ゲート電極をマス
クにして不純物イオンを、前記第一多結晶珪素層のソー
ス及びドレインとなるべき領域に打ち込む。次に、層間
絶縁膜となる第二二酸化珪素層を化学気相成長法やスパ
ッタ法などで形成し、前記第二二酸化珪素層の膜質向上
と、前記ソース及びドレイン領域に導入された不純物イ
オンを活性化をするために、約１０００℃の温度でアニ
ールする。次に、ソース及びドレイン領域から引出し配
線を形成するために、前記のアニールされた第二二酸化
珪素層と熱酸化法によって形成されたゲート絶縁膜とな
る第一二酸化珪素層の二層を一度にコンタクトホールを
開口することと、ゲート電極から引出し配線を形成する
ために、前記のアニールした第二二酸化珪素層にコンタ
クトホールを開口することを同時に行なっていた。
は、ソース、ドレイン領域及びチャネル層となるべき第
一多結晶珪素層を形成し、該膜の表面に熱酸化法などに
よってゲート絶縁膜となる第一二酸化珪素を形成する。 次にゲート線と容量線及びトランジスタのゲート電極と
なるべき第二多結晶珪素層を形成したのちに、ソース及
びドレイン領域を形成するために前記ゲート電極をマス
クにして不純物イオンを、前記第一多結晶珪素層のソー
ス及びドレインとなるべき領域に打ち込む。次に、層間
絶縁膜となる第二二酸化珪素層を化学気相成長法やスパ
ッタ法などで形成し、前記第二二酸化珪素層の膜質向上
と、前記ソース及びドレイン領域に導入された不純物イ
オンを活性化をするために、約１０００℃の温度でアニ
ールする。次に、ソース及びドレイン領域から引出し配
線を形成するために、前記のアニールされた第二二酸化
珪素層と熱酸化法によって形成されたゲート絶縁膜とな
る第一二酸化珪素層の二層を一度にコンタクトホールを
開口することと、ゲート電極から引出し配線を形成する
ために、前記のアニールした第二二酸化珪素層にコンタ
クトホールを開口することを同時に行なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術では、ゲート線及び容量線が第二多結晶珪素層だけで
形成されているために、前記ゲート線及び容量線の配線
抵抗が比較的高く、薄膜トランジスタを用いたアクティ
ブマトリックス素子の表示特性が向上しなかった。
術では、ゲート線及び容量線が第二多結晶珪素層だけで
形成されているために、前記ゲート線及び容量線の配線
抵抗が比較的高く、薄膜トランジスタを用いたアクティ
ブマトリックス素子の表示特性が向上しなかった。
【０００４】通常、前記第二多結晶珪素層の抵抗をでき
るだけ低くするために、熱拡散によって燐を導入するが
、前記第二多結晶珪素層の膜厚が５０００Åのとき、該
膜抵抗は１５Ω／□まで低くするのが限界である。今後
の液晶表示パネルの大型化及び高精細化の進行を実現す
るためには、前記ゲート線及び容量線の配線抵抗の低下
が必要である。そのために、前記第二多結晶珪素層から
なるゲート線及び容量線の上に金属を形成して前記ゲー
ト線及び容量線の配線抵抗を低下させる方法がある。 前記方法において、前記金属層の上に層間絶縁膜となる
第二二酸化珪素層を形成し、前記第二二酸化珪素層の膜
質を向上させるために、従来技術のように約１０００℃
のアニールを行なうと、前記ゲート線及び容量線となり
うる第二多結晶珪素層と金属層が反応して金属シリサイ
ドが生じるために配線抵抗が、前記多結晶珪素層と前記
金属層が反応する前より高くなること、及び、前記金属
層が溶融することがあるという問題点がある。
るだけ低くするために、熱拡散によって燐を導入するが
、前記第二多結晶珪素層の膜厚が５０００Åのとき、該
膜抵抗は１５Ω／□まで低くするのが限界である。今後
の液晶表示パネルの大型化及び高精細化の進行を実現す
るためには、前記ゲート線及び容量線の配線抵抗の低下
が必要である。そのために、前記第二多結晶珪素層から
なるゲート線及び容量線の上に金属を形成して前記ゲー
ト線及び容量線の配線抵抗を低下させる方法がある。 前記方法において、前記金属層の上に層間絶縁膜となる
第二二酸化珪素層を形成し、前記第二二酸化珪素層の膜
質を向上させるために、従来技術のように約１０００℃
のアニールを行なうと、前記ゲート線及び容量線となり
うる第二多結晶珪素層と金属層が反応して金属シリサイ
ドが生じるために配線抵抗が、前記多結晶珪素層と前記
金属層が反応する前より高くなること、及び、前記金属
層が溶融することがあるという問題点がある。
【０００５】そこで、前記問題点を解決するために、ソ
ース及びドレイン領域の活性化は前記金属層を形成する
前におこない、前記第二二酸化珪素層の膜質向上は、前
記第二多結晶珪素層と金属層からなるゲート線及び容量
線において金属シリサイドが形成されないか、前記金属
層が溶融しないような４００℃〜７００℃の従来より低
い温度でアニールする方法が考えられる。しかし、前記
方法においては、膜厚約１０００Åの熱酸化法で形成さ
れた第一二酸化珪素層と膜厚約７０００Åの前記第二二
酸化珪素層を同時に開口するソース及びドレイン領域か
らの配線を取り出すためのコンタクトホールより、前記
第一二酸化珪素層よりエッチング速度が３〜５倍速い前
記第二二酸化珪素層だけに開口するゲート電極からの配
線を取り出すためのコンタクトホールは約１．５〜２倍
の大きさになり、基板内に均一な大きさのコンタクトホ
ールを開口することができないために微細化が難しかっ
た。また、ゲート電極を形成する第二多結晶珪素層と化
学気相成長法やスパッタ法で形成された第二二酸化珪素
層の密着は、ソース及びドレイン領域を形成する第一多
結晶珪素層と熱酸化法などによって形成された第一二酸
化珪素層の密着より悪いために、従来技術のようにコン
タクトホールを開口すると、ゲート電極に開口するコン
タクトホールの形状は、引出し配線の断線の原因となる
逆テーパになるという問題点があった。
ース及びドレイン領域の活性化は前記金属層を形成する
前におこない、前記第二二酸化珪素層の膜質向上は、前
記第二多結晶珪素層と金属層からなるゲート線及び容量
線において金属シリサイドが形成されないか、前記金属
層が溶融しないような４００℃〜７００℃の従来より低
い温度でアニールする方法が考えられる。しかし、前記
方法においては、膜厚約１０００Åの熱酸化法で形成さ
れた第一二酸化珪素層と膜厚約７０００Åの前記第二二
酸化珪素層を同時に開口するソース及びドレイン領域か
らの配線を取り出すためのコンタクトホールより、前記
第一二酸化珪素層よりエッチング速度が３〜５倍速い前
記第二二酸化珪素層だけに開口するゲート電極からの配
線を取り出すためのコンタクトホールは約１．５〜２倍
の大きさになり、基板内に均一な大きさのコンタクトホ
ールを開口することができないために微細化が難しかっ
た。また、ゲート電極を形成する第二多結晶珪素層と化
学気相成長法やスパッタ法で形成された第二二酸化珪素
層の密着は、ソース及びドレイン領域を形成する第一多
結晶珪素層と熱酸化法などによって形成された第一二酸
化珪素層の密着より悪いために、従来技術のようにコン
タクトホールを開口すると、ゲート電極に開口するコン
タクトホールの形状は、引出し配線の断線の原因となる
逆テーパになるという問題点があった。
【０００６】以上の問題点をなくすために、本発明では
、前記ゲート線及び容量線の配線抵抗を低下させ、かつ
、前記ソース及びドレイン領域に開口するコンタクトホ
ールと前記ゲート電極に開口するコンタクトホールの形
状と大きさを基板内で均一に形成することを目的とする
。
、前記ゲート線及び容量線の配線抵抗を低下させ、かつ
、前記ソース及びドレイン領域に開口するコンタクトホ
ールと前記ゲート電極に開口するコンタクトホールの形
状と大きさを基板内で均一に形成することを目的とする
。
【０００７】
【課題を解決するための手段】ガラス基板上に形成する
薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス素子
において、 ａ）ソース、ドレイン領域及びチャネル層となるべき第
一多結晶珪素層を形成する工程と、 ｂ）前記第一多結晶珪素層の上に、熱酸化法などによっ
てゲート絶縁膜となる第一二酸化珪素層を形成する工程
と、 ｃ）ゲート電極、ゲート線及び容量線となるべき第二多
結晶珪素層を形成する工程と、 ｄ）ソース及びドレイン領域を形成するために、ゲート
電極をマスクにして第一多結晶珪素層にイオン打ち込み
法などにより不純物を導入する工程と、ｅ）ソース及び
ドレイン領域に導入した前記不純物を活性化するために
、アニールする工程と、ｆ）ソース及びドレイン領域か
ら引出し配線を取り出すための第一コンタクトホールを
第一二酸化珪素層に開口する工程と、 ｇ）前記ゲート線及び容量線の配線抵抗を低下させるた
めに、金属層を形成する工程と、 ｈ）前記金属層がゲート線及び容量線上のみに残るよう
に、エッチングする工程と、 ｉ）化学気相成長法またはスパッタ法で、層間絶縁膜と
なる第二二酸化珪素層を形成する工程と、ｊ）ソース、
ドレイン領域及びゲート電極から引出し配線を形成する
ために、第二コンタクトホールを前記第二二酸化珪素層
に開口する工程からなることを特徴とする。
薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリックス素子
において、 ａ）ソース、ドレイン領域及びチャネル層となるべき第
一多結晶珪素層を形成する工程と、 ｂ）前記第一多結晶珪素層の上に、熱酸化法などによっ
てゲート絶縁膜となる第一二酸化珪素層を形成する工程
と、 ｃ）ゲート電極、ゲート線及び容量線となるべき第二多
結晶珪素層を形成する工程と、 ｄ）ソース及びドレイン領域を形成するために、ゲート
電極をマスクにして第一多結晶珪素層にイオン打ち込み
法などにより不純物を導入する工程と、ｅ）ソース及び
ドレイン領域に導入した前記不純物を活性化するために
、アニールする工程と、ｆ）ソース及びドレイン領域か
ら引出し配線を取り出すための第一コンタクトホールを
第一二酸化珪素層に開口する工程と、 ｇ）前記ゲート線及び容量線の配線抵抗を低下させるた
めに、金属層を形成する工程と、 ｈ）前記金属層がゲート線及び容量線上のみに残るよう
に、エッチングする工程と、 ｉ）化学気相成長法またはスパッタ法で、層間絶縁膜と
なる第二二酸化珪素層を形成する工程と、ｊ）ソース、
ドレイン領域及びゲート電極から引出し配線を形成する
ために、第二コンタクトホールを前記第二二酸化珪素層
に開口する工程からなることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】以下、本発明について、実施例に基づき詳細
に説明する。
に説明する。
【０００９】図１は本発明の実施例を工程順に示す断面
図である。図１（ａ）において、１０１はソースまたは
ドレイン領域であり、１０２はチャネル部分であり、１
０３はゲート絶縁膜となる熱酸化法などによって形成さ
れた第一二酸化珪素層である。１０４は第二多結晶珪素
層からなるゲート電極であり、１０５ａは第二多結晶珪
素層からなるゲート線であり、１０６ａは第二多結晶珪
素層からなる容量線であり、ゲート電極１０４、ゲート
線１０５ａ、容量線１０６ａは同じ工程で形成される。 １０１のソース及びドレイン領域には不純物がドープさ
れており、活性化のアニールも図１（ａ）の状態の時に
行なう。次に、図１（ｂ）のように、ソース及びドレイ
ン領域から引出し配線を取り出すための第一コンタクト
ホール１０７を、フッ酸系のエッチング液を使用した湿
式エッチングまたは、反応性イオンエッチング装置を用
いた乾式エッチングで第一二酸化珪素層に開口する。次
に、図１（ｃ）のように、多結晶珪素と２００℃以下の
温度では反応しないような金属を、ゲート線１０５ａ及
び容量線１０６ａの上のみに残るように形成し、前記ゲ
ート線及び容量線の配線抵抗を低下させる。金属層をエ
ッチングするときのレジストのベーク温度の最大値が２
００℃に達するために、多結晶珪素と２００℃以下の温
度で反応する金属を用いると、ソース及びドレイン部分
に接しているところでシリサイドが形成されて、トラン
ジスタの特性が大幅に変化する可能性があるため該金属
は使用できない。１０５ｂ、１０６ｂは各々前記金属に
より形成されたゲート線、容量線であり、１０５ａ、ｂ
の二層でゲート線１０５となり、１０６ａ、ｂの二層で
容量線１０６となる。ここで、ゲート線の一部が薄膜ト
ランジスタのチャネル層１０２の上を通っておりゲート
電極として機能している場合は、チャネル層１０２の多
結晶珪素層のダングリングボンドを解消して薄膜トラン
ジスタのオン電流特性を向上させることができる水素化
が不可能となるので、ゲート線１０５ｂとなる金属層は
形成しなくてもよい。なぜなら、金属層は多結晶珪素層
よりも水素イオンをかなり通しにくいため、チャネル層
に水素イオンを導入できないからである。また、ゲート
線１０５及び容量線１０６の上を配線が横切る場合は、
前記配線の断線を防止するために１０５ａ及び１０６ａ
の多結晶珪素層の配線幅よりも、１０５ｂ及び１０６ｂ
の金属層の配線幅を１〜２μｍ狭くするほうがよい。次
に、図１（ｄ）のように化学気相成長法またはスパッタ
法で第二二酸化珪素層１０８を約７０００Åほど堆積し
て、前記第二二酸化珪素層の膜質を向上させるために、
１０５のゲート線および１０６の容量線の多結晶珪素と
金属がシリサイド化しない温度、または前記金属が溶融
しない温度の４００〜７００℃でアニールを行う。前記
アニール温度はゲート線１０５ｂ及び容量線１０６ｂに
使用する金属の種類によって異なり、シリサイド化をお
こさない限り、または、金属が溶融しない限りできるだ
け高い温度のほうが、前記第二二酸化珪素層の膜質が向
上するので望ましい。次に、図１（ｅ）のようにソース
及びドレイン領域１０１及びゲート電極１０４からの引
出し配線を得るために第二二酸化珪素層１０８に、フッ
酸系のエッチング液を用いた湿式エッチング又は、反応
性イオンエッチング装置を用いた乾式エッチングによっ
て第二コンタクトホール１０９を開口する。ソース及び
ドレイン領域に開口する第二コンタクトホール１０９は
、高精細なパネルを実現するためにはトランジスタ素子
を小さくする必要があるので、第一コンタクトホール１
０７を開口した後に第二二酸化珪素層１０８が堆積され
、再度第一コンタクトホールと同じ位置に同じ径の大き
さで開口されるのが理想である。しかし、基板のそりや
コンタクトホールパターンの露光ずれの影響などで、実
際に形成された第一コンタクトホール１０７と第二コン
タクトホール１０９の位置は異なる場合がある。前記の
２つのコンタクトホールの位置がずれた状態で、第二コ
ンタクトホールのエッチングがソース及びドレイン領域
を形成している第一多結晶珪素層１０１に到達する前に
第一二酸化珪素層１０３に到達すると、第二二酸化珪素
層１０８のエッチング速度は第一二酸化珪素層１０３の
３〜５倍の速さなので、第一二酸化珪素層１０３のエッ
チングが進まない。よって、基板内でのソース及びドレ
イン領域１０１と引出し配線のコンタクト部の面積が異
なるために、薄膜トランジスタの特性のばらつきが生じ
ることがある。図２は前記２つのコンタクトホールの平
面図であるが、第一コンタクトホール２０１の大きさを
第二コンタクトホール２０２の大きさより１〜２μｍ大
きくすれば、前記の位置ずれが生じても第二コンタクト
ホールをエッチングする際に、第一二酸化珪素層１０３
をエッチングすることはない。したがって、２つのコン
タクトホールの大きさは一定となるので薄膜トランジス
タの特性のばらつきの原因とはなり得ない。
図である。図１（ａ）において、１０１はソースまたは
ドレイン領域であり、１０２はチャネル部分であり、１
０３はゲート絶縁膜となる熱酸化法などによって形成さ
れた第一二酸化珪素層である。１０４は第二多結晶珪素
層からなるゲート電極であり、１０５ａは第二多結晶珪
素層からなるゲート線であり、１０６ａは第二多結晶珪
素層からなる容量線であり、ゲート電極１０４、ゲート
線１０５ａ、容量線１０６ａは同じ工程で形成される。 １０１のソース及びドレイン領域には不純物がドープさ
れており、活性化のアニールも図１（ａ）の状態の時に
行なう。次に、図１（ｂ）のように、ソース及びドレイ
ン領域から引出し配線を取り出すための第一コンタクト
ホール１０７を、フッ酸系のエッチング液を使用した湿
式エッチングまたは、反応性イオンエッチング装置を用
いた乾式エッチングで第一二酸化珪素層に開口する。次
に、図１（ｃ）のように、多結晶珪素と２００℃以下の
温度では反応しないような金属を、ゲート線１０５ａ及
び容量線１０６ａの上のみに残るように形成し、前記ゲ
ート線及び容量線の配線抵抗を低下させる。金属層をエ
ッチングするときのレジストのベーク温度の最大値が２
００℃に達するために、多結晶珪素と２００℃以下の温
度で反応する金属を用いると、ソース及びドレイン部分
に接しているところでシリサイドが形成されて、トラン
ジスタの特性が大幅に変化する可能性があるため該金属
は使用できない。１０５ｂ、１０６ｂは各々前記金属に
より形成されたゲート線、容量線であり、１０５ａ、ｂ
の二層でゲート線１０５となり、１０６ａ、ｂの二層で
容量線１０６となる。ここで、ゲート線の一部が薄膜ト
ランジスタのチャネル層１０２の上を通っておりゲート
電極として機能している場合は、チャネル層１０２の多
結晶珪素層のダングリングボンドを解消して薄膜トラン
ジスタのオン電流特性を向上させることができる水素化
が不可能となるので、ゲート線１０５ｂとなる金属層は
形成しなくてもよい。なぜなら、金属層は多結晶珪素層
よりも水素イオンをかなり通しにくいため、チャネル層
に水素イオンを導入できないからである。また、ゲート
線１０５及び容量線１０６の上を配線が横切る場合は、
前記配線の断線を防止するために１０５ａ及び１０６ａ
の多結晶珪素層の配線幅よりも、１０５ｂ及び１０６ｂ
の金属層の配線幅を１〜２μｍ狭くするほうがよい。次
に、図１（ｄ）のように化学気相成長法またはスパッタ
法で第二二酸化珪素層１０８を約７０００Åほど堆積し
て、前記第二二酸化珪素層の膜質を向上させるために、
１０５のゲート線および１０６の容量線の多結晶珪素と
金属がシリサイド化しない温度、または前記金属が溶融
しない温度の４００〜７００℃でアニールを行う。前記
アニール温度はゲート線１０５ｂ及び容量線１０６ｂに
使用する金属の種類によって異なり、シリサイド化をお
こさない限り、または、金属が溶融しない限りできるだ
け高い温度のほうが、前記第二二酸化珪素層の膜質が向
上するので望ましい。次に、図１（ｅ）のようにソース
及びドレイン領域１０１及びゲート電極１０４からの引
出し配線を得るために第二二酸化珪素層１０８に、フッ
酸系のエッチング液を用いた湿式エッチング又は、反応
性イオンエッチング装置を用いた乾式エッチングによっ
て第二コンタクトホール１０９を開口する。ソース及び
ドレイン領域に開口する第二コンタクトホール１０９は
、高精細なパネルを実現するためにはトランジスタ素子
を小さくする必要があるので、第一コンタクトホール１
０７を開口した後に第二二酸化珪素層１０８が堆積され
、再度第一コンタクトホールと同じ位置に同じ径の大き
さで開口されるのが理想である。しかし、基板のそりや
コンタクトホールパターンの露光ずれの影響などで、実
際に形成された第一コンタクトホール１０７と第二コン
タクトホール１０９の位置は異なる場合がある。前記の
２つのコンタクトホールの位置がずれた状態で、第二コ
ンタクトホールのエッチングがソース及びドレイン領域
を形成している第一多結晶珪素層１０１に到達する前に
第一二酸化珪素層１０３に到達すると、第二二酸化珪素
層１０８のエッチング速度は第一二酸化珪素層１０３の
３〜５倍の速さなので、第一二酸化珪素層１０３のエッ
チングが進まない。よって、基板内でのソース及びドレ
イン領域１０１と引出し配線のコンタクト部の面積が異
なるために、薄膜トランジスタの特性のばらつきが生じ
ることがある。図２は前記２つのコンタクトホールの平
面図であるが、第一コンタクトホール２０１の大きさを
第二コンタクトホール２０２の大きさより１〜２μｍ大
きくすれば、前記の位置ずれが生じても第二コンタクト
ホールをエッチングする際に、第一二酸化珪素層１０３
をエッチングすることはない。したがって、２つのコン
タクトホールの大きさは一定となるので薄膜トランジス
タの特性のばらつきの原因とはなり得ない。
【００１０】上述の工程を経て、出来上がった本発明の
薄膜トランジスタは、エッチング速度の異なる第一二酸
化珪素層１０３と第二二酸化珪素層１０８を二回に分け
てエッチングするために、各々の層にあわせたエッチン
グ条件を使えるので、コンタクトホールの形状は、引出
し配線の断線の原因となる逆テーパになることはないし
、ソース及びドレイン領域に開口するコンタクトホール
とゲート電極に開口するコンタクトホールの大きさをほ
ぼ等しくできるため微細化が可能になる。
薄膜トランジスタは、エッチング速度の異なる第一二酸
化珪素層１０３と第二二酸化珪素層１０８を二回に分け
てエッチングするために、各々の層にあわせたエッチン
グ条件を使えるので、コンタクトホールの形状は、引出
し配線の断線の原因となる逆テーパになることはないし
、ソース及びドレイン領域に開口するコンタクトホール
とゲート電極に開口するコンタクトホールの大きさをほ
ぼ等しくできるため微細化が可能になる。
【００１１】
【発明の効果】以上述べた本発明によれば、ゲート線及
び容量線の抵抗は低下させることができ、コンタクトホ
ールはソース及びドレイン領域の上にあける場合は、ゲ
ート電極の上にあける場合でもほぼ同じ大きさと形状に
できるので、薄膜トランジスタの微細化が可能になる。 したがって、マクティブマトリックスの表示特性を向上
させられる大型化及び高精細化した薄膜トランジスタを
提供できる。
び容量線の抵抗は低下させることができ、コンタクトホ
ールはソース及びドレイン領域の上にあける場合は、ゲ
ート電極の上にあける場合でもほぼ同じ大きさと形状に
できるので、薄膜トランジスタの微細化が可能になる。 したがって、マクティブマトリックスの表示特性を向上
させられる大型化及び高精細化した薄膜トランジスタを
提供できる。
【図１】本発明の薄膜トランジスタの工程毎の断面図。
【図２】本発明の薄膜トランジスタのコンタクトホール
の平面図。
の平面図。
１０１ ソースまたはドレイン領域
１０２ チャネル
１０３ 第一二酸化珪素層
１０４ ゲート電極
１０５ ゲート線
１０５ａ 多結晶珪素層からなるゲート線１０５ｂ
金属層からなるゲート線 １０６ 容量線 １０６ａ 多結晶珪素層からなる容量線１０６ｂ
金属層からなる容量線 １０７ 第一コンタクトホール １０８ 第二二酸化珪素層 １０９ 第二コンタクトホール ２０１ 第一コンタクトホール ２０２ 第二コンタクトホール
金属層からなるゲート線 １０６ 容量線 １０６ａ 多結晶珪素層からなる容量線１０６ｂ
金属層からなる容量線 １０７ 第一コンタクトホール １０８ 第二二酸化珪素層 １０９ 第二コンタクトホール ２０１ 第一コンタクトホール ２０２ 第二コンタクトホール
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上に形成する薄膜トランジスタ
を用いたアクティブマトリックス素子において、ａ）ソ
ース、ドレイン領域及びチャネル層となるべき第一多結
晶珪素層を形成する工程と、 ｂ）前記第一多結晶珪素層の上に、熱酸化法などによっ
てゲート絶縁膜となる第一二酸化珪素層を形成する工程
と、 ｃ）ゲート電極、ゲート線及び容量線となるべき第二多
結晶珪素層を形成する工程と、 ｄ）ソース及びドレイン領域を形成するために、ゲート
電極をマスクにして第一多結晶珪素層にイオン打ち込み
法などにより不純物を導入する工程と、ｅ）ソース及び
ドレイン領域に導入した前記不純物を活性化するために
、アニールする工程と、ｆ）ソース及びドレイン領域か
ら引出し配線を取り出すための第一コンタクトホールを
第一二酸化珪素層に開口する工程と、 ｇ）前記ゲート線及び容量線の配線抵抗を低下させるた
めに、金属層を形成する工程と、 ｈ）前記金属層がゲート線及び容量線上のみに残るよう
に、エッチングする工程と、 ｉ）化学気相成長法またはスパッタ法で、層間絶縁膜と
なる第二二酸化珪素層を形成する工程と、ｊ）ソース、
ドレイン領域及びゲート電極から引出し配線を形成する
ために、第二コンタクトホールを前記第二二酸化珪素層
に開口する工程からなることを特徴とする薄膜トランジ
スタとその製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2602291A JP3293837B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2602291A JP3293837B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35862497A Division JP3285806B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JP2000087268A Division JP3161466B2 (ja) | 1991-02-20 | 2000-03-27 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264772A true JPH04264772A (ja) | 1992-09-21 |
| JP3293837B2 JP3293837B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=12182081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2602291A Expired - Fee Related JP3293837B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293837B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952093B2 (en) | 1998-12-18 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP2602291A patent/JP3293837B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952093B2 (en) | 1998-12-18 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US8252637B2 (en) | 1998-12-18 | 2012-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9368642B2 (en) | 1998-12-18 | 2016-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3293837B2 (ja) | 2002-06-17 |
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