JPH04260659A - 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物の製造方法Info
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01G25/006—Compounds containing, besides zirconium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
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-
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-
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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-
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- C01P2002/34—Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物の製造方法に関し、特にたとえば、積層セラミック
コンデンサなどの材料として用いられる非還元性誘電体
磁器組成物の製造方法に関する。
成物の製造方法に関し、特にたとえば、積層セラミック
コンデンサなどの材料として用いられる非還元性誘電体
磁器組成物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサを製造する場
合、シート状の誘電体材料と、内部電極となるべき電極
材料とを積層し、熱圧着によって一体化した積層体が得
られる。この積層体を所定の雰囲気中で焼成し、誘電体
磁器が形成される。そして、この誘電体磁器の端面に、
内部電極と導通する外部電極を焼き付けて、積層セラミ
ックコンデンサが製造される。
合、シート状の誘電体材料と、内部電極となるべき電極
材料とを積層し、熱圧着によって一体化した積層体が得
られる。この積層体を所定の雰囲気中で焼成し、誘電体
磁器が形成される。そして、この誘電体磁器の端面に、
内部電極と導通する外部電極を焼き付けて、積層セラミ
ックコンデンサが製造される。
【０００３】このような積層セラミックコンデンサに用
いられる誘電体磁器組成物では、中性または還元性の低
酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化してしまう
という性質を有していた。そのため、このような誘電体
材料を積層セラミックコンデンサの材料として用いると
、内部電極材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温
度で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない
高酸素分圧下で焼成しても酸化されないパラジウム，白
金などの貴金属を用いる必要があった。このように、内
部電極材料として高価なものを使用しなければならない
ため、積層コンデンサの製造コストが大きくなっていた
。特に、近年、電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化，大容量化の傾向が顕著
になってきた。そのため、積層セラミックコンデンサの
製造コストに占める電極材料費の割合が上昇している。
いられる誘電体磁器組成物では、中性または還元性の低
酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化してしまう
という性質を有していた。そのため、このような誘電体
材料を積層セラミックコンデンサの材料として用いると
、内部電極材料としては、誘電体磁器材料の焼結する温
度で溶融せず、かつ誘電体磁器材料を半導体化させない
高酸素分圧下で焼成しても酸化されないパラジウム，白
金などの貴金属を用いる必要があった。このように、内
部電極材料として高価なものを使用しなければならない
ため、積層コンデンサの製造コストが大きくなっていた
。特に、近年、電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化，大容量化の傾向が顕著
になってきた。そのため、積層セラミックコンデンサの
製造コストに占める電極材料費の割合が上昇している。
【０００４】そこで、このような問題を解決するために
、ニッケルなどの安価な卑金属を内部電極材料として使
用することが考えられる。しかしながら、このような卑
金属を内部電極材料として使用し、従来の条件下で焼成
すると、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能
を果たさない。このような卑金属を電極材料として使用
するためには、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲
気中で焼成しても半導体化せず、コンデンサ用の誘電体
材料として十分な比抵抗と優れた誘電特性とを有する誘
電体磁器材料が必要とされている。これらの条件を満た
すものとして、たとえば特公平０２−０６３６６４号公
報に示された、Ｃｅなどの希土類元素を含むチタン酸バ
リウム固溶体などがある。このような材料は、還元性雰
囲気中で焼成しても還元されず、グレインサイズが小さ
く、高誘電率を示すなど、大変有用な組成物である。
、ニッケルなどの安価な卑金属を内部電極材料として使
用することが考えられる。しかしながら、このような卑
金属を内部電極材料として使用し、従来の条件下で焼成
すると、電極材料が酸化してしまい、電極としての機能
を果たさない。このような卑金属を電極材料として使用
するためには、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲
気中で焼成しても半導体化せず、コンデンサ用の誘電体
材料として十分な比抵抗と優れた誘電特性とを有する誘
電体磁器材料が必要とされている。これらの条件を満た
すものとして、たとえば特公平０２−０６３６６４号公
報に示された、Ｃｅなどの希土類元素を含むチタン酸バ
リウム固溶体などがある。このような材料は、還元性雰
囲気中で焼成しても還元されず、グレインサイズが小さ
く、高誘電率を示すなど、大変有用な組成物である。
【０００５】このような非還元性誘電体磁器組成物を得
る方法としては、炭酸化物や酸化物からなる素原料を混
合，仮焼し、合成する方法がある。
る方法としては、炭酸化物や酸化物からなる素原料を混
合，仮焼し、合成する方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の方法では、素原料自体を１μｍ以下にするこ
とが難しく、そのため素原料を仮焼しても組成的に均一
なものを得ることが難しい。このような方法で、非還元
性誘電体磁器組成物として、Ｃｅなどの希土類元素を含
むチタン酸バリウム固溶体を製造すると、仮焼後に希土
類元素が均一に拡散せず、濃度にばらつきが生じる。こ
の原料を用いて焼結体を作製すると、希土類元素濃度の
高いところでは、非還元性チタン酸バリウム固溶体が部
分的に半導体化するためか、積層コンデンサにした場合
の信頼性が低いことが明らかになった。
うな従来の方法では、素原料自体を１μｍ以下にするこ
とが難しく、そのため素原料を仮焼しても組成的に均一
なものを得ることが難しい。このような方法で、非還元
性誘電体磁器組成物として、Ｃｅなどの希土類元素を含
むチタン酸バリウム固溶体を製造すると、仮焼後に希土
類元素が均一に拡散せず、濃度にばらつきが生じる。こ
の原料を用いて焼結体を作製すると、希土類元素濃度の
高いところでは、非還元性チタン酸バリウム固溶体が部
分的に半導体化するためか、積層コンデンサにした場合
の信頼性が低いことが明らかになった。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、希
土類元素を含む非還元性誘電体磁器組成物を得る場合に
おいて、積層コンデンサを作製したときに、信頼性の高
い積層コンデンサを得ることができる、非還元性誘電体
磁器組成物の製造方法を提供することである。
土類元素を含む非還元性誘電体磁器組成物を得る場合に
おいて、積層コンデンサを作製したときに、信頼性の高
い積層コンデンサを得ることができる、非還元性誘電体
磁器組成物の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ｂａ，Ｓｒ
，Ｃａ，Ｍｇの中から選ばれる少なくとも１種類をＡ、
希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類をＲ、Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｓｎの中から選ばれる少なくとも１種類をＭ
としたとき、次の一般式（Ａ１−ｘ Ｒｘ ）ｙ ＭＯ
３ で表され、ｘおよびｙが、０．００１≦ｘ≦０．０
２０、１．００２≦ｙ≦１．０３の関係を満足するペロ
ブスカイト型非還元性誘電体磁器組成物の製造方法であ
って、水溶性希土類元素無機化合物または有機溶剤可溶
性希土類元素有機金属化合物を用いる、非還元性誘電体
磁器組成物の製造方法である。
，Ｃａ，Ｍｇの中から選ばれる少なくとも１種類をＡ、
希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類をＲ、Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｓｎの中から選ばれる少なくとも１種類をＭ
としたとき、次の一般式（Ａ１−ｘ Ｒｘ ）ｙ ＭＯ
３ で表され、ｘおよびｙが、０．００１≦ｘ≦０．０
２０、１．００２≦ｙ≦１．０３の関係を満足するペロ
ブスカイト型非還元性誘電体磁器組成物の製造方法であ
って、水溶性希土類元素無機化合物または有機溶剤可溶
性希土類元素有機金属化合物を用いる、非還元性誘電体
磁器組成物の製造方法である。
【０００９】
【作用】希土類元素として、水溶性希土類元素無機化合
物または有機溶剤可溶性希土類元素有機化合物を用いる
ことによって、ペロブスカイト型組成物に均一に希土類
元素が固溶，拡散する。
物または有機溶剤可溶性希土類元素有機化合物を用いる
ことによって、ペロブスカイト型組成物に均一に希土類
元素が固溶，拡散する。
【００１０】ここで、一般式（Ａ１−ｘ Ｒｘ ）ｙ
ＭＯ３ で表される非還元性誘電体磁器組成物のｘおよ
びｙを限定した理由について説明する。つまり、ｘが０
．００１より小さい場合、信頼性向上作用が認められず
、好ましくない。また、ｘが０．０２を超えた場合、信
頼性が低下してしまい、好ましくない。ｙが１．００２
より小さい場合、半導体化されやすくなり、信頼性が大
幅に低下して、好ましくない。また、ｙが１．０３を超
えた場合、焼結性が低下して、好ましくない。
ＭＯ３ で表される非還元性誘電体磁器組成物のｘおよ
びｙを限定した理由について説明する。つまり、ｘが０
．００１より小さい場合、信頼性向上作用が認められず
、好ましくない。また、ｘが０．０２を超えた場合、信
頼性が低下してしまい、好ましくない。ｙが１．００２
より小さい場合、半導体化されやすくなり、信頼性が大
幅に低下して、好ましくない。また、ｙが１．０３を超
えた場合、焼結性が低下して、好ましくない。
【００１１】
【発明の効果】この発明によれば、希土類元素が均一に
固溶，拡散した組成物が得られるため、積層セラミック
コンデンサを作製したときに、信頼性の高い積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。そのため、従来の
誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサに
比べて、内部電極間のセラミック素子部の厚みを大幅に
小さくすることができる。したがって、積層セラミック
コンデンサを小型大容量化することが可能である。また
、この非還元性誘電体磁器組成物は非還元性であるため
、内部電極材料として卑金属を使用することができ、貴
金属を用いたものに比べて、製造コストを下げることが
できる。
固溶，拡散した組成物が得られるため、積層セラミック
コンデンサを作製したときに、信頼性の高い積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。そのため、従来の
誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサに
比べて、内部電極間のセラミック素子部の厚みを大幅に
小さくすることができる。したがって、積層セラミック
コンデンサを小型大容量化することが可能である。また
、この非還元性誘電体磁器組成物は非還元性であるため
、内部電極材料として卑金属を使用することができ、貴
金属を用いたものに比べて、製造コストを下げることが
できる。
【００１２】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１３】
【実施例】まず、純度９９．８％以上の素原料を、表１
に示す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を３
０００ｃｃの純水および１モル％相当量のＣｅＣｌ３
とともに樹脂ポットに入れた。そして、直径５ｍｍのジ
ルコニア質の粉砕用玉石５０００ｇを用いて、１６時間
粉砕，混合した。このようにして得られたスラリーを蒸
発，乾燥し、乾燥粉体を得た。この乾燥粉体を１１００
℃で仮焼し、Ｃｅを均一に分散させた仮焼粉体Ｉを得た
。
に示す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を３
０００ｃｃの純水および１モル％相当量のＣｅＣｌ３
とともに樹脂ポットに入れた。そして、直径５ｍｍのジ
ルコニア質の粉砕用玉石５０００ｇを用いて、１６時間
粉砕，混合した。このようにして得られたスラリーを蒸
発，乾燥し、乾燥粉体を得た。この乾燥粉体を１１００
℃で仮焼し、Ｃｅを均一に分散させた仮焼粉体Ｉを得た
。
【００１４】
【表１】
【００１５】次に、純度９９．８％以上の素原料を、表
２に示す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を
３０００ｃｃの純水とともに樹脂ポットに入れた。そし
て、直径５ｍｍのジルコニア質の粉砕用玉石５０００ｇ
を用いて、１６時間粉砕，混合した。このようにして得
られたスラリーを蒸発，乾燥し、乾燥粉体を得た。この
乾燥粉体を１１５０℃で仮焼し、仮焼粉体を得た。この
仮焼粉体１０００ｇを２０００ｃｃの純水，有効成分換
算で３．０ｇの界面活性剤および０．５モル％相当量の
Ｓｍ（ＮＯ３ ）３ ・６Ｈ２ Ｏとともに、樹脂ポッ
トに入れた。そして、直径５ｍｍのジルコニア質の粉砕
用玉石５０００ｇを用いて、１６時間粉砕，混合した。 このようにして得られたスラリーを蒸発，乾燥し、乾燥
粉体を得た。この乾燥粉体を１１５０℃で仮焼すること
によって、Ｓｍを均一に分散させた仮焼粉体ＩＩを得た
。
２に示す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を
３０００ｃｃの純水とともに樹脂ポットに入れた。そし
て、直径５ｍｍのジルコニア質の粉砕用玉石５０００ｇ
を用いて、１６時間粉砕，混合した。このようにして得
られたスラリーを蒸発，乾燥し、乾燥粉体を得た。この
乾燥粉体を１１５０℃で仮焼し、仮焼粉体を得た。この
仮焼粉体１０００ｇを２０００ｃｃの純水，有効成分換
算で３．０ｇの界面活性剤および０．５モル％相当量の
Ｓｍ（ＮＯ３ ）３ ・６Ｈ２ Ｏとともに、樹脂ポッ
トに入れた。そして、直径５ｍｍのジルコニア質の粉砕
用玉石５０００ｇを用いて、１６時間粉砕，混合した。 このようにして得られたスラリーを蒸発，乾燥し、乾燥
粉体を得た。この乾燥粉体を１１５０℃で仮焼すること
によって、Ｓｍを均一に分散させた仮焼粉体ＩＩを得た
。
【００１６】
【表２】
【００１７】また、純度９９．８％以上の素原料を、表
３に示す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を
３０００ｃｃの純水とともに樹脂ポットに入れた。そし
て、直径５ｍｍのジルコニア質の粉砕用玉石５０００ｇ
を用いて、１６時間粉砕，混合した。このようにして得
られたスラリーを蒸発，乾燥し、乾燥粉体を得た。この
乾燥粉体を１１５０℃で仮焼し、仮焼粉体ＩＩＩを得た
。
３に示す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を
３０００ｃｃの純水とともに樹脂ポットに入れた。そし
て、直径５ｍｍのジルコニア質の粉砕用玉石５０００ｇ
を用いて、１６時間粉砕，混合した。このようにして得
られたスラリーを蒸発，乾燥し、乾燥粉体を得た。この
乾燥粉体を１１５０℃で仮焼し、仮焼粉体ＩＩＩを得た
。
【００１８】
【表３】
【００１９】純度９９．８％以上の素原料を、表１に示
す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を３００
０ｃｃの純水および１モル％相当量のＣｅＯ２ 粉末と
ともに樹脂ポットに入れた。そして、仮焼粉体Ｉと同様
の工程によって、従来の固相法としてＣｅを加えた仮焼
粉体ＩＶを得た。
す割合で総量１５００ｇ準備した。この素原料を３００
０ｃｃの純水および１モル％相当量のＣｅＯ２ 粉末と
ともに樹脂ポットに入れた。そして、仮焼粉体Ｉと同様
の工程によって、従来の固相法としてＣｅを加えた仮焼
粉体ＩＶを得た。
【００２０】２００ｇの仮焼粉体Ｉを適当量の有機溶剤
および有機バインダとともに樹脂ポットに入れ、直径５
ｍｍのジルコニア質の粉砕用玉石２０００ｇを用いて、
１０時間混合し、スラリーを得た。同様にして、仮焼粉
体ＩＩおよび仮焼粉体ＩＶを用いて、スラリーを得た。 また、２００ｇの仮焼粉体ＩＩＩに対し１．５モル％相
当量のＮｄ（ＣＨ３ ＣＯＣＨＣＯＣＨ３ ）３ を加
え、これを適当量の有機溶剤および有機バインダととも
に樹脂ポットに入れた。そして、直径５ｍｍのジルコニ
ア質の粉砕用玉石２０００ｇを用いて、１０時間混合し
、スラリーを得た。
および有機バインダとともに樹脂ポットに入れ、直径５
ｍｍのジルコニア質の粉砕用玉石２０００ｇを用いて、
１０時間混合し、スラリーを得た。同様にして、仮焼粉
体ＩＩおよび仮焼粉体ＩＶを用いて、スラリーを得た。 また、２００ｇの仮焼粉体ＩＩＩに対し１．５モル％相
当量のＮｄ（ＣＨ３ ＣＯＣＨＣＯＣＨ３ ）３ を加
え、これを適当量の有機溶剤および有機バインダととも
に樹脂ポットに入れた。そして、直径５ｍｍのジルコニ
ア質の粉砕用玉石２０００ｇを用いて、１０時間混合し
、スラリーを得た。
【００２１】得られた各スラリーを用いて、ドクターブ
レードを用いたキャスティング法によって、厚さ１５μ
ｍのセラミックグリーンシートを作製した。このセラミ
ックグリーンシート上に、Ｎｉ粉末を用いた内部電極用
ペーストを通常の積層セラミックコンデンサを製造する
方法でスクリーン印刷した。内部電極用ペーストを印刷
したセラミックグリーンシートを、積層数が１０層とな
るように積層し、熱プレスによって一体化し、積層体を
得た。その後、この積層体を所定の寸法に切断して、生
チップを作製した。
レードを用いたキャスティング法によって、厚さ１５μ
ｍのセラミックグリーンシートを作製した。このセラミ
ックグリーンシート上に、Ｎｉ粉末を用いた内部電極用
ペーストを通常の積層セラミックコンデンサを製造する
方法でスクリーン印刷した。内部電極用ペーストを印刷
したセラミックグリーンシートを、積層数が１０層とな
るように積層し、熱プレスによって一体化し、積層体を
得た。その後、この積層体を所定の寸法に切断して、生
チップを作製した。
【００２２】得られた生チップを温度３００℃，酸素分
圧１００ｐｐｍの雰囲気下で２時間保持し、脱バインダ
処理をした。脱バインダ処理を施した生チップを、酸素
分圧３×１０−８〜３×１０−１０ ａｔｍに調節した
還元性雰囲気中において、１２５０〜１３００℃で２時
間焼成し、焼結体を得た。この焼結体に外部電極を付け
て試料とした。なお、仮焼粉体Ｉを用いて作製した試料
は、試料Ｉとした。同様に、仮焼粉体ＩＩ，ＩＩＩ，Ｉ
Ｖを用いた試料は、それぞれ試料ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶと
した。
圧１００ｐｐｍの雰囲気下で２時間保持し、脱バインダ
処理をした。脱バインダ処理を施した生チップを、酸素
分圧３×１０−８〜３×１０−１０ ａｔｍに調節した
還元性雰囲気中において、１２５０〜１３００℃で２時
間焼成し、焼結体を得た。この焼結体に外部電極を付け
て試料とした。なお、仮焼粉体Ｉを用いて作製した試料
は、試料Ｉとした。同様に、仮焼粉体ＩＩ，ＩＩＩ，Ｉ
Ｖを用いた試料は、それぞれ試料ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶと
した。
【００２３】得られた試料Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶにつ
いて、静電容量，誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎδ）
，絶縁抵抗および平均故障時間（ＭＴＴＦ）を測定し、
表４に示した。なお、静電容量および誘電損失は、１ｋ
Ｈｚ，１Ｖｒｍｓ の交流電圧を印加することによって
測定した。また、誘電率は、電極面積および電極間距離
を測定し、静電容量から算出した。さらに、平均故障時
間は、１５０℃の雰囲気中で、６４Ｖ／１０μｍの直流
電界を印加した条件のもとで測定した値である。また、
絶縁抵抗については、その対数値（ｌｏｇＩＲ）を示し
た。
いて、静電容量，誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎδ）
，絶縁抵抗および平均故障時間（ＭＴＴＦ）を測定し、
表４に示した。なお、静電容量および誘電損失は、１ｋ
Ｈｚ，１Ｖｒｍｓ の交流電圧を印加することによって
測定した。また、誘電率は、電極面積および電極間距離
を測定し、静電容量から算出した。さらに、平均故障時
間は、１５０℃の雰囲気中で、６４Ｖ／１０μｍの直流
電界を印加した条件のもとで測定した値である。また、
絶縁抵抗については、その対数値（ｌｏｇＩＲ）を示し
た。
【００２４】
【表４】
【００２５】表４からわかるように、従来の固相焼結法
によって得られた仮焼粉体のみからなる試料ＩＶでは、
平均故障時間が１．２時間と短く、信頼性に劣る。一方
、本発明に示すように、希土類元素として水溶性無機化
合物あるいは有機可溶性有機金属化合物を用いることに
よって製造した磁器組成物からなる試料Ｉ，ＩＩ，ＩＩ
Ｉでは、試料ＩＶに比べて１０倍以上の平均故障時間を
有することが確認できる。
によって得られた仮焼粉体のみからなる試料ＩＶでは、
平均故障時間が１．２時間と短く、信頼性に劣る。一方
、本発明に示すように、希土類元素として水溶性無機化
合物あるいは有機可溶性有機金属化合物を用いることに
よって製造した磁器組成物からなる試料Ｉ，ＩＩ，ＩＩ
Ｉでは、試料ＩＶに比べて１０倍以上の平均故障時間を
有することが確認できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇの中から選ば
れる少なくとも１種類をＡ、希土類元素の中から選ばれ
る少なくとも１種類をＲ、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｓｎから選ばれ
る少なくとも１種類をＭとしたとき、次の一般式（Ａ１
−ｘ Ｒｘ ）ｙ ＭＯ３ で表され、ｘおよびｙが、 ０．００１≦ｘ≦０．０２０ １．００２≦ｙ≦１．０３ の関係を満足するペロブスカイト型非還元性誘電体磁器
組成物の製造方法であって、水溶性希土類元素無機化合
物または有機溶剤可溶性希土類元素有機金属化合物を用
いる、非還元性誘電体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3044399A JP2871135B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 |
| DE4204425A DE4204425C2 (de) | 1991-02-16 | 1992-02-14 | Herstellung einer nicht-reduzierbaren keramischen Zusammensetzung |
| US07/836,089 US5310709A (en) | 1991-02-16 | 1992-02-14 | Production of nonreducible dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3044399A JP2871135B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04260659A true JPH04260659A (ja) | 1992-09-16 |
| JP2871135B2 JP2871135B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=12690436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3044399A Expired - Lifetime JP2871135B2 (ja) | 1991-02-16 | 1991-02-16 | 非還元性誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5310709A (ja) |
| JP (1) | JP2871135B2 (ja) |
| DE (1) | DE4204425C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006169004A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| JP2014019589A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Ohara Inc | 光路長変化の小さい材料 |
| US10468186B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-11-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Perovskite ceramic composition, combined composition containing perovskite ceramic composition, method for manufacturing perovskite ceramic composition, and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6126743A (en) * | 1993-03-12 | 2000-10-03 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing dielectrics and fine single crystal powders and thin film capacitor |
| US5635741A (en) * | 1994-09-30 | 1997-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films by erbium donor doping |
| DE69701294T2 (de) * | 1996-03-08 | 2000-07-06 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Keramisches Dielektrikum und dieses verwendendes monolithisches keramisches Elektronikbauteil |
| US5897912A (en) * | 1997-09-03 | 1999-04-27 | Ferro Corporation | Method of making conductive electrodes for use in multilayer ceramic capacitors or inductors using organometallic ink |
| JP3503568B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2004-03-08 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| DE10056617C2 (de) * | 2000-11-15 | 2002-12-12 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Werkstoff für temperaturbelastete Substrate |
| TWI223817B (en) * | 2002-11-08 | 2004-11-11 | Ind Tech Res Inst | Dielectric material compositions with high dielectric constant and low dielectric loss |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS547070B2 (ja) * | 1973-07-30 | 1979-04-03 | ||
| US4535064A (en) * | 1983-05-25 | 1985-08-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor |
| JPH0639330B2 (ja) * | 1984-01-24 | 1994-05-25 | ソニー株式会社 | チタン酸バリウム・ストロンチウム微粒子の製造方法 |
| US4537865A (en) * | 1984-07-11 | 1985-08-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Process for preparing a particulate ceramic material |
| JPH0692268B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1994-11-16 | 日本油脂株式会社 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
-
1991
- 1991-02-16 JP JP3044399A patent/JP2871135B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-14 US US07/836,089 patent/US5310709A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-14 DE DE4204425A patent/DE4204425C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006169004A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Tdk Corp | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 |
| JP2014019589A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Ohara Inc | 光路長変化の小さい材料 |
| US10468186B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-11-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Perovskite ceramic composition, combined composition containing perovskite ceramic composition, method for manufacturing perovskite ceramic composition, and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4204425A1 (de) | 1992-08-20 |
| US5310709A (en) | 1994-05-10 |
| DE4204425C2 (de) | 2001-09-27 |
| JP2871135B2 (ja) | 1999-03-17 |
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