JPH0426105A - 軟磁性薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、軟磁性薄膜、特に高密度記録に適した磁気ヘ
ッド、薄膜インダクタ等に用いられる軟磁性薄膜に関す
る。

〈従来の技術〉 磁気ヘッドや薄膜インダクタ等の軟磁性薄膜の材料とし
て、センダスト、パーマロイ等の各種軟磁性材料が知ら
れている。

この場合、例えば、磁気記録の分野では、磁気記録の高
密度化に伴ない、高い保磁力Ｈｃを有する磁気記録媒体
が用いられる。　この場合、高保磁力の゛磁気記録媒体
に良好な記録を行なうには、磁気ヘッドから密度の高い
磁束を発生させる必要がある。

このため、磁気ヘッド用の軟磁性薄膜として、飽和磁束
密度Ｂｓが高いものが要求される。

加えて、高い記録・再生感度が得られる点で、軟磁性薄
膜の透磁率μが高いことが好ましい。

さらには、透磁率μの周波数特性が高い点で、電気抵抗
率ρが高いことが好ましい。

しかし、センダストやパーマロイでは、飽和磁束密度Ｂ
ｓが不十分なため、保磁力Ｈｅが１４０００ｅ以上ある
高保磁力の磁気記録媒体に十分な書き込みができない。

また、数種の軟磁性薄膜を交互に積層した高飽和磁束密
度および高透磁率の多層膜が知られているが、製造工程
が多（、複雑であり、しかも生産歩留りが低いため、未
だ実用化されていない。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、透磁率μが
高（、しかも電気抵抗率ρが高い軟磁性薄膜を提供する
ことにある。

く課題を解決するための手段〉 このような目的は下記（１）〜（３）の本発明によって
達成される。

（１）下記式で表わされる原子比組成を有することを特
徴とする軟磁性薄膜。

式　　Ｆ　ｅ　　１００−ｆａ＊ｂｌ　　Ｍ、　　Ｏｂ
（上式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素から
選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１５．４≦ｂ≦３５
である。） （２）Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性
相の結晶粒子の平均結晶粒径りが１０００Å以下である
上記（１）に記載の軟磁性薄膜。

（３）Ｆｅを主成分とする主磁性層を有し、前記主磁性
相の結晶粒子が全体の５０体積％以上存在する上記（１
）または（２）に記載の軟磁性薄膜。

〈作用〉 本発明の軟磁性薄膜は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、透磁
率μが高く、しかも電気抵抗率ρが高い。

このため、本発明の軟磁性薄膜を例えば、磁気ヘッドに
適用する場合、高保磁力の磁気記録媒体に十分書き込む
ことができ、しかも高い記録・再生感度が得られ、加え
て、高周波数特性が向上する。

なお、特開昭６４−２２４０３号公報には、ｒＦｅを主
体とし、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ
、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｏｓ。

Ｃｏ％　Ｎｉ、Ｂ、Ｃ，Ａｊ２、Ｓｉ、Ｇａ。

Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｂの少な（とも一種を２０ａｔ％以
下含有し、かつ酸素を０．００５〜３ａｔ％含有する軟
磁性薄膜」が開示されている。

しかし、酸素含有量が４ａｔ％未満では、透磁率μが低
く、十分な軟磁性特性を得ることができずかつ電気抵抗
率ρも不十分である。

〈発明の具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明の軟磁性薄膜は、下記式で示される原子比組成を
有する。

式　　Ｆ　ｅ　　１００−１ａ＊ｊ＋ｌ　　Ｍ　ａ　　
Ｏｂ上式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素か
ら選ばれる１種以上である。

このうち、Ｙ　、　Ｌ　ａ　％　Ｃｅ％Ｔ　ｌ　、Ｚ　
ｒおよびＨｆの１種以上が好ましい。

より好ましくは、緻密性、密着強度および安定性が高く
、しかも内部応力が小さい等の膜質が良好な点で、Ｙ、
ＨｆおよびＺｒから選ばれる１種以上、特に好ましくは
これらのうちで、Ｈｃが低く、μが高く、磁気特性が良
好であり、ρが高く、高周波特性が良好な点でＹが好ま
しい。

また、ａは２〜１５、好ましくは３〜１３、特に好まし
くは４〜１１である。

前記範囲未満では、保磁力Ｈｅが高（、十分な透磁率μ
が得られない。

前記範囲をこえると飽和磁束密度Ｂｓが１２ｋＧ以下に
低下する。

また、ｂは４〜３５、好ましくは７〜２８、特に好まし
くは９〜２１である。

前記範囲未満では、保磁力Ｈｅが高く、十分な軟磁気特
性が得られない。

前記範囲をこえると飽和磁束密度Ｂｓが１２ｋＧ以下に
低下し、また保磁力Ｈｅも高（なり十分な軟磁気特性が
得られない。

なお、場合によっては、さらに炭素および／または窒素
が、酸素の一部を置換して含有していてもよい。

この場合、酸素の含有量は、酸素、窒素および炭素の合
計に刻して、５０ａｔ％以上、より好ましくは８０ａｔ
％以上、特に好ましくは９０〜１００ａｔ％であること
が好ましい。

これにより、特にρが向上し、高周波特性が向上する。

このような本発明の軟磁性薄膜の組成は、例えば、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ　Ｐｒｏｂｅ　Ｍｉｃｒｏ　Ａｎａｌｙｓ
ｉｓ　（ＥＰＭＡＪ法によりすればよい。

軟磁性薄膜の膜厚は、用途等に応じて適宜選択すればよ
いが、通常０．３〜５−程度である。

このような本発明の軟磁性薄膜は、通常、Ｆｅを主成分
とする主磁性相と、Ｘの酸化物を主成分とする酸化物相
とを有する。　ただし、酸化物相の粒子は微細なため、
通常のＸ線回折等では検出が困難である。

主磁性相は、通常、Ｆｅを主成分とする結晶粒子にて構
成される。　そして、結晶粒子は、Ｆｅのみで構成され
てもよ（、あるいはＦｅにＭまたは酸素が固溶したもの
であってもよい。

また、酸化物相は、通常、Ｍの酸化物にて構成されるが
、さらにＭの窒化物やＭの炭化物等が含まれていてもよ
い。　この場合、Ｍの酸化物は、通常、最も安定な酸化
物の形で存在するが、化学量論の組成から多少ずれてい
てもよい。

主磁性層の結晶粒子の平均結晶粒径りは、ｉ　ｏｏｏÅ
以下であることが好ましい。

前記範囲をこえると異方性分散を小さ（することができ
な（なると考えられ、結果として保磁力Ｈｃが大きくな
り、軟磁気特性を得ることができない。

そして、平均結晶粒径りは、より好ましくは３００Å以
下、特に２０〜３００人であることが好ましい。

前記範囲の場合、特に高い透磁率μが得られる。

なお、平均結晶粒径りが１０００Å以下、特に３００Å
以下の場合、高い耐食性が得られる。　そして、特にＭ
としてＹが含まれる場合は、Ｆｅ−Ｙ合金の有する耐食
性との相乗効果によって、より一層高い耐食性が得られ
る。

結晶粒子の平均結晶粒径りは、粉末法によるＸ線回折線
のα−Ｆｅ（１１０）ピークの半値巾ＷｆｉＯを測定し
、下記のシェラ−の式から求めればよい。

式　　Ｄ＝０．　９　　λ／Ｗ、。ｃｏｓθ上式におい
て、λは用いたＸ　Ｉｍの波長であり、θは回折角であ
る。

なお、ａ−Ｆｅ（１１０）ピークの２０は、４４．４度
である。

また、主磁性相の結晶粒子は全体の５０体積％以上、特
に８０体積％以上存在することが好ましい。

前記範囲未満では保磁力Ｈｅが大きく、軟磁気特性が得
られず、しかも飽和磁束密度Ｂｓも低い。

微結晶よりなる主磁性相の体積比率は、例えば透過型電
子顕微鏡を用いて、マトリックスの非晶質相と析出して
いる微結晶相の体積比にて求めればよい。

本発明の軟磁性薄膜を成膜するには、蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング、ＣＶＤ等の気相法を用い
ればよい。

成膜時には、通常、基板を水冷する。　基板温度が高い
と成膜される軟磁性薄膜の主磁性相および酸化物相の結
晶粒が成長するため、基板温度は２００℃以下が好まし
い。

基板の冷却法に特に制限はな（、例えば、水冷して成膜
すればよい。

軟磁性薄膜をスパッタ法により形成するには、例えば、
以下のようにする。

ターゲットには、合金鋳造体や焼結体さらには複合ター
ゲット等を用いる。

酸素を膜中に混入するためには、酸素雰囲気中の反応性
スパッタでもよ（、あるいは、ターゲットに酸化物を用
いてもよい。

スパッタリングは、Ａｒ等不活性ガス雰囲気下で行なわ
れる。

そして、反応性スパッタの場合は、酸素を０．２〜２．
５体積％程度含有させればよい。

スパッタの方式には特に制限はなく、また、使用するス
パッタ装置にも制限はなく、通常のものを用いればよい
。

なお、動作圧力は、通常、ＲＦスパッタの場合には３〜
３０　Ｘ　１．０−”Ｔｏｒｒ程度、イオンビームスパ
ッタの場合には１．５〜２．５８１．０−’Ｔｏｒｒ程
度とすればよ（、このほかの諸条件は、スパッタ方式の
種類等に応じ適宜決定する。

成膜直後の膜は、非晶質でも、あるいは結晶質すなわち
結晶粒子が存在してもよい。

なお、Ｍと酸素は親和力が強いため、成膜時にＭ酸化物
の生成熱により膜が自己熱処理され、良好な軟磁気特性
が得られる。

軟磁性薄膜の軟磁気特性をより一層向上させるため熱処
理を行うことが好ましい。　この場合、特に下記の条件
が好適である。

昇温速度：２〜ｂ 保持温度＝２００〜５５０℃。

特に３００〜４５０℃程度 保持時間二５〜１００分程度 冷却速度：２〜ｂ 雰囲気：　Ｉ　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ以下の真空中また
はＡｒ等の不活性ガス中 なお、本発明の場合、微細に分散したＭ酸化物が、熱処
理による結晶粒子の粒成長を抑制するため、平均結晶粒
径りは前記の範囲内となる。

得られた軟磁性薄膜の直流〜５０）！ｚ程度での保磁力
Ｈｃは、４　０ｅ以下、より好ましくは３　０ｅ以下で
あることが好ましい。

また、５　ＭＨｚでの初透磁率μｍは、６００以上、特
に７００以上のものが得られる。

保磁力Ｈｅが前記範囲をこえると、あるいは初透磁率μ
、が前記範囲未満であると、磁気ヘッドに適用したとき
、記録・再生感度が低下する傾向にある。

また、軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂｓは、１２ｋＧ以上
、特に１４ｋＧ以上のものが得られる。

前記範囲未満であるとオーバーライド特性が悪化し、特
に高保磁力の磁気記録媒体への記録が困難となる。

また、軟磁性膜の電気抵抗率ρは、１００Ｘ１０−６Ω
’　Ｃ１１１１以上、特に１３０Ｘ１０−’Ω’　ｃｍ
以上のものが得られる。

このため、本発明の軟磁性薄膜は、例えば膜厚２μｍで
μｉが約２０００の薄膜の場合、１３ＭＨｚ程度の周波
数まではμｉは低下せず、高周波でも高透磁率が得られ
る。

なお、Ｂｓ、Ｈｅ、μｉおよびρは下記のとおり測定す
ればよい。

Ｂｓ：試料振動式磁力計（ＶＳＭ）を用いて、］０ｋＯ
ｅの磁場中で行なう。

Ｈｃ　：薄膜ヒストロスコープを用いて行なう。

μｉ　：インピーダンスアナライザーを用い、３　　ｍ
０ｅ（７）１１！場中にて、測定周波数５　ＭＨｚでイ
ンダクタンスを測定して求める。

ρ：四端子法でシート抵抗を測定して求める。

本発明の軟磁性薄膜は薄膜磁気ヘッド等の各種磁気ヘッ
ドに適用できる。

第１図に、本発明を適用した好適実施例である浮上型の
薄膜磁気ヘッドを示す。

第１図に示される薄膜磁気ヘッドは、スライダ７上に、
絶縁層８１、下部磁極層９１、ギャップ層１０、絶縁層
８３、コイル層１１、絶縁層８５、上部磁極層９５およ
び保護層１２を順次有する。

本発明においてスライダ７は、材料として従来公知の種
々のものを用いればよく、例えばセラミックス、フェラ
イト等により構成される。

この場合、セラミックス、特にＡρ２０３−ＴｉＣを主
成分とするセラミックス、Ｚ　ｒ　Ｏｚを主成分とする
セラミックス、ＳｉＣを主成分とするセラミックスまた
はＡβＮを主成分とするセラミックスが好適である。　
なお、これらには、添加物としてＭ　ｇ　、　Ｙ　、　
Ｚ　ｒ　ＯｚＴｉＯ□等が含有されてい−Ｃもよい。

スライダ７の形状やサイズ等の諸条件は公知の何れのも
のであってもよく、用途に応じ適宜選択される。

スライダ７上には、絶縁層８１が形成される。

絶縁層８１の材料としては従来公知のものは何れも使用
可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法により行な
うときには、Ｓｉ　Ｏｔ　、ガラス、Ａｆｆ２０．等を
用いることができる。

絶縁層８１の膜厚やパターンは公知の何れのものであっ
てもよく、例えば膜厚は、５〜４０戸程度とする。

磁極は、通常図示のように、下部磁極層９１と、上部磁
極層９５として設けられる。

本発明では、下部磁極層９１および上部磁極層９５に、
前記式で表わされる原子比組成の軟磁性薄膜を用いる。

このため、高保磁力の磁気記録媒体に対してもオーバー
ライド特性に優れ、記録・再生感度、特に、高周波数で
の記録・再生感度が高い磁気ヘッドが得られる。

下部および上部磁極層９１．９５のパターン、膜厚等は
公知のいずれのものであってもよい。　例えば下部磁極
層９１の膜厚は１〜５μｓ程度、上部磁極層９５の膜厚
は１〜５−程度とすればよい。

下部磁極層９１および上部磁極層９５の間にはギャップ
層ｌＯが形成される。

ギャップ層１０には、Ａ氾ｚｏｓ、ｓｉｏ。

等公知の種々の材料を用いればよい。

また、ギャップ層１０のパターン、膜厚等は公知の何れ
のものであってもよい。　例えば、ギャップ１０の膜厚
は０．２〜１．０戸程度とすればよい。

コイル層１１の材質には特に制限はなく、通常用いられ
るＡρ、Ｃｕ等の金属を用いればよい。

コイルの巻回パターンや巻回密度についても制β尺はな
く、公知のものを適宜選択使用すればよい。　例えば巻
回パターンについては、図示のスパイラル型の他、積層
型、ジグザグ型等何れであってもよい。

また、コイル層１１の形成にはスパッタ法、めっき法等
の各種気相被着法な用いればよい。

図示例ではコイル層１１は、いわゆるスパイラル型とし
てスパイラル状に上部および下部磁極層９１．９５間に
配設されており、コイル層１１と上部および下部磁極層
９１．９５間には絶縁層８３．８５が設層されている。

絶縁層８３．８５の材料としては従来公知のものは何れ
も使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法によ
り行なうときには、Ｓ　ｉ　Ｏｚ　、ガラス、Ａρ、０
１等を用いることができる。

また、上部磁極層９５上には保護層１２が設層される。

　保護層１２の材料としては従来公知のものは何れも使
用可能であり、例えばＡＩ！、２０ｚ等を用いることが
できる。

この場合、保護層１２のパターンや膜厚等は従来公知の
ものはいずれも使用可能であり、例えば膜厚は１０〜５
０μ程度とすればよい。

なお、本発明ではさらに各種樹脂コート層等を積層して
もよい。

このような薄膜磁気ヘッドの製造工程は、通常、薄膜作
製とパターン形成とによって行なわれる。

各層の薄膜作製には、上記したように、従来公知の技術
である気相被着法、例えば真空蒸着法、スパッタ法、あ
るいはめっき法等を用いればよい。

薄膜磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の技
術である選択エツチングあるいは選択デポジションによ
り行なうことができる。　エツチングとしてはウェット
エツチングやドライエツチングにより行なうことができ
る。

本発明を適用した薄膜磁気ヘッドは、アーム等の従来公
知のアセンブリーと組み合わせて使用される。

また、前記の薄膜磁気ヘッドを用いて、種々の方式のオ
ーバーライド記録を行うことができる。

本発明の軟磁性薄膜は、このような薄膜磁気ヘッドのは
かＭＩＧ　（メタル・イン・ギヤツブ）ヘッド等の各種
磁気ヘッドに適用できる。

また、熱処理温度が比較的低い３００℃程度で十分な磁
気特性が得られるので、ポリイミドなどの高分子フィル
ムの上に成膜することもできるので、薄膜インダクタ等
にも適用できる。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例Ｉ ＲＦスパッタ装置を用いて、表１に示される原子比組成
を有し、膜厚、約１μのＦｅ−Ｙ−Ｏ軟磁性薄膜を基板
上に成膜した。

まず、純鉄ターゲット上にＹのチップを対称性よ（配置
し、この複合ターゲットから５５ｍｍの位置に基板を置
き、Ａｒと０２の混合ガスでスパッタリングを行なった
。

なお、基板には結晶化ガラス（コーニング社製　フォト
セラム）を用い、間接水冷して、基板の温度を１００℃
以下に保持した。

主な成膜条件は、下記のとおりである。

スパッタガス＋Ａｒ＋０．１体積％０２〜Ａｒ＋２．５
体積％０２ スパッタガス圧：　５　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒ投入電カ
ニ　２　、４　Ｗ／ｃｍ” 成膜速度：１６０人／分 到達真空度：　Ｉ　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ次に、磁気
特性を向上させるために真空度Ｉ　Ｘ　１０−１′Ｔｏ
ｒｒ　、温度４００℃、保持時間１時間にて熱処理を行
なった後に、以下の方法で諸特性を評価した。

（１）膜組成 特別に純度９９．８５％のアルミニウム基板上に成膜し
た膜を用いて、ＥＰＭＡ法により求めた。

（２）初透磁率（μｉ） フェライトヨークを膜面に当て、インピーダンスアナラ
イザを用いて、３　　ｍＯｅの磁場、測定周波数５１４
Ｈｚでインダクタンスを測定することにより求めた。

（３）保磁力Ｕｃ） 薄膜ヒストロスコープにより求めた。

（４）飽和磁束密度（Ｂｓ） ＶＳＭを用いて１０ｋＯｅの磁場中で測定した。

（５）電気抵抗率（ρ） 四端子法でシート抵抗を測定することにより求めた。

（６）結晶粒子の平均結晶粒径（Ｄ） Ｘ線回折法を用いてα−Ｆｅ（１１０）ピークの半値幅
より求めた。

（７）結晶粒子の含有率 透過型電子顕微鏡を用いて、マトリックスの非晶質相と
析出している微結晶相の体積比より求めた。

また、比較用に、Ｆ　ｅ　？４Ｓ　ｉ　＋ａＡ　Ａ　ａ
（ａｔ％）の組成の合金ターゲットを用いて、Ａｒ中で
スパッタリングを行なったほかは、前記と同様とし、膜
厚ｌ−のＦｅ−５ｉ−Ａｊ２軟磁性薄膜をガラス基板上
に成膜した。

そして、真空度１ｘｌＯ−Ｔｏｒｒ、７．ｉ度６００℃
、保持時間１時間にて熱処理を行なった後、前記と同様
に緒特性を評価した。

結果は表１に示されるとおりである。

表１に示される結果から本発明の効果が明らかである。

なお、１〜２０ＭＨｚの周波数でμｉを測定したところ
、サンプルＮｏ、　　１．２では、それぞれ１〜１０Ｍ
ｔ（ｚにて一定のμｉが得られ、２０Ｍ１（ｚでもμｉ
の低下量はわずかであった。

加えて、耐食性も良好であった。

また、第２図にサンプルＮｏ、　　１の熱処理前のＸ線
回折チャート、第３図にサンプルＮｏ、　　１の熱処理
後のＸ線回折チャートを示す。

成膜直後にα−Ｆｅの鋭い（１１０）ピークを示してい
た本発明の軟磁性薄膜（Ｎｏ、１）は、真空中で４００
℃にて１時間保持されることによって、このａ−Ｆｅの
（’１．１０）ピークが小さくなり、結晶粒子の粒成長
が生じていないことがわかる。　これは、正確なことは
不明であるが、Ｘ線回折では検出されない微細に分散し
たＹ２０ｓがアニールによるα−Ｆｅの結晶粒成長を抑
制しているためと考えられる。

実施例２ Ｆｅ−Ｈｆ−０軟磁性薄膜をイオンビームスパッタ装置
を用いて下記のように作製した。

まず、純鉄ターゲット上にＨｆのチップを対称性よく配
置した複合ターゲットに対し、１．００ｍｍ径のパケッ
ト型イオンガンをもつイオンビームスパッタ装置にてＡ
ｒイオンを加速してターゲットに当て、ターゲットから
所定の距離に基板を置いて膜厚約１μｍの膜を成膜した
。

この場合、真空チャンバーの基板に近い所から微量の酸
素を流し、反応性スパッタを行なった。

また、基板には実施例１と同様、結晶化ガラスを用い、
間接水冷した。

主な成膜条件は下記の通りである。

加速電圧：１２００Ｖ ビーム電流：１３０＋ｎＡ 成膜速度コ１６０人／分 到達真空度：　Ｉ　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ成膜中真空
度：　１．５＋〜２．５Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ次に得ら
れた薄膜の磁気特性を向上させるために真空度Ｉ　Ｘ　
１０−’　Ｔｏｒｒ　、温度４００℃、保持時間１時間
にて熱処理を行なった後に、実施例１と同様の方法で緒
特性を評価した。

結果は表２に示されるとおりである。

表２に示される結果から本発明の効果が明らかである。

実施例３ 膜厚１μｍのＦｅ−Ｚｒ−０軟磁性薄膜を実施例２のＦ
ｅ−Ｈｆ−０軟磁性薄膜と同様の方法にて、同様の条件
でガラス基板上に成膜した。

この場合、ターゲットには純鉄上にＺｒのデツプを対称
性よく配置した複合ターゲットを用いた。

なお、熱処理条件も実施例２と同様である。

そして、得られた軟磁性薄膜に対し、前記と同様の方法
で緒特性を評価した。

結果は表３に示されるとおりである。

表３に示される結果から本発明の効果が明らかである。

なお、このほか、３Ａ族元素および４Ａ族元累から選ば
れる種々の金属を用いてＦｅ−Ｍ−０軟磁性薄膜を成膜
して前記と同様の評価を行なったところ同等の結果が得
られた。

また、本発明の軟磁性薄膜を磁気ヘッドに適用して、薄
膜磁気ヘッドを製造した。

そして、高保磁力の磁気記録媒体に対し、記録・再生を
行なったところ、十分なオーバーライド特性と高周波数
での高い記録・再生感度等の優れた電磁変換特性が得ら
れた。

〈発明の効果〉 本発明の軟磁性薄膜は、飽和磁束密度Ｂｓが高く、透磁
率μが高く、保磁力Ｈｅが低い軟磁気特性を有し、しか
も電気抵抗率ρが高い。

加えて、耐食性が良い。

さらには、単層膜で前記の特性が得られるため、成膜が
容易であり、生産歩留りや量産性が高い。

また、本発明の軟磁性薄膜を例えば、磁気ヘッドに適用
する場合、高保磁力の磁気記録媒体へ十分な記録を行な
うことができ、十分なオーバーライド特性が得られる。

加えて、記録・再生感度、特に高周波数での記録・再生
感度が従来のものに比べ格段と向上にする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の軟磁性薄膜を適用した薄膜磁気ヘッ
ドの１例が示される部分断面図である。 第２図は、本発明の軟磁性薄膜の熱処理前のＸ線回折チ
ャートが示されるグラフである。 第３図は、本発明の軟磁性薄膜の熱処理後のＸ線回折チ
ャートが示されるグラフである。 符号の説明 ７・・・スライダ ８１．８３．８５・・・絶縁層 ９１・・・下部磁極層 ９５・・・上部磁極層 １０・・・ギャップ層 １１・・・コイル層 １２・・・保護層 出 代 願 理 同 人 人 ティーデイ−ケイ株式会社

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）下記式で表わされる原子比組成を有することを特
   徴とする軟磁性薄膜。 式Ｆｅ＿１＿０＿０＿−＿（＿ａ＿＋＿ｂ＿）Ｍ＿ａＯ
   ＿ｂ（上式においてＭは、３Ａ族元素および４Ａ族元素
   から選ばれる１種以上であり、２≦ａ≦１５、４≦ｂ≦
   ３５である。）
2. （２）Ｆｅを主成分とする主磁性相を有し、前記主磁性
   相の結晶粒子の平均結晶粒径Ｄが１０００Å以下である
   請求項１に記載の軟磁性薄膜。
3. （３）Ｆｅを主成分とする主磁性層を有し、前記主磁性
   相の結晶粒子が全体の５０体積％以上存在する請求項１
   または２に記載の軟磁性薄膜。